KR100227064B1 - Process for passivating metal surfaces to enhance the stability of gaseous hydride mixtures at low concentration in contact therewith - Google Patents

Process for passivating metal surfaces to enhance the stability of gaseous hydride mixtures at low concentration in contact therewith Download PDF

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Abstract

본 발명에 따라 한가지 이상의 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증대시키기 위해 그와 접해있는 금속 표면을 패시베이션시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 다음 단계로 이루어진다:According to the present invention there is provided a method of passivating a metal surface in contact with it to enhance the stability of a gas mixture containing one or more low concentration gaseous hydrides. This method consists of the following steps:

a) 상기 금속 표면과 접촉되어 있는 가스를 불활성 가스를 이용하여 정화시켜 정화된 가스를 제거하고,a) purifying the gas in contact with the metal surface using an inert gas to remove the purified gas,

b) 이 금속 표면을 이것이 패시베이션되는데 충분한 시간동안 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 기체상 하이드라이드의 유효량으로 이루어진 패시베이션제로 패시베이션 시킨 다음,b) passivating this metal surface with a passivating agent consisting of an effective amount of a gaseous hydride of silicon, germanium, tin or lead for a time sufficient to passivate it,

c) 불활성 가스를 이용하여 상기 기체상 패시베이션제를 정화시킨다.c) The gaseous passivation agent is purified using an inert gas.

Description

저농도의 기체상 하이드라이드의 안정성을 증진시키기 위해 그와 접촉되어 있는 금속 표면을 패시베이션 시키는 방법Passivation of metal surfaces in contact with them to enhance the stability of low concentration gaseous hydrides

제 1 도는 본 발명에 따른 플로우 시스템의 도식적인 다이아그램을 나타낸 것이다.1 shows a schematic diagram of a flow system according to the invention.

제 2 도는 316L 스테인레스강 튜빙에서의 트래핑 시간과 1ppm AsH3/Ar의 손실과의 관계를 그래프로 나타낸 것이다.Figure 2 graphically shows the relationship between trapping time and loss of 1 ppm AsH 3 / Ar in 316L stainless steel tubing.

본 발명은 저농도의 기체상 하이드라이드 혼합물의 안정성을 증진시키기 위해 그와 접촉되어 있는 금속 표면을 패시베이션 시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of passivating a metal surface in contact with it to enhance the stability of a low concentration gaseous hydride mixture.

전자 산업에 있어서, 그리고 환경적인 측면에서, ppb 내지 ppm 범위의 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 안정한 가스 혼합물에 대한 필요성은 매우 크다. 이 산업 분야에서의 일반적인 실제 공정은 이러한 혼합물을 압축 가스 실린더에 제공하는 것으로, 이러한 실린더 내에서 이 혼합물은 종종 장기간 보관되게 된다. 그러나, 이러한 양의 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물과 이들 혼합물을 함유하는 용기의 금속 표면과의 반응때문에, 이를 안정화시키기는 매우 어렵다.In the electronics industry and environmentally, there is a great need for stable gas mixtures containing low concentration gaseous hydrides in the ppb to ppm range. A common practical process in this industry is to provide such mixtures to compressed gas cylinders, in which the mixtures are often stored for long periods of time. However, due to the reaction of the gas mixture containing this amount of gaseous hydride with the metal surface of the vessel containing the mixture, it is very difficult to stabilize it.

이같은 불안정성 문제를 해결하고 가스 혼합물의 농도를 일정하게 유지하기 위한 한가지 접근책은 실린더 내에 고농도 혼합물을 저장한 다음 사용 직전에 희석시킴으로써 저농도 하이드라이드와 금속 용기사이의 접촉 시간을 최소화 하는 것이다. 그러나, 불행하게도 가스 혼합물을 금속 실린더에서 장기간 저장하는 것이 설사 필수적인 것은 아니라해도 바람직한 사항이다.One approach to addressing this instability problem and to keep the gas mixture constant is to minimize the contact time between the low concentration hydride and the metal container by storing the high concentration mixture in the cylinder and then diluting immediately before use. Unfortunately, however, long-term storage of the gas mixture in the metal cylinder is desirable even if not necessary.

저농도 하이드라이드의 가스 혼합물의 농도를 일정하게 유지시키기 위한 또 다른 접근 방법은 포화 패시베이션(saturation passivation)이다. 이 기술에서는, 목적하는 저농도 하이드라이드 혼합물을 충진시키기 전에, 훨씬 높은 농도의 동일한 기체상 하이드라이드를 용기에 충진 및 소개시키기를 수차례 반복한다. 이 공정은 앞의 실험 연구에 기초하여 수회 반복한다. 이 기술은 그러나, 용기를 조건화 시키기 위해 더 높은 농도의 동일한 하이드라이드를 사용하여야 하므로 용도가 한정되어 있고, 아르신(arsine)과 같은 유독성 가스를 공정중 대량으로 다루어야 하기 때문에 매우 불리하다.Another approach to keeping the concentration of the gas mixture of low hydride constant is saturation passivation. In this technique, the filling and introduction of much higher concentrations of the same gaseous hydride into the vessel is repeated several times before filling the desired low concentration hydride mixture. This process is repeated several times based on the previous experimental studies. This technique, however, is very disadvantageous because its use is limited because higher concentrations of the same hydride must be used to condition the vessel and toxic gases such as arsine must be handled in large quantities in the process.

그러므로, 상술한 종래의 접근 방식이 갖는 결점이 없으면서, 기체상 하이드라이드 혼합물을 안정화시키기에 적합한, 패시베이션 방법에 대한 필요성은 여전히 존재하고 있다.Therefore, there is still a need for a passivation method that is suitable for stabilizing gaseous hydride mixtures, without the drawbacks of the conventional approach described above.

따라서, 본 발명의 한가지 목적은 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 높이기 위해 그와 접촉되어 있는 금속 표면을 패시베이션 시키는 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, one object of the present invention is to provide a method of passivating a metal surface in contact with it in order to increase the stability of a gas mixture containing low concentration gaseous hydride.

본 발명의 또다른 목적은 예컨대, 가스 저장용 실린더, 도관, 용기, 파이프, 탱크 트럭 저장 장치 또는 철로 탱크 저장 차량을 제조하는데 사용되는 모든 금속 표면을 처리하는데 유리한, 금속 표면의 패시베이션 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a passivation method of a metal surface, which is advantageous for treating all metal surfaces used for manufacturing, for example, gas storage cylinders, conduits, vessels, pipes, tank truck storage devices or railway tank storage vehicles. will be.

특히, 본 발명의 한가지 목적은 금속성의 압축 가스 저장 실린더를 처리하는데 특히 유리한, 금속 표면의 패시베이션 방법을 제공하는 것이다.In particular, one object of the present invention is to provide a method for passivating a metal surface, which is particularly advantageous for treating metallic compressed gas storage cylinders.

상술한 목적 및 기타의 목적들은 다음의 설명으로부터 더욱 명확히 드러날 것이며, 이들은 다음 단계로 이루어지는, 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증진시키기 위해 그와 접촉되어 있는 금속 표면을 패시베이션 시키는 방법에 의해 달성된다:The above and other objects will become more apparent from the following description, which is a method of passivating a metal surface in contact with it to enhance the stability of a gas mixture containing low concentration gaseous hydride, which consists of the following steps: Is achieved by:

a) 불활성 가스를 이용하여 상기 금속 표면과 접촉되어 있는 가스를 정화하여 정화된 가스를 제거하고,a) purifying the gas in contact with the metal surface using an inert gas to remove the purified gas,

b) 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 기체상 하이드라이드의 유효량으로 된 일정량의 기체상 패시베이션제에 금속 표면을 노출시킨 다음,b) exposing the metal surface to an amount of gas phase passivating agent in an effective amount of a gaseous hydride of silicon, germanium, tin or lead,

c) 불활성 가스를 이용하여 패시베이션제를 정화한다.c) Purifying the passivation agent using an inert gas.

본 발명에 따라, 아르신, 포스핀, 또는 스티빈과 같은 저농도의 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증진시키기위해 그와 접촉하고 있는 금속표면을 패시베이션 시키는 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a method of passivating a metal surface in contact with it to enhance the stability of a gas mixture containing low concentrations of gaseous hydrides such as arsine, phosphine, or styrene.

현재, 패시베이션은 매우 특별한 응용에서 금속 입자 및 철강 표면의 부식 방지를 증대시키기 위해 이용되고 있다. 예컨대, WO 89/12887에서 금속 산화에 대한 부식 저항을 높여주는, 금속 입자에 대한 실란 패시베이션 공정이 설명되어 있으며, GB2,107, 360에는 고온 및 고압에서 이산화탄소가 풍부한 환경에서 부식 저항을 증진시키기 위한, 철강에 대한 실란 패시베이션 공정이 개시되어 있다.Currently, passivation is used to increase corrosion protection of metal particles and steel surfaces in very special applications. For example, WO 89/12887 describes a silane passivation process for metal particles, which enhances the corrosion resistance to metal oxidation, and GB2,107, 360 for promoting corrosion resistance in carbon dioxide rich environments at high temperatures and pressures. A silane passivation process for steels is disclosed.

본 발명에 따라, 어떠한 금속 표면도, 그와 접촉되어 있는 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증진시키기 위해 처리될 수 있다. 금속 표면은 예컨대, 금속 튜빙, 금속 밸브, 또는 압축 가스 저장용 금속 실린더 일 수 있다. 그러나, 어떠한 유형의 금속 표면도 이렇게 처리될 수 있다.In accordance with the present invention, any metal surface can be treated to enhance the stability of the gas mixture containing the gaseous hydride in contact therewith. The metal surface can be, for example, a metal tubing, a metal valve, or a metal cylinder for compressed gas storage. However, any type of metal surface can be so treated.

예컨대, 본 발명에 따라 어떠한 유형의 금속, 특히 가스 저장 실린더, 도관, 용기, 파이프, 및 철로 탱크 저장 차량 및 탱크 트럭 트레일러 장비를 포함하는 모든 유형의 저장 도구를 만드는데 유용한 금속을 패시베이션 할 수 있다. 예컨대, 철, 강철 및 알루미늄과 같은 금속을 본 발명에 따라 패시베이션 할 수 있다.For example, the present invention allows passivation of any type of metal, particularly metals useful for making all types of storage tools, including gas storage cylinders, conduits, vessels, pipes, and rail tank storage vehicles and tank truck trailer equipment. For example, metals such as iron, steel and aluminum can be passivated in accordance with the present invention.

본 발명은 예컨대, 페라이트 강철, 오스테니틱 강철, 스테인레스 강철 및 기타 철 합금과 같은 여러가지 강철 및 그의 합금을 처리하는데 유리하게 이용될 수 있으며, 스테인레스 강철의 처리에 특히 유리하다. 그러나, 기타 유형의 금속도 이렇게 처리될 수 있다.The present invention can be advantageously used to treat various steels and alloys thereof, such as, for example, ferritic steel, austenitic steel, stainless steel and other iron alloys, and is particularly advantageous for the treatment of stainless steel. However, other types of metals can also be treated this way.

일반적으로, 본 발명은 비교적 독성이 덜한 기체상 하이드라이드를 이용하여 금속 표면을 패시베이션 함으로써 저농도의 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증대시킨다.Generally, the present invention enhances the stability of gas mixtures containing low concentrations of gaseous hydrides by passivating the metal surface using relatively less toxic gaseous hydrides.

본문에서, 비교적 독성이 덜한 기체상 하이드라이드에는 실리콘 하이드라이드, 게르마늄 하이드라이드, 주석 하이드라이드 및 납 하이드라이드가 포함된다. 아르신이나 포스핀과 같은 유독한 기체상 하이드라이드는 사용되지 않는다.In the context, relatively less toxic gaseous hydrides include silicon hydride, germanium hydride, tin hydride and lead hydride. No toxic gaseous hydrides such as arsine or phosphine are used.

특히 유용한 것은 SiH4, Si2H6, 및 Si6H14와 같은 일반식 SinH2n+2를 갖는 실리콘 하이드라이드이다. 그러나, Ge2H6, Ge9H20, SnH4, SnH6또는 PbH4와 같은 기타 하이드라이드도 이용될 수 있다.Especially useful are silicon hydrides having the general formula Si n H 2n + 2 , such as SiH 4 , Si 2 H 6 , and Si 6 H 14 . However, it may also be used other hydride, such as Ge 2 H 6, Ge 9 H 20, SnH 4, SnH 6 or PbH 4.

상기 일반식에서, n은 일반적으로 1 내지 약 10이다. 그러나, 실리콘 하이드라이드는 사슬화 하는 것도 알려져 있으므로 n은 더 큰 값일 수도 있다. Advanced Inorganic Chemistry, Cotton 및 Wilkinson, 제3판, 참조.In the above general formula, n is generally 1 to about 10. However, since silicon hydride is also known to chain, n may be a larger value. See Advanced Inorganic Chemistry, Cotton and Wilkinson, 3rd edition.

본문에서, 저농도 기체상 하이드라이드라 함은 일반적으로 농도가 약 10ppb 내지 약 10ppm인 기체상 하이드라이드를 의미하는 것이다. 더욱 바람직하게는, 농도가 약 50ppb 내지 약 5ppm인 것이 좋다. 그런, 가장 바람직한 것은 농도가 약 100ppb 내지 약 1ppm인 것이다.In the present text, low concentration gaseous hydride generally means a gaseous hydride having a concentration of about 10 ppm to about 10 ppm. More preferably, the concentration is from about 50 ppm to about 5 ppm. As such, most preferred is a concentration of about 100 ppm to about 1 ppm.

본 발명에 따라 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증진시키기 위해 그와 접촉되어 있는 금속 표면을 패시베이션시키기 위해서는, 먼저, 불활성 가스를 이용하여 금속 표면과 접촉하고 있는 가스 또는 가스 혼합물을 정화시켜 정화된 가스를 제거하는 것이 필요하다. 불활성 정화 가스로는, 대체로 화학적으로 비-반응성인 것이며 어느 가스던지 무방하다. 예컨대, 크립톤, 크세논, 헬륨, 네온 및 아르곤과 같은 소위 희유(稀有)가스를 이용할 수 있다. 그러나, 수소 및 질소와 같은 기타 가스도 이용가능하다. 일반적으로, 불활성 정화 가스를 일정 시간 동안, 정화된 가스가 실제로 모두 제거되기에 충분한 양으로하여 금속 표면위를 통과하게 한다. 전형적으로는, 정화 가스를 1 내지 약 3 기압에서 수초 내지 약 30분 동안 금속 표면위로 통과시키거나, 압축 가스 저장 실린더와 같은 연속적인 금속 표면으로 정의되는 일정 용적을 통과시킨다. 그러나, 소망되는 경우 더 높은 압력도 이용될 수 있다.In order to passivate the metal surface in contact with it in order to enhance the stability of the gas mixture containing low concentration gaseous hydride according to the present invention, first, an inert gas is used to It is necessary to purify to remove the purified gas. As the inert purge gas, it is generally chemically non-reactive and may be any gas. For example, so-called rare gases such as krypton, xenon, helium, neon and argon can be used. However, other gases such as hydrogen and nitrogen are also available. In general, the inert purge gas is allowed to pass over the metal surface for a period of time in an amount sufficient to actually remove all of the purged gas. Typically, purge gas is passed over a metal surface for a few seconds to about 30 minutes at 1 to about 3 atmospheres, or through a volume defined by a continuous metal surface, such as a compressed gas storage cylinder. However, higher pressures can also be used if desired.

본 발명에 따르면, 질소가 불활성 정화 가스로서 유리한 것으로 밝혀졌으나, 기타의 불활성 가스도 이용 가능하다.According to the present invention, nitrogen has been found to be advantageous as an inert purge gas, but other inert gases are also available.

금속 표면과 접촉하고 있는 가스를 정화시킨 후, 금속 표면을 패시베이션 시키는데 충분한 시간동안, 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 한가지 이상의 기체상 하이드라이드의 유효량을 함유하는 일정량의 패시베이션제에 금속 표면을 노출시킨다.After purifying the gas that is in contact with the metal surface, the metal surface is exposed to an amount of passivation agent containing an effective amount of one or more gaseous hydrides of silicon, germanium, tin or lead, for a time sufficient to passivate the metal surface.

일반적으로, 실란과 같은 패시베이션제의 농도가 높을수록, 요구되는 노출시간은 단축된다. 그러나, 패시베이션제의 농도는 1ppm정도로 낮을 수 있으며, 또는 100%로 높을 수 있다. 예컨대, 매우 낮은 농도의 실란을 사용하는 경우, 대체로 노출시간은 80시간을 초과하게 된다. 일반적으로, 약 100시간의 노출시간은 묽은 패시베이션제의 경우에 사용된다. 그러나, 예컨대, 비교적 순수한 패시베이션제가 사용되는 경우, 일반적으로 60분 미만의 노출시간이 필요하며, 더욱 바람직하게는 30분 미만인 것이 좋다.In general, the higher the concentration of passivation agents, such as silane, the shorter the required exposure time. However, the concentration of the passivation agent may be as low as 1 ppm, or as high as 100%. For example, when using very low concentrations of silane, the exposure time usually exceeds 80 hours. In general, exposure times of about 100 hours are used in the case of thin passivation agents. However, for example, when a relatively pure passivation agent is used, an exposure time of less than 60 minutes is generally required, and more preferably less than 30 minutes.

상술한 바와 같이 순수한 패시베이션제라 함은, 사용되는 패시베이션제가 한가지 이상의 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 순수한 기체상 하이드라이드임을 의미하는 것으로 한다.Pure passivation agent as described above means that the passivation agent used is a pure gaseous hydride of at least one of silicon, germanium, tin or lead.

패시베이션제는 어떠한 농도로든 이용가능 하지만, 대체로 약 0.01용량% 내지 20용량%의 농도 범위로 사용하는 것이 필요하다. 그러나, 약 0.01용량% 내지 5용량% 범위의 농도로 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 큰 용기와 같이 커다란 금속 표면에 대해서는 더 많은 용량의 패시베이션제를 사용할 수 있다.Passivation agents are available in any concentration, but generally need to be used in a concentration range of about 0.01% to 20% by volume. However, it is preferred to use at concentrations ranging from about 0.01% to 5% by volume. Generally, larger volumes of passivation agents can be used for large metal surfaces, such as large containers.

본 발명에 따라, 불활성 가스에 의해 정화된 모든 가스를 치환 또는 제거할 수 있다.According to the present invention, it is possible to substitute or remove all the gas purified by the inert gas.

본문에서, 정화된 가스의 실제로 모든 것이라 함은 정화된 가스가 99용량%이상의 정도까지 제거됨을 의미한다.In the text, virtually everything of the purified gas means that the purified gas is removed to the extent of 99% by volume or more.

일반적으로 정화되는 가스는 공기이나, 질소와 산소를 주로 함유하는 혼합물과 같은 기타 가스 또는 가스 혼합물도 본 발명에 따라 정화될 수 있다.In general, the gas to be purified is air, or other gases or gas mixtures, such as mixtures mainly containing nitrogen and oxygen, may also be purified according to the present invention.

일반적으로, 패시베이션제로의 금속 표면의 노출은 약 -20℃와 같은 매우 낮은 온도로 부터 패시베이션제 중의 한가지 이상의 기체상 하이드라이드의 분해 온도에 이르기까지에서 행할 수 있다. 예컨대, 실란의 분해 온도는 250℃이다. 그러나, 대체로는 약 10℃ 내지 약 100℃의 온도에서 노출을 수행하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직한 것은 약 20℃ 내지 약 50℃에서 패시베이션제에 노출 시키는 것이다. 그러나, 25℃에서 노출시키는 것이 가장 유리하다.In general, exposure of the metal surface to the passivating agent can be performed from a very low temperature, such as about -20 ° C, to the decomposition temperature of one or more gaseous hydrides in the passivating agent. For example, the decomposition temperature of silane is 250 ° C. However, it is generally desirable to perform the exposure at a temperature of about 10 ° C to about 100 ° C. More preferred is to expose the passivation agent at about 20 ° C to about 50 ° C. However, exposure at 25 ° C. is most advantageous.

노출은 고온에서 행할 수 있지만, 실란과 같은 패시베이션제의 한가지 이상의 기체상 하이드라이드의 기체상 반응은 입자 생성을 피하기 위해 최소로 유지시키는 것이 바람직하다. 일반적으로, 이것은 온도를 기체상 하이드라이드의 패시베이션제의 분해온도보다 낮게하는 것을 의미한다.Exposure can be at high temperatures, but the gas phase reaction of one or more gaseous hydrides of passivation agents such as silanes is preferably kept to a minimum to avoid particle generation. In general, this means lowering the temperature below the decomposition temperature of the passivating agent of the gaseous hydride.

금속 표면을 패시베이션제로 처리한 다음, 후자 자체를 질소와 같은 불활성 가스로 정화시킨다. 그러나, 상술한 희유 가스도 이용할 수 있다.The metal surface is treated with a passivation agent and then the latter itself is purified with an inert gas such as nitrogen. However, the rare gas described above can also be used.

본 발명은 또한 금속 표면에 흡착된 패시베이션제를 안정화시키기 위해 산화 가스에 금속 표면을 노출시키는 임의의 네번째 단계를 제공하기도 한다. 산화 가스로는, 예컨대, 질소 및 산소를 함유하는 가스 혼합물을 이용할 수 있다.The present invention also provides any fourth step of exposing the metal surface to oxidizing gas to stabilize the passivation agent adsorbed on the metal surface. As the oxidizing gas, for example, a gas mixture containing nitrogen and oxygen can be used.

일반적으로, 흡착된 패시베이션제를 산화 형태로 산화시킬 수 있는 산화 가스 혼합물을 이용할 수 있다. 예컨대, 흡착된 패시베이션제를 산화시키고자 할 때 질소중 산소를 약 1 내지 10용량%로 함유하는 가스 혼합물을 이용하는 것이 바람직하며, 대체로 약 30초 내지 약 3분 동안 금속 표면 필름 노출 시간이 이용된다. 그러나, 필요에 따라 노출 시간을 더 길게, 또는 더 짧게 할 수도 있다.In general, an oxidizing gas mixture may be used which can oxidize the adsorbed passivating agent in oxidized form. For example, when oxidizing the adsorbed passivation agent, it is preferable to use a gas mixture containing about 1 to 10% by volume of oxygen in nitrogen, and metal surface film exposure time is generally used for about 30 seconds to about 3 minutes. . However, if necessary, the exposure time may be longer or shorter.

일반적으로, 산화 단계는 패시베이션 단계에 사용되는 것과 동일한 온도에서 수행될 수 있으며, 약 10℃내지 약 100℃가 바람직하고, 20℃ 내지 약 50℃인 경우가 가장 바람직하다.In general, the oxidation step can be carried out at the same temperature as used in the passivation step, preferably from about 10 ° C. to about 100 ° C., most preferably from 20 ° C. to about 50 ° C.

본 발명의 이러한 측면에 따라 흡착된 기체상 하이드라이드의 시간이 경과함에 따라 서서히 방출되어 패시베이션 처리 효과를 시간이 지남에 따라 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 예컨대 실란과 같은 기체상 하이드라이드를 함유하는 흡착된 패시베이션제를 산화시킴으로써, SiO2와 같은 불활성 화합물이 형성될 수 있다. 그러므로, 산화 단계는 장기간 사용시 패시베이션 처리된 금속 표면을 안정화시키는 수단을 제공해준다.It has been found that in accordance with this aspect of the invention, the gaseous hydride adsorbed is released slowly over time to reduce the passivation treatment effect over time. Inert compounds such as SiO 2 can be formed, for example, by oxidizing adsorbed passivation agents containing gaseous hydrides such as silanes. Therefore, the oxidation step provides a means to stabilize the passivated metal surface over long periods of use.

제 1 도 및 2 도를 이하에 더욱 상세히 설명한다.1 and 2 will be described in more detail below.

제 1 도는 유체 코넥션 중의 밸브 및 포트 밸브 A 및 B, 아르신 투과 장치, 매스플로우 콘트롤러를 이용한 도식적 플로우 다이아그램이다. 이 장치는 유도적으로 연결된 플라즈마 분광광도계에 의해 측정되는 바와같이 기체상 하이드라이드의 안정성을 시험하는데 편리하게 이용될 수 있다. 그러나, 당업자에게 알려진 기타 수단도 이용가능하다.1 is a schematic flow diagram using valve and port valves A and B in a fluid connection, an arsine permeation device, and a massflow controller. This device can be conveniently used to test the stability of gaseous hydrides as measured by inductively coupled plasma spectrophotometers. However, other means known to those skilled in the art are also available.

제 2 도는 실시예에서 후술되는 바와 같이 샘플 A, B, 및 C로부터의 안정성 데이타를 요약하여 나타낸 것이다. 특히, 1ppm 처리(샘플 C)는 노출 69시간 후 금속 표면을 패시베이션시키는데 실패하였다. 일반적으로, 이러한 저농도에서는, 노출시간을 70 시간이상으로 하는 것이 필요하고, 바람직하게는 노출시간을 80시간 이상으로 하는 것이 좋다.2 summarizes the stability data from Samples A, B, and C as described below in the Examples. In particular, 1 ppm treatment (Sample C) failed to passivate the metal surface after 69 hours of exposure. In general, at such low concentrations, the exposure time needs to be 70 hours or more, and preferably the exposure time is 80 hours or more.

순수한 실란 처리 (샘플 B)는 노출 30분 이내로 표면을 패시베이션시켰다. 샘플 A는 콘트롤 샘플이다.Pure silane treatment (Sample B) passivated the surface within 30 minutes of exposure. Sample A is a control sample.

일반적으로, 본 발명에 따라 기체상 하이드라이드 처리는 실제로 모든 금속 표면을 패시베이션시킨다. 본문에서, 실제로 모든이라 함은 기체상 하이드라이드와 접촉하고 있는 금속 표면의 90% 이상이 패시베이션 됨을 의미한다. 그러나, 기체상 하이드라이드와 접촉되어 있는 금속 표면의 99% 이상이 패시베이션 되는 것이 바람직하다. 특히 기체상 패시베이션와 접촉되어 있는 금속 표면의 99.9%이상이 패시베이션 되는 것이 좋다.In general, gas phase hydride treatment in accordance with the present invention virtually passivates all metal surfaces. In the context of the text, virtually all means that at least 90% of the metal surface in contact with the gaseous hydride is passivated. However, it is preferred that at least 99% of the metal surface in contact with the gaseous hydride is passivated. In particular, at least 99.9% of the metal surface in contact with the gas phase passivation is preferably passivated.

다음에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명할 것이나 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

[실시예]EXAMPLE

금속 표면에 대한 본 발명의 효과를 입증하기 위해 1/4 ID의 스테인레스 강철 튜브를 이용하였다.1/4 ID stainless steel tubes were used to demonstrate the effect of the present invention on metal surfaces.

가스 조작에 일반적인 조건 및 저장 장비 하에 3가지의 동일한 1/4 ID 스테인레스 철강(A, B, 및 C) 샘플을 주변 공기에 노출시켰다. 이러한 노출 조건 하에서는, 혼합물의 안정성이 매우 저조한 것으로 알려져있다. 다음 모든 샘플을 실온에서 건조 N2가스로 정화시켰다. 샘플 A는 콘트롤 샘플이었다. 다음 이하에 기재된 조건에 따라 샘플 B를 실온에서 30분간 순수한 유동 실란으로 처리하고 샘플 C는 72시간동안 1ppm 실란으로 정화시킨다음, 건조 공기로 정화시켰다.Three identical 1/4 ID stainless steel (A, B, and C) samples were exposed to ambient air under conditions common to gas operation and storage equipment. Under these exposure conditions, the stability of the mixture is known to be very poor. All samples were then purged with dry N 2 gas at room temperature. Sample A was a control sample. Sample B was then treated with pure flow silane for 30 minutes at room temperature according to the conditions described below and Sample C was clarified with 1 ppm silane for 72 hours and then with dry air.

이렇게 제조된 샘플 A, B, 및 C 중의 하이드라이드의 안정성을 제 1도에 나타난 장치를 이용하여 시험하였다. 튜브를 1ppm의 아르신을 함유하는 아르곤 가스로 충전하였다. 여러가지 기간동안 제 1도에 도시된 밸브 2를 이용하여 이 가스를 튜브에서 유지시켰다. 그 후, 가스 중에 잔류하는 하이드라이드의 농도를 측정할 수 있는 장치에 가스를 도입하였다. 이 실시예에서, 장치는 유도적으로 커플링된 플라즈마 분광광도계이다. 그러나, 기타의 검색 수단도 이용 할 수 있다. 가스 안정성을 측정할 수 있을 정도의 초기 충전 농도 대 최종 농도의 비율을 이용하였다. 아르신의 경우의 전형적인 테스트 결과를 제 2도에 나타내었다.The stability of the hydrides in Samples A, B, and C thus prepared was tested using the apparatus shown in FIG. The tube was filled with argon gas containing 1 ppm of arsine. This gas was maintained in the tube using valve 2 shown in FIG. 1 for various periods of time. Thereafter, gas was introduced into the apparatus capable of measuring the concentration of hydride remaining in the gas. In this embodiment, the device is an inductively coupled plasma spectrophotometer. However, other searching means can also be used. The ratio of initial fill concentration to final concentration was used to measure the gas stability. Typical test results for arsine are shown in FIG.

이에 더하여 본 발명은 또한, 가스 또는 가스 혼합물의 저장 수단도 제공하는데 이 수단은 반드시 패시베이션 된 내장 금속 표면을 갖는다. 그러나, 이 저장 수단은 완전히 금속으로 만들어 질 수도 있다. 바람직하게는, 저장 수단이 압축 가스 저장 실린더인 것이 좋다. 그러나, 이 저장 수단은 탱크 트랙터 트레일러 장비나 또는 철로 탱크 차량과 같은 이동 가능한 저장 수단일 수도 있다.In addition, the present invention also provides a means for storing a gas or gas mixture, which means necessarily has a passivated embedded metal surface. However, this storage means may be made entirely of metal. Preferably, the storage means is a compressed gas storage cylinder. However, this storage means may also be movable storage means such as tank tractor trailer equipment or railroad tank vehicles.

그러므로, 본 발명은 최소한 패시베이션된 내장 금속 표면을 갖는 저장 수단을 제공함으로써, 그와 접촉되어 있는 한가지 이상의 저농도 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증대시킨다. 본문에서, 패시베이션되었다 함은 저장 수단의 내부 금속 표면이 본 발명의 패시베이션 처리를 받아 그 내부의 저농도의 기체상 하이드라이드를 함유하는 가스 또는 가스 혼합물과 반응하지 못하게된 것을 의미한다. 본 발명에 따르면, 사용된 패시베이션제가 일반식 SinH2n+2인 실리콘 하이드라이드인 것이 유리하다(여기서, n은 1-10이고, n이 1이면 더욱 바람직하다).Therefore, the present invention provides a storage means having at least a passivated embedded metal surface, thereby increasing the stability of the gas mixture containing at least one low concentration gaseous hydride in contact therewith. In the context, passivated means that the inner metal surface of the storage means has undergone the passivation treatment of the present invention to prevent it from reacting with a gas or gas mixture containing a low concentration of gaseous hydride therein. According to the invention, it is advantageous that the passivation agent used is a silicon hydride of the general formula Si n H 2n + 2 (where n is 1-10 and more preferably n is 1).

그러나, 패시베이션된 저장 실린더는 본 발명에 따라 그의 내부 표면이 기체상 하이드라이드 패시베이션제로 패시베이션된 것이 특히 바람직하다.However, it is particularly preferred that the passivated storage cylinder is passivated in accordance with the invention with its gaseous hydride passivating agent.

이제까지 본 발명을 설명하였으나 당업자라면, 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어남이 없이 상기 구체예에 많은 변화오 변형이 가해질 수 있음을 이해할 것이다.While the present invention has been described so far, those skilled in the art will understand that many changes and modifications can be made to the above embodiments without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (14)

a) 금속 표면과 접해있는 가스를 불활성 가스를 이용하여 정화시켜 상기 정화된 가스를 제거하고,a) purifying the gas in contact with the metal surface with an inert gas to remove the purified gas, b) 상기 금속 표면이 충분히 패시베이션되도록 1분 내지 100시간 동안, 10 내지 100℃에서 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 기체상 하이드라이드의 유효량으로 된 일정량의 패시베이션제에 금속 표면을 노출시킨 다음,b) exposing the metal surface to an amount of passivation agent in an effective amount of a gaseous hydride of silicon, germanium, tin or lead at 10-100 ° C. for 1 minute to 100 hours to sufficiently passivate the metal surface, c) 불활성 가스를 이용하여 상기 패시베이션제를 정화하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는, 10ppb-10ppm인 저농도 기체상 하이드라이드를 한가지 이상으로 함유하는 가스 혼합물의 안정성을 증진시키기 위해 그와 접해있는 금속 표면을 패시베이션시키는 방법.c) purifying the passivation agent with an inert gas, the metal surface being in contact therewith to enhance the stability of the gas mixture containing at least one low concentration gaseous hydride of 10ppb-10ppm. How to passivate. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 표면이 강철, 철, 또는 알루미늄으로 된 것이 특징인 방법.The method of claim 1 wherein the metal surface is of steel, iron, or aluminum. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 표면이 압축 가스 저장용 실린더인 것이 특징인 방법.The method of claim 1 wherein the metal surface is a cylinder for storing compressed gas. 제 1 항에 있어서, 상기 정화된 가스가 공기인 것이 특징인 방법.The method of claim 1 wherein the purified gas is air. 제 1 항에 있어서, 상기 불활성 가스가 질소, 아르곤, 크립톤, 크세논 또는 네온인것이 특징인 방법.The method of claim 1 wherein the inert gas is nitrogen, argon, krypton, xenon or neon. 제 1 항에 있어서, c) 단계에 이어, 금속 표면에 흡착된 패시베이션제가 충분히 안정화되도록 30초 내지 3분동안, 안정화시키기에 충분한 양의 산화 가스 또는 가스 혼합물에 금속 표면을 노출시키는 단계가 추가되는 것이 특징인 방법.The method of claim 1, further comprising the step c), followed by exposing the metal surface to an amount of oxidizing gas or gas mixture sufficient to stabilize for 30 seconds to 3 minutes to allow the passivation agent adsorbed on the metal surface to be sufficiently stabilized. How is it characterized. 제 1 항에 있어서, 상기 한가지 이상의 저농도 기체상 하이드라이드가 포스핀, 아르신, 및 스티빈 중에서 선택되는 것이 특징인 방법.2. The method of claim 1, wherein said at least one low concentration gaseous hydride is selected from phosphine, arsine, and styrene. 제 1 항에 있어서, 상기 기체상 하이드라이드 패시베이션제가 SinH2n+2의 일반식을 갖는 실리콘 하이드라이드(여기서, n은 1 내지 약 10임); Ge2H6, Ge9H20, SnH4, SnH6, 및 PbH4-중에서 선택되는 것이 특징인 방법.The method of claim 1, wherein the gaseous hydride passivation agent is a silicon hydride having a general formula of Si n H 2n + 2 , wherein n is 1 to about 10; Ge 2 H 6 , Ge 9 H 20 , SnH 4 , SnH 6 , and PbH 4- . 제 8 항에 있어서, 상기 기체상 하이드라이드 패시베이션제가 일반식 SinH2n+2(여기서 n은 1 내지 약 10임)의 실리콘 하이드라이드 인 것이 특징인 방법.9. The method of claim 8, wherein the gaseous hydride passivation agent is a silicon hydride of the general formula Si n H 2n + 2 , wherein n is from 1 to about 10. 제 9 항에 있어서, 상기 실리콘 하이드라이드가 SiH4인 것이 특징인 방법.10. The method of claim 9, wherein the silicon hydride is SiH 4 . 실리콘, 게르마늄, 주석 또는 납의 기체상 하이드라이드 유효량을 함유하는 패시베이션제로 10 내지 100℃에서 패시베이션 처리된 내부 금속 표면을 갖는 저장 수단.A storage means having an internal metal surface passivated at 10 to 100 ° C. with a passivation agent containing an effective amount of a gaseous hydride of silicon, germanium, tin or lead. 제 11 항에 있어서, 탱크 트랙터 트레일러 장비 또는 철로 탱크 차량인 것이 특징인 저장 수단.The storage means according to claim 11, which is a tank tractor trailer equipment or a railroad tank vehicle. 제 11 항에 있어서, 압축 가스 저장용 실린더인 것이 특징인 저장 수단.12. The storage means according to claim 11, which is a cylinder for storing compressed gas. 제 11 항에 있어서, 도관, 파이프 또는 용기로 된 것이 특징인 저장 수단.A storage means according to claim 11, characterized in that it is a conduit, pipe or container.
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