KR100230169B1 - 배기가스 처리장치 및 방법과 이들에 사용되는 펄스발생장치 - Google Patents

배기가스 처리장치 및 방법과 이들에 사용되는 펄스발생장치 Download PDF

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마사요시 무라타
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마스다 노부유키
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Abstract

본 발명의 배기가스 처리장치 및 방법에서는, 배기가스의 흐르는 방향에 따라서 반응용기(R1), 반응용기(R2)…(Rn)를 복수직렬로 연결하고, 각 반응용기(R1), 반응용기(R2)…(Rn)에는 (V1),(V2)…(Vn)이 설치되어 내부에서 스토리머방전 플라즈마를 발생시킨다. 각 단의 반응용기에의 투입에너지는 하류측일수록 저감된다.
또, 가스분해장치 내에서 발생하는 전자밀도를 배기가스 흐름의 전류측에서 높고, 후류측에서 낮게 되도록 설정한다.
또, 본 발명의 펄스발생장치에서는, 1개의 단락스위치(S1)로 병렬로 접속한 복수의 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)에 동시에 직류충전기(V0)의 출력전압인 고전압을 인가한다.

Description

배기가스 처리장치 및 방법과 이들에 사용되는 펄스발생장치
본 발명은, 예컨대 화력발전소, 쓰레기 소각장, 유해물질처리장, 자동차 등의 배기가스에 포함되는 NOX, SOX등의 유해물질을 스토리머방전 플라즈마를 사용해서 처리하는 배기가스 처리장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 화력발전소 등에서 발생하는 배기가스 중의 질소산화물(이하, NOX라 한다) 혹은 황산산화물(이하, SOX라 한다)의 분해무해화를 행하기 위한 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치 및 방법에 관한 것이다. 또, 본 발명은, 화학공업 등에서 발생하는 VOC(Volatile Organic Compound:휘발성 유기화합물) 가스의 분해무해화에도 적용된다.
또, 본 발명은 상술한 배기가스 처리장치 및 방법에 사용되는 펄스발생장치에 관하며, 특히 화력발전소 등에서 배출되는 배기가스 등의 가스 중에 전극을 설치하고, 이 전극에 펄스파워를 인가하여 스토리머방전 플라즈마를 발생시켜, 전기적 작용에 의하여 유해물질을 처리하는 경우의 전원으로서 유용한 것이다.
종래, 예컨대 NOX를 분해처리하기 위해 암모니아접촉 환원법이 사용되고, 또, SOX를 분해처리하기 위해 석회석고법이 채용되어 있고, 이른바 화학처리법이 배기가스중의 NOX또는 SOX의 제거를 위한 주된 기술이였다.
근년에서는, 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리방법이 채용됨에 이르고 있다. 스토리머방전 플라즈마를 사용해서 배기가스 중의 유해물질을 처리하는 장치에 있어서, 스토리머방전 플라즈마는 반응기내에서 발생된다. 예컨대, 선대원통(線對圓筒), 선대평판형상의 종래의 반응용기(A),(B)의 구조를, 각각 제15도, 제16도에 표시한다. 제15도에 있어서 선전극(01)과 원통전극(02), 또 제16도에 있어서 선전극(06)과 평판전극(07),(08)의 사이에 각각 고전압전원(03),(09)으로부터 고전압(V0)을 인가하는 것에 의하여 반응용기의 내부에 스토리머방전 플라즈마를 발생시키도록 하고 있다.
스토리머방전 플라즈마에 의해서 발생한 전자는 전계(電界)에 의해서 가속되어서, 고에너지 전자로 되고, 이것이 배기가스중의 NOX나 SOX등의 유해물질에 충돌하므로서, 스토리머방전 플라즈마 중의 고에너지 전자에 의하여 유해물질을 분해처리하여 무해화한다. 예컨대, NO를 분해하는 경우에는 고에너지 전자가 NO나 N2에 충돌하여, NO+N→N2+O의 반응을 유발하여 NO를 분해한다.
스토리머방전 플라즈마에의 투입에너지에 의하여 NO의 분해에 기여하는 라디칼농도가 결정되고, 반응속도계(라디칼농도가 결정되면 NO의 처리속도가 물리적으로 결정된다)가 결정된다.
종래 방식에서는, 스토리머방전 플라즈마를 발생시키기 위해 대용량의 고전압전원과 반응용기를 각각 하나씩 사용해서 행하고 있었다. 그리고, 제15도, 제16도에 있어서 참조부호(04),(05),(010),(011)은 전류도입선이다.
그러나, 제15도 또는 제16도와 같이 하나의 고전압 전원과 반응용기를 가지는 반응장치에서는, 유해물질농도에 관계없이, 항상 일정한 에너지가 반응용기 전체에 투입되기 때문에, 반응용기 출구에 있어서의 유해물질 농도의 낮은 영역에 과대한 에너지낭비가 발생하여, 처리에 필요한 에너지가 크게 되고 있었다. 즉, 하나의 반응용기 내에서 목적으로 하는 농도까지 내리고자 하면, 농도가 낮은 영역에서는 필요이상의 에너지를 소비하는 것으로 되고 있었다.
또, 종래의 스토리머방전 플라즈마가 배기가스 처리방법에서는, 종래의 화학처리법과 비교하여 설비가 염가이고, 설치공간이 작다고 하는 큰 이점을 가지고 있다. 그러나, 스토리머방전 플라즈마를 발생시키는 데에 필요한 소비전력은 약 10Wh/Nm3이므로, 종래의 화학처리법이 약 6Wh/Nm3인 것에 비교하면, 약 2배 약한 큰 소비전력이고 하는 큰 결점이였다.
제17도는, 동축케이블을 사용한 종래기술에 관한 분포정수형의 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이다. 동 도면에 있어서, 참조부호(1-1),(1-2)는 분포정수선로, 참조부호(3)은 고압측 배선, 참조부호(4)는 저압측 배선, 참조부호(V0)는 직류충전기, 참조부호(S1)은 단락스위치, 참조부호(V1-1),(V1-2)는 화살표의 방향으로 발생하는 분포정수선로(1-1),(1-2)의 전압, 참조부호(Z)는 부압, (VP)는 부하(Z)에 인가되는 전압이다.
분포정수선로(1-1),(1-2)는, 특성인피던스(Z1a),(Z1b)에서 길이(L)의 동축케이블이며, 심선(1-1a),(1-2a) 및 이러한 심선(1-1a),(1-2a)을 절연재(도면에 표시하지 않음)를 개재하며 둘러싸는 외부도체(밀봉피복재료)(1-1b),(1-2b)로 이루어진 것이다. 그리고, 반복되는 점에 있어서는 심선(1-1a),(1-2a)만으로 구성되고, 이러한 심선(1-1a),(1-2a)은 피복되지 않는다. 이들의 심선(1-1a),(1-2a)은 상호직렬로 접속되고, 고압측 배선(3)을 개재하여 일단(입력측 단부)이 직류충전기(V0)에 접속되어 있다.
한편, 외부도체(1-1a),(1-2a)는 단락스위치(S1)측(입력측 단부)에서 서로 단락선(5-1)으로 접속되어 단락되어 있고, 외부도체(1-1b)의 입력측 단부가 접지선인 저압측 배선(4)에 접속됨과 아울러, 외부도체(1-2b)의 입력측 단부가 단락스위치(S1)를 개재하여 고압측 배선(3)에 접속되어 있다.
이 경우, 전원인 직류충전기(V0)와 부하(Z)의 임피던스정합은 취해져 있다. 즉, Z=Z1a+Z1b이다.
또, 분포정수선로(1-1),(1-2)의 특성인피던스가 같은 경우, 즉 동일한 분포정수선로(1-1),(1-2)를 사용한 경우, 전압의 전반속도(v)도 같게 된다. 분포정수선로(1-1),(1-2)의 심선(1-1a),(1-2a)과 외부도체(1-1b),(1-2b) 사이의 절연체의 유전율(ε)을 그 투자율(μ)로 한 경우, 전압전반속도(v)는 다음 식(1)에서 부여된다.
Figure kpo00002
이러한 펄스발생장치에 있어서, 초기상태로서는 단락스위치(S1)를 개방하여 두고, 직류충전기(V0)보다 전압(V0)을 굵은 선으로 표시한 고전압측 배선(3)에 충전하여 둔다. 이 경우, 분포정수선로(1-1)의 출력전압(V1-1)은 V0, 분포정수선로(1-2)의 출력전압(V1-2)은 -V0이고, 부하(Z)를 가하여지는 전압(VP)이다. 분포정수선로(1-1),(1-2)에 충전되어 있는 전압파분포는 제18(a),(b)도의 t=0일때와 같이 진행파와 후진파의 합으로 나타난다.
수전완료 후, 시간 t=0으로 단축스위치(S1)를 투입한 후의 전압파의 상태를 제18(a),(b)도에 표시한다. t=0은, 단축스위치(S1)의 투입직전의 전압파상태이다. t=L/2v에 있어서, 분포정수선로(1-1)은 단축스위치(S1)측, 부하(Z)측 모두 개방단이므로 전압파의 변동은 없다(정확하게는 부하측에서는 분포정수선로(1-1),(1-2)와 부하(Z) 사이에서 에너지의 주고 받음이 생기고 있으나, 서로 상쇄하므로 개방단이라고 생각하여도 좋다).
t=L/v에 있어서, 분포정수선로(1-2)의 부하(Z)측 단자간의 전압이 단락상태로 되므로, 부하(Z)로의 인가전압(VP)이 V0이 된다. 그 때문에, 분포정수선로(1-1)의 전압변동이 생기고, 인피던스정합이 취하여지고 있기 때문에 반사하는 일이 없고, 분포정수선로(1-1), 분포정수선로(1-2)의 전자파는 부하(Z)로 전반하기 시작한다. t=L/v에서 t=3L/v에 발생한 전압이 제18(c)도에 표시하는 바와 같이, 부하에 인가되어서 흡수된다. 이 결과, 제18(c)도에 표시하는 바와 같이 피이크전압(V0), 펄스폭(2L/v)의 전압이 부하(Z)에 공급된다.
그후, 단락스위치(S1)를 개방하면 재차 초기상태로 되어, 상술한 것이 반복된다.
제6도에 표시하는 장치를 사용하여 피이크전압을 올리는 경우에는, 동 도면에 표시한 장치를 각각 독립한 형으로 포개맞추어서, 제19도에 표시하는 것 같은 장치를 구성하면 된다.
제19도에 있어서, 참조부호(V0)는 직류충전기, 참조부호(S1),(S2)…(SN)는 단락스위치, (1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)는 분포정수회로이고, 참조부호(L)은 길이, 참조부호(Z)는 부하, 참조부호(VP)는 부하(Z)에 가하여지는 출력전압, 참조부호(3)은 고전압측 배선, (4)는 저전압측 배선, (5-1),(5-2)…(5-N)는 단락선이다. 이때, 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)의 출력측 단부에서는 상하단에서 인접하는 외부도체(1-2b,2-1b),(2-2b,…N-1b)끼리가 순차 접속선(9-1),(9-2)…(9-(N-1))에서 접속되어 있다. 한편, 단락스위치(S1),(S2)…(SN)측(입력측 단부)에서는, 외부도체(1-2b,2-1b),(2-2b,…N-1b)끼리가 서로 접속되어 있지 않다.
제20도는 제19도의 등가회로이다. 제20도에 있어서, 제19도와 동일부분에는 동일부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
여기에서, 아래의 1단째부터 위의 N단째까지 모두 같은 특성인피던스이고, 같은 길이의 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)를 사용한 경우에 대하여 생각한다. 그리고, 이 경우 부하(Z)와 전원의 인피던스정합은 취하여 있는 것으로 한다. 즉, Z=Z1a+Z1b+Z2a+Z2b+…+ZNa+ZNb이다.
초기상태에서는, 단락스위치(S1),(S2)…(SN)는 오프하여 두고, 직류충전기(V0)보다 전압(V0)을 굵은 선으로 표시한 고전압측 배선(3)에 충전하여 둔다.
충전완료 후, 시간 t=0으로 단락스위치(S1),(S2)…(SN)를 동시에 투입한다. 각 단락스위치(S1),(S2)…(SN)가 완전히 일치해서 투입되면, 이때의 부하(Z)에 가해지는 전압(VP)은 제21도와 같이 된다. 따라서, 피이크전압(NV0), 펄스폭(2L/v)의 펄스가 부하(Z)에 공급된다.
제22도는 평행평판을 사용한 종래기술에 관한 분포정수형의 다른 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이며, 도면중, 제6도와 동일부분에는 동일부호를 붙이고 있다.
제22도에 표시하는 바와 같이, 수정정수선로(11-1),(11-2)는 길이(L), 폭(W)의 평판(11-1a),(11-2a),(11-3)을 가지고 있고, 상기한 세가지가 상호평행이 되도록 양 평판(11-1a),(11-2a) 사이에 평판(11-3)을 삽입하고 있다. 이때, 평판(11-2)은 그 입출력 단부가 단락스위치(S1)의 직류충전기(V0)와 반대측에 접속하고 있고, 입력측 단부에 접지선인 저압측 배선(4)을 접속한 평판(11-1a)과 동일하게 접지하고 있다. 평판(11-3)은, 그 입력측 단부를 고압측 배선(3)에 접속하고 있다. 평판(11-1a,11-3)은 각각의 사이에 삽입한 유전율(ε), 투자율(μ), 두께(D)의 유전절연체로 절연되어 있고, 콘덴서와 동일한 기능을 가진다.
그리하여, 평판(11-1a,11-3)으로 특성인피던스(Z11a)의 분포정수선로(11-1)를 구성함과 아울러, 평판(11-1b,11-3)으로 특성인피던스(Z11b)의 분포정수선로(11-2)를 구성한다.
이 경우의 정전용량(C)은 C=2εLW/D로 된다. 따라서, 평판(11-1a),(11-2a),(11-3)의 크기(길이L×폭W), 두께(D), 유전율(ε)을 바꾸는 것에 의하여 대용량화가 가능하다.
여기에서, 전원인 직류충전기(V0)와 부하(Z)와의 인피던스정합이 취해지고 있다. 즉, Z=Z11a+Z11b로 한다. 또, 분포정수선로(11-1),(11-2)의 특성인피던스는 같다. 즉, 동일한 분포정수선로(11-1),(11-2)를 사용한 경우, 전압의 전반속도(v)도 같게 된다.
그리하여, 평행평판으로 구성한 상기 펄스발생장치에 있어서도, 제5도에 표시하는 동축케이블로 구성한 펄스발생장치의 경우와 동일한 작용(제18(a),(b)도 참조)에 의해 제18(c)도에 표시하는 것 같은 펄스전압을 부하(Z)로 공급한다.
제22도에 표시하는 회로를 사용해서 피이크전압을 올리는 경우에는, 동일 도면에 표시한 장치를 각각 독립한 형상으로 포개맞추어서 제23도에 표시한 것 같은 장치를 구성하면 된다. 이것은 제19도에 대응하는 장치이다. 그래서, 제23도중 제19도와 동일부분에는 동일부호를 붙여서 중복하는 설명은 생략한다.
제23도에 표시하는 펄스발생장치는, 제22도에 표시하는 펄스발생장치를 단위유닛트로 하여, 이것을 N단 포갠 것이다. 즉, 평행평판으로 구성한 N단의 분포정수선로(11-1),(11-2),(12-1),(12-2)…(NN-1),(NN-2)를 가진다. 다만, 상하에서 인접하는 단 상호간에 있어서, 하단의 최상단의 평판과 상단의 최하단의 평판은 1매의 평판으로 양자를 겸용하는 구조로 되어 있다.
이러한 펄스발생장치에 있어서도, 제19도에 표시하는 펄스발생장치와 마찬가지로 소정의 준비를 행한 후, 단락스위치(S1),(S2)…(SN)를 동시에 투입하는 것에 의하여 제21도에 표시하는 펄스전압을 발생시키고 있다.
그러나, 제19도 및 제23도에 표시하는 것 같은 구성으로 펄스를 발생하는 경우에는, 단락스위치(S1),(S2)…(SN)를 동시에 투입할 필요가 있으나, 스위치투입의 타이밍이 맞지 않아서 출력의 전압(VP)이 저하되는 현상이 보였다. 이것은, 펄스폭이 나노초(nanosecond) 순서로 극히 짧기 때문에, 각각의 단락스위치(S1),(S2)…(SN)에 관한 배선인피던스의 상위에 의한 트리거전압인가의 지연 또는 방전지연 등의 영향이 커져서 타이밍을 맞추는 것이 곤란(n개의 스위치를 동시에 투입하기가 곤란)하기 때문이다.
트리거전압인가지연이 있으면, 제24도에 표시하는 바와 같이 예컨대 3회로의 출력전압이 A, B, C로 되고, 이들이 합성된 펄스는 도시하는 것 같이 되어, 이상파형의 100ns, 3V0의 펄스를 얻지 못하게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 여러 가지 문제점을 감안해서 이루어진 것으로서, 본 발명의 제1의 목적은 고전압 전원에서 에너지가 공급되고, 스토리머방전 플라즈마를 발생하는 반응용기를 보유하며, 이 용기중 배기가스를 흘려서 유해물질을 분해하는 가스처리용 반응장치에 있어서, 소비에너지를 줄일 수 있고, 장치의 소형화가 가능한 다단식 배기가스 처리장치를 제공함에 있다.
또, 본 발명의 제2의 목적은, 소비전력을 종래의 화학처리법과 적어도 동등 이하로 하여 성에너지화를 도모한 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치 및 방법을 제공함에 있다.
또, 본 발명의 제3의 목적은, 병렬로 접속한 복수의 펄스발생부의 출력을 가장 이상적인 펄스파형으로 하여 부하에 공급할 수 있는 펄스발생장치를 제공함에 있다.
상기 제1의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반응용기를 분할해서 직렬로 늘어놓고 복수단으로 하고, 유해물질의 농도의 높은 반응용기의 상류측에서는 에너지를 크게, 하류측으로 됨에 따라 투입에너지를 서서히 작게 하도록 하는 구성으로 하고 있다. 그리고, 반응용기를 복수단 직렬로 늘어 놓음에는, 다단의 반응용기의 접속을 서펜타인(serpentine)형상, 또는 동축의 중합형상으로 하여도 좋다.
본 발명에 의한 배기가스처리용 반응장치 및 방법에 의하면, 상기한 구성으로 하는 것에 의해, 반응용기의 하류측에서의 투입에너지의 낭비를 최소한으로 억제할 수가 있다. 이에 더하여, 반응용기 입구의 유해물질농도에 따른 투입에너지를 설정하는 것에 의하여 유해물질의 처리효율 향상이 가능하게 된다.
또, 상기 제2의 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는, 스토리머방전 플라즈마를 사용해서 배기가스 중의 유해성분을 무해화하는 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치에 있어서, 가스분해장치 내에서 발생하는 전자밀도를 배기가스 흐름의 전류측에서 높게, 후류측에서 낮게 되도록 설정하도록 하고 있다.
또, 상기 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 가스분해장치 내에서 스토리머방전 플라즈마를 발생하기 위한 코일의 감김수의 밀도(권선밀도)를 배기가스 흐름의 전류측에서 높은 밀도로, 후류측에서 낮은 밀도를 이루도록 하고 있다.
또, 상기 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 가스분해장치내의 배기가스 흐름의 유속을, 전류측에서 늦게 후류측에서 빠르게 하도록 설정하고 있다. 또, 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리방법에 있어서, 상술한 것 중의 어느 하나의 장치를 사용하여 배기가스 중의 유해성분을 무해화하도록 하고 있다.
그리고, 여기에서 "스토리머방전 플라즈마"라 함은, 방전로가 형성되는 방전 초기상태의 방전플라즈마이고, 이 상태에서는 방전로의 선단에 있어서 고에너지전자를 생성할 수 있기 때문에 배기가스처리에 유효하다.
배기가스 중에 있어서, 유해성분인 NOX또는 SOX등의 농도는, 가스분해장치의 전류(입구)측에서 높고, 후류(출구)측에서 낮다. NOX또는 SOX등의 유해성분의 분자는, 스토리머방전 플라즈마에 의해 발생하는 고에너지 전자에 의해서 분해되므로, 후류측에서는 전류측 보다도 고에너지 전자발생수가 적어도 된다고 하는 생각에 도달하였다. 따라서, 본 발명에서는 그 하나의 기술적 사상으로서 가스분해장치내에서 (NOX) 또는 (SOX)등의 농도(분자수)에 고에너지 전자의 발생수를 대응(비례)시키도록 하였다. 이에 의해서, 특히 후류측에 있어서 과도한 에너지 공급을 회피하도록 하였다.
여기에서 말하는 "전자발생수"라 함은, 배기가스 단위용적, 단위시간당의 전자수, 즉 정자밀도(개/cm3·sec)이다. 이와 같이, 본 발명은 "분해대상 가스성분농도-전자밀도 비례상식"에 의하여, 성에너지화를 가능케한 것이다. 또, 본 발명에 있어서, "배기가스 흐름의 전류측에서 높고, 후류측에서 낮게"라 함은, 일반적으로 배기가스 흐름의 전류측으로부터 후류측으로 향해서 전자밀도를 낮게 되도록 설정하는 것을 의미한다.
또, 상기 제3의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 다음과 같은 구성을 채용하고 있다.
(1) 동일 구성의 복수단의 분포정수선로의 고압측의 입력측 단부를 공통으로 하여 직류충전기의 고압측에 접속되어 있는 고압측 배선에 접속함과 아울러, 이들 각 분포정수선로의 저압측의 입력측 단부를 공통으로 하여 직류충전기의 저압측에 접속되어 있는 접지선인 저압측 배선에 접속하는 한편, 분포정수선로중의 상하단에서 인접하는 것끼리의 저압측의 출력측 단부를 순차접속함과 아울러, 최상단 및 최하단의 분포정수선로의 저압측의 출력단부 사이에 부하를 접속하도록 구성하고, 또한 고압측 배선과 저압측 배선과의 사이에 1개의 단락스위치를 접속한 것.
(2) 상기 (1)에 있어서, 1단분의 단위유닛트로 되는 분포정수선로는, 접혀진 부분을 제외하고, 심선의 주위를 절연물을 개재하여 둘러싸는 2개의 외부도체를 저압측으로 하고, 또한 외부도체끼리는 입력측 단부에서 단락선에 의해서 단락한 구성으로 한 것.
(3) 상기 (1)에 있어서, 1단분의 단위유닛트로 되는 분포정수선로는 단면형이 U자형으로 되도록 접어 젖힌 2매의 평판을 저압측을 함과 아울러, U자형의 각 평판의 사이에 절연체를 개재하여 삽입한 2매의 다른 평판을 고압측으로 하고, 또한 저압측의 평판끼리는 입력측 단부에서, 또 고압측의 평판끼리는 출력측 단부에서 각각 단락선에 의하여 단락하여 구성한 것.
(4) 상기 (1)에 있어서, 1단분의 단위유닛트로 되는 분포정수선로는 평행으로 배설한 2매의 평판을 저압측으로 함과 아울러, 양 평판의 사이에 절연체를 개재하여 평행으로 삽입한 다른 평판을 고압측으로서 구성한 것.
제1도는 본 발명의 제1실시형태에 의한 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 선대원통 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제2도는 본 발명의 제1실시형태에 의한 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 선대평판 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제3도는 초기농도 차이에 의한 유해물질처리량과 처리에 필요한 에너지의 관계를 표시하는 그래프이다.
제4도는 본 발명에 의한 다단식 반응용기와 종래의 반응용기에 있어서의 에너지 소비상태를 비교해서 표시한 그래프이다.
제5도는 본 발명의 제2실시형태에 의한 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 서펜타인형상 다단식 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제6도는 본 발명의 제3실시형태에 의한 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 다층축현상 다단식 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제7도는 본 발명의 제4실시형태를 설명하는 사시도이다.
제8도는 본 발명의 제5실시형태를 설명하는 사시도이다.
제9도는 본 발명의 실시예에 있어서의 전자밀도비와 NO의 분해율과의 관계를 표시하는 그래프이다.
제10도는 본 발명에 관한 펄스발생장치의 제1실시형태를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제11도는 제10도의 등가회로를 표시하는 회로도이다.
제12도는 제10도 및 제14도의 펄스발생장치의 출력전압파형을 표시하는 파형도이다.
제13도는 본 발명에 관한 펄스발생장치의 제2실시형태에 관한 1개의 유닛트를 개념적으로 표시하는 설명도 및 그 블록도이다.
제14도는 본 발명에 관한 펄스발생장치의 제2실시형태의 전체를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제15도는 종래의 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 선대원통의 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제16도는 종래의 배기가스처리용 반응장치에 있어서의 선대평판의 반응용기의 구성을 표시하는 설명도이다.
제17도는 동축케이블을 사용한 종래기술에 관한 분포정수형의 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제18도는 제17도에 표시하는 장치에 의한 펄스의 발생원리를 표시하는 설명도이다.
제19도는 제17도에 표시하는 장치를 다단으로 하여 대용량화를 도모한 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제20도는 제19도의 등가회로를 표시하는 회로도이다.
제21도는 제19도 및 제23도에 표시하는 장치의 이상적인 출력전압파형을 표시하는 파형도이다.
제22도는 평행평판을 사용한 다른 종래기술에 관한 분포정수형의 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제23도는 제22도에 표시하는 장치를 다단으로 하여 대용화를 도모한 펄스발생장치를 개념적으로 표시하는 설명도이다.
제24도는 제19도 및 제23도에 표시하는 장치의 현실의 출력전압파형을 표시하는 파형도이다.
이하, 본 발명에 의한 배기가스 처리장치(다단식 배기가스 처리용 반응장치)를 도면에 표시한 실시형태에 따라서 구체적으로 설명한다.
(배기가스 처리장치의 제1실시형태)
먼저, 제1도 및 제2도에 표시한 제1실시형태에 의한 배기가스 처리장치에 대하여 설명한다. 제1도가 반응용기 형상을 선대원통으로 한 것, 제2도가 선대평판 구조로 한 것이다. 동작 원리는 제1도, 제2도 모두 같은 것이다. 제1도 및 제2도에 있어서 반응용기(R-1),(R-2)…(Rn)를 배기가스의 흐르는 방향에 대하여 직렬로 n단 접속하고, 반응용기(1),(2)…(n)를 각각 고전압 전원(V1),(V2)…(Vn)를 접속한 구조로 한다.
초기농도의 상위에 있어서의 유해물질 처리량(제거율)과 처리에 필요한 에너지와의 관계를 제3도에 표시한다. 제3도의 특성에서, 유해물질의 초기농도가 높으면, 같은 제거율을 달성하는데 필요한 에너지도 증가하는 것을 알 수 있다.
반대로 말하면, 배기가스 중의 유해물질 농도에 따른 에너지를 투입하는 것으로 소비에너지를 저감하는 것이 가능하다.
유해물질의 초기농도와, 스토리머방전 플라즈마의 투입에너지에 의하여, 유해물질 분해에 기여하는 래디칼 농도가 결정되고, 반응속도계가 결정된다. 그 때문에, 초기농도가 낮을수록, 적은 투입에너지로 같은 제거율을 달성할 수가 있다(즉, 초기농도가 낮으면 분해의 대상으로 되는 물질수가 적기 때문에, 적은 투입에너지로 분해할 수 있다).
제4도에 있어서, 반응용기(R1)에서는, 배기가스의 상류측 등에서 유해물질의 농도가 높고, 높은 에너지(E1)를 투입하여 초기농도에 대하여 50%정도 처리한다. 그후, 반응용기(R2)에서 (E1)보다 낮은 최적한 에너지(E2)를 투입해서 초기농도에 대하여 50% 정도 처리하고(반응용기(R1)의 초기농도의 75%), 이후 반응용기(R2)까지 투입에너지를 감소시켜서 유해물질을 어느 농도까지 제거하는 것으로(반응용기(R1)의 초기농도의 ({1-(50/100)n}%로 나타낼 수 있다.) 투입에너지를 대폭 저감할 수 있다.
이와 같은 배기가스 중의 유해물질 농도에 대응한 에너지를 주입하는 구조, 즉, 배기가스 중의 유해물질 농도가 높은 상류측에서는 높은 에너지를, 그리고, 배기가스 중의 유해농도가 낮은 하류측에서는 낮은 에너지를 투입하는 구조로 하는 것으로 처리효율을 향상할 수 있다. 예컨대 3단으로 된 반응용기를 형성하여, 제1단에서 초기농도의 50%정도 처리하고, 제2단째에서 50%처리, 제3단째에서 또 50%처리하여, 최종적으로 제1단째의 반응용기 입구 앞의 87.5(0.53×100)처리하는 것으로 한 경우, 종래 방식과 비교하여 에너지 절감량은 30%정도로 된다.
이와 같이, 배기가스처리용 반응용기를 다단으로 하므로서, 하기의 표 1에 표시하는 바와 같이, 각 반응용기에 투입하는 에너지를 임의로 골라서 최적조건에서 운전할 수 있다. 케이스(a),(b),(c)의 3종류를 표시한다. 그리고, 표 1중에 있어서, (1),(2),(3)은 제거율을 표시하고 있다.
Figure kpo00003
유해물질의 종류에 따라서 각 단의 처리율을 최적치로 설정하여, 단수를 결정할 수도 있다(예:각 단의 제거율 30%, 단수 5에서(1-0.75)×100=83% 제거). 반응용기는 선대원통구조나 선대평판구조의 것 이외에도 동일하게 실시할 수 있다. 도면에 표시하지 않았으나, 유해물질의 종류와 그 농도를 측정하는 장치를 연결해서 각 단의 투입에너지를 조절하는 것에 의하여 제어하는 것이 가능하다.
(배기가스 처리장치의 제2실시형태)
다음에, 제5도에 의하여 본 발명에 의한 배기가스 처리장치의 제2실시형태에 대하여 설명한다.
이 제2실시형태에 의한 배기가스처리용 반응장치에서는, 외부원통전극(15)과 내부선전극(16)으로 이루어지는 반응용기(13)를 복수단 서펜타인형상으로 연결해서 다단식으로한 반응용기를 채용하고 있다.
이와 같이 해서 복수단 연결한 각 단의 반응용기(17)의 투입에너지를 하류측 일수록 저감하는 것은 제1실시형태의 경우와 같은 것이다. 이 제2실시형태에서는 반응용기(17)를 서펜타인형상으로 직렬로 접속하는 것에 의해, 반응용기 전체의 크기를 소형화할 수 있다.
(배기가스 처리장치의 제3실시형태)
다음에, 제6도에 의하여 본 발명에 의한 배기가스처리용 반응장치의 제3실시형태에 대하여 설명한다.
이 제3실시형태에 의한 배기가스 처리장치에서는, 외부원통전극(20)중에, 순차 외부원통전극(30),(40)을 동축에 넣고, 동축의 포개맞춘 형상으로 반응용기를 구성하고 있다. 각 원통전극(20),(30),(40)에 대하여, 각각 선전극(21),(31),(41)이 대응하고 있다.
검은 화살표는 처리가스의 흐름을 표시하고 있다.
제3실시형태의 반응장치에서는, 피처리 배기가스의 흐름이 동축상 용기를 내부에서 왕복하면서 외부로 흐르도록 하는 구조로 하는 것에 의해, 다시 크기가 소형으로 된다. 이 경우, 외부로부터 내측으로 가스를 흐르게 하는 것도 가능하게 된다. 이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 배기가스 처리장치에서는, 고전압 전원에서 에너지가 공급되고, 스토리머방전 플라즈마를 발생하는 반응용기를 배기가스의 유동방향으로 복수단 직렬로 연결하고, 각 단의 반응용기에 주입에너지를 하류측일수록 저감하고 있으므로, 소비에너지를 줄일 수 있다. 또, 다단의 반응기의 접속을 서펜타인형상 또는 동축의 중합상으로 하는 것에 의해서, 장치의 소형화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
(배기가스 처리장치의 제4실시형태)
제7도는, 본 발명의 제4의 실시형태에 관한 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치의 주요부인 가스분해장치를 표시하고 있다. 이 가스분해장치는, 코일(51)이 감긴 내통(53)과, 이 내통(53)을 둘러싸는 외통(52)을 구비하고, 내통(53)과 외통(52)과의 사이에 고리형상 통로부(54)가 형성되어 있다. 외통(52)은, 중공형상의 통체이고, SUS 등의 도전성의 소재로 구성되어 있다. 내통(53)은, 중공형상의 통체이고, 테프론, 유리, 세라믹스 등의 절연체로 구성되어 있다. 내통(53)과 외통(52)은, 서로 동축형상으로 배치되어 있다. 환상통로(54)의 간격(△R) 즉, R-r, 내통(53)의 외경(r), 및 내통(52)의 내경(R)은, 유리분해장치의 길이방향에 따라서 일정하다.
코일(1)의 권수의 밀도(권회밀도)는, 전류측에서는 높은 밀도로, 후측에서는 낮은 밀도가 되도록 설정되어 있다. 코일(51)의 권선밀도의 낮은 밀도로의 설정은, (NOX) 또는 (SOX) 등의 농도(분자수)에 고에너지 전자의 발생수가 대응하여 변화하도록 하여 행해지고 있다.
이것에 의하여, 전류측에서 전자밀도가 높고, 후류측에서 전자밀도가 낮아지도록 구성되어 있다. 여기에서 "대응하여 변화한다"라 함은, 일반적으로는, 뒤에 설명하는 제9도의 곡선(61)으로 표시되는 것 같은 곡선에 따라서 전자밀도를 변화시키는 것을 말한다. 장치는 통상, 수10cm(직경)×5∼10m(길이)의 단관이, 수10개부터 수100개의 단위로 1플랜트 마다에 사용된다. 코일(51)의 권선수는, 통상에서는, 단관마다에 전체로 수10부터 수100까지이다.
상기 구성의 실시의 형태에 있어서, NOX또는 SOX등의 유해성분을 함유하는 배기가스는, 내통(53)과 외통(52) 사이의 고리형상 통로부(54)를 흐른다. 한편, 도면에 표시하지 않은 원으로부터 코일(51)에 초단펄스(예컨대 펄스폭이 30ns의 펄스)의 고전압(예컨대 20kV)이 인가되어, 스토리머방전 플라즈마가 발생되도록 되어 있다. 이것에 의해서 다수의 고에너지 전자가 발생한다. 예컨대, NOX의 경우에는 N2와 O2로 분해된다. 더욱이 NOX또는 SOX등의 농도(분자수)에 대응하여 고에너지 전자의 발생수가 변화하도록 하고 있으므로, 과도한 에너지 공급을 억제할 수 있다.
(배기가스 처리장치의 제5실시형태)
제8도에 본 발명의 제5실시형태에 관한 스토리머방전 플라즈마 배기가스 처리장치의 주요부인 분해장치를 표시한다. 이 가스분해장치는, 코일(71)이 감긴 내통(73)과 외통(72)을 구비하고, 외통(72)과 내통(73)과의 사이에 고리형상 통로부(74)가 형성되어 있다. 외통(2)는 중공형상의 통체이고, SUS 등의 도전성 소재로 구성한다. 내통(73)은 중공형상의 통체이며, 테프론, 유리, 세라믹스 등의 절연체로 구성한다. 외통(72)과 내통(73)은 동축형상으로 배치하고 있다. 고리형상 통로부(74)는 간격(△R) 즉, R-r는, 유리분해장치의 길이방향에 따라서 일정하나, 외통(72)의 내경(R) 및 내통(73)의 외경(r)은, 후류측으로 향해서 연속적으로 작아지도록 설정되어 있다. 한편, 코일(71)의 권수의 밀도(권회밀도)는 내통(73)의 축선방향의 전역에 있어서 일정하다.
이것에 의해서, 전류측(입구측)에서 배기가스의 체류시간이 길고, 후류측(출구측)에서 체류시간이 짧게 되는 구조로 되어 있다. 즉, 가스분해 장치의 배기가스 흐름의 유속이, 전류측에서 늦고, 후류측에서 빠르게 되도록 설정된다. 장치는 통상, 수10cm(직경)×5∼10m(길이)의 단관을, 수10개부터 수100개의 단위로 1플랜트 마다에 사용한다. 코일(71)의 권선수(감김수)는, 통상, 단관마다에 수십부터 수백이다.
이것에 의해서, NOX또는 NOX등의 농도(분자수)에 대응하여, 유속과의 관련에서, 상대적으로 전류측에서 전자밀도가 높고, 후류측에서 전자밀도가 낮게 되는 것과 동등한 효과가 생긴다. 즉, 제1실시형태와 동등한 효과가 생긴다. 전자밀도(개/cm3·sec)는, 배기가스의 단위용량, 단위시간 당의 전자수에 대응하기 때문이다. 그리고, 이와 같은 초과가 얻어지도록, 외통(72)의 내경(R) 및 내통의 외경(r)을 설정한다.
상기 구성의 실시의 형태에 있어서, NOX또는 SOX등의 유해성분을 함유하는 배기가스는, 내통(73)과 외통(72) 사이의 고리형상 통로부(74)를 흐른다. 한편, 도면에 표시하지 않은 전원으로부터 코일(71)에 초단펄스(예컨대 30ns)의 고전압(예컨대 20kV)이 인가되어, 스토리머방전 플라즈마가 발생된다. 이것에 의하여 다수의 고에너지전자가 발생한다. 예컨대 NOX의 경우, N2와 O2로 분해된다. 더욱이, NOX또는 SOX등의 농도(분자수)에 고에너지 전자의 발생수가 대응하여 변화하도록 하고 있으므로, 과도의 에너지 공급을 회피할 수가 있다.
(비교예, 실시예 1 및 실시예 2)
NO를 200ppm 함유하는 배기가스를 입구에서 유량 150리터/min으로 유동시켜, 성능을 시험하였다.
비교예는, 종래예에 따라서, 코일권수는 가스분해장치의 길이방향에 따라서 일정하게 하고, 가스체류 시간도 일정하게 한 것이다.
실시예 1은, 제7도에 표시하는 실시형태에 대응하는 것이다. 고리형상부(74)의 간격(△R) 즉, R-r는, 가스분해장치의 길이방향에 따라서 일정하나, 외통(72)의 내경(R) 및 내통(73)의 외경(r)은, 후류측에 향해서 연속적으로 작게 되도록 설정하였다. 이것에 의하여, 실시예 1과 동일하게 제9도의 직선(61)에 따라서 전자밀도가 저하하도록 설정하였다.
그리고, 제9도에 의하여 명백하게 알 수 있는 바와 같이, 일반적으로 가스분해장치의 입구에서 약 1/5의 위치에서 분해율(ζn)은 70% 가까이 되어 있고, 그 이후의 분해는 천천히 진행하는 것이 양해된다.
아래에 표시하는 표 2에, 시험예에 대한 소비전력비를 (NO)의 분해율 마다에 표시하였다. 코일(51),(71)에는, 초단펄스 30ns의 고전압 20kV를 인가하였다. 본 발명에 관한 실시예 1 및 2는, 소비전력이 시험예의 반분 이하이고, 대폭적인 성에너지 효과를 확인할 수 있었다.
본 실시예 1,2는, 소형단관을 사용한 시험이고, 단관의 치수는 96mm(직경)×3.5mm(길이)이고, 권선수는 전체에서 250이였다.
Figure kpo00004
상기한 바에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 가스분해장치 내에서, NOX또는 SOX등의 농도(분자수)에 고에너지 전자의 발생수를 대응(비례)시켜서 변화하는 것으로 하였다. 이에 의해서, 후류측에서의 소비에너지를 현저하게 저감시킬 수 있고, 더욱이, 전류측에서는 분해에 충분한 전자밀도로 되고, 가스분해성능을 손상하는 일이 없다. 따라서, 전체로서, 대폭적인 성에너지화를 도모할 수 있다.
(펄스발생장치의 제1실시형태)
또, 제10도는 본 발명의 제6실시형태를 개념적으로 표시하는 설명도, 제11도는 그 등가회로를 표시하는 회로도이다. 본 형태는 제19도에 표시하는 펄스발생장치를 개량한 것이다. 그래서, 제19도와 동일부분에는 동일부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
제10도에 표시하는 바와 같이, 단락스위치(S1)은, 직류충전기(V0)와 1단째의 분포정수선로(1-2)의 외부도체(1-2b)의 입력측 단부와의 사이에 1개만 설치하고 있고, 각 단의 외부도체(1-2b,1-2b),(2-2b,…N-2a)의 입력측 단부에는, 각각 접지선(6-1),(6-2),…(6-(N-1))으로 접지하고 있다. 이 결과, 외부도체(1-1b),(1-2b),(2-1b),(2-2b)…(N-1b),(N-2b)는 접지전위로 된다.
여기에서, 아래의 1단째부터 위의 N단까지 모두 같은 특성인피던스로, 같은 길이의 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)를 사용한다. 또, 부하(Z)와 전원의 인피던스는 취해져 있다.
이러한 펄스발생장치에 있어서, 초기상태에서는, 단락스위치(S1)를 개방하여 두고, 직류충전기(V0)의 전압(V0)을 제10도의 굵은 선으로 표시한 고전압측 배선(3)에 충전하여 둔다.
충전완료후 t=0로 단락스위치(S1)를 온(ON)하면, 각각의 조의 분포정수선로(1-2,1-2),(2-1,2-2),…(N-1,N-2)에서 펄스폭(2L/v), 피이크전압(V0)의 전압이 생긴다(원리는 앞에 설명하고 있다). 그것이 포개져서 제12도에 표시하듯이 부하(Z)에 전압(V0)의 N배의 전압이 인가된다. 따라서, 피이크전압(NV0), 펄스폭(2L/v)의 펄스가 부하(Z)에 공급된다. 그후, 단락스위치(S1)를 오프(OFF)하면, 재차 초기상태로 되어, 상술한 일이 반복된다.
(펄스발생장치의 제2실시형태)
제13도 및 제14도는 본 발명의 제2실시형태를 개념적으로 추출하여 표시하는 설명도이다.
본 형태는 제12도에 표시하는 펄스발생장치를 개량한 것이다. 그래서, 제12도와 동일부분에는 동일부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
제13(a)도는 본 형태의 1단째로 되는 펄스발생장치를 추출하여 표시하는 설명도이다. 제13(a)도에 표시하는 바와 같이, 이 펄스발생장치는, 분포정수선로(21-1),(21-1)를 가진다. 분포정수선로(21-1),(21-2)는 U자 형상으로 절곡한 평판(21-1b),(21-2b)과, 이 평판(21-1a),(21-2a)을 각각 가지고 있고, 도면에 표시는 하지 않으나, 유전율(ε), 투자율(μ), 두께(D)의 유전절연체가 각각 개재되어 있다.
평판(21-1a),(21-2a)의 출력측 단부끼리는, 상호 단락선(7)으로 접속됨과 아울러, 평판(21-1b)의 입력측 단부가 고압측 배선(3)에 접속하고 있다. 또, 평판(21-1b),(21-2b)의 입력측 단부끼리는 단락선(8)으로 접속함과 아울러 접지하고 있다.
본 형태는 상술한 바와 같이, 분포정수선로(21-1),(21-2)로 구성한 유닛트를 다단으로 적중한 것이다. 따라서, 제13(b)도에 표시하는 것 같은 블록으로 나타낼 수가 있다. 이 블록을 분포정수선로(I),(II)…(N)로 하며 이후의 설명을 행한다.
(I)은 1단째, (II)는 2단째, (N)은 N단째의 분포정수선로를 각각 나타낸다. 또, 제13(b)도중의 단자(a),(b),(c),(d),(s)는 제13(a)도의 단자(a),(b),(c),(d),(s)에 각각 대응하고 있다. 따라서 1단째의 분포정수선로(I)의 경우, 단자(a)는 고압측 배선(3)에 접속되고, 이하 단자(b)는 저압측 배선(4)에, 단자(c),(d)는 상호에, 단자(s)는 스위치(S1)을 기재하며 고압측 배선(3)에 각각 접속하고 있다.
또, 이때 단자(a)는 평판(21-2a)의 입력측단부에, 단자(b)는 평판(21-1b)의 입력측 단부에, 단자(c)는 평판(21-2b)의 출력측 단부에, 단자(d)는 평판(21-1b)의 출력측 단부에, 단자(s)는 단락선(8)에 각각 접속하고 있다. 따라서, 단락스위치(S1)를 개방한 충전상태에서는, 평판(21-1a),(21-2a)이 고압전위, 평판(21-1b),(21-2b)이 접지전위로 되어 있다.
제14도는 제13(b)도에 표시하는 블록을 N단 포개서 구성한 본 형태에 관한 펄스발생장치이다. 제14도중, 제10도와 동일부분에는 동일번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
제14도에 표시하는 바와 같이, 각 분포정수선로(I),(II)…(N)의 단자(a)에는 고압측 배선(3)이 접속됨과 아울러, 각 단자(b)는 접지선인 저압측 배선(4)에서 상호접속되어 있고, 고압측 배선(3)과 저압측 배선(4)과의 사이에 1개의 단락스위치(S1)가 접속하고 있다.
단자(c),(d)는 상하단에서 인접하는 것 끼리가 순차접속선(9-1),(9-2)…(9-(N-1))에서 접속됨과 아울러, 최상단의 분포정수선로(N)의 단자와 최하단의 분포정수선로(I)의 단자(d)와의 사이에 부하(Z)가 접속되어 있다. 또, 단자(s)는 개방되어 있다.
여기에서, 아래의 1단째부터 위의 N단까지의 분포정수선로(1∼N)는 모두 같은 특성인피던스이고, 같은 길이이다. 또, 부하(Z)와 전원인 직류충전기의 인피던스 정합은 취해지고 있다.
이러한 펄스발생장치에 있어서, 초기상태에서는 단락스위치(S1)는 개방하고 있고, 직류충전기(V0)로부터 전압(V0)을 고전압측의 평판(21-1a),(21-2a)등에 충전을 하여 둔다.
충전완료후, t=0로 단락스위치(S1)를 투입한다. 이 결과, 각각의 조의 분포정수선로(1∼N)에서 발생한 전압이 중합되어서 부하(Z)에 가해지는 출력전압(P)은 제12도에 표시하는 것과 같이 된다. 따라서, 상기 실시의 형태와 동일하게 피이크전압(NV0), 펄스폭(2L/v)의 펄스가 부하(Z)에 공급된다. 그후, 단락스위치(S1)을 오프하면, 재차 초기상태로 되고, 상술한 일이 반복된다.
그리고, 고전압측의 평판(21-1a),(21-2a)등, 저전압측의 평판(21-1b),(21-2b)등의 대면적화 면적, 평판간격을 좁게 한다. 또는 고유전률의 유전체를 평판 사이의 절연물로서 사용하는 것에 의해 유닛트 마다의 대용량화에 의한 전체의 대용량화도 가능하게 된다.
또, 상기 실시형태에 있어서, 분포정수선로(1∼N)의 각 유닛트는 제13(a)도에 표시하는 분포정수선로(21-1),(21-2)로 구성하였으나, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 제22도에 표시하는 분포정수선로(11-1),(11-2)로 구성하여도 동일한 작용 효과가 얻어진다. 이때, 제13(a),(b)도에 있어서의 단자(a)는, 제22도의 평판(1-3)에 접속된 것이며, 이하, 마찬가지로 단자(b)는 평판(11-1a)의 직류충전기(V0)측의 단부에, 단자(c)는 평판(11-1a)의 직류충전기(V0)와 반대측의 단부에, 단자(d)는 평판(11-1b)의 직류충전기(V0)와 반대측의 단부에 각각 접속하고 있는 것으로 한다.
이상 실시형태와 함께 구체적으로 설명한 바와 같이, 본 발명은, 1개의 단락스위치(S1)로 병렬로 접속한 복수의 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)에 동시에 직류충전기(V0)의 출력전압인 고전압을 인가하도록 한 것이다. 이것은 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)의 전압파 전반시간 차를 이용한 회로이다. 단락스위치(S1)측의 분포정수선로(1-1),(1-2),(2-1),(2-2)…(N-1),(N-2)의 외부도체(1-1b),(1-2b),(2-1b),(2-2b)…(N-1b),(N-2b)를 모두 접지하므로서, 굵은 선으로 표시한 고전압측 배선(3)과 하나의 단락스위치(S1)에서 동시에 단락할 수가 있다.
이와 같이 구성하는 것으로, 단락스위치(S1)가 1개로 좋기 때문에, 단락스위치(S1)의 타이밍이 밀리지 않게 되고, 출력전압의 저하를 방지할 수가 있다. 따라서, 본 발명에 관한 펄스발생장치에 의하면, 1개의 단락스위치로 동작시킬 수가 있으므로, 종래 발생하고 있던 복수의 단락스위치의 투입타이밍이 맞지 않아서 출력전압이 저하한다고 하는 문제를 제거하여, 소망의 이상적인 대전압펄스를 얻을 수가 있다.

Claims (12)

  1. 고전압 전원으로부터 에너지가 공급되고, 스토리머방전 플라즈마를 발생하는 반응용기를 보유하고, 이 용기중에 배기가스를 흘려서 유해물질을 분해하는 반응장치에 있어서, 배기가스의 흐름방향에 따라서 반응용기를 복수단 직접 연결하고, 각 단의 반응용기에의 주입에너지를 하류측일수록 저감한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다단의 반응용기의 접속을 서펜타인형상 또는 동축의 중합형상으로 한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  3. 스토리머방전 플라즈마를 사용해서 배기가스 중의 유해성분을 무해화하는 스토리머방전 플라즈마가 배기가스 처리장치에 있어서, 가스분해장치내에서 발생하는 전자밀도를, 배기가스 흐름의 전류측에서 높고, 후류측에서 낮게 되도록 설정한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스분해장치 내에서 스토리머방전 플라즈마를 발생하기 위한 코일의 감김수의 밀도를 배기가스 흐름의 전류측에서는 높은 밀도로, 후류측에서는 낮은 밀도로 되도록 하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  5. 제3항 또는 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스분해장치내의 배기가스 흐름의 유속을 전류측에서 늦고, 후류측에서 빠르게 한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 배기가스 처리장치를 사용하여 배기가스 중의 유해성분을 무해화하도록 한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법.
  7. 동일 구성의 복수단의 분포정수선로의 고압측의 입력측 단부를 공통으로 하여 직류충전기의 고압측에 접속되고 있는 고압측 배선에 접속함과 아울러, 이들의 각 분포정수선로의 저압측의 입력측 단부를 공통으로 하여 직류충전기의 저압측에 접속되어 있는 접지선인 저압측 배선에 접속하는 한편, 분포정수선로 중의 상하단에서 인접하는 것끼리의 저압측의 출력측 단부를 순차접속함과 아울러, 최상단 및 최하단의 분포정수선로의 저압측의 출력측 단부간에 부압을 접속하도록 구성하고, 또한 고압측 배선과 저압측 배선과의 사이에 1개의 단락스위치를 접속한 것을 특징으로 하는 펄스발생장치.
  8. 제7항에 있어서, 1단분의 단위 유닛트로 되는 분포정수선로는, 접혀진 심선을 고압측으로 함과 아울러, 접혀진 부분을 제외하고 심선의 주위를 절연물을 개재하여 둘러싸는 2개의 외부도체를 저압측으로 하고, 또한 외부도체끼리는 입력측 단부에서 단락선에 의하여 단락하며 구성한 것을 특징으로 하는 펄스발생장치.
  9. 제7항에 있어서, 1단분의 단위 유닛트로 되는 분포정수선로는, 단면 형상이 U자 형상으로 되도록 접혀진 2매의 평판을 저압측으로 함과 아울러, U자 형상의 각 평판의 사이에 절연체를 개재하여 삽입한 2매의 다른 평판을 고압측으로 하고, 또한, 저압측의 평판끼리는 입력측 단부에서 또 고압측의 평판끼리는 출력측 단부에서 각각 단락선에 의하여 단락하여 구성한 것을 특징으로 하는 펄스발생장치.
  10. 제7항에 있어서, 1단분의 단위 유닛트로 되는 분포정수선로는, 평행하게 배설한 2매의 평판을 저압측으로 함과 아울러, 양 평판의 사이에 절연체를 개재하여 평행으로 삽입한 다른 평판을 고압측으로 하여 구성한 것을 특징으로 하는 펄스발생장치.
  11. 제3항 또는 제4항에 기재된 배기가스 처리장치를 사용하여 배기가스 중의 유해성분을 무해화하도록 한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법.
  12. 제5항에 기재된 배기가스 처리장치를 사용하여 배기가스 중의 유해성분을 무해화하도록 한 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법.
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100223884B1 (ko) * 1997-07-10 1999-10-15 이종수 플라즈마 리액터와 이를 이용한 수처리 방법 및 장치
US6423190B2 (en) * 2000-01-07 2002-07-23 Delphi Technologies, Inc. Pulse density modulation for uniform barrier discharge in a nonthermal plasma reactor
US6576202B1 (en) * 2000-04-21 2003-06-10 Kin-Chung Ray Chiu Highly efficient compact capacitance coupled plasma reactor/generator and method
US6482368B2 (en) * 2000-12-19 2002-11-19 Delphi Technologies, Inc. Non-thermal plasma reactor for lower power consumption
US7622693B2 (en) 2001-07-16 2009-11-24 Foret Plasma Labs, Llc Plasma whirl reactor apparatus and methods of use
US8764978B2 (en) 2001-07-16 2014-07-01 Foret Plasma Labs, Llc System for treating a substance with wave energy from an electrical arc and a second source
AU2003230266B2 (en) * 2002-05-08 2008-03-13 Btu International, Inc. Plasma catalyst
FR2844000B1 (fr) * 2002-08-30 2006-03-24 Renault Sa Systeme de traitement de gaz d'echappement comportant un systeme d'ionisation des gaz avec injection d'air ionise
CN1266988C (zh) * 2002-11-26 2006-07-26 广东杰特科技发展有限公司 发生随机性流光放电等离子体的工业装置及其应用
JP2005240738A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Toyota Motor Corp プラズマリアクター用電源、プラズマリアクター、排ガス浄化装置及び排ガス浄化方法
EP1600202A1 (en) 2004-05-24 2005-11-30 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and means for chemically modifying gases of fumes
JP2006261040A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ngk Insulators Ltd プラズマ反応器
WO2007093810A2 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Plasma Clean Limited Gas treatment using a plurality of plasma generating reactor units
KR100675752B1 (ko) * 2006-09-14 2007-01-30 (주) 씨엠테크 플라즈마 반응기
FR2907306B1 (fr) * 2006-10-16 2009-01-16 Gen Electric Appareil a rayons x
KR100727861B1 (ko) * 2007-01-26 2007-06-14 한국기계연구원 난분해성 가스용 플라즈마 반응기
US9185787B2 (en) 2007-10-16 2015-11-10 Foret Plasma Labs, Llc High temperature electrolysis glow discharge device
US10267106B2 (en) 2007-10-16 2019-04-23 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for treating mining byproducts
US9445488B2 (en) 2007-10-16 2016-09-13 Foret Plasma Labs, Llc Plasma whirl reactor apparatus and methods of use
US9230777B2 (en) 2007-10-16 2016-01-05 Foret Plasma Labs, Llc Water/wastewater recycle and reuse with plasma, activated carbon and energy system
US9560731B2 (en) 2007-10-16 2017-01-31 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for an inductively coupled plasma Arc Whirl filter press
US8810122B2 (en) 2007-10-16 2014-08-19 Foret Plasma Labs, Llc Plasma arc torch having multiple operating modes
US9051820B2 (en) * 2007-10-16 2015-06-09 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for creating an electrical glow discharge
US11806686B2 (en) 2007-10-16 2023-11-07 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for creating an electrical glow discharge
US8278810B2 (en) 2007-10-16 2012-10-02 Foret Plasma Labs, Llc Solid oxide high temperature electrolysis glow discharge cell
US9761413B2 (en) 2007-10-16 2017-09-12 Foret Plasma Labs, Llc High temperature electrolysis glow discharge device
US9516736B2 (en) 2007-10-16 2016-12-06 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for recovering mining fluids from mining byproducts
US10244614B2 (en) 2008-02-12 2019-03-26 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for plasma arc welding ceramics and sapphire
US8904749B2 (en) 2008-02-12 2014-12-09 Foret Plasma Labs, Llc Inductively coupled plasma arc device
MX2010008819A (es) 2008-02-12 2010-11-05 Foret Plasma Labs Llc Metodo, sistema y aparato para combustion con escaso combustible con plasma de arco electrico.
TWI337517B (en) * 2008-03-04 2011-02-11 Inventec Corp Trace carrier
US7986196B2 (en) * 2008-07-07 2011-07-26 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method and apparatus for digital synthesis of long multi-cycle microwave pulses
DE102011078942A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute
EP2931849B1 (en) 2012-12-11 2018-01-31 Foret Plasma Labs, Llc High temperature countercurrent vortex reactor system, method and apparatus
WO2014165255A1 (en) 2013-03-12 2014-10-09 Foret Plasma Labs, Llc Apparatus and method for sintering proppants
CN104069721B (zh) * 2014-06-10 2016-06-01 上海交通大学 处理挥发性有机污染物的变径式介质阻挡反应器
DE102014016380A1 (de) * 2014-11-06 2016-05-12 Brückner Maschinenbau GmbH & Co. KG Plasma Abgasreinigung
JP6491749B2 (ja) 2016-03-01 2019-03-27 日本特殊陶業株式会社 プラズマリアクタ
CN106268225A (zh) * 2016-08-04 2017-01-04 李祖良 一种微波净化器
CN106621745A (zh) * 2016-12-26 2017-05-10 江南大学 一种竹节串联组合式抽真空尾气净化管
RU2689020C1 (ru) * 2018-10-30 2019-05-23 Радченко Виталий Анатольевич Устройство для очистки выбросов двигателей внутреннего сгорания от оксидов азота с помощью неравновесной низкотемпературной плазмы и поглотителя
JP7099331B2 (ja) * 2019-01-08 2022-07-12 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の排気浄化装置
SG11202109812QA (en) * 2019-03-11 2021-10-28 Univ Southern California Systems and methods for plasma-based remediation

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3555301A (en) * 1967-11-09 1971-01-12 Us Navy Apparatus and techniques for generating variable delay pulses from paralleled avalanche transistors
JPS57193118A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Nec Corp Pulse generating circuit using josephson effect
US4695358A (en) * 1985-11-08 1987-09-22 Florida State University Method of removing SO2, NOX and particles from gas mixtures using streamer corona
JP2649340B2 (ja) 1986-06-10 1997-09-03 増田 佳子 極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置
JP2523852B2 (ja) 1989-02-13 1996-08-14 三菱電機株式会社 高圧パルス発生装置
JPH04285874A (ja) * 1991-03-13 1992-10-09 Chubu Electric Power Co Inc ケーブルの事故点標定方法
JPH0680403A (ja) * 1991-07-03 1994-03-22 I T M Kk 大容量高性能オゾン発生装置
CN1080563A (zh) * 1992-06-20 1994-01-12 鞍山静电技术研究设计院 低温常压等离子体分解有害气体的方法和装置
JPH06106025A (ja) * 1992-09-29 1994-04-19 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 窒素酸化物分解装置のプラズマ反応容器
US5434456A (en) * 1993-02-09 1995-07-18 The Regents Of The University Of California Lumped transmission line avalanche pulser
DE4416676C2 (de) * 1994-05-11 2002-11-07 Siemens Ag Vorrichtung zur Entgiftung von Abgasen aus mobilen Anlagen
US5490973A (en) * 1994-05-23 1996-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Pulsed corona reactor system for abatement of pollution by hazardous agents

Also Published As

Publication number Publication date
CN1159085C (zh) 2004-07-28
CN1339330A (zh) 2002-03-13
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AU1657197A (en) 1998-10-01
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AU729396B2 (en) 2001-02-01
US6344701B1 (en) 2002-02-05
KR19980041701A (ko) 1998-08-17
CN1175475A (zh) 1998-03-11
US6274006B1 (en) 2001-08-14
US6007681A (en) 1999-12-28
CN1339331A (zh) 2002-03-13

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