KR100246352B1 - 반도체의 와이어 본딩구조 - Google Patents

반도체의 와이어 본딩구조 Download PDF

Info

Publication number
KR100246352B1
KR100246352B1 KR1019970024732A KR19970024732A KR100246352B1 KR 100246352 B1 KR100246352 B1 KR 100246352B1 KR 1019970024732 A KR1019970024732 A KR 1019970024732A KR 19970024732 A KR19970024732 A KR 19970024732A KR 100246352 B1 KR100246352 B1 KR 100246352B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
metal
pad
bonding
final
Prior art date
Application number
KR1019970024732A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990001418A (ko
Inventor
김동석
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019970024732A priority Critical patent/KR100246352B1/ko
Publication of KR19990001418A publication Critical patent/KR19990001418A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100246352B1 publication Critical patent/KR100246352B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4845Details of ball bonds
    • H01L2224/48451Shape
    • H01L2224/48453Shape of the interface with the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체의 와이어 본딩구조에 관한 것으로, 종래에는 표면이 매끄러운 메탈패드에 와이어의 단부가 얹히듯이 접착되므로, 이때 상기 와이어에 가해지는 측힘에 의해 메탈패드와 와이어가 쉽게 떨어질 우려가 있었던 바, 본 발명에서는 다이의 최종전 메탈을 요철지게 형성하고, 그 최종전 메탈의 요철돌기 상측에 산화막을 굴곡지게 도포하며, 그 산화막의 상면에 상기 와이어가 접착되기 위한 최종메탈을 역시 굴곡지게 덧씌움으로써, 상기 와이어가 다이의 최종메탈 상면에 견고하게 본딩되어 패드의 불량율을 현저하게 감소시키는 효과가 있다.

Description

반도체의 와이어 본딩구조{STRUCTURE FOR BONDING WIRE OF SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체의 와이어 본딩공정에 관한 것으로, 특히 본딩패드의 표면을 요철지게 형성하여 와이어 단부와의 접착면적을 넓히는 것과 아울러 측힘에 대해 접착력을 향상시키는데 적합한 반도체의 와이어 본딩구조에 관한 것이다.
일반적으로 반도체의 제조공정에 있어서, 소정 패드에 다이를 접착시킨 이후에는 그 패드를 외부의 단자와 전기적으로 연결을 시키거나 또는 상기 다이와 패드간을 전기적으로 연결시켜야 하는데, 이때 가장 보편적인 방법이 골드와이어를 사용하여 상기 패드와 외부단자 또는 다이와 패드간을 연결시키는 것으로, 이러한 공정을 통상 와이어 본딩이라고 한다.
도 1a 및 도 1b는 패드와 외부단자간의 와이어본딩에 대한 상기 본딩패드의 일례를 보인 평면도 및 그 본딩패드에 와이어가 본딩된 상태를 보인 종단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 종래의 메탈패드에 와이어를 열에 의해 본딩시키게 되면, 표면이 매끄러운 메탈패드(1)의 상면에 와이어(2)의 단부가 볼(Ball)형상으로 접착된다. 즉, 상기 와이어(2)의 단부를 가열된 메탈패드(1)의 표면에 대고 가열하면서 압력을 가하게 가하게 되면, 그 열과 압력에 의해 상기 와이어(2)가 녹으면서 눌렸다가 응고되어 메탈패드(1)의 표면에 응착되는 것이었다.
이때, 상기 와이어(2)의 단부는 메탈패드(1)와 접촉되는 하단면에서 상측으로 갈수록 점차 직경이 커졌다가 다시 직경이 작아지는 구의 형태로 형성되는 것이었다.
그러나, 상기와 같이 표면이 매끄러운 메탈패드(1)에 와이어의 단부가 얹히듯이 접착되는 경우에는 메탈패드(1)와 와이어(2)간의 접착면적이 좁아지게 되는 것은 물론 측힘, 즉 와이어(2) 단부의 측면에서 가해지는 힘(F)에 약하여 메탈패드(1)와 와이어(2)가 쉽게 떨어질 우려가 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 상기 메탈패드의 표면과 와이어의 단면이 보다 확실하게 접착될 수 있도록 접착면적을 넓게 하는 것과 아울러 와이어에 가해지는 측힘에도 견딜수 있도록 하는 반도체의 와이어 본딩구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a는 종래를 본딩패드를 보인 평면도.
도 1b는 종래 본딩패드에 와이어가 본딩된 상태를 보인 종단면도.
도 2a는 본 발명에 의한 본딩패드를 보인 평면도.
도 2b는 본 발명에 의한 본딩패드에 와이어가 본딩된 상태를 보인 종단면도.
도 3은 본 발명에 의한 본딩패드의 다른실시예를 보인 종단면도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
10 : 메탈패드 11 : 요철홈
30 : 다이 31 : 최종전 메탈
31a : 요철돌기 32 : 산화막
33 : 최종메탈 33a : 볼록면
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 다이의 메탈패드에 와이어를 접착시키는 반도체의 와이어 본딩공정에 있어서, 상기 다이의 최종전 메탈을 요철지게 형성하고, 상기 최종전 메탈의 요철돌기 상면에 산화막을 도포하되 그 표면이 굴곡지도록 형성하며, 상기 산화막층의 상면에 최종메탈을 덧씌우되 그 최종메탈의 표면이 와이어와 복수방향의 접착력을 갖도록 굴곡지게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체의 와이어 본딩구조가 제공된다.
이하, 본 발명에 의한 반도체의 와이어 본딩구조를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 2a 및 도 2b는 패드와 외부단자간의 와이어본딩에 대한 본 발명에 의한 본딩패드의 일례를 보인 평면도 및 그 본딩패드에 와이어가 본딩된 상태를 보인 종단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 메탈패드(10)에 수개의 요철홈(11)이 형성되고, 그 요철홈(11)에 와이어(20)의 단부가 녹아 스며들어 끼워지 듯이 접착되는 것이다. 즉, 와이어 본딩시는 통상 와이어(20)의 단부를 가열된 메탈패드(10)에 대고 소정온도로 가열하면서 압력을 가하게 되면, 그 열과 압력에 의해 와이어(20)가 녹으면서 눌렸다가 응고되면서 메탈패드(10)에 응착되는데, 이때 열에 의해 녹은 와이어(20)의 일부가 상기 메탈패드(10)의 요철홈(11)으로 스며들었다가 그대로 응고되어 결국 끼워지듯이 응착되는 것이다.
이로써, 상기 와이어(20)의 단부가 메탈패드(10)의 표면에 형성된 요철홈(11)에 끼워지듯이 접착되므로 와이어(20)와 메탈패드(10)간의 접촉면적도 확대되는 한편 상기 메탈패드(10)의 요철홈(11)의 측벽(11a)이 와이어(20)의 측면에서 가해지는 측힘(F')에 대하여 반발력을 발생시키게 되어 결국 와이어(20)와 메탈패드(10)간의 접착력이 향상되는 것이다.
본 발명에 의한 와이어 본딩구조가 다르게 적용되는 경우는 다음과 같다.
즉, 전술한 일례에서는 평판형의 메탈패드(10)와 외부단자(미도시)와의 와이어 본딩시 그 메탈패드(10)의 구조를 예로 들어 살펴본 것으로, 상기 메탈패드(10)의 일측단면에 요철홈(11)을 형성하고, 그 요철홈(11)에 와이어(20)의 단부가 녹으면서 눌려 융착되도록 하는 것인데 반해, 본 실시예에서는 상기 메탈패드와 다이(30)를 와이어(20')로 본딩할 때 상기 다이에 적용되는 것이다.
상기 다이의 표면에는 최종전 메탈로 레이(Layer)가 형성되고, 그 최종전 메탈의 상측에 산화막이 도포되며, 그 산화막의 상측에 다시 최종메탈이 덧씌워져 그 최종메탈의 표면에 와이어가 본딩되는데, 본 발명에 의한 본딩패드는 도 3에 도시된 바와 같이, 최종전 메탈(31)에서 필요한 부위만을 제외한채 식각을 실시하여 요철형 돌기(31a)를 형성하고, 그 요철형 돌기(31a)의 상측에 산화막(32)이 균일한 두께로 도포되어 상기 산화막(32)의 상면이 완만하게 굴곡져 형성되며, 그 산화막(32)이 상면에 최종메탈(33)이 역시 완만하게 굴곡져 형성되고, 그 최종메탈(33)의 상면에 와이어(20')가 본딩되는 것이다.
이때, 상기 최종메탈(33)의 상면이 최종전 메탈(31)에 형성된 요철돌기(31a)에 의해 굴곡져 형성되므로, 그 최종메탈(33)의 외표면에 본딩되는 와이어(20')의 단부 역시 완만하게 굴곡져 융착된다.
이로써, 와이어(20')와 최종메탈(33)간의 접착면적이 확대되는 것은 물론 최종메탈(33)의 볼록단(33a)이 와이어(20')에 가해지는 측힘(F")에 대해 반발력을 발생시키게 되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체의 와이어 본딩구조는, 상기 메탈패드의 와이어 접착면에 다수개의 요철형 홈을 형성하거나 또는 상기 다이의 최종전 메탈을 요철지게 형성하고, 그 최종전 메탈의 요철돌기 상측에 산화막을 굴곡지게 도포하며, 그 산화막의 상면에 상기 와이어가 접착되기 위한 최종메탈을 역시 굴곡지게 덧씌움으로써, 상기 와이어가 메탈패드 또는 최종메탈의 상단면에 견고하게 본딩되어 본딩패드의 불량율을 현저하게 감소시키게 되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 다이의 메탈패드에 와이어를 접착시키는 반도체의 와이어 본딩공정에 있어서, 상기 다이의 최종전 메탈을 요철지게 형성하고, 상기 최종전 메탈의 요철돌기 상면에 산화막을 도포하되 그 표면이 굴곡지도록 형성하며, 상기 산화막층의 상면에 최종메탈을 덧씌우되 그 최종메탈의 표면이 와이어와 복수방향의 접착력을 갖도록 굴곡지게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체의 와이어 본딩구조.
KR1019970024732A 1997-06-14 1997-06-14 반도체의 와이어 본딩구조 KR100246352B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970024732A KR100246352B1 (ko) 1997-06-14 1997-06-14 반도체의 와이어 본딩구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970024732A KR100246352B1 (ko) 1997-06-14 1997-06-14 반도체의 와이어 본딩구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990001418A KR19990001418A (ko) 1999-01-15
KR100246352B1 true KR100246352B1 (ko) 2000-03-15

Family

ID=19509586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970024732A KR100246352B1 (ko) 1997-06-14 1997-06-14 반도체의 와이어 본딩구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100246352B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04155854A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04155854A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990001418A (ko) 1999-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4862246A (en) Semiconductor device lead frame with etched through holes
US6595406B2 (en) Concave face wire bond capillary and method
WO1999000826A2 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
US5777380A (en) Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads
JP2009544159A (ja) 平坦な構造を有するモジュールと構成部品の設置方法
US6861735B2 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
JPH10163401A (ja) リードフレーム、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
US5533664A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
JP2570611B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR100246352B1 (ko) 반도체의 와이어 본딩구조
JP4147729B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH024999B2 (ko)
JP3839891B2 (ja) 半導体リードフレーム及び半導体パッケージ方法
KR100229224B1 (ko) 리드 프레임 및 이 리드 프레임의 테이핑 장치
JP2000260929A (ja) 表面実装用薄型パッケージ
KR100195156B1 (ko) 리이드 프레임의 제조 방법
KR101003061B1 (ko) 모노리식 집적 회로용 캐리어 장치
JP2532304B2 (ja) 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造
JPH11135536A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0533533B2 (ko)
JPH01135052A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100229225B1 (ko) 반도체 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 방법
KR100268925B1 (ko) 리드프레임및이를이용한반도체패키지
KR0161395B1 (ko) 반도체장치
JP2924858B2 (ja) リードフレームとその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101125

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee