KR100239046B1 - 박막형 광로조절장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광성 수지층 형성공정, 액츄에이터 식각공정, 감광성 수지층 제거공정의 3단계로 이루어지는 액츄에이터 분리공정에 있어서, 액츄에어터 식각공정시 발생된 금속-폴리머 응집체(Meta-Polymer Agglomerate)를 이후 감광성 수지층 제거시에 효과적으로 제거하기 할 수 있는 액츄에이터 분리공정을 제공하는 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 감광성 수지층 제거공정은: 감광성 수지층을 1차로 제거하고 금속-폴리머 응집체와 액츄에이터의 접착력을 약화시키기 위한 제 1 습식 화학처리 단계와; 금속-폴리머 응집체를 1차로 제거하기 위한 수소 플라즈마 공정단계와; 감광성 수지층을 2차로 제거하기 위한 산소 플라즈마 공정단계와; 감광성 수지층 잔유물 및 금속-폴리머 응집체를 제거하기 위한 제 2 습식 화학처리 단계 등으로 구성됨으로서 식각된 액츄에이터의 측벽에 펜스로 형성되는 금속-폴리머 응집체를 용이하게 제거하여 상.하부전극간 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감광성 수지층 형성공정, 액츄에이터 식각공정 및 감광성 수지층 제거공정 등으로 이루어져 엑츄에이터를 픽셀형상으로 분리하는 액츄에이터 분리공정에서, 액츄에이터 식각공정시 발생되는 금속-폴리머 응집체를 감광성 수지층 제거공정시 효과적으로 제거할 수 있는 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다. 직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시 장치는 화질은 좋은나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.
투사형 화상 표시장치로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display )는 박형화가 가능하여 중량을 작게 하면서 대화면을 구현할수는 있으나, 이러한 액정표시장치는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 액정표시화면을 구동하기 위한 박형 트랜지스터가 화소마다 형성되어 개구율(광의 투과면적)을 넓이는데 한계가 있다.
한편, 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays : 이하 'AMA'라 약칭함)를 이용한 투사형 화상 표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로조절장치의 구동에 의해 기울어지는 거울에 각각 반사시켜 광의 양을 조절할 수 있도록 광로(Light Path)를 변경시켜 화면에 투사시킴으로써 화면에 화상이 나타나도록 하는 것이다.
상기에서 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계를 발생시켜 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다.
이와같이 액츄에이터는 다층세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극을 형성시킨 세라믹 웨이퍼를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(Sawing)등으로 가공하는 벌크형(Bulk type)으로 다층세라믹을 형성하여 쏘잉 작업 등으로 가공하는 공정이 난해하며, 변형부의 반응속도가 떨어지는 문제점들로 인해 반도체 공정을 이용하여 제조하는 박막형(Thin Film type)이 개발되었다.
도 1은 종래기술에 따른 광로조절장치의 평면도이며, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 취한 단면도이다.
광로조절장치는 구동기판(51) 및 다수개의 액츄에이터(52)로 구성된다. 구동기판(51)은 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 구동기판(51) 내부에는 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되어 있다. 또한, 구동기판(51)의 상면에는 트랜지스터로부터 화상신호가 인가되는 패드(53)가 형성되어 있다.
액츄에이터(52)는 멤브레인(54), 플러그(55), 하부전극(56), 변형부(57) 및 상부전극(58)으로 이루어져 이웃하는 액츄에이터(52)와 분리되어 있는데 액츄에이터(52)의 중앙을 중심으로 2개의 레그와 돌출부가 형성되어 레그의 타측이 이웃하는 액츄에이터(52)의 끝단과 일치되어 '요(凹)' 자의 형태를 이루고, 돌출부는 이웃하는 액츄에이터(52)의 래그와 일치되어 '철(凸)'자의 형태를 이루도록 상보적으로 이루어진다.
한편, 액츄에이터의 멤브레인(54)은 실리콘 질화물로 0.1∼2㎛ 정도의 두께로 형성되며, 플러그(55)는 구동기판(51)의 패드(53)위에 적층되어 있는 멤브레인(54)의 소정부분에 텅스텐 또는 티타늄 등의 금속을 채워 패드(53)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 하부전극(56)은 멤브레인(54)의 상부에 백금, 백금/탄탈 또는 백금/티타늄 등을 100∼2000Å 정도의 두께로 형성되며, 변형부(57)는 하부전극(56) 상부에 PZT 또는 PLZT 등의 압전세라믹이나 PMN 등의 전왜세라믹을 0.1∼2㎛ 정도의 두께로 형성된다. 또한, 상부전극(58)은 변형부(57)의 상부 표면에 알루미늄, 백금 또는 은 등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속만을 스퍼터링 또는 진공증착 등에 의해 100∼2000Å 정도의 두께로 형성된다.
그리고 희생층이 노출될 수 있도록 상부전극(58), 변형부(57), 하부전극(56) 및 멤브레인(54)을 식각하여 액츄에이터(52)가 요철형상으로 배열될 수 있도록 분리한다.
특히, 종래의 액츄에이터 분리공정은 도 3에 도시된 바와 같이, 상부전극(58) 상면에 감광성 수지층(60)을 형성하는 감광성 수지층 형성단계와, 마스크(도면상 미도시)를 이용하여 노광공정을 통해 감광성 수지층(60)을 패터닝한 후 건식식각 방법으로 상부전극(58), 변형부(57), 하부전극(56) 및 멤브레인(54)까지 이방성 식각을하여 액츄에이터(52)를 식각하는 액츄에이터 식각단계와, 플라즈마 반응실(Plasma Reactor)에서 산소(O2)를 주입하여 플라즈마 장의 영향으로 산소가 높은 에너지 준위로 여기되면서 감광성 수지성분을 산화시켜 화합물 가스와 함께 진공으로 배출시키는 산소 플라즈마(O2Plasma) 공정을 통하여 감광성 수지층(60) 제거단계 등으로 이루어진다.
한편, 식각공정시 식각된 금속 잔유물로 이루어진 금속-폴리머 응집체(61 ; Metal-Polymer Agglomerate)가 수직방향 즉, 감광성 수지층(60) 내벽을 따라 재증착(Redepostion)되어 사이드 월(Side-Wall) 등과 같은 팬스(Fence)를 형성하게 된다.
그런데 종래의 액츄에이터 분리공정 중 감광성 수지층 제거단계에서 상기 산소 플라즈마 공정을 이용함으로 인하여 감광성 수지층(60) 내벽을 따라 재증착되어 팬스를 형성하고 있는 금속-폴리머 응집체(61)가 더욱 경화되어 잔존함으로써 메탈-폴리머 응집체가 상,하부전극을 연결하여 광로조절장치 작동시 상.하부전극간 쇼트를 유발하는 원인이 되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 감광성 수지층(60) 내벽을 따라 재증착되어 팬스를 형성하고 있는 금속-폴리머 응집체(61)를 감광성 수지층 제거단계에서 효과적으로 제거함으로서 광로조절장치 구동시 상.하부전극간 쇼트를 방지할 수 있는 박막형 광로조절장치의 제조방법을 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기위한 본 발명은 액츄에이터 분리공정 중 감광성 수지층의 제거단계에 있어서, 감광성 수지층을 1차로 제거하고 금속-폴리머 응집체와 액츄에이터의 접착력을 약화시키기 위한 제 1 습식 화학처리 단계와, 금속-폴리머 응집체를 1차로 제거하기 위한 수소 플라즈마 공정단계와, 감광성 수지층을 2차로 제거하기 위한 산소 플라즈마 공정단계와, 감광성 수지층 잔유물 및 금속-폴리머 응집체를 제거하기 위한 제 2 습식 화학처리 단계 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.
도 1은 종래기술에 따른 광로조절장치의 평면도,
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 취한 단면도,
도 3A 내지 3C는 종래의 액츄에이터 분리공정을 보인 공정도,
도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로조절장치의 금속-폴리머 응집체 제거 공정을 보인 블록도,
도 5는 본 발명에 따른 스핀 스프레이 식각장치을 보인 장치도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 챔버 11 : 분사구
12 : 광로조절장치 13 : 회전척
이하, 첨부도면과 함께 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 액츄에이터 분리공정중 감광성 수지층의 제거단계를 순차적으로 도시한 블록도이며, 도면 5는 본 발명에 따른 스핀 스프레이 식각장치을 보인 장치도이다.
본 발명은 구동기판에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극이 순차적으로 적층되어 이루어지는 액츄에이터가 상보적으로 배열되도록 하는 액츄에이터 분리공정을 포함하는 박막형 광로조절장치의 제조방법에 있어서, 여기에서 액츄에이터 분리공정은 감광성 수지층을 형성단계와, 액츄에이터를 식각단계와, 감광성 수지층을 제거단계로 이루어지는데, 특히 감광성 수지층을 제거단계는 감광성 수지층을 1차로 제거하고 금속-폴리머 응집체와 액츄에이터의 접착력을 약화시키기 위한 제 1 습식 화학처리 단계와, 금속-폴리머 응집체를 1차로 제거하기 위한 수소 플라즈마 공정단계와, 감광성 수지층을 2차로 제거하기 위한 산소 플라즈마 공정단계와, 감광성 수지층 잔유물 및 금속-폴리머 응집체를 제거하기 위한 제 2 습식 화학처리 단계 등으로 구성된다.
여기에서, 상기 제 1 및 제 2 습식 화학처리 단계에서는 식각액이 HF 또는 BOE 로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2 습식 화학처리 단계는 스핀 스프레이(Spin Spray) 식각장치으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 박막형 광로조절장치의 제조방법에서는 먼저, 종래기술과 동일한 방법을 이용하여 구동기판에 멤브레인, 하부전극, 변형부 및 상부전극이 순차적으로 적층되어 있는 액츄에이터가 형성된다.
그리고 나서, 액츄에이터 상면에 감광성 수지층을 도핑한 후 노광공정을 통해 패터닝하는 감광성 수지층 형성단계와, 상기 감광성 수지층의 패턴을 따라 상부전극, 변형부, 하부전극 및 멤브레인까지 정교한 건식 이방성 식각방법을 통하여 식각하여 액츄에이터를 상보적으로 배열되도록 분리시키는 액츄에이터 식각단계와, 본 발명의 일실시예 따른 감광성 수지층 제거단계 등으로 이루어진 액츄에이터 분리공정이 이루어진다.
여기에서, 액츄에이터 분리공정 중 본 발명의 일실시예에 따른 감광성 수지층 제거단계는 액츄에이터 식각단계에서 각각의 액츄에이터 측면에 발생한 금속-폴리머 응집체를 효과적으로 제거할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같은 이루어진다.
먼저, 식각액으로서 HF 또는 BOE 을 이용하여 감광성 수지층을 부분적으로 제거하는 제 1 습식 화학처리 단계가 이루어진다. 여기에서, 감광성 수지층의 상단부분이 제거되고 금속-폴리머 응집체와 액츄에이터 특히, 상.하부전극과의 접착력을 어느정도 약화시킨다.
다음으로, 액츄에이터의 측벽 및 감광성 수지층에 접착된 금속-폴리머 응집체를 일정 정도 제거하기 위하여 금속식각에 유용한 수소 플라즈마 공정단계가 이루어진다.
그런 후에, 감광성 수지층을 2차로 제거하기 위하여 액츄에이터 및 구동기판을 포함하는 광로조절장치를 플라즈마 반응실에 넣고 산소를 주입하여 플라즈마 장의 영향으로 산소가 높은 에너지 준위로 여기되면서 감광성 수지성분을 산화시켜 화합물 가스와 함께 진공으로 배출시키는 산소 플라즈마 공정단계가 이루어진다.
마지막으로, 스핀 스프레이 식각장치을 이용하여, 제 2 습식 화학처리 단계가 이루어짐으로서 감광성 수지층 잔유물 및 액츄에이터의 측벽에 약하게 부착되어 있는 금속-폴리머 응집체를 효율적으로 제거한다. 여기에서, 상기 스핀 스프레이 식각장치는 회전에 따른 원심력과, 식각액의 스프레이 분사방식에 의해 고르게 식각액을 분포할 수 있도록 함으로서 감광성 수지층의 잔유물 및 금속-폴리머 응집체의 제거를 더욱 효율적으로 한다.
추가적으로, 도 5에 도시된 본 발명에 따른 스핀 스프레이 식각장치의 구성 및 작동을 다음에 설명되어 있다.
상기 스핀 스프레이 식각장치는 챔버(10) 내부에 좌우방향으로 이동가능한 분사구(11)와, 광로조절장치(12)를 회전시키는 회전척(13)으로 구성되어 있다.
상기 분사구(11)의 노즐방향과 회전척(13)의 상면은 서로 직각방향으로 설치되며, 상기 분사구(11)는 HF 또는 BOE로 이루어진 식각액을 회전척(13)에 의해 회전되는 광로조절장치(12)의 중심부에서 바깥방향으로 고르게 분사시키도록 되어 있다.
상기 회전척(13)은 회전속도조절이 가능하도록 되어 있어 식각액의 점도와 광로조절장치(12)의 상태에 따라 적절한 회전수를 선택할 수 있다.
즉, 상기 스핀 스프레이 식각장치은 회전척(13)을 회전시켜 원심력을 이용하는 스핀방법을 통하여 잔유물의 제거를 용이하게 하고, 식각액을 고르게 분사하는 스프레이방법을 통하여 좀 더 효율적으로 식각을 진행할 수 있게 함으로서, 종래의 일반적인 식각액이 담겨진 용기에 웨이퍼를 집어넣어 식각 잔유물 및 금속-폴리머 응집체를 제거하는 이머젼(Immersion)방법보다 제거능력이 향상됨을 알 수 있다.
제조방법으로 돌아가서, 다음 공정으로 액츄에이터 분리공정을 통하여 픽셀단위로 분리된 액츄에이터에 보호막이 형성되고, 불산용액 등의 식각용액으로 하부의 희생층을 제거하여 구동기판과 멤브레인 사이에 에어갭을 형성함으로써 캔틸레버 구조를 갖도록 함으로서 광로조절장치를 제조하게 된다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.
따라서 본 발명에 따르면 감광성 수지층 형성단계, 액츄에이터 식각단계, 감광성 수지층 제거단계 등으로 구성되는 액츄에이터 분리공정 중 액츄에이터 식각단계에서 액츄에이터의 측벽에 팬스로 형성된 금속-폴리머 응집체를 효율적으로 제거하기 위하여 제 1 습식 화학처리 단계, 수소 플라즈마 공정단계, 산소 플라즈마 공정단계, 제 2 습식 화학처리 단계 등으로 감광성 수지층 제거단계를 구성함으로서 금속-폴리머 응집체에 의한 상.하부전극간 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
Claims (4)
- 구동기판 및 희생층의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극 등으로 구성되는 액츄에이터를 형성하는 단계와,감광성 수지층 형성단계, 액츄에이터 식각단계, 감광성 수지층 제거단계 등으로 이루어지는 액츄에이터 분리단계와,액츄에이터에 하부의 희생층을 제거하는 단계 등으로 구성되는 박막형 광로조절장치 제조방법에 있어서,상기 액츄에이터 분리단계 중 감광성 수지층 제거단계는감광성 수지층을 1차로 제거하고 금속-폴리머 응집체와 액츄에이터의 접착력을 약화시키기 위한 제 1 습식 화학처리 단계와,금속-폴리머 응집체를 1차로 제거하기 위한 수소 플라즈마 공정단계와,감광성 수지층을 2차로 제거하기 위한 산소 플라즈마 공정단계와,감광성 수지층 잔유물 및 금속-폴리머 응집체를 제거하기 위한 제 2 습식 화학처리 단계 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로조절장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 습식 화학처리 단계에 사용되는 식각액이 HF 또는 BOE로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로조절장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 습식 화학처리 단계는 스핀 스프레이 식각장치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로조절장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 습식 화학처리 단계에 사용되는 식각액이 HF 또는 BOE로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로조절장치의 제조방법.
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