KR19980066186A - Thermostat - Google Patents
Thermostat Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980066186A KR19980066186A KR1019970001571A KR19970001571A KR19980066186A KR 19980066186 A KR19980066186 A KR 19980066186A KR 1019970001571 A KR1019970001571 A KR 1019970001571A KR 19970001571 A KR19970001571 A KR 19970001571A KR 19980066186 A KR19980066186 A KR 19980066186A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- value
- room temperature
- control signal
- controller
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
본 발명은 주기적으로 상온의 온도를 측정하여 최초 측정한 상온의 온도와 비교하여 차이가 설정오차 보다 큰 경우 설정온도를 변화하여 반도체 공정장비의 온도를 일정하게 유지시키는 온도조절장치에 관한 것으로, 종래의 온도조절장치는 공정의 진행중에 상온이 변화해도 최초 측정한 상온의 온도를 사용하여 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지할 수 없는 문제점이 있었다.The present invention relates to a temperature control device for maintaining a constant temperature of a semiconductor process equipment by changing a set temperature when the difference is greater than a set error compared to the temperature measured at room temperature by periodically measuring the temperature at room temperature. The temperature control device has a problem that the optimum process conditions cannot be maintained by adjusting the temperature using the temperature measured at room temperature even if the room temperature changes during the process.
이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 주기적으로 상온의 온도값을 측정하고, 그 값에 따라 설정온도를 변화시키고, 반도체 공정장비내의 온도를 그 변화된 설정 온도값으로 유지시킴으로써, 최적의 공정조건을 제공하여 제조되는 반도체소자의 질을 향상시키는 효과가 있다.In view of the above problems, the present invention periodically measures the temperature value of room temperature, changes the set temperature according to the value, and maintains the temperature in the semiconductor process equipment at the changed set temperature value, thereby providing an optimal process condition. There is an effect of improving the quality of the semiconductor device to be manufactured.
Description
본 발명은 온도조절장치에 관한 것으로, 특히 반도체 공정상에 요구되는 설정온도를 결정하는 상온을 주기적으로 감지하여 그 상온의 변화에 따라 설정온도를 변화시켜 반도체 공정장비의 온도를 최적의 공정조건으로 유지하는 온도조절장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature control device, and in particular, to periodically detect a room temperature that determines a set temperature required for a semiconductor process, and to change the set temperature according to the change of the room temperature to make the temperature of the semiconductor process equipment the optimum process condition. It relates to a temperature control device for holding.
일반적으로 고온을 사용하는 반도체 공정장비에 사용되는 온도조절장치는 반도체 공정상에서 요구되는 온도값에서 현재 상온의 값을 겸한 값을 설정온도로 하고, 그 상온의 값을 초기값인 0℃로 하여 반도체 공정장비의 온도를 설정온도로 증가시키고 그 값을 유지하도록 동작되며, 이와같은 반도체 공정장비의 온도조절을 목적으로 하는 종래의 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, the temperature control device used in the semiconductor processing equipment using high temperature is a semiconductor that sets the value of the room temperature to the set temperature and the value of the room temperature as the initial value of 0 ° C. It is operated to increase the temperature of the process equipment to the set temperature and maintain the value, and will be described in detail with reference to the accompanying drawings, a conventional temperature control device for the purpose of temperature control of such semiconductor processing equipment.
도 1은 종래 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자 임의의 온도값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와, 상온을 측정하는 측온소자(2)와, 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온을 표시하고, 그 상온의 값을 전기적신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와, 상기 변환부(3)의 출력신호와 상기 온도설정 및 표시부(1)의 출력신호를 인가받아 제어신호를 출력하는 제어부(4)와, 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 특정부의 온도를 조절하는 온도조절부(5)로 구성된다.1 is a block diagram of a conventional temperature control device, as shown therein, a temperature setting and display unit 1 for receiving a user's arbitrary temperature value, a temperature measuring element 2 for measuring room temperature, and the temperature measuring element 2 Display the room temperature measured in the (), convert the value of the room temperature into an electrical signal, and output the converted signal, the output signal of the converter 3 and the output signal of the temperature setting and display unit 1 The control unit 4 is applied to output a control signal, and the temperature control unit 5 for adjusting the temperature of the specific unit according to the control signal of the control unit 4.
이하, 상기와 같이 구성된 종래 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the conventional temperature control device configured as described above will be described.
먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도값을 측정한다.First, the temperature measuring element 2 measures the temperature value of the current room temperature.
그 다음, 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온값을 입력받은 변환부(3)는 그 상온의 온도값을 사용자가 인식할 수 있도록 표시하고, 그 상온의 값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the conversion unit 3 that receives the room temperature value measured by the RTD 2 displays the temperature value of the room temperature so that a user can recognize it, and outputs an electrical signal corresponding to the room temperature value. do.
그 다음, 사용자는 공정에서 사용되는 반도체 공정장비의 온도에서 상기 변환부(3)에 표시된 온도를 감한 설정온도를 온도설정 및 표시부(1)에 입력시킨다.Then, the user inputs the set temperature to the temperature setting and display unit 1 by subtracting the temperature displayed on the converting unit 3 from the temperature of the semiconductor processing equipment used in the process.
그 다음, 종래 퍼난스 등의 산학막성장장비는 0℃ 내지 1200℃까지 사용이 가능하며, 상기 변환부(3)의 출력신호를 입력받온 제어부(4)는 그 변환부(3)의 출력값을 상기 0℃로하여 상기 온도설정 및 표시부(1)에 입력된 설정온도까지 반도체 공정장비내의 온도를 증가시키기 위해 제어신호를 출력하여 히터 등의 온도조절부(5)를 동작시킨다.Then, the conventional film growth equipment such as the furnace can be used from 0 ° C to 1200 ° C, and the control unit 4 which has received the output signal of the conversion unit 3 outputs the output value of the conversion unit 3. The temperature control unit 5 such as a heater is operated by outputting a control signal to increase the temperature in the semiconductor processing equipment to the set temperature input to the temperature setting and display unit 1 at 0 ° C.
그 다음, 제어부(4)는 상기 온도조절부(5)에 의해 가열되는 반도체 공정상의 온도를 측정하여 상기 온도설정 및 표시부(1)상에 표시하고, 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 비교하여 같은 경우 온도조절부(5)의 운전을 중단시킨다.Then, the control unit 4 measures the temperature of the semiconductor process heated by the temperature control unit 5 and displays it on the temperature setting and display unit 1, and the user sets the temperature setting and display unit 1. Compared to the temperature set through the same case, the operation of the temperature control unit 5 is stopped.
또한 소정의 공정이 끝날 때까지 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 동일 하도록 현재 반도체 공정장비의 온도를 온도조절부(5)의 동작을 제어하여 조절하게 된다.In addition, the temperature of the current semiconductor process equipment is controlled by controlling the operation of the temperature controller 5 so that the temperature is the same as the temperature set by the user through the temperature setting and display unit 1 until a predetermined process is completed.
그러나, 상기한 바와같이 종래의 온도조절장치는 상온을 측정하는 소자에 이상이 발생하는 경우에도 그 측온소자의 측정온도값을 항상 0℃로 표시하여 사용자가 인식하는 상온에는 변화가 없지만 실제 온도는 차이가 있어 최적의 공정조건을 충족시키지 못한다는 문제점과, 온도측정용 소자에 이상이 없는 경우에 주변의 온도가 수시로 바뀌는 경우에도 최적의 공정조건을 충족시키지 못해 제조되는 반도체소자의 질이 감소하는 문제점이 있었다.However, as described above, even if an abnormality occurs in a device for measuring room temperature, the conventional temperature controller always displays the measured temperature value of the temperature measuring device as 0 ° C. so that the user's perceived room temperature remains unchanged. There is a difference that the optimum process conditions are not met, and even if the temperature measuring device is not abnormal, even if the ambient temperature changes frequently, the quality of the semiconductor device manufactured cannot be met because the optimum process conditions are not met. There was a problem.
이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 상온을 측정하는 측온소자의 측정온도를 주기적으로 입력받아 그 측정된 상온에 따른 온도조절이 가능한 온도조절장치의 제공에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention has an object to provide a temperature control device capable of periodically adjusting the temperature according to the measured room temperature by periodically receiving the measured temperature of the temperature measuring element for measuring the room temperature.
도1은 종래 온도조절장치의 블록도.1 is a block diagram of a conventional temperature control device.
도2는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도.Figure 2 is a block diagram of a thermostat according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 온도설정 및 표시부 2 : 측온소자1: temperature setting and display unit 2: temperature measuring element
3 : 변환부 4 : 제어부3: converter 4: controller
5 : 온도조절부 6 : 조절부5: temperature control unit 6: control unit
상기와 같온 목적은 일정한 주기에 따라 상온을 측정하는 측온소자의 온도 출력값을 입력받고, 그 온도의 변화가 최초 설정 오차보다 큰 경우 초기값을 다시 설정하여 반도체 공정장비의 온도를 변환시킴으로써 달성되는 것으로, 이와같은 본 발명에 의한 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The object as described above is achieved by receiving the temperature output value of the temperature measuring element measuring the room temperature according to a certain period, and if the change in the temperature is larger than the initial set error, the initial value is reset to convert the temperature of the semiconductor process equipment. When described in detail with reference to the accompanying drawings, such a thermostat according to the present invention.
도 2는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자로 부터 공정상에 요구되는 온도의 값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와, 상온을 측정하는 측온소자(2)와, 상기 측온소자(2)에서 측정한 온도값을 입력받아 사용자가 인식하도록 온도로 표시하고, 그 측정된 상온의 값을 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와, 상기 변환부(3)의 출력값을 주기적으로 인가받아 비교 저장하고 그 값이 설정오차보다 큰 경우 조절신호를 출력하는 조절부(6)와, 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받아 그에 따른 제어신호를 출력하며, 상기 조절부(6)의 조절신호에 따라 초기값을 변환하는 제어부(4)와, 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 반도체 공정장비의 온도를 증가 및 유지시키는 온도조절부(5)로 구성된다.Figure 2 is a block diagram of a temperature control device according to the present invention, as shown in the temperature setting and display unit 1 to receive the value of the temperature required for the process from the user, and a room temperature element for measuring the room temperature ( 2) and a converter (3) for receiving the temperature value measured by the temperature measuring element (2) and displaying it as a temperature for the user to recognize, converting the measured value of the normal temperature into an electrical signal, and outputting it; The controller 6 periodically receives and compares the output value of the converter 3 and outputs a control signal when the value is larger than the set error, and receives the output signal of the converter 3 and controls the received signal accordingly. A control unit 4 for outputting a signal and converting an initial value according to the control signal of the control unit 6, and a temperature control unit for increasing and maintaining the temperature of the semiconductor processing equipment according to the control signal of the control unit 4; It consists of (5).
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the temperature control device according to the present invention configured as described above.
먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도를 측정하여 그 값을 출력한다.First, the RTD 2 measures the temperature of the current room temperature and outputs the value.
그 다음, 상기 측온소자(2)의 측정온도값을 입력받은 변환부(3)는 상기 입력받은 측온소자(2)의 온도측정값을 사용자가 인식하도록 표시하고, 그 온도값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the conversion unit 3 that receives the measured temperature value of the temperature measuring element 2 displays the temperature measurement value of the input temperature measuring element 2 so as to be recognized by the user, and displays the electrical value corresponding to the temperature value. Output the signal.
그 다음, 상기 변환부(3)에 표시된 현재 상온의 온도값을 인식한 사용자는 공정상에 필요한 온도에서 상기 상온의 온도값을 감한 온도값을 설정온도로 하여 온도 설정 및 표시부(1)를 통해 입력한다.Then, the user who recognizes the current temperature of the room temperature displayed in the conversion unit 3, the temperature value obtained by subtracting the temperature value of the room temperature from the temperature required for the process as the set temperature through the temperature setting and display unit (1) Enter it.
또한, 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받은 조절부(6)는 그 변환부(3)의 출력을 저장한다.In addition, the adjusting unit 6 receiving the output signal of the converting unit 3 stores the output of the converting unit 3.
그 다음, 제어부(4)는 상기 변환부(3)의 출력인 상온의 온도값을 초기값인 0℃로하여 반도체 공정에 사용되는 장치의 내부온도를 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도로 변환시키기 위해 제어신호를 출력한다.Then, the controller 4 sets the internal temperature of the apparatus used in the semiconductor process by setting the temperature value of the room temperature, which is the output of the converter 3, to 0 ° C. as an initial value through the temperature setting and the display unit 1. Outputs a control signal to convert to the set temperature.
그 다음, 상기 제어신호를 인가받은 히터 등의 온도조절부(5)는 그 제어신호에 따라 반도체 공정장비를 가열하고, 그 반도체 공정장비의 내부온도를 측정하여 그 측정값이 상기 설정온도와 동일하도록 온도값을 유지시킨다.Then, the temperature controller 5 such as a heater applied with the control signal heats the semiconductor processing equipment according to the control signal, measures the internal temperature of the semiconductor processing equipment, and the measured value is the same as the set temperature. Maintain the temperature value so that
이때, 제어부(4)는 반도체 공정장비의 내부온도를 온도설정 및 표시부(1)에 표시하여 사용자가 인식할 수 있도록 한다.At this time, the controller 4 displays the internal temperature of the semiconductor processing equipment on the temperature setting and display unit 1 so that the user can recognize it.
그 다음, 공정이 진행되는 동안에 어떠한 원인에 의해 상기 측온소자(2)에서 측정되는 상온의 값이 변화하는 경우, 변환된 상온의 값을 변환부(3)를 통해 입력받은 조절부(6)는 초기에 입력된 상온의 값과 현재 변화된 상온의 값을 바교하여 그 값이 설정오차보다 큰 경우에 부저음을 발생하고, 그 변화에 해당하는 조절신호를 출력한다.Then, when the value of the room temperature measured by the RTD 2 changes for some reason while the process is in progress, the controller 6 inputs the converted value of the room temperature through the converter 3. The buzzer sounds when the value is larger than the set error by comparing the value of room temperature input with the value of the room temperature currently changed, and outputs a control signal corresponding to the change.
그 다음, 상기 조절부(6)의 조절신호를 입력받은 제어부(4)는 그 조절신호에 따라상기 초기값을 변화하여 그 변화된 초기값에 해당하는 제어신호를 출력한다.Then, the control unit 4 receiving the control signal of the control unit 6 changes the initial value according to the control signal and outputs a control signal corresponding to the changed initial value.
또한,상기 조절부(6)의 조절신호는 온도설정 및 표시부(1)에 입력되어 현재 상온이 초기상온의 값과 차이가 있음을 인식시킨다.In addition, the control signal of the control unit 6 is input to the temperature setting and display unit 1 to recognize that the current room temperature is different from the value of the initial room temperature.
그 다음, 상기 제어부(4)의 변화된 제어신호를 입력받은 온도조절부(5)는 그 입력되는 제어신호에 따라 운전하여 반도체 공정장비의 온도를 조절하게 된다.Then, the temperature controller 5 which receives the changed control signal of the controller 4 operates according to the input control signal to adjust the temperature of the semiconductor process equipment.
다시 말해서, 공정상에 필요한 온도에서 초기에 측정한 상온을 감한 설정온도값에 반도체 공정장비의 온도를 유지하다가, 상온의 값에 변화가 발생하면 그 상온의 값에 따른 설정온도의 변화를 감안하여 변화된 설정온도에 반도체 공정장비의 온도를 유지시키게 된다.In other words, if the temperature of the semiconductor process equipment is maintained at the set temperature value obtained by subtracting the room temperature initially measured from the temperature required for the process, and if a change occurs in the value of the room temperature, the change in the set temperature according to the value of the room temperature is considered. It maintains the temperature of the semiconductor process equipment at the changed set temperature.
상기한 바와같이 본 발명에 의한 온도조절장치는 반도체 공정상에 요구되는 설정온도값을 상온의 변화에 따라 변화시켜 그 변화된 설정온도에 따라 반도체 공정장비의 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지하여 반도체 장비에서 생산되는 제품의 특성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the temperature control device according to the present invention changes the set temperature value required for the semiconductor process according to the change in the room temperature and adjusts the temperature of the semiconductor processing equipment according to the changed set temperature, thereby maintaining the optimum process conditions. Therefore, there is an effect of improving the characteristics of the product produced in the semiconductor equipment.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970001571A KR100218357B1 (en) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | A temperature controlling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970001571A KR100218357B1 (en) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | A temperature controlling device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980066186A true KR19980066186A (en) | 1998-10-15 |
| KR100218357B1 KR100218357B1 (en) | 1999-10-01 |
Family
ID=19495154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970001571A KR100218357B1 (en) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | A temperature controlling device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100218357B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018093B2 (en) | 2001-07-11 | 2006-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for sensing defects in temperature sensors |
-
1997
- 1997-01-21 KR KR1019970001571A patent/KR100218357B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018093B2 (en) | 2001-07-11 | 2006-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for sensing defects in temperature sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100218357B1 (en) | 1999-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10908196B2 (en) | System and method for controlling power to a heater | |
| US5280422A (en) | Method and apparatus for calibrating and controlling multiple heaters | |
| JP6197914B2 (en) | Controller, control method and control program | |
| CN212051120U (en) | Automatic temperature regulating system of glass annealing furnace | |
| CN111552330B (en) | Screen heating control method and system applied to terminal starting | |
| CN103809244A (en) | System and method for controlling heating of optical fiber hot stripping device | |
| KR19980066186A (en) | Thermostat | |
| CN111034351B (en) | Heating device | |
| US6464627B1 (en) | Heater control for infant warmer | |
| US20220086958A1 (en) | Power control device and power control method | |
| JPH0718756B2 (en) | Method and apparatus for measuring optical power by optical calorimeter | |
| JP2651495B2 (en) | Thermal analyzer | |
| WO2021176589A1 (en) | Temperature controller and temperature control method | |
| JP2003287689A (en) | Automatic temperature compensator for tunable filter and its method | |
| JPH10104087A (en) | Liquid crystal display | |
| JPH10339505A (en) | Hot water temperature correction device of hot water supply | |
| JPH09304471A (en) | Environment-testing apparatus of sample actual measurement type | |
| JPH02212813A (en) | Display controller | |
| JPH069002B2 (en) | Program controller for multiple sensors | |
| JPH09134219A (en) | Temperature controller | |
| KR920009020B1 (en) | Temperature error compensation method | |
| JPH0679730A (en) | Temperature controller of vulcanizer | |
| KR200290258Y1 (en) | temperature control system | |
| JPS61226803A (en) | Process control device | |
| KR20020057741A (en) | Contrast automatic control circuit of mono color lcd |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080527 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |