KR100218357B1 - A temperature controlling device - Google Patents

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이득주
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구본준
엘지반도체주식회사
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Abstract

본 발명은 주기적으로 상온의 온도를 측정하여 최초 측정한 상온의 온도와 비교하여 차이가 설정오차 보다 큰 경우 설정온도를 변화하여 반도체 공정장비의 온도를 일정하게 유지시키는 온도조절장치에 관한 것으로, 종래의 온도조절장치는 공정의 진행중에 상온이 변화해도 최초측정한 상온의 온도를 사용하여 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지할 수 없는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 주기적으로 상온의 온도값을 측정하고, 그 값에 따라 설정온도를 변화시키고, 반도체 공정장비내의 온도를 그 변화된 설정온도값으로 유지시킴으로써, 최적의 공정조건을 제공하여 제조되는 반도체소자의 질을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a temperature control device for maintaining a constant temperature of a semiconductor process equipment by changing a set temperature when the difference is greater than a set error compared to the temperature measured at room temperature by periodically measuring the temperature at room temperature. The temperature control device has a problem that the optimum process conditions cannot be maintained by adjusting the temperature using the temperature measured at room temperature even if the room temperature changes during the process. In view of the above problems, the present invention periodically measures the temperature value of room temperature, changes the set temperature according to the value, and maintains the temperature in the semiconductor process equipment at the changed set temperature value, thereby providing an optimal process condition. There is an effect of improving the quality of the semiconductor device to be manufactured.

Description

온도조절장치Thermostat

본 발명은 온도조절장치에 관한 것으로, 특히 반도체 공정상에 요구되는 설정온도를 결정하는 상온을 주기적으로 감지하여 그 상온의 변화에 따라 설정온도를 변화시켜 반도체 공정장비의 온도를 최적의 공정조건으로 유지하는 온도조절장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature control device, and in particular, to periodically detect a room temperature that determines a set temperature required for a semiconductor process, and to change the set temperature according to the change of the room temperature to make the temperature of the semiconductor process equipment the optimum process condition. It relates to a temperature control device for holding.

일반적으로 고온을 사용하는 반도체 공정장비에 사용되는 온도조절장치는 반도체 공정상에서 요구되는 온도값에서 현재 상온의 값을 감한 값을 설정온도로 하고, 그 상온의 값을 초기값인 0

Figure kpo00002
로 하여 반도체 공정장비의 온도를 설정온도로 증가시키고 그 값을 유지하도록 동작되며, 이와같은 반도체 공정장비의 온도조절을 목적으로 하는 종래의 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, the temperature control device used in the semiconductor process equipment using high temperature is set to the set value which is the value obtained by subtracting the current room temperature value from the temperature value required in the semiconductor process, and the value of the room temperature is 0, which is an initial value.
Figure kpo00002
It is operated to increase the temperature of the semiconductor process equipment to the set temperature and to maintain the value, as described in detail with reference to the accompanying drawings of a conventional temperature control device for the purpose of temperature control of such semiconductor processing equipment as follows. same.

제1도는 종래 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자 임의의 온도값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와; 상온을 측정하는 측온소자(2)와; 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온을 표시하고, 그 상온의 값을 전기적신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와; 상기 변환부(3)의 출력신호와 상기 온도설정 및 표시부(1)의 출력신호를 인가받아 제어신호를 출력하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 특정부의 온도를 조절하는 온도조절부(5)로 구성된다.1 is a block diagram of a conventional temperature control device, and as shown therein, a temperature setting and display unit 1 for receiving a user arbitrary temperature value; A room temperature element 2 for measuring room temperature; A converter (3) for displaying the room temperature measured by the temperature measuring element (2), and converting the value of the room temperature into an electrical signal and outputting the converted electrical signal; A control unit 4 for receiving the output signal of the conversion unit 3 and the output signal of the temperature setting and display unit 1 and outputting a control signal; It is composed of a temperature control unit 5 for adjusting the temperature of the specific unit in accordance with the control signal of the control unit (4).

이하, 상기와 같이 구성된 종래 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the conventional temperature control device configured as described above will be described.

먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도값을 측정한다.First, the temperature measuring element 2 measures the temperature value of the current room temperature.

그 다음, 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온값을 입력받은 변환부(3)는 그 상온의 온도값을 사용자가 인식할 수 있도록 표시하고, 그 상온의 값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the conversion unit 3 that receives the room temperature value measured by the RTD 2 displays the temperature value of the room temperature so that a user can recognize it, and outputs an electrical signal corresponding to the room temperature value. do.

그 다음, 사용자는 공정에서 사용되는 반도체 공정장비의 온도에서 상기 변환부(3)에 표시된 온도를 감한 설정온도를 온도설정 및 표시부(1)에 입력시킨다.Then, the user inputs the set temperature to the temperature setting and display unit 1 by subtracting the temperature displayed on the converting unit 3 from the temperature of the semiconductor processing equipment used in the process.

그 다음, 종래 퍼난스 등의 산화막성장장비는 0

Figure kpo00003
내지 1200
Figure kpo00004
까지 사용이 가능하며, 상기 변환부(3)의 출력신호를 입력받은 제어부(4)는 그 변환부(3)의 출력값을 상기 0
Figure kpo00005
로하여 상기 온도설정 및 표시부(1)에 입력된 설정온도까지 반도체 공정장비내의 온도를 증가시키기 위해 제어신호를 출력하여 히터 등의 온도조절부(5)를 동작시킨다.Next, the oxide film growth equipment such as conventional furnaces is zero.
Figure kpo00003
To 1200
Figure kpo00004
It is possible to use until, the control unit 4 receives the output signal of the converter 3 is the output value of the converter 3 is 0
Figure kpo00005
In order to increase the temperature in the semiconductor process equipment to the set temperature input to the temperature setting and display unit 1 by outputting a control signal to operate the temperature control unit 5 such as a heater.

그 다음, 제어부(4)는 상기 온도조절부(5)에 의해 가열되는 반도체 공정상의 온도를 측정하여 상기 온도설정 및 표시부(1)상에 표시하고, 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 비교하여 같은 경우 온도조절부(5)의 운전을 중단시킨다. 또한 소정의 공정이 끝날 때까지 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 동일 하도록 현재 반도체 공정장비의 온도를 온도조절부(5)의 동작을 제어하여 조절하게 된다.Then, the control unit 4 measures the temperature of the semiconductor process heated by the temperature control unit 5 and displays it on the temperature setting and display unit 1, and the user sets the temperature setting and display unit 1. Compared to the temperature set through the same case, the operation of the temperature control unit 5 is stopped. In addition, the temperature of the current semiconductor process equipment is controlled by controlling the operation of the temperature controller 5 so that the temperature is the same as the temperature set by the user through the temperature setting and display unit 1 until a predetermined process is completed.

그러나, 상기한 바와같이 종래의 온도조절장치는 상온을 측정하는 소자에 이상이 발생하는 경우에도 그 측온소자의 측정온도값을 항상 0

Figure kpo00006
로 표시하여 사용자가 인식하는 상온에는 변화가 없지만 실제 온도는 차이가 있어 최적의 공정조건을 충족시키지 못한다는 문제점과, 온도측정용 소자에 이상이 없는 경우에 주변의 온도가 수시로 바뀌는 경우에도 최적의 공정조건을 충족시키지 못해 제조되는 반도체소자의 질이 감소하는 문제점이 있었다.However, as described above, the conventional temperature controller always resets the measured temperature value of the temperature measuring element even when an abnormality occurs in the element measuring the room temperature.
Figure kpo00006
There is no change in the room temperature recognized by the user, but the actual temperature is different so that the optimum process conditions are not met, and even when the ambient temperature changes frequently when there is no abnormality in the temperature measuring device, There is a problem in that the quality of the semiconductor device to be manufactured is not satisfied because the process conditions are not met.

이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 상온을 측정하는 측온소자의 측정온도를 주기적으로 입력받아 그 측정된 상온에 따른 온도조절이 가능한 온도조절장치의 제공에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention has an object to provide a temperature control device capable of periodically adjusting the temperature according to the measured room temperature by periodically receiving the measured temperature of the temperature measuring element for measuring the room temperature.

제1도는 종래 온도조절장치의 블록도.1 is a block diagram of a conventional thermostat.

제2도는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도.2 is a block diagram of a thermostat according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 온도설정 및 표시부 2 : 측온소자1: temperature setting and display unit 2: temperature measuring element

3 : 변환부 4 : 제어부3: converter 4: controller

5 : 온도조절부 6 : 조절부5: temperature control unit 6: control unit

상기와 같은 목적은 일정한 주기에 따라 상온을 측정하는 측온소자의 온도 출력값을 입력받고, 그 온도의 변화가 최초 설정오차보다 큰 경우 초기값을 다시 설정하여 반도체 공정장비의 온도를 변환시킴으로써 달성되는 것으로, 이와같은 본 발명에 의한 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is achieved by receiving a temperature output value of the temperature measuring element measuring room temperature at a constant cycle, and converting the temperature of the semiconductor process equipment by resetting the initial value when the temperature change is larger than the initial set error. When described in detail with reference to the accompanying drawings, such a thermostat according to the present invention.

제2도는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자로 부터 공정상에 요구되는 온도의 값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와; 상온을 측정하는 측온소자(2)와; 상기 측온소자(2)에서 측정한 온도값을 입력받아 사용자가 인식하도록 온도로 표시하고, 그 측정된 상온의 값을 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와; 상기 변환부(3)의 출력값을 주기적으로 인가받아 비교 저장하고 그 값이 설정오차보다 큰 경우 조절신호를 출력하는 조절부(6)와; 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받아 그에 따른 제어신호를 출력하며, 상기 조절부(6)의 조절신호에 따라 초기값을 변환하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 반도체 공정장비의 온도를 증가 및 유지시키는 온도조절부(5)로 구성된다.2 is a block diagram of a temperature control device according to the present invention, and as shown therein, a temperature setting and display unit 1 for receiving a temperature value required for a process from a user; A room temperature element 2 for measuring room temperature; A converter (3) which receives the temperature value measured by the temperature measuring element (2) and displays it as a temperature so as to be recognized by a user, and converts the measured value of normal temperature into an electrical signal and outputs it; An adjusting unit (6) for periodically receiving and storing the output value of the converting unit (3) and outputting a control signal when the value is larger than a setting error; A control unit 4 which receives an output signal of the conversion unit 3 and outputs a control signal according thereto, and converts an initial value according to the control signal of the adjustment unit 6; The temperature control unit 5 increases and maintains the temperature of the semiconductor processing equipment according to the control signal of the controller 4.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the temperature control device according to the present invention configured as described above.

먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도를 측정하여 그 값을 출력한다.First, the RTD 2 measures the temperature of the current room temperature and outputs the value.

그 다음, 상기 측온소자(2)의 측정온도값을 입력받은 변환부(3)는 상기 입력받은 측온소자(2)의 온도측정값을 사용자가 인식하도록 표시하고, 그 온도값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the conversion unit 3 that receives the measured temperature value of the temperature measuring element 2 displays the temperature measurement value of the input temperature measuring element 2 so as to be recognized by the user, and displays the electrical value corresponding to the temperature value. Output the signal.

그 다음, 상기 변환부(3)에 표시된 현재 상온의 온도값을 인식한 사용자는 공정상에 필요한 온도에서 상기 상온의 온도값을 감한 온도값을 설정온도로 하여 온도설정 및 표시부(1)를 통해 입력한다. 또한, 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받은 조절부(6)는 그 변환부(3)의 출력을 저장한다.Then, the user who recognizes the current temperature of the room temperature displayed on the conversion unit 3, the temperature value obtained by subtracting the temperature value of the room temperature from the temperature required for the process as the set temperature through the temperature setting and display unit (1) Enter it. In addition, the adjusting unit 6 receiving the output signal of the converting unit 3 stores the output of the converting unit 3.

그 다음, 제어부(4)는 상기 변환부(3)의 출력인 상온의 온도값을 초기값인 0

Figure kpo00007
로 하여 반도체 공정에 사용되는 장치의 내부온도를 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도로 변환시키기 위해 제어신호를 출력한다.Then, the control unit 4 replaces the temperature value at room temperature, which is the output of the conversion unit 3, with an initial value of 0.
Figure kpo00007
In order to convert the internal temperature of the apparatus used in the semiconductor process into a temperature set by the user through the temperature setting and display unit 1, a control signal is output.

그 다음, 상기 제어신호를 인가받은 히터 등의 온도조절부(5)는 그 제어신호에 따라 반도체 공정장비를 가열하고, 그 반도체 공정장비의 내부온도를 측정하여 그 측정값이 상기 설정온도와 동일하도록 온도값을 유지시킨다. 이때, 제어부(4)는 반도체 공정장비의 내부온도를 온도설정 및 표시부(1)에 표시하여 사용자가 인식할 수 있도록 한다.Then, the temperature controller 5 such as a heater applied with the control signal heats the semiconductor processing equipment according to the control signal, measures the internal temperature of the semiconductor processing equipment, and the measured value is the same as the set temperature. Maintain the temperature value so that At this time, the controller 4 displays the internal temperature of the semiconductor processing equipment on the temperature setting and display unit 1 so that the user can recognize it.

그 다음, 공정이 진행되는 동안에 어떠한 원인에 의해 상기 측온소자(2)에서 측정되는 상온의 값이 변화하는 경우, 변환된 상온의 값을 변환부(3)를 통해 입력받은 조절부(6)는 초기에 입력된 상온의 값과 현재 변화된 상온의 값을 비교하여 그 값이 설정오차보다 큰 경우에 부저음을 발생하고, 그 변화에 해당하는 조절신호를 출력한다.Then, when the value of the room temperature measured by the RTD 2 changes for some reason while the process is in progress, the controller 6 inputs the converted value of the room temperature through the converter 3. Compare the value of room temperature input with the value of room temperature which is changed initially, and make a buzzer sound when the value is larger than the set error and output the control signal corresponding to the change.

그 다음, 상기 조절부(6)의 조절신호를 입력받은 제어부(4)는 그 조절신호에 따라 상기 초기값을 변화하여 그 변화된 초기값에 해당하는 제어신호를 출력한다. 또한, 상기 조절부(6)의 조절신호는 온도설정 및 표시부(1)에 입력되어 현재 상온이 초기 상온의 값과 차이가 있음을 인식시킨다.Then, the control unit 4 receiving the control signal of the control unit 6 changes the initial value according to the control signal and outputs a control signal corresponding to the changed initial value. In addition, the control signal of the control unit 6 is input to the temperature setting and display unit 1 to recognize that the current room temperature is different from the value of the initial room temperature.

그 다음, 상기 제어부(4)의 변화된 제어신호를 입력받은 온도조절부(5)는 그 입력되는 제어신호에 따라 운전하여 반도체 공정장비의 온도를 조절하게 된다.Then, the temperature controller 5 which receives the changed control signal of the controller 4 operates according to the input control signal to adjust the temperature of the semiconductor process equipment.

다시 말해서, 공정상에 필요한 온도에서 초기에 측정한 상온을 감한 설정온도값에 반도체 공정장비의 온도를 유지하다가, 상온의 값에 변화가 발생하면 그 상온의 값에 따른 설정온도의 변화를 감안하여 변화된 설정온도에 반도체 공정장비의 온도를 유지시키게 된다.In other words, if the temperature of the semiconductor process equipment is maintained at the set temperature value obtained by subtracting the room temperature initially measured from the temperature required for the process, and if a change occurs in the value of the room temperature, the change in the set temperature according to the value of the room temperature is considered. It maintains the temperature of the semiconductor process equipment at the changed set temperature.

상기한 바와같이 본 발명에 의한 온도조절장치는 반도체 공정상에 요구되는 설정온도값을 상온의 변화에 따라 변화시켜 그 변화된 설정온도에 따라 반도체 공정장비의 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지하여 반도체 장비에서 생산되는 제품의 특성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the temperature control device according to the present invention changes the set temperature value required for the semiconductor process according to the change in the room temperature and adjusts the temperature of the semiconductor processing equipment according to the changed set temperature, thereby maintaining the optimum process conditions. Therefore, there is an effect of improving the characteristics of the product produced in the semiconductor equipment.

Claims (1)

사용자로 부터 공정상에 요구되는 온도의 값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와; 상온을 측정하는 측온소자(2)와; 상기 측온소자(2)에서 측정한 온도값을 입력받아 사용자가 인식하도록 온도로 표시하고, 그 측정된 상온의 값을 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와; 상기 변환부(3)의 출력값을 주기적으로 인가받아 비교 저장하고 그 값이 설정오차보다 큰 경우 조절신호를 출력하는 조절부(6)와; 상기 변환부(3)와 온도설정 및 표시부(1)의 출력신호를 입력받아 초기값을 설정하고 그 초기값에 따른 제어신호를 출력하며, 상기 조절부(6)의 조절신호에 따라 초기값을 변환하여 그 변화된 초기값에 따라 제어신호를 변환하여 출력하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 반도체 공정장비의 온도를 증가 및 유지 시키는 온도조절부(5)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 온도조절장치.A temperature setting and display unit 1 for receiving a temperature value required for the process from the user; A room temperature element 2 for measuring room temperature; A converter (3) which receives the temperature value measured by the temperature measuring element (2) and displays it as a temperature so as to be recognized by a user, and converts the measured value of normal temperature into an electrical signal and outputs it; An adjusting unit (6) for periodically receiving and storing the output value of the converting unit (3) and outputting a control signal when the value is larger than a setting error; Receives the output signal of the conversion unit 3 and the temperature setting and display unit 1 to set the initial value and to output a control signal according to the initial value, the initial value according to the control signal of the control unit 6 A control unit 4 for converting and outputting a control signal in accordance with the changed initial value; Temperature control device characterized in that consisting of a temperature control unit for increasing and maintaining the temperature of the semiconductor process equipment in accordance with the control signal of the control unit (4).
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