KR100233370B1 - 큰 구동 각도를 갖는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

복수 개의 액츄에이팅부들을 가지는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 장치는, 드레인 패드, 보호층 및 식각 방지층을 포함하는 액티브 매트릭스와 i) 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 형성된 2개의 제1 액츄에이팅부들, ii) 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부, 그리고 iii) 동일 평면상에서 상기 제1 액츄에이팅부들과 제2 액츄에이팅부 사이에‘U’자 형상으로 끼워져서 상기 제2 액츄에이팅부의 타측과 일체로 형성된 2개의 제3 액츄에이팅부들을 포함한다. 상기 장치에 따르면, 좁은 면적 내에서도 2배의 구동 각도로 거울을 구동시켜 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트(contrast)를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다.

Description

큰 구동 각도를 갖는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 AMA(Actuated Mirror Arrays)를 이용한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 제한된 면적 내에서도 액츄에이팅(actuating)부의 구동 각도를 크게 하여 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 보다 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 장치인 공간적인 광 모듈레이터(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리 및 정보 디스플레이 장치 등에 다양하게 응용될 수 있다. 이러한 장치들은 광원으로부터 입사되는 광속을 스크린에 투영하는 방법에 따라서 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로 구분된다. 직시형 화상 표시 장치로는 CRT(Cathode Ray Tube) 등이 있으며, 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display:LCD), DMD(Deformable Mirror Device), 그리고 AMA 등이 있다. 상기 CRT 장치는 화질은 우수하지만 화면의 대형화가 어려운 단점이 있다. 즉, 화면의 크기가 커짐에 따라서 장치의 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 된다. 따라서, 광학적 구조가 간단하여 얇게 형성할 수 있으며 중량을 가볍게 할 수 있는 액정 표시 장치(LCD)가 개발되었다. 그러나, 액정 표시 장치는 광속의 편광으로 인하여 1~2%의 광효율을 가질 정도로 효율이 저하되며, 그 내부의 액정 물질의 응답 속도가 느리고, 장치가 과열되기 쉬운 문제점이 있었다. 이에 따라, 상기 문제점들을 해결하기 위하여 DMD, 또는 AMA 등의 장치가 개발되었다. 현재, DMD 장치가 약 5% 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10% 이상의 광효율을 얻을 수 있다. 또한, AMA는 콘트라스트(contrast)를 향상시켜 보다 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있으며, 입사되는 광속의 극성에 의해 영향을 받지 않을 뿐만 아니라 광속의 극성에 영향을 끼치지 않는다.
이러한 광로 조절 장치인 AMA는 벌크(bulk)형과 박막(thin film)형으로 구분된다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는 Gregory Um 등에게 허여된 미합중국 특허 제 5, 085, 497호에 개시되어 있다. 벌크형 광로 조절 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하고 내부에 금속 전극을 형성한 세라믹 웨이퍼(ceramic wafer)를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후, 쏘잉(sawing) 방법으로 가공하고 그 상부에 거울을 설치하여 이루어진다. 그러나, 벌크형 광로 조절 장치는 설계 및 제조에 있어서 매우 높은 정밀도가 요구되고, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있다. 이에 따라, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다.
이러한 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1996년 9월 24일에 특허 출원한 특허출원 제96-42197호(발명의 명칭:멤브레인의 스트레스를 조절할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법)에 개시되어 있다.
제1도는 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 제2도는 제1도에 도시한 장치를 A-A′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.
제1도 및 제2도를 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 일측 상부에 드레인(35)이 형성된 액티브 매트릭스(31)와 액티브 매트릭스(31)의 상부에 형성된 액츄에이터(33)를 포함한다.
상기 액티브 매트릭스(31)는 액티브 매트릭스(31) 및 드레인(35)의 상부에 적층된 보호층(37)과 보호층(37)의 상부에 적층된 식각 방지층(39)을 포함한다. 상기 액티브 매트릭스(31)의 내부에는 M×N(M, N은 정수)개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되어 있다.
상기 액츄에이터(33)는 상기 식각 방지층(39) 중 아래에 드레인(35)이 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(57)을 개재하여 상기 식각 방지층(39)과 평행하도록 적층된 단면을 갖는 멤브레인(43), 멤브레인(43)의 상부에 적층된 하부 전극(45), 하부 전극(45)의 상부에 적층된 변형부(47), 변형부(47)의 일측 상부에 적층된 상부 전극(49), 변형부(47)의 타측으로부터 하부 전극(45), 멤브레인(43), 식각 방지층(39) 및 보호층(37)을 통하여 상기 드레인(35)까지 형성된 비어 홀(53), 그리고 비어 홀(53) 내에 상기 하부 전극(45)과 드레인(35)이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 비어 컨택(55)을 포함한다.
제1도를 참조하면, 멤브레인(43)의 평면은, 일측이 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이러한 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성되고, 타측이 상기 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 가진다. 그러므로, 상기 멤브레인(43)의 오목한 부분에 인접한 액츄에이터의 멤브레인의 오목한 부분이 끼워지고, 상기 사각형 형상의 돌출부가 인접한 멤브레인의 오목한 부분에 끼워지게 된다.
이하 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.
제3(a)도 내지 제3(d)도는 제2도에 도시한 장치의 제조 공정도이다. 제3(a)도 내지 제3(d)도에 있어서, 제2도와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.
제3(a)도를 참조하면, M×N개의 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 일측 상부에 드레인(35)이 형성된 액티브 매트릭스(31)의 상부에 인 실리케이트 유리(Phospho-Silicate Glass:PSG)로 구성된 보호층(37)을 적층한다. 보호층(37)은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition:CVD) 방법을 이용하여 1.0~2.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 보호층(37)은 후속하는 공정으로부터 액티브 매트릭스(31)를 보호한다.
상기 보호층(37)의 상부에는 질화물로 구성된 식각 방지층(39)이 적층된다. 식각 방지층(39)은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD:LPCVD) 방법을 이용하여 2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 식각 방지층(39)은 후속하는 식각 공정 동안 보호층(37) 및 액티브 매트릭스(31) 등이 식각되는 것을 방지한다. 식각 방지층(39)의 상부에는 희생층(41)이 적층된다. 희생측(41)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atomospheric Pressure CVD:APCVD) 방법을 이용하여 1.0~3.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 희생층(41)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(31)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(41)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin On Glass:SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 희생층(41) 중 아래에 드레인(35)이 형성되어 있는 부분을 식각하여 식각 방지층(39)의 일부를 노출시킨다.
제3(b)도를 참조하면, 멤브레인(43)은 상기 노출된 식각 방지층(39)의 상부 및 희생층(41)의 상부에 0.1~1.0㎛ 정도의 두께로 적층된다. 상기 멤브레인(43)은 실리콘 카바이드를 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 방법을 이용하여 200~300℃의 온도에서 형성된다. 이 때, 상기 실리콘 카바이드는 액상(liquid) C6H18Si2로부터 발생한 실리콘(Si)과 탄소(C)를 증착시켜 제조한다. 또한, 상기 실리콘 카바이드는 SiH4와 CH4의 혼합체로부터 발생한 실리콘과 탄소를 증착시켜 제조할 수 있다. 계속하여, 멤브레인(43) 내의 스트레스를 조절하기 위하여 600℃ 이하의 온도에서 실리콘 카바이드로 구성된 멤브레인(43)을 열처리한다.
상기 멤브레인(43)의 상부에는 백금, 또는 탄탈륨 등의 금속으로 구성된 하부 전극(45)이 적층된다. 하부 전극(45)은 스퍼터링 방법을 이용하여 500~2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 신호 전극인 하부 전극(45)에는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호가 상기 드레인(35) 및 비어 컨택(55)을 통하여 인가된다. 계속하여, 하부 전극(45)을 각 픽셀(pixel)별로 분리하기 위하여 상기 하부 전극(45)을 Iso-Cutting한다.
제3(c)도를 참조하면, 상기 하부 전극(45)의 상부에 PZT, 또는 PLZT로 구성된 변형부(47)를 형성한다. 변형부(47)는 졸-겔(Sol-Gel)법을 이용하여 0.1~1.0㎛, 바람직하게는 0.4㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing:RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 변형부(47)는 상부 전극(49)과 하부 전극(45) 사이에 발생하는 전계에 의하여 변형을 일으킨다. 상부 전극(49)은 변형부(47)의 일측 상부에 적층된다. 상부 전극(49)은 알루미늄, 또는 백금 등의 전기 전도성 및 반사성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 500~2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 공통 전극인 상부 전극(49)에는 바이어스 전압이 인가되어 하부 전극(45)과 상부 전극(49) 사이에 전계가 발생하게 된다. 또한, 상부 전극(49)은 광원으로부터 입사되는 광속을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다. 이어서, 상부 전극(49)을 패터닝하여 중앙부에 스트라이프(stripe)(51)를 형성한다. 스트라이프(51)는 상부 전극(49)을 균일하게 작동시켜 입사되는 광속의 난반사를 방지한다.
제3(d)도를 참조하면 상부 전극(49)을 소정의 형상으로 패터닝한 후, 변형부(47)의 타측 상부로부터 드레인(35)의 상부까지 변형부(47), 하부 전극(45), 멤브레인(43), 식각 방지층(39) 및 보호층(37)을 순차적으로 식각하여 상기 변형부(47)로부터 드레인(35)까지 비어 홀(53)을 형성한다. 이어서, 텅스텐, 백금, 또는 티타늄 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 드레인(35)과 하부 전극(45)이 전기적으로 연결되도록 비어 컨택(55)을 형성한다. 따라서, 비어 컨택(55)은 상기 비어 홀(53) 내에서 상기 하부 전극(45)으로부터 드레인(35)의 상부까지 수직하게 형성된다. 그러므로, 화상 신호는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터로부터 드레인(35) 및 비어 컨택(55)을 통하여 하부 전극(45)에 인가된다. 계속해서, 상기 변형부(47), 하부 전극(45), 멤브레인(43)을 차례로 패터닝한 후, 희생층(41)을 플루오르화 수소(HF) 증기로 식각하고 세정 및 건조하여 AMA 소자를 완성한다.
상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 화상 신호는 액티브 매트릭스(31)에 내장된 MOS 트랜지스터로부 드레인(35)과 비어 컨택(55)을 통하여 신호 전극인 하부 전극(45)에 인가된다. 또한, 공통 전극인 상부 전극(49)에는 바이어스 전압이 인가되어 상부 전극(49)과 하부 전극(45) 사이에 전계가 발생한다. 이 전계에 의하여 상부 전극(49)과 하부 전극(45) 사이에 적층되어 있는 변형부(47)가 변형을 일으킨다. 변형부(47)는 전계에 대하여 수직한 방향으로 수축하며, 변형부(47)를 포함하는 액츄에이터(33)는 멤브레인(43)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘게 된다. 그러므로 액츄에이터(33) 상부의 상부 전극(49)도 같은 방향으로 경사진다. 광원으로부터 입사되는 광속은 소정의 각도로 경사진 상부 전극(49)에 의해 반사된 후, 스크린에 투영되어 화상을 맺는다.
그러나, 상기 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상부 전극의 일부만을 구동하여 광속을 반사시킴으로써 그 구동 각도가 작아지고 광효율이 떨어지는 단점이 있었다. 또한, 변형부의 틸팅(tilting)에 따른 액츄에이터의 구동 각도가 작기 때문에 거울의 기능을 수행하는 상부 전극의 구동 각도가 작아서 스크린에 투영되는 화상의 콘트라스트가 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 제한된 면적 내에서도 액츄에이터의 구동 각도를 크게 하여 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 보다 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
제1도는 본 출원인의 선행 출원한 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.
제2도는 제1도에 도시한 장치를 A-A′선으로 자른 단면도이다.
제3(a)도 내지 제3(d)도는 제2도에 도시한 장치의 제조 공정도이다.
제4도는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.
제5도는 제4도에 도시한 장치를 B-B′선으로 자른 단면도이다.
제6도는 제4도에 도시한 장치를 C-C′선으로 자른 단면도이다.
제7도는 제4도에 도시한 장치를 D-D′선으로 자른 단면도이다.
제8도 내지 제12(c)도는 제5도 내지 제7도에 도시한 장치의 제조 공정도이다.
제12(d)도는 제12(a)도 내지 제12(c)도에 도시한 장치의 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
131 : 액티브 매트릭스 133 : 드레인
135 : 보호층 137 : 식각 방지층
139 : 희생층 141a, 141b : 제1멤브레인
143a, 143b : 제1 하부 전극 145a, 145b : 제1 변형층
147a, 147b : 제1 상부 전극 149a, 149b : 제1 액츄에이팅부
151 : 제2 멤브레인 153 : 제2 하부 전극
155 : 제2 변형층 157 : 제2 상부 전극
159 : 제2 액츄에이팅부 161a, 161b : 제3 멤브레인
163a, 163b : 제3 하부 전극 165a, 165b : 제3 변형층
167a, 167b : 제3 상부 전극 169a, 169b : 제3 액츄에이팅부
171 : 비어홀 173 : 비어 컨택
175 : 제1 에어 갭 177 : Iso-Cut
179 : 거울 181 : 제2 에어 갭
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고, 일측 표면에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스;
i) 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제1 멤브레인, 상기 제1 멤브레인의 상부에 형성된 제1 하부 전극, 상기 제1 하부 전극의 상부에 형성된 제1 변형층, 그리고 상기 제1 변형층의 상부에 형성된 제1 상부 전극을 각기 포함하는 2개의 제1 액츄에이팅부들;
ii )상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 상기 제1 멤브레인과 일체로 형성된 제2 멤브레인, 상기 제2 멤브레인의 상부에 형성된 제2 하부 전극, 상기 제2 하부 전극의 상부에 형성된 제2 변형층, 그리고 상기 제2 변형층의 상부에 형성된 제2 상부 전극을 갖고, 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부; 그리고
iii) 상기 제1 액츄에이팅부들 및 상기 제2 액츄에이팅부의 사이에 상기 제2 멤브레인과 일체로 형성된 제3 멤브레인, 상기 제3 멤브레인의 상부에 형성된 제3 하부 전극, 상기 제3 하부 전극의 상부에 형성된 제3 변형층, 그리고 상기 제3 변형층의 상부에 형성된 제3 상부 전극을 갖고, 상기 제2 액츄에이팅부와 일체로 형성된 제3 액츄에이팅부들을 포함하는 박막형 광로 조절 장치를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고 일측 표면에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;
i) 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 제1 멤브레인을 적층하는 단계, 상기 제1 멤브레인의 상부에 제1 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 하부 전극의 상부에 제1 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 변형층의 상부에 제1 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 2개의 제1 액츄에이팅부들을 형성하는 단계;
ii) 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 상기 제1 멤브레인과 일체로 제2 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 제2 멤브레인의 상부에 제2 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 하부 전극의 상부에 제2 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 변형층의 상부에 제2 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 제2 액츄에이팅부를 형성하는 단계; 그리고
iii) 상기 제1 액츄에이팅부들 및 상기 제2 액츄에이팅부의 사이에 상기 제2 멤브레인과 일체로 제3 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 제3 멤브레인의 상부에 제3 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제3 하부 전극의 상부에 제3 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제3 변형층의 상부에 제3 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 상기 제2 액츄에이팅부와 일체로 2개의 제3 액츄에이팅부들을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 제1 액츄에이팅부들 각각의 제1 하부 전극에는 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호가 인가되며, 제1 상부 전극에는 각기 바이어스 전압이 인가된다. 따라서 제1 상부 전극과 제1 하부 전극 사이에 전계가 발생한다. 이 전계에 의하여 제1 상부 전극과 제1 하부 전극 사이에 적층되어 있는 제1 변형층이 변형을 일으킨다. 제1 변형층은 전계와 수직한 방향으로 수축하며, 이에 따라 제1 액츄에이팅부들이 각 θ 크기의 구동 각도를 가지고 휘어진다. 이 때, 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부는 상기 제1 액츄에이팅부들의 휘어진 끝부분의 곡률 접선 방향으로 기울어지게 된다. 이 때, 상기 제3 액츄에이팅부들의 제3 상부 전극과 제3 하부 전극 사이에도 상기 제1 액츄에이팅부들의 전계의 반향과 동일한 방향의 전계가 발생한다. 따라서, 상기 제3 변형층이 수축하여 상기 제2 액츄에이팅부와 일체로 형성된 제3 액츄에이팅부들은 θ 크기의 구동 각도를 가지고 제1 액츄에이팅부들과 동일한 방향으로 휘어진다. 즉, 제1 액츄에이팅부들과 제3 액츄에이팅부들의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광속을 반사하는 거울은 제3 액츄에이팅부들의 상부에 지지되어 형성되어 있으므로 2θ의 구동 각도를 가지고 경사지게 된다.
그러므로, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 좁은 면적 내에서도 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치에 비해 2배의 구동 각도로 액츄에이터를 구동시킬 수 있다. 따라서, 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 보다 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법을 상세하게 설명한다.
제4도는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 제5도는 제4도에 도시한 장치를 B-B′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 제6도는 제4도에 도시한 장치를 C-C′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 제7도는 제4도에 도시한 장치를 D-D′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.
제4도를 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는 일측 표면에 드레인 패드(133)가 형성된 액티브 매트릭스(active matrix)(131)와 액티브 매트릭스(131)의 양측 상부에 형성된 2개의 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b), 액티브 매트릭스(131)의 중앙 상부에 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부(159), 그리고 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 및 상기 제2 액츄에이팅부(159) 사이에 상기 제2 액츄에이팅부(159)와 일체로 형성된 2개의 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)을 포함한다. 제5도, 제6도 및 제7도에 있어서, 제4도와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.
제5도를 참조하면, 상기 액티브 매트릭스(131)는 액티브 매트릭스(131)의 일측 표면에 형성된 드레인 패드(drain pad)(133), 상기 액티브 매트릭스(131) 및 드레인 패드(133)의 상부에 적층된 보호층(passivation layer)(135), 그리고 상기 보호층(135)의 상부에 적층된 식각 방지층(etch stop layer)(137)을 포함한다.
상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)은 각기 일측이 아래에 드레인 패드(133)가 형성된 상기 식각 방지층(137)의 상부에 접촉되며 타측이 제1 에어 갭(air gap)(175)을 개재하여 상기 식각 방지층(137)과 평행하도록 형성된 제1 멤브레인(membrane)(141a)(141b), 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)의 상부에 적층된 제1 하부 전극(bottom electrode)(143a)(143b), 상기 제1 하부 전극(143a)(143b)의 상부에 적층된 제1 변형층(active layer)(145a)(145b), 상기 제1 변형층(145a)(145b)의 상부에 적층된 제1 상부 전극(top electrode)(147a)(147b)을 포함한다. 또한, 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 중 하나는 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)의 상부에 형성된 제1 변형층으로부터 제1 변형층(145a)(145b), 제1 하부 전극(143a)(143b), 제1 멤브레인(141a)(141b), 식각 방지층(137) 및 보호층(135)을 통하여 상기 드레인 패드(133)까지 수직하게 형성된 비어 컨택(via contact)(173)을 포함한다.
제6도를 참조하면, 상기 제2 액츄에이팅부(159)는 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)의 제1 멤브레인(141a)(141b)과 일체로 형성된 제2 멤브레인(151), 상기 제2 멤브레인(151)의 상부에 형성된 제2 하부 전극(153), 상기 제2 하부 전극(153)의 상부에 형성된 제2 변형층(155) 및 상기 제2 변형층(155)의 상부에 형성된 제2 상부 전극(157)을 포함한다. 제2 액츄에이팅부(159)의 제2 멤브레인(151), 제2 하부 전극(153), 제2 변형층(157) 및 제2 상부 전극(159)은 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)의 제1 멤브레인(141a)(141b), 제1 하부 전극(143a)(143b), 제1 변형층(145a)(145b) 및 제1 상부 전극(147a)(147b)과 일체로 형성된 부재들이다.
제7도를 참조하면, 상기 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)은 상기 제2 액츄에이팅부(159)의 제2 멤브레인(151)과 일체로 형성된 제3 멤브레인(161a)(161b), 상기 제3 멤브레인(161a)(161b)의 상부에 형성된 제3 하부 전극(163a)(163b), 상기 제3 하부 전극(163a)(163b)의 상부에 형성된 제3 변형층(165a)(165b), 상기 제3 변형층(165a)(165b)의 상부에 형성된 제3 상부 전극(167a)(167b)을 포함한다. 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)의 제3 멤브레인(161a)(161b), 제3 하부 전극(163a)(163b), 제3 변형층(165a)(165b) 및 제3 상부 전극(167a)(167b)은 제2 액츄에이팅부들(159)의 제2 멤브레인(151), 제2 하부 전극(153), 제2 변형층(155) 및 제2 상부 전극(157)과 일체로 형성된 부재들이다. 또한, 상기 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)은 제3 상부 전극(167a)(167b) 각각의 일측 상부에 지지부가 접촉되며 양측이 제2 에어 갭(181)을 개재하여 제3 상부 전극(167a)(167b)과 평행하도록 형성된 거울(179)을 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
제8도 내지 제12(c)도는 제5도 내지 제7도에 도시한 장치의 제조 공정도이며, 제12(d)도는 제12(a)도 내지 제12(c)도에 도시한 장치의 평면도를 도시한 것이다.
제8도를 참조하면, M×N(M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고, 일측 표면에 드레인 패드(133)가 형성된 액티브 매트릭스(131)의 상부에 인 실리케이트 유리(Phospho-Silicate Glass:PSG)로 구성된 보호층(135)을 적층한다. 상기 보호층(135)은 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 0.1~1.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 보호층(135)은 후속되는 공정으로 인하여 상기 액티브 매트릭스(131)가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.
상기 보호층(135)의 상부에는 질화물(nitride)로 구성된 식각 방지층(137)이 적층된다. 식각 방지층(137)은 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 1000~2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 식각 방지층(137)은 후속하는 식각 공정 동안 보호층(135) 및 액티브 매트릭스(131)가 식각되는 것을 방지한다.
상기 식각 방지층(137)의 상부에는 희생층(139)이 적층된다. 희생층(139)은 인 실리케이트 유리(PSG), 금속(metal), 산화물(oxide) 등을 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법, 스퍼터링(sputtering) 방법, 증착(evaporation) 방법 등을 이용하여 0.5~2.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 희생층(139)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(131)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(139)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin On Glass:SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 상기 희생층(139)의 표면을 평탄화시킨 후, 상기 희생층(139)의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층(137) 중 아래에 드레인 패드(133)가 형성된 부분을 노출시킨다.
제9(a)도 내지 제9(d)도를 참조하면, 멤브레인은 상기 노출된 식각 방지층(137)의 상부 및 상기 희생층(139)의 상부에 적층된다. 상기 멤브레인은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0.1~1.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 멤브레인을 패터닝하여 제1 멤브레인(141a)(141b), 제2 멤브레인(151) 및 제3 멤브레인(161a)(161b)을 형성한다. 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)은 양측이‘ㅁ’자 형상으로 서로 연결된 형상으로 형성되며, 상기 제2 멤브레인(151)은 상기 제1 멤브레인들(141a)(141b)이 연결되는 일측의 중앙부에 접하는 형상으로 상기 제1 멤브레인들(141a)(141b)과 일체로 형성된다. 또한 상기 제3 멤브레인(161a)(161b)은 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)과 제2 멤브레인(151) 사이에‘U’자 형상으로 끼워져서 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)과 연결되지 않은 상기 제2 멤브레인(151)의 타측과 일체로 형성된다. 따라서, 제9(d)도를 참조하면 상기 제2 멤브레인(151) 및 제3 멤브레인(161a)(161b)은 일체로 시계 반대 방향으로 90°회전한‘E’자 형상을 이루면서, 상기 제2 멤브레인(151)이 더 연장되어 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)의 내부에 포함되어 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)이 연결되는 일측 부분의 중앙에 접하는 형상을 이룬다.
제10(a)도 내지 제10(d)도를 참조하면, 신호 전극인 하부 전극은 상기 제1 멤브레인(141a)(141b), 제2 멤브레인(151) 및 제3 멤브레인(161a)(161b)의 상부에 적층된다. 하부 전극은 백금, 탄탈륨, 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1~1.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 하부 전극을 하부에 형성된 멤브레인의 형상을 따라 이와 동일하게 패터닝하여 제1 하부 전극(143a)(143b), 제2 하부 전극(153) 및 제3 하부 전극(163a)(163b)을 형성한다. 제10(d)도에 도시한 바와 같이, 인가되는 화상 신호의 각 화소간의 단락을 위하여 상기 제1 하부 전극(143a)(143b)과 인접하는 하부 전극을 각각의 화소별로 분리되도록 Iso-Cutting을 한다.
상기 제1 하부 전극(143a)(143b), 제2 하부 전극(153) 및 제3 하부 전극(163a)(163b)의 상부에는 변형층이 적층된다. 상기 변형층은 ZnO, PZT 또는 PLZT 등의 압전 물질을 사용하여 0.1~1.0㎛, 바람직하게는 0.4㎛ 정도의 두께를 가지도록 적층한다. 상기 변형층은 졸-겔(Sol-gel)법, 화학 기상 증착(CVD) 방법, 또는 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing:RTA) 방법을 이용하여 열처리하여 상변이시킨다. 이어서, 상기 적층된 변형층을 하부에 형성되어 있는 하부 전극의 형상을 따라 이와 동일하게 패터닝하여 제1 변형층(145a)(145b), 제2 변형층(155) 및 제3 변형층(165a)(165b)을 형성한다. 상기 제1 변형층(145a)(145b), 제2 변형층(155) 및 제3 변형층(165a)(165b)은 일체로 형성된 부재들이다.
제11(a)도 내지 제11(d)도를 참조하면, 상기 제1 변형층(145a)(145b), 제2 변형층(155) 및 제3 변형층(165a)(165b)의 상부에는 상부 전극이 형성된다. 상기 상부 전극은 알루미늄, 백금, 또는 은 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1~1.0㎛ 전도의 두께를 가지도록 형성한다. 계속하여, 상기 상부 전극을 패터닝하여 제1 상부 전극(147a)(147b), 제2 상부 전극(157) 및 제3 상부 전극(167a)(167b)을 형성한다. 제11(d)도에 도시한 바와 같이, 상기 제1 상부 전극(147a)(147b)은 하부에 적층된 박막들의 형상과는 달리 일측만 연결되어 시계 방향으로 90°회전한‘ㄷ’자 형상으로 형성된다. 상기 제2 상부 전극(157) 및 제3 상부 전극(167a)(167b)은 하부에 적층된 박막들의 형상을 따라 형성된다. 이 때 상기 제2 상부 전극(157)은 그 선 폭을 좁게 형성함으로써, 휘어지는 효과를 최소로 감소시킨다.
제12(a)도 내지 제12(d)도를 참조하면, 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 중 하나의 제1 액츄에이팅부의 일측 상부에 비어 홀(via hole)(171)을 형성한다. 상기 비어 홀(171)은 통상의 포토리쏘그래피(photolithography) 방법을 이용하여 상기 제1 변형층(145a)(145b)의 일측으로부터 제1 변형층, 제1 하부 전극(143a)(143b), 제1 멤브레인(141a)(141b), 식각 방지층(137) 및 보호층(135)을 차례로 식각하여 형성한다. 따라서, 상기 비어 홀(171)은 상기 제1 변형층(145a)(145b)의 타측으로 부터 상기 드레인 패드(133)까지 수직하게 형성된다. 이어서, 상기 비어 홀(171) 내에 텅스텐(W), 또는 티타늄(Ti) 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 비어 컨택(173)을 형성한다. 비어 컨택(173)은 상기 드레인 패드(133) 및 제1 하부 전극(143a)(143b)과 전기적으로 연결된다. 그러므로, 화상 신호는 액티브 매트릭스(131)에 내장된 트랜지스터로부터 드레인 패드(133) 및 비어 컨택(173)을 통하여 제1 하부 전극(143a)(143b)에 인가된다.
이어서, 상기 제3 액츄에이팅부(169a)(169b)의 제3 상부 전극(167a)(167b)의 상부에 거울(179)을 형성한다. 상기 거울(179)은 알루미늄, 또는 백금 등의 금속을 스퍼터링 방법, 증착 방법 등을 이용하여 0.1~1.0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 거울(179)은 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며 양측이 제2 에어 갭(181)을 개재하여 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)과 평행하게 형성된다. 상기 거울(179)은 그 중앙부가 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)의 일측 상부에 접하는 평판의 형상이며, 일측이 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)을 덮고, 타측이 인접한 액츄에이팅부의 일부를 덮도록 형성된다.
이어서, 상기 희생층(139)을 플루오르화 수소(HF) 증기를 사용하여 식각하여 제1 에어 갭(175)을 형성한 후, 세정 및 건조하여 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b), 제2 액츄에이팅부(159) 및 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)을 완성한다. 이어서, 남아 있는 식각 용액을 제거하기 위하여 헹굼 및 건조(rinse and dry) 처리를 수행하여 AMA 소자를 완성한다.
상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 각각의 제1 하부 전극(143a)(143b)에는 액티브 매트릭스(131)에 내장된 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호가 인가되며, 제1 상부 전극(147a)(147b)에는 바이어스 전압이 인가된다. 따라서 제1 상부 전극(147a)(147b)과 제1 하부 전극(143a)(143b) 사이에 전계가 발생한다. 이 전계에 의하여 제1 상부 전극(147a)(147b)과 제1 하부 전극(143a)(143b) 사이에 적층되어 있는 제1 변형층(145a)(145b)이 변형을 일으킨다. 제1 변형층(145a)(145b)은 전계와 수직한 방향으로 수축하며, 이에 따라 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 각각이 θ 크기의 구동 각도를 가지고 휘어진다. 이 때, 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부(159)는 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)의 휘어진 끝부분의 곡률 접선 방향으로 기울어지게 된다. 이 때, 상기 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)의 제3 상부 전극(167a)(167b)과 제3 하부 전극(163a)(163b) 사이에도 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)의 전계의 방향과 동일한 방향의 전계가 발생한다. 따라서, 상기 제3 변형층(165a)(165b)이 수축하여 상기 제2 액츄에이팅부(159)와 일체로 형성된 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)은 θ 크기의 구동 각도를 가지고 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 동일한 방향으로 휘어진다. 즉, 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광원으로부터 입사되는 광속을 반사하는 거울(179)은 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)의 상부에 지지되어 설치되어 있으므로 2θ의 구동 각도를 가지고 경사지게 된다.
그러므로, 상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 복수 개의 액츄에이팅부를 형성함으로서 제한된 면적 내에서도 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치에 비해 2배의 구동 각도로 거울을 구동시킬 수 있다. 그러므로 광원으로 부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 선명한 화상을 맺을 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고, 일측 표면에 드레인 패드(133)가 형성된 액티브 매트릭스(131); i) 상기 액티브 매트릭스(131)의 양측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭(175)을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 형성된 제1 멤브레인(141a)(141b), 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)의 상부에 형성된 제1 하부 전극(143a)(143b), 상기 제1 하부 전극(143a)(143b)의 상부에 형성된 제1 변형층(145a)(145b), 그리고 상기 제1 변형층(145a)(145b)의 상부에 형성된 제1 상부 전극(147a)(147b)을 각기 포함하는 2개의 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b); ii) 상기 액티브 매트릭스(131)의 중앙 상부에 상기 액티브 매트릭스(131)와 평행하도록 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)과 일체로 제2 멤브레인(151), 상기 제2 멤브레인(151)의 상부에 형성된 제2 하부 전극(153), 상기 제2 하부 전극(153)의 상부에 형성된 제2 변형층(155), 그리고 상기 제2 변형층(155)의 상부에 형성된 제2 상부 전극(157)을 갖고, 상기 제1 액츄에이팅부(149a)(149b)과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부(159); 그리고 iii) 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b) 및 상기 제2 액츄에이팅부(159)의 사이에 상기 제2 멤브레인(151)과 일체로 형성된 제3 멤브레인(161a)(161b), 상기 제3 멤브레인(16a)(161b)의 상부에 형성된 제3 하부 전극(163a)(163b), 상기 제3 하부 전극(163a)(163b)의 상부에 형성된 제3 변형층(165a)(165b), 그리고 상기 제3 변형층(165a)(165b)의 상부에 형성된 제3 상부 전극(167a)(167b)을 갖고, 상기 제2 액츄에이팅부(159)와 일체로 형성된 2개의 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)을 포함하는 박막형 광로 조절 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스(131)는, 상기 액티브 매트릭스(131)와 상기 드레인 패드(133)의 상부에 형성된 보호층(135) 및 상기 보호층(135)의 상부에 형성된 식각 방지층(137)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2개의 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)은, 상기 액티브 매트릭스(131)의 양측 상부에 형성되며, 상기 제2 액츄에이팅부(159)는 상기 액티브 매트릭스(131)의 중앙 상부에 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 일체로 형성되며, 상기 2개의 제3 액츄에이팅부들(169a)(169b)은 동일 평면상에서 상기 제1 액츄에이팅부들(149a)(149b)과 제2 액츄에이팅부(159) 사이에‘U’자 형상으로 끼워져서 상기 제2 액츄에이팅부(159)와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)은, 양측이‘ㅁ’자 형상으로 서로 연결된 형상으로 형성되며, 상기 제2 멤브레인(151) 및 제3 멤브레인들(161a)(161b)은 일체로 시계 반대 방향으로 90°회전한‘E’자 형상을 이루고, 상기 제2 멤브레인(151)이 연장되어 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)의 내부에 포함되어 상기 제1 멤브레인(141a)(141b)이 연결되는 일측 부분의 중앙에 접하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 상부 전극(147a)(147b)은 상기 제1 변형층(145a)(145b)의 타측으로부터 상기 드레인 패드(133)까지 수직하게 형성된 비어 홀(171) 및 상기 비어 홀(171) 내에 상기 드레인 패드(133)와 상기 제1 하부 전극(143a)(143b)을 전기적으로 연결하도록 형성된 비어 컨택(173)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)은 중앙부가 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)의 일측 상부에 각기 접하며, 양측이 제2 에어 갭(181)을 개재하여 상기 제3 상부 전극(167a)(167b)과 평행하게 형성된 평판 형상의 거울(179)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  7. M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장되고 일측 표면에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; i) 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 제1 멤브레인을 적층하는 단계, 상기 제1 멤브레인의 상부에 제1 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 하부 전극의 상부에 제1 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 변형층의 상부에 제1 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 2개의 제1 액츄에이팅부들을 형성하는 단계; ii) 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 상기 제1 멤브레인과 일체로 제2 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 제2 멤브레인의 상부에 제2 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 하부 전극의 상부에 제2 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 변형층의 상부에 제2 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 제2 액츄에이팅부를 형성하는 단계; 그리고 iii) 상기 제1 액츄에이팅부들 및 상기 제2 액츄에이팅부의 사이에 상기 제2 멤브레인과 일체로 제3 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 제3 멤브레인의 상부에 제3 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 제3 하부 전극의 상부에 제3 변형층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제3 변형층의 상부에 제3 상부 전극을 형성하는 것을 포함하는, 상기 제2 액츄에이팅부와 일체로 2개의 제3 액츄에이팅부들을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부들, 제2 액츄에이팅부 및 상기 제3액츄에이팅부들을 형성하는 단계는 i) 상기 드레인 패드 및 상기 액티브 매트릭스의 상부에 보호층을 형성하는 단계, ii) 상기 보호층의 상부에 식각 방지층을 형성하는 단계, 및 iii) 상기 식각 방지층의 상부에 희생층을 형성하고, 상기 식각 방지층의 일부가 노출되도록 상기 희생층을 식각하여 패터닝하는 단계 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 하부 전극과 인접하는 하부 전극을 Iso-Cutting하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1 상부 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 변형층의 타측으로부터 상기 제1 변형층, 상기 제1 하부 전극, 상기 제1 멤브레인, 상기 식각 방지층 및 상기 보호층을 식각하여 상기 제1 변형층으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 비어 홀을 형성하는 단계, 그리고 상기 비어 홀 내에 상기 드레인 패드와 상기 제1 하부 전극을 전기적으로 연결하도록 비어 컨택을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제3 상부 전극은 중앙부가 상기 제3 상부 전극의 일측 상부에 접하며, 양측이 제2 에어 갭을 개재하여 상기 제3 상부 전극과 평행하게 평판 형상으로 거울을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 거울은 알루미늄 또는 은을 사용하여 스퍼터링 방법 또는 증착 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
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