KR100233998B1 - 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다.

Description

전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법
제1도는 본 발명으로서, 물리증착법에 의해 제조된 ZnO:Zn 발광박막 및 ZnO:Zn/ITO 발광막의 결정성을 나타내는 XRD 분석결과를 도시한 그래프도.
제2도는 제1도와 같은 결정성을 보이는 ZnO:Zn 발광박막 및 ZnO:Zn/ITO 발광박막에 고에너지로 가속된 전자를 입사시켜 측정한 음극선발광(cathode lumaines-cence) 특성을 나타낸 그래프도.
본 발명은 전계방출소자(field emission display : 이하, FED라 한다)용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 물리증착법(physical vapour deposition : 이하 , PVD 라한다)으로 발광박막을 제조하여 고 청정공정, 발광층 두께의 임의 조절 용이성 및 고해상도화 등이 가능하도록 한 FED 용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 사용되어 오던 종래 초기 FED는 크게 음극-게이트-양극으로 구성된 3극 진공관(TRIODE) 구조로 이루어져, 음극에서 방출된 전자가 게이트 전극에 의해 조절되며, 양극전위에 의해 가속되어 발광체를 여기하도록 하는 원리에 의해 발광이 이루어지게 된다.
반면, 최근에는 이를 보다 발전시킨 형태로써 다이아몬드 박막등과 같이 낮은 일함수(work function)를 갖는 물질들을 에미터로 사용한 2극관 즉, 다이오드(diode)구조를 갖는 FED가 제안된 바 있다. 상기 다이오드형 FED는 팁 어래이 대신 박막 혹은 후막 형태의 에미터 (emitter)부가 음극 위에 형성되어 있으며, 게이트 전극은 없고 단지 음극과 양극, 그리고 양극 위에 형성된 발광막으로 이루어져 있다.
이때, 발광막 재료로 기존의 CRT(cathod ray tube)용 발광체를 그대로 사용하면 양극전압을 104volts 이상 올려주어야 하는데 이는 음극과 발광체면 사이의 거리가 1mm이하로 유지되는 FED구조에서는 불가능한 것으로 알려져 있다.
따라서, FED의 개발을 위해서는 저전압에서도 발광이 가능할 뿐 아니라 모든 표시장치가 추구하는 고해상도, 고품위의 화면을 제공할 수 있는 발광막 기술의 개발이 절대적으로 필요한 상태이다.
FED용 발광체에 요구되는 특성은 첫째, 모든 표시장치에서와 마찬가지로 우수한 발광스펙트럼 분포, 색순도, 발광효율 등의 얻을 수 있는 것이어야 하며 둘때, 가능한 저전압으로 동작하되 FED의 동작원리상 고진공이 필수적으로 유지되어야 하므로 추기의 진공을 깨트리지 않음과 동시에 내부 오염을 줄일 수 있는 것이어야한다.
현재 이용되는 FED용의 발광체는 후막기술을 이용하여 대개 수-수십 ㎛ 두께의 발광막을 기판에 도포하여 형성하게 되는데, 이때 상기 발광막을 구성하는 입자의 크기는 해상도를 고려하여 적어도 1 ㎛ 이하로 줄여야 하며, 이러한 목적으로 초미립자를 제조하기 위한 연구도 활발하게 이루어지고 있다.
전자공학회지, 1995년도, 제22권, 제3호, p.338-345에는 저전압 발광체의 발광효율을 높이기 위한 연구 결과로서, 발광막 형성시 분말가루에 전도성 물질을 첨가하거나 열처리를 통하여 전도성을 높여줌으로써, 전자의 표면발광 효율을 높여주는 연구나, 발광체의 발광막을 표면처리하여 불감층을 줄이는 등의 연구들이 보고되어 있다.
여기서 표면처리라함은 전자가 발광막 내로 보다 용이하게 전입하게 하기 위하여 발광막 형성후, 알루미늄등과 같은 얇은 도전성막을 코팅하거나, 전자가 입사되는 발광막의 표면이 청정하도록 개스분위기에서 처리하거나, 또는 에너지를 이용하여 발광막의 표면을 소정 두께 깍아내어 주는 것을 말한다.
불감층이란 전자가 발광막 표면에 수회 충돌되는 과정에서 소정 부위에 표면 손상이 야기되어 전자가 뚫고 들어갈 수 없게 된 부분이나 또는 이때 나오는 파티클(partical), 개스능과 같은 불순물들로 인해 에미터 팁으로부터 방출된 전자가 발광막 내로 진입하지 못하고 그 위에 쌓이게 되는 부분을 말한다.
FED의 에미터 제조기술이 고 청정을 요구하는 반도체 공정임을 감안할 때, 현재와 같은 후막 기술을 이용하여 발광막을 분말 재료를 도포하는 방식에 의해 제조하는 공정은 필연적으로 도태하게 될 것이다.
결국, 표면의 오염을 줄일 수 있고 반도체 공정과 일치하는 정도의 청정공정, 발광층 두께의 임의 조절용이성, 고해상화등이 가능한 박막기술을 이용한 발광막 제조 공정을 사용하는 방향으로 급속히 전환될 수 밖에 없다.
이를 실현하기 위한 한 방법으로서, 최근에 FED용 박막 발광막에 대한 연구가 2-3편 정도 보고되고 있으나 이들 방법들은 주로 화학증착법(chemical vapour deposition, 이하 CVD라 한다)을 이용하거나 분무법을 이용하고 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 요구에 부응하여 이루어진 것으로, PVD법을 이요하여 ZnO:Zn 발광박막을 제조함으로써 반도체 공정과 일치하는 정도의 고 청정공정과, 발광층 두께의 임의 조절 용이성 및 고 해상화 등을 실현할 수 있도록 한 FED용 발광체 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 FED용 발광체는 유리기관 및; 상기 기판상에 형성된 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 전계방출용 발광체는 유리기판과, 상기 기판상에 형성된 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광박막 및 ; 상기 ZnO:Zn 발광박막 상에 형성된 1-20nm 두께의 도전성 박막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 FED용 발광체 제조방법은 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 PVD법에 의해 제조된 FED용 발광체 제조방법은 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성하는 공정 및; 상기 ZnO:Zn 발광박막 상에 도전성박막을 형성하는 공정을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 제조된 발광박막을 FED에 적용된 결과, 청-녹색이 강한 발광 스펙트럼을 갖는 FED를 얻을 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 기존 CVD법에 비하여 공정이 용이할 뿐 아니라 공정 단가가 낮은 PVD법(예컨데, 스퍼터법 또는 전자-빔 증착법)을 이용하여 초박막 상태로도 결정성 및 발광특성이 뛰어난 ZnO:Zn 발광박막을 형성하는데 주안점을 둔 것으로, 이를 첨부된 제1도의 그래프를 참조하여 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
제1도는 200nm 두께를 갖는 ZnO:Zn 발광박막의 결정성을 나타내는 XRD 결과를 그래프화 한 것으로, 상기 도면에서 (a)는 코닝사의 7059유리기판 상에 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤, 진공 열처리한 경우에 있어서의 결정성을 나타낸 것이며, (b)는 7059 유리기판 상에 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광막을 형성하고, 상기 ZnO:Zn 발광박막 상에 도전성 박막인 ITO 투명도전막을 초박막 상태 예컨대 1-20nm의 두께로 형성한 뒤, 진공열처리 한 경우에 있어서의 결정성을 나타낸 것이다.
먼저, (a)에 도시된 경우 부터 살펴본다. 상기 경우에 있어서, 막의 제조조건을 자세히 설명하면 다음과 같다.
우선, 7059 유리 기판 상에 PVD법 중의 하나인 스퍼터법을 이용하여 플라즈마 기체 압력1-10mtorr이고, 스퍼터링 분위기 기체 O2/Ar=10-40%이며, 기판온도가 상온-300℃인 공정 조건하에서 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광박막을 형성한다.
이후, 상기 ZnO:Zn 발광박막의 결정성을 높이기 위하여 10-4-10-6torr의 진공도에서 약 30분-1시간 동안 진공열처리를 실시한다. 이때, 상기 진공열처리는 아르곤 또는 아르곤에 수소를 혼합한 환원가스 분위기하에서의 전기열처리방식으로 대체하여 실시할 수도 있다.
이 경우, 상기 도면으로 부터 7059 유리기판 상에 제조한 ZnO:Zn 발광박막의 두께는 종래의 발광스크린 두께에 비하면 거의 초박막 상대임에도 불구하고 매우 결정성이 우수한 막이 형성됨을 알 수 있다.
다음으로 (b)에 도시된 경우를 살펴본다. 상기 경우에 있어서, 막의 제조조건을 자세히 설명하면 다음과 같다.
우선, 기 언급된 바와 동일한 공정조건으로 7059 유리기판 상에 PVD법을 이용하여 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤, 상기 ZnO:Zn 발광박막의 표면에 도전성박막인 ITO투명 도전막을 스퍼터법을 사용하여 플라즈마 기체 압력이 1-10mtorr이고, 스퍼터링 분위기 기체 O2/Ar=10-40%이며, 기판온도 상온-300℃인 공정 조건으로 1-20nm의 두께로 코팅한다.
이후, 유리 ZnO:Zn ITO 순으로 형성된 막을 10-4-10-6torr의 진공도에서 약 30분-1시간 동안 진공열처리를 실시한다. 그 결과 상기 과정에서 초박막의 ITO가 ZnO 내부로 침투됨과 아울러 ZnO:Zn의 결정성을 향상시키게 되어 제1도의 b와 같은 결정성을 얻게 된다. 이때, 상기 진공열처리는 아르곤 또는 아르곤에 수소를 혼합한 환원가스 분위기하에서의 전기열처리방식으로 대체하여 실시할 수도 있다.
그러나, 이와 같이 ITO를 삽입하고 진공열처리를 실시한 경우 ITO를 삽입하지 않고 열처리를 실시한 경우인 (a)에 비해 결정성이 감소함을 알 수 있다.
제2도는 제1도와 같이 형성한 발광체(예컨대, 유리기판/ZnO:Zn 발광박막 구조로 이루어진 발광체 또는 유리기판/ZnO:Zn 발광박막/ITO막 구조로 이루어진 발광체)에 고에너지로 가속된 전자를 입사시켜 측정한 CL(CATHODE LUMINESCENCE)결과를 도시한 그래프도로서, 그 발광 스펙트럼 특성은 다음과 같다.
유리기판/ZnO:Zn 발광박막 구조로 이루어진 발광체의 경우는 청-녹색 영역에 피크를 보이며 적색영역까지 비교적 가시광 영역에 걸쳐 넓은 분포를 이루고 있음을 알 수 있으며, 유리기판/ZnO:Zn 발광막/ITO막 구조로 이루어진 발광체인 경우는 전자의 경우에 비해 다소 단파장 쪽으로 이동되는 특성을 가져 ZnO:Zn 발광박막의 청-녹색 파장 분포가 좀더 뚜렷해짐을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 1)발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2)공정이 용이하고 공정단가가 낮은 물리증착법을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 잇점을 갖는다.

Claims (7)

  1. 유리기판과; 상기 유리기판상에 증착된 에노드 전극인 ITO박막과; 상기 에노드 전극인 ITO박막의 상부에 위치하는 200-1500nm 두께의 ZnO:Zn 발광박막과; 상기 ZnO:Zn 발광박막 상에 위치하며, 전도성초박막인 1-20nm 두께의 ITO박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체.
  2. 유리기판상에 ITO박막을 증착하는 공정과; 상기 ITO박막의 상부에 물리적 증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 200-1500nm의 두께로 증착하는 공정과; 상기 증착된 ZnO:Zn 발광박막 상에 스퍼터법을 이용하여 1-20nm의 도전성박막을 증착하는 공정과; 상기 ZnO:Zn 발광박막과 도전성박막을 열처리하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 ZnO:Zn 발광박막을 증착하는 공정은 기체 압력이 1-10mtorr, 스퍼터링분위기 기체 O2/Ar=10-40%, 기판온도 상온-300℃를 공정조건으로 하여 진행하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 증착된 박막을 열처리 하는 공정은 진공열처리방식이나, 아르곤에 수소를 혼합한 환원가스 분위기하에서의 전기열처리방식중 하나를 선택하여 실시하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 10-4-10-6torr의 진공도에서 약 30분-1시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 ZnO:Zn 발광박막은 스퍼터법 도는 E-빔 증착법중 선택된 어느 하나로 형성하여 된 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 도전성박막은 플라즈마 기체 압력1-10mtorr, 스퍼터링 분위기 기체 O2/Ar=10-40%, 기판온도 상온-300℃의 공정 조건하에서 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자용 발광체 제조방법.
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