KR100213410B1

KR100213410B1 - 초미세 영상을 수반하는 장치 및 프로세스

Info

Publication number: KR100213410B1
Application number: KR1019920004592A
Authority: KR
Inventors: 로렌스 화이트 도널드
Original assignee: 죤 제이.키세인; 아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
Priority date: 1991-03-22
Filing date: 1992-03-20
Publication date: 1999-08-02
Also published as: CA2061623C; HK1002397A1; JPH05134390A; KR920018871A; EP0505101A1; DE69226392T2; US5091979A; CA2061623A1; DE69226392D1; EP0505101B1

Abstract

초미세 규격, 즉 선택 영상 조사의 화질 한계내의 것과 근사한 규격의 영상은 위상 마스크의 새로운 범주를 사용하여 촉진된다. 영상 해상도 손상을 수용하는 것에 대해 이러한 규격, 재료 및 스페이스의 도파관은 충전 또는 비충전 애퍼튜어 또는 돌출부로 이루어지며, 모든 일정 길이는 구성되는 마스크층의 두께와 동일하다.

Description

초미세 영상을 수반하는 장치 및 프로세스

제1도는 발명의 목적을 달성하는데 적합한 각종 구조의 도파관을 도시하는 디바이스, 예를 들어 VLSI를 제조하기 위한 마스크분의 사시도.

제2도는 가이드가 차단층에서 예를 들어 금속층에서 단순 애퍼튜어인 본 발명에 따른 위상 변이 구조를 도시하는 단면도.

제3도는 가이딩이 에워싸는 굴절율보다 큰 굴절율의 코어재료를 제공함에 주로 기인하는 제2도의 것과 유사 기능 구조의 단면도.

제4도는 가이드를 에워싸는 재료의 상부에서 금속 피복을 부가적으로 포함하는 제3도에 도시한 구조의 단면도.

제5도와 제6도는 종좌표상의 굴절율의 좌표와 횡좌표상의 측면 코어/ 클래드(core/clad) 규격상에서 소망 광학 특성의 도달과 관련한 바와 같이 도파관 설계와 관련한 설명에 대한 도면으로, 동일 횡좌표 단위와 차원없는 좌표 단위에서 가이드된 조사에 대한 관련 전계곡선이 포함되어 있는 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

13 : 가이드 17 : 애퍼튜어

22 : 기판

본 발명은 소규모 디바이스의 제조에 관한 것으로서, 예를 들어 이러한 제조에 사용되는 초미세 설계 룰을 이용한 집적 회로 및 장치/ 툴에 관한 것이다. 주요한 내용은 영상질을 개선하기 위해 위상 마스크(phase mask) 의 사용을 포함하는 리소그래픽에 관한 것이다. 현재 사용된 윤곽 에너지, 예를 들어 자외선 근방의 스펙트럼에 의거하거나 단파장, 예를 들어 디프자외선(deep ultraviolet) 또는 x-선 스펙트럼에 의거하거나 간에, 리소그리픽 윤곽에서의 개선은 그 범위를 또다른 미세화를 허용하는 범위까지 확장한다. 전자적 또는 광학적 그리고 하이브리드적 초대규모 집적 회로의 제조가 초미세 설계룰을 수립하기 위해 고려된다.

발단에서 현재까지 대규모 집적의 계도가 잘 알려져 있다. 설계룰을 수립하기 위한 현재의 1-2 메가 비트 칩 또는 1㎛이하의 전개는 최종 산물을 표현하지 않는다. 리소그래픽 명료도가 역할을 담당해 왔으며 차후도 중요한 역할을 할 것이다. 종래 기술의 디바이스 제조는 자외선 근방 (예, 파장 λ=3650Å 머큐리 I라인) 조사 (near-ultraviolet radiation) 사용에 종속한다. 차세대 디바이스에 대한 광범위한 노력은 여전히 단파장의 조사(강도 깊은 uv 스펙트럼, 예를 들어 파장 λ= 2480Å- 크립톤 불화물 엑사이머 레이저 라인(Krypton flvoride excimer laser line)의 스펙트럼내 조사)에 종속한다. 여전히 소설계 룰을 지향하는 진보적인 작업이 x-선 스펙트럼에서의 전자기 에너지 또는 선택적으로 등가 감소 파장의 가속전자 조사를 고려한다.

경쟁 노력이 현재사용되는 uv 윤곽 조사 능력을 확장하기 위하여 추구되고 있다. IEEE Trans. Electron Devices ED-29(12)권 1828 페이지 (1982년)에서 M.D Levenson등에 의해서 설명한 바와 같이, 그리고 1990년 12월 12일자 뉴욕타임즈 사설에서 검토한 바대로, 설계 룰 한정 엣지 분해는 위상 마스크(phase mask) 의 사용에 의해 축소된다. 위상 마스크란 선택 마스크 영역을 통해 전사된 바와 같이 조사의 상대 위상을 기동하도록 설계적으로 제공된 마스크이다. 임팩트는 양면이다. 즉, (1) 불투명 형태의 마스크를 필요로 하는 통상 디바이스 제조에 응용되고 (2) 투명 마스크를 필요로 하는 제조에 응용되는데, 이는 상이한 위상 지연의 투명 마스크 영역간과 같이 간섭을 야기하는 다크 라인 영상(dark - line imaging)으로 이루어진 불투명 마스크 형태를 배제한다. 양 경우에 있어서, 위상 마스크를 사용함으로써 피쳐 엣지에서 회절 분사 조사의 위상 상쇄로 인한 확장으로 사용된 특정 파장 능력을 일반적으로 초월한다고 생각하는 설계까지 확장한다. 양 예에 있어서, 180°위상 이동 영역에 대한 설비가 만들어진다. 즉 인접 또는 엣지 한정 마스크 영역의 필수부 영역이 만들어진다.

위상 마스킹은 전통적 상업 고려에 따른 약속을 고려하고 있다. 위상 마스킹으로 현장치 및 처리를 이용하여 차세대 디바이스의 제조를 가능케 한다. 대체 장비 단가의 회피(어쨌든 아직 상용화 되지 않음) 뿐만 아니라 개인의 재 훈련은 이 방향에서의 계속적인 노력을 경주케 한다.

널리 퍼져 있는 관점은 위상 마스킹의 사용에 의한 0.3- 0.25㎛ 이하(0.2㎛가 알맞음)와 uv 윤곽의 효율적 능력을 초월한다고 일반적으로 생각하는 범위 이하의 설계룰에 대한 uv-베이스 처리의 예기된 확장의 기초로서 작용한다. 이러한 증명이 정확하다면, x-선(근사 또는 투사) 사용에 의한 디바이스 제조, 그뿐만 아니라 가속 전자 조사(빔 기록 또는 마스킹에 의해)는 1 세기 전환점까지 연기될 것이다.

리미팅 리소그래픽 해상도는 전형적 관계에 따라 변화한다.

여기서, λ=알맞은 단위, 즉 ㎛에서 윤곽 조사의 파장 NA는 광학 시스템의 수치적 에퍼튜어 해상도는 소망 피쳐 스페이스 콘트라스트에 의거 K₁은 윤곽처리, 즉 종래 기술 제조(0.8-1.0㎛ 설계 룰 LSI)로 펴현되는 0.7-0.8값의 현상 처리의 영상 시스템 및 특징의 상세에 따른 콘트라스트이다.

계류중인 미합중국 출원 제07/673614호와 제07/673626호는 본 설명의 중심이다. 전자의 출원은 다중의 위상 지연값으로 제공된 바와 같이 개선된 위상 마스크의 사용에 관한 것이다. 프로젝션 시스템에 사용된 바와 같이, 초기의 2진값 위상 마스크 사용과 관련한 개선된 해상도는 마스크를 통과하는 투과 또는 마스크로부터의 반사동안 유입된 바와 같이, 예를 들어 근접효과(proximity effect)에 기인한 바와 같이 공칭값으로부터의 위상 편차가 있는 조사(radiation)의 위상변이 보다 정확한 수용에 의한다. 동일점성은 영상면에서 조명 강도의 비소망 변화의 영향을 감소하기 위해 분산 구조(회질격자)의 구성을 허용한다.

상기 후자의 계류중 출원은 주로 다중값에 도달하기 위한 수단과 관련 조사 경로의 물리적 길이 변화에 의한 위상에서의 국부적 변화를 야기하는 수단에 관한 것이다. 이 연구는 층 두께에서의 다레벨 변화를 성취하기 위해 층 두께를 평균화하여 행해지는 (1) 에퍼튜어 생성 및 (2) 에퍼튜어 백필링(aperture back filling)을 수반한다.

본 발명은 물리적 평균화에 대한 대안의 연구를 기술하고 있다. 대신에 소망 위상 지연은 관련 마스크층내 도파관, 즉 위상을 변경하기 위한 최소규모 도파관의 결과이다. 일반적 용어로, 본 발명의 연구는 광학 평균화, 즉 영상면, 예를 들어 웨이퍼에서 소망 특성의 파정면을 산출하는 것에 대해 규역, 스페이서, 분포의 도파관을 수반하는 것을 기술하고 있다. 기본적 원리는 잘 알려져 있는데, 그 원리는 소망 위상 균일성(가이드 대 가이드 분리 규격이 해상도 한계 이하로 감소할때 균일성)의 대응 웨이브 정면 영역을 발생하는 마스크 영역이 되는 것에 적용된다.

마스크 설계시 이러한 도파관의 사용은 상기 계류중의 전자 출원에서 설명된 여러 목적의 도달을 가능케한다. 이는 엣지 스미어(smear)분산 조사를 감소하고, 소망 그레이 스케일을 제공하고, 디바이스 기능 패턴화 자체를 생성하는 것을 포함한다. 이러한 도파관은 그 자체로 작용되거나 두께 및/ 또는 굴절율의 테일러링(tailoring)을 보충하도록 사용될 수 있다.

설계관점에서, 가장 신속한 구현을 원형 가이드의 형태, 예를 들어 비 투과(반사 또는 흡수)층 재료의 애퍼튜어, 투과재료내 증가된 굴절율의 충전 애퍼튜어 형태를 취하며 선택적으로 다른 형태의 투명 돌출부 또는 원통 형태를 취할 수 있으며, 투명층 재료로 이루어진 것으로서 근접 이격된 가이드 어레이는 소막 벡터합면을 산출할 수 있다. 일예는 엣지 스미어 조사의 상쇄를 성취하기 위하여 피쳐엣지에 대한 위상 및 스페이스의 선형 어레이로 이루어진다. 시스템에서 조사를 굴절하도록 설계된 라인격자는 라인과 라인 격자의 선형 어레이의 연속 형태를 취한다. 경사 전이가 바람직한 경우, 이는 가이드 규격과 가이드와 가이드 스페이서에서의 적절한 변동에 의해 성취된다. 다른 변화도 분명하다.

비원형 가이드의 사용이 유용하다. 타원형 또는 정방형 도파관의 사용은 두 분극에 대한 상이한 위상변이, 즉 상대적 최소 : 최대 단면 규격에 의해 결정되는 크기의 영향을 설계적으로 만들 수 있다. λ범위내 또는 범위밖의 규격 선택의 자유는 목적을 증대한다. 그 잇점을 가변 조사 모드의 허용된 동시 존재에 의한 복잡성에 대해 균형을 유지한다. 애퍼튜어 (충전 또는 비충전)또는 돌출이건간에, 가이드는 다양한 구조,즉 타원형, 직선형일 수 있다. 다모드 설계는 보다 광범위한 계산을 요하거나, 선택적으로는 실험적으로 정해질 수 있다.

어떤 조건하에서, 다모드 특성에 기인한 위상 분산의 광범위가 그 잇점으로 작용한다. 계류층의 출원에서 상세히 기술된 바와 같이, 최적 상쇄(위상각의 좁은 각도에 기인)와 링깅 진폭의 감소 크기(위상각의 좁은 분산에 의해 강조된) 사이의 절충이 광범위를 제의하는 조건이 있다.

본 발명은 영상, 가장 중요하게는 초미세 규격에서의 영상을 수반하는 장치 및 프로세스에 관한 것이다. 본 발명의 중요한 양상은 제조의 마스크에서 디바이스로의 영상 투과에 따른 패턴 윤곽의 적어도 한 레벨에 포함하는 디바이스 제조에 대한 것이며, 이와 같은 영상에 비추어 설명이 주로 이루어진다. 본 발명의 연구는 위상 마스킹의 기능, 즉 영상면에 입사하는 것으로서 위상 정면에서의 변동의 유입의 기능을 만족하는 수단을 제공한다. 이러한 위상변동은 기본적 디바이스 윤곽에 비추어 함축성을 가지면서, 그 주요한 정의는 본 발명의 추고, 즉 영상 해상도 및 영상질의 다른 양상을 개선하는 것을 만족하는데 있다.

상기 전자의 계류중 출원에 기술된 바와 같이, 본 발명의 위상 마스킹에 의해 부가 기능들이 충족된다. 해상도를 개선하도록 설계된 보상 정보는 링깅크래스트(ringingcrest)의 상쇄와 비소망 조명 비균질성에 대한 것을 제공한다. 불투명 마스크 피쳐의 사용에 따른 개선에 적합하게 응용되면서, 위상 마스킹 연구는 전반적으로 마스크가 투명하게 되는 피쳐 생성을 제공한다.

기술한 바와 같이 일반적 기능, 예를 들어 상기 인용된 M.B.Levens에 의한 기술은 해상도를 손상하는 엣지 분산 조사를 위상 상쇄/감소함으로써 해상도의 개선을 제공한다. 본 발명의 중요한 양상은 다양한 수용 심지어는 해상도 손상 조사의 위상값의 연속에 의한 해상도 개선에서 종래 기술의 범위를 초월한다. 180도가 아닌 위상 변화에 대한 능력에 의해 수용된 프로세스 융통성이 다른면에서 값어치가 있다. 1991년 3월 22일에 출원된 제07/673614호에 상세히 기술된 바와 같이, 그밖의 달리 살용화되지 않는 회로 설계 연구가 용이하게 되었다. 간섭에 의해 만들어진 영상 피쳐에 대한 예가 라인 투과와 라인 브랜칭을 포함하며, 이 두 형태는 다수의 위상 지연값의 가용성에 종속한다. 이러한 마스크 형태의 사용이 허용된 융통성은 180°위상변위까지 제한된 단일 단계와 리소그래픽 윤곽의 능력을 초월한 각종 패턴 구조에서 값어치가 있다. 예를 들면, 분리 윤곽단계를 도입할 필요가 없이, 우삼각 단면의 격자 라인(지지표면에 다른 삼각형을 가진 한 수직 엣지와 한 경사 엣지의 라인)에 따른 블레이즈(blazed) 회절 격자의 구조를 허용한다. 이러한 형태의 격자는 예를 들어, 컴퓨터 생성 홀로그램의 구조와 높은 신호 대잡음비를 보이는 회절 광학 소자에서 유용하다. 계류중 미합중국 출원 제07/673614호는 초기 작업의 단순 180°위상 변이에서 실현된 개선된 해상도를 초월하는 목적으로 진행한다. 본 발명은 위상 변이값의 복합성을 구현하기 위한, 긍극적으로 이러한 값의 연속성을 제공하기 위한 수단을 제공한다.

본 발명은 스케일에 무관한 엣지 해상도에서의 개선을 제공하면서, 그리고 예기된 상용값이 크게 제한되지 않으면서, 가장 중요한 유용성은 초대규모 집적 회로의 제조, 특히 1마이크로미터 또는 그 이하의 설계룰을 구축하는 제조에 관한 것이라고 기대된다.

전술된 바와 같이 위상 마스크는 단지 두 위상 레벨이 존재하기 위하여, 일반적으로 180°까지 상이한 두 레벨의 위상 레벨이 존재하도록 투명층 재료의 영역을 단순의 총 두께 제거에 의해 위상 변이가 달성되었다. 동반출원 제07/673626호는 부가적으로 가변 두께 및/또는 가변 굴절율의 영역을 제공되는데 수정되지 않은 영역에 대해서 균질 두께의 투명 재료의 수정되지 않은 영역과 초기 제조된 조성에 대해서 가변 두께 및/또는 가변 굴절율의 영역을 제공한다. 상기한 바와 같이, 다수값에서 위상 변이의 용이함, 심지어 값의 연속으로 개선된 결과를 가져온다(VLSI 제조가 2레벨 위상마스킹과 연관된 것보다 작은 설계를 초래함에 의하여), 이러한 연구는 가변 두께와 층재료의 굴절율을 통해 용적 전이 시간을 변화함으로써 그 목적을 성취한다.

대조적으로, 본 발명은 적합한 특성의 가이드, 즉 소망 위상 변이를 산출하기 위한 단면 형태 및 규격, 굴절률과 분포로 관련층을 확장하는 도파관을 수반한다. 개개의 가이드 특성과 충분히 알맞은 플랫정면과 결합 파면(wave front)을 보장하는 가이드 대 가이드 스페이스에 대한 결과의 특성을 산출하는데 필요한 파라미터가 주로 상세한 설명에서 기술되어 있다.

도파관의 사용으로 디바이스 설계시 또 다른 융통성이 부여된다. 예를 들면, 가이드 대 가이드 스페이스, 소망 파면의 평탄함을 보장하는 어떤 최대값 보다 작은 상기 스페이스는 테일러 밝기 (그레이 스케일)까지의 범위내에서 가변될 수 있다. 이는 다른 고려사항과 같이 , 영상면에서, 즉 VLSI 제조예에서의 웨이퍼에서 측정된 바와 같은 특성에 대한 기준이다. 다양한 도파관 구조가 제안된다. 한 변형은 비교적 큰 굴절률 코어의 코어 -클레스 구조(core-clad strusture)를 제공함에 있어 광섬유와 유사하다. 이 단순예가 대기-공기 클래딩을 가진 부식제 한정 필러(코어)의 예다. 변형이 기술된다. 한 대안은 투명층의 플렛 표면에서의 피복 또는 가이드 한정 (내부 가이드 표면상의 피복 또는 가이드가 만들어지는 층으로된 재료)과 같은 애퍼튜어 금속을 이용한다.

본 발명의 초기 함축성은 uv 윤곽 조사를 이용한 프로젝션 축소 영상에 비추어 기대된다. 그 원리는 접촉(근사)뿐만 아니라 1 : 1 프로젝션 프린팅에 응용 가능하며, 또한 단파장 전자기 조사 (예를 들어, x-선 스펙트럼에서의 조사)에도 응용 가능하다. 물론 접촉 프린팅은 회절, 예를 들어 회절 격자의 이용을 배제하며, 밝은 점의 감소 또는 엣지 스미어 조사의 상쇄를 목적으로 하는 기반이다. 양 기능은 애퍼튜어 가이드로 제공된 차단층을 사용함으로써 그 기능을 한다. 애퍼튜어 금속층의 이용은 근방 또는 디프 uv 근사 프린팅을 고려한다.

상기 단파장 조사와 관련한 상기 구현은 프로젝션 또는 근사 모드에서 사용되든간에 규격 고려 사항과 다른 요소에 의한 정확성에 부과된 요구사항에 의해 복잡하게 된다. 예를 들어, x-선 가이드의 발생은 굴절율의 매체종속값의 비교적 적은 분산, 즉 그 밖의 달리 만족한 가이드 매치에 대한 단일성 접근의 경향이 있는 x-선 스펙트럼 굴절률내에서 단파장 값으로 복잡하게 된다. 그럼에도 불구하고 얻어지는 잇점은 그 노력을 정당화한다. 물론, 그 문제는 주로 금속 또는 다른 차단층에서 충전 또는 비충전된 애퍼튜어에 의해 구성된 가이드를 사용하여 회피된다.

본 발명의 가장 중요한 양상에 대한 고려는 위상 속도에 관한 것이다. 각종 요소, 예를 들어 가이드 규격, 형태, 가이드재료, 즉 코어와 어느 특정 클래드 등의 수반된다. 전반적인 목적이 설명되었다. 바람직한 실시예, 즉 패턴화 영상에 따른 디바이스 제조에 관한 실시예에 의하여 실현되는 값은 제조되는 디바이스 상에서 수용되는 영상질로써 설명된다. 디바이스/회로에 제공된 최소규격의 관련 설계룰은 디바이스의 패턴 윤곽에 대해 사용되는 조사의 파장 제한에 접근하기 위함이다. 이러한 사항은 공지되어 있으며, 종래 기술의 설명부분에 기술되어 있다. 일반적으로 본 발명이 해소하고자 하는 문제점은 λ/NA 보다 작은 설계룰에 관한 것이다.(uv 스펙트럼 근방에서의 조사를 이용한 본 실시예에 따라서 NA=0.5를 제공하는 통상 시스템 설계에 따라 파장의 2배값과 근사적으로 같다) 그러나 여전히 보다 일반적으로, 본 발명의 연구는 보다 큰 설계룰에 대한 개선으로 이루어진다. 고려 사항과는 별개로, 엣지 콘트라스에서의 증대에 따라 파장 제한이 종래 구간에서 접근되지 않는 경우 디바이스 성능이 개선된다. 실시예는 그레인 스케일 변화 또는 위상 변화에 따른 동작 특성과, 회절에 따른 각종 광학 소자, 예를 들어 프레넬 렌즈 또는 프레넬 영역 플레이에 따른 동작 특성에 관한 것이다. 본 발명의 연구는 층 두께 및/또는 굴절율에서의 대응 변화에 의한 변화투과 시간에 대안이며, 어느경우 이 대안의 연구가 효율적으로 충족될 수 있다. 위상 상쇄에 의한 엣지 해상도의 개선을 포함하는 목적은 각종 도파관 파라미터를 수반한다.

본 발명에 따른 가이드 구조는 호스트층 부분이며, 일반적으로 균일 두께의 마스크층과, 측이 투명한 실시예의 경우 균일 굴절률의 마스크층 부분이다. 성취되는 목적은 (a) 개개의 가이드 특성, 예를 들어 국부 위상 지연과 (b) 가이드 대 가이드 커플링에 주로 의존하는 보다 큰 스케일 영향에 관한 것이다. 목적 (a)는 가이드 길이 (일반적으로 호스트층 두께에 의해 정해진 상수), 단면 형태, 단면 사이즈 즉, 기본적으로 최소 단면 규격 사이즈, 가이드가 만들어지는 재료의 벌크 투과 특성인 최소 단면 규격의 사이즈와 같은 파라미터에 따르며, 투명 코어-클레드 구조의 경우 클래드의 사이즈가 무시되지 않지만 코어 재료의 크기에 따라 만들어진다. 목적 (b)는 다수의 조성 특성에 따르나 소정 가이드 구조에 대해서 주로 가이드 대 가이드 스페이스에 따른다.

일정두께의 언애퍼튜어층 재료에 기인한 것과 등가인 균일한 위상면 영역은 가이드의 그룹화에 의해 실현되며 이하 파장의 분리로 일정 위상 변이가 실현된다. 가변 두께의 영역을 특징으로 하는 위상 지연값의 연속을 분명히하는 슬로프형(sloped) 영역은 위상 지연 시간을 적절히 가변하는 가이드, 다시 균일 정면에 필요한 근접 결합으로 되기 위한 분리의 그룹화에 의해 실현된다. 계면에서 위상 지연의 마크된 차이인 계단형 영역은 계면에서 결합을 근본적으로 방지하는 것에 대해 충분히 크게 그리고 영역내 불변 지역을 만들기 위해 충분히 근접한 스페이스를 필요로 한다. 기하학적 고려 사항의 변화, 예를 들어 일정한 마스크와 가변 위상 영역에 대해 상기한 바와 같이 분명하다. 관련 설계/재료에 대한 고려가 이후 기술된다.

본 발명의 목적은 가이드 어레이를 사용함으로써 달성된다. 그 목적은 그레이 스케일의 설비, 예를 들어 소망 패턴 윤곽에 관한 비소망 밝기 변화의 교정에 대한 것이다. 선형 또는 2 차원의 가이드 어레이, 아마도 원형 또는 다른 일정 형태의 가이드 어레이, 즉 대칭적으로 가변 지연 시간의 어레이, 예를 들어 두 상이한 위상 변이 사이에서 교번화는 가변 지연 시간 어레이는 소망 회절각이 되도록 설계적으로 이격되어 영상면에서 영향을 받는 영역의 밝기를 테일러링하기 위한 수단을 제공한다. 시스템 외부에서 에너지 회절이 이루어지는 설계 파라미터(일반적으로 NA/ 축소율 보다 큰 회절각을 필요로 한다) 와 상대 그레이톤 (예를 들어, 대응 그레이톤이 이루어지는 보다 작은 변이값을 가진 블랙으로 되는 인접 가이드 사이의 180°변이)은 공지의 원리에 의거한다. 신속한 격사설계, 예를 들어 회절격자의 상이한 배열의 상대 파워에 따른 그레이 스케일에 의거한 바와 같은 관련 고려사항이 기본 텍스트에 기술되어 있다.

[가이드 재료]

가이드의 두 기본 형태가 고려된다. 금속반사에 종속하는 구조, 예를 들어 금속층을 통해 확장하는 충전 또는 비충전 애퍼튜어와, 가이드가 고지수 코어 및 저지수 서라운드 사이의 굴절율 예를 들어 공기 또는 다른 호스트층 재료 또는 특별히 제공된 클래딩의 굴절률에서의 변화에 따른다.

에퍼튜어 금속층 형태의 도파관에서 위상 속도를 계산하기 위한 공식이 있다(금속 피복 투명 가이드, 예를 들어 금속 피복 비충전홀 또는 금속피복 투명 재료와 같은 등가물에서 위상 속도를 계산) 그 공식은 다음과 같다.

여기서,

v₁= 개개의 도파관 구조에서 윤곽 전자기 조사에 대한 위상속도

c = 가이드 매체에서 조사 속도

λ = 가이드 매체, 즉 비충전 가이드 매체에 대한 자유공간에서 벌크 가이드 재료, 예를 들어 충전 애퍼튜어 가이드에서, λcutoff는 가이드 차판(cutoff)에서의 조사 파장

위상 속도는 차단에 접근될때 강한 사이즈의 함수이다. 디바이스 윤곽 조사의 초미세 λ 값에 대한 여러 목적을 위해, 이것은 λ2 λ cutoff가 아닌 λλcutoff의 경우 중요하다.

모든 투명 구조의 가이딩 특성은 규격 변화에 덜 민감하며, 이는 일반적으로 바람직한 특성이다. 엄격한 설계 고려사항은 단순 정의 공식에 의하여 설명되는 단순한 것이 아니라 특정 도파관 구조에 대한 해결책에 따른다.

가장 단순한 케이스가 고,저 지수 유리의 주기적 슬랩(slab)(또는 평면)의 케이스다. 위상 속도는 다음의 일련의 식을 풀어 계산한다.

여기서,

c = 자유공간에서의 조사 속도

λ = 자유공간에서의 조사 파장(주 : c와 λ는 차원없는 소수로서만 식에 대입, 두 양은 어느 통상매체에서 측정될 수 있다.)

K₁은 전파 방향에 수직한 고굴절률 재료에서의 파벡터, γ는 저굴절률 재료에서의 붕괴 상수

W1은 굴절률 n1의 고굴절률 재료의 폭

W2 은 굴절률 n2의 저굴절률 재료의 폭

Kz = 모드의 전파 벡터

V₁= 모드의 위상 속도

상기 식은 컴퓨터(수치적 방법)에 의해 위상 속도 V₁에 대해서 풀 수 있다.

신속하게 제조되는 모든 투명 구조의 한 형태에 경우, 즉 자유공간(또는 연속적인 코어 대 코어 분리 재료)에 따른 형태의 경우, 위상 속도는 분리 거리와 도파관 사이즈에 종속한다. 극단의 경우, 가이드(코어)와 분리가 모두 작은, 즉 λ의 작은 소수의 경우, 위상 속도는 두 굴절률의 평균이다. 이러한 접근은 단순 구조와 기능적 관점에서 추천 할 만한 것은 아니다. 사실상 이러한 소규격을 사용함으로써 벌크(비 도파관) 투과 특성이 이루어진다. 평균화 효과가 적절히 두께의 비구조적 재료의 것과 등가이지만, 가이드 특성의 평균, 예를 들어 구조적 또는 파괴적이거나 가이드 대 가이드 간섭에 기인한 특정 영향을 배재한다. 단순 구조를 고려하여, 도파관 특성(여기서 평균화 효과와는 구별됨) 은 보다 큰 단면 가이드 규격(λ의 소소, 예를 들어 λ =0.36 ㎛,0.25의 경우)을 선호한다.

제1도 내지 제4도와 관련하여 설계 파라미터/ 범위를 설명한다.

[도파관 형태]

에칭 유지층 재료 또는 에칭 한정 애퍼튜어로 이루어지건간에, 충전 또는 비충전이건간에 구조와 규격은 제조되는 소망 조사 특성을 따르는데, 중요한 경우, 해상도 제한 분산 효과를 감소하기 위해 조사 위상/ 밝기를 따른다. 제1도에 도시한 마스크 부분은 이러한 파라미터와 관련하여 논의한 기초에 의거 고의적으로 설계된다. 불행히도 어느 실제동작 마스크가 한정된 부분 내에서 각종 가이드를 표현한다. 또한, 오염, 재정렬등에 의한 산출 감소를 피하기 위한 고려사항에 있어서 본 발명에 의해 고려되는 바람직한 마스크인 부가 윤곽 단계의 도입에 따른 부수물은 디바이스 패턴화 피쳐(제조되는 디바이스로 구성된 피쳐와 디바이스 구성에서 사용되나 최종 제조 디바이스에서 동작기능을 하지 않는 도파관 피쳐)를 포함한다.

두 형태의 가이드 구조가 제1도에 도시된다.

돌출부 (11~14)는 연속해서 채워진 재료와 애퍼튜어(17)로 유지되고 에칭에 의해서 제조된다. 제조는 기판(10)상에 지지된 바와 같이 동질 조성과 두께층, 즉 유지된 높이 규격, 예를 들어 애퍼튜어 영역(16)의 높이와 같은 두께층 내에서 재료의 선택 영역을 제거하는 에칭을 수반한다. 원통형과 같이 예증적으로 도시한 그리고 불변 단면 사이즈인 애퍼튜어(17)은 제2, 3 및 4도에 도시한 바와 같이 다양한 방법으로 다루어 진다. 높이 종속 형태/ 사이즈의 변화가 특정 설계 목적으로 작용하면서, 대부분 이러한변화는 고의적이지 않으며, 프로세싱 조건에서의 이완의 결과이다. 이러한 관점에서 임의 변화의 크기는 산출 고려와 일치하게 허용될 수 있는 문제이다. 일반적으로 이러한 변화에 대한 허용성이 디바이스 사이즈를 감소한다. 본 발명의 주요한 추구에 따른 해상도 제한 엣지 분산 조사의 완전 상쇄보다 적은 허용도와 유사한 방법에 있어서, 허용된 변화는 여러 목적의 경우 현재 고려된 바와 같이 초미세 VLSI 제조에서10%이다.

제1도에 도시한 돌출부는 원형형인 (11)과 (2), 타원형인(13)과 직선형인 (14)이다. 에퍼튜어 영역(16)의 균일한 원통형 애퍼튜어(17)에 의해 구멍나게 도시되었다. 에퍼튜어(17)는 층(16)의 금속인 경우, 또는 원통형 애퍼튜어(17)의 내부 표면이 금속으로 피복되어 있는 등가 구조의 경우 충전되지 않을 수 있다. 층(16) 재료가 투명한 경우 효율적인 도파관은 층(16)의 것보다 큰 굴절률의 투명 재료로 충전되는 것을 필요로 한다. 마스크 윤곽된 디바이스의 설계 목적은 각종 형태, 예를 들어 돌출부의 어느 한 형태, 즉 원통, 타원, 직선 형태의 애퍼튜어를 수반한다.

용이한 제조의 관점에서, (11,12,17)과 같은 원형, 공칭적으로 원통인 가이드가 바람직하다. 디바이스의 기능적인 관점에서, 가이딩 특성은 스퀘어 단면 구조와(실린더 직경의85%와 같은 스퀘어측 규격)와 같이 동일하다.

가이드 (13)에 의해 개략적으로 나타낸 바와 같이 타원형 형태는 디바이스 제조 고려사항 또는 중첩하는 작용을 하는 성능 고려사항, 즉 밝기를 증대하는 실린더(소망 그레이 스케일과 관련한 일반적 용어에서 호스트 재료, 예를 들어 층 재료(16)가 윤곽 조사를 차단하는 경우)가 고려된다.

돌출부(14) 또는 등가 애퍼튜어와 같은 직선형 가이드는 다른 목적, 예를 들어 무지향 (단일분극)위상 변화의 만족을 용이하게 한다. 본 발명의 실시예는 적절한 배치 및 동일 스페이스와 진폭 변화의 링깅 그러나 해상도를 손상하는 링깅의 것과 반대인 부호의 링깅을 발생하는 도파관의 다른 특성의 선택에 의해 링깅을 감소/ 삭제한다. 이러한 접근은 각종의 가이드 형태, 예를 들어 직선 가이드(14)와 같은 비대칭의 가이드 형태 또는 대칭적 가이드의 등가 어레이를 이용할 수 있다.

제2도, 3도 및 제4도는 원통형 애퍼튜어를 포함하는 것으로 도시한 설명을 위해 형태, 즉 돌출부와 애퍼튜어에 무관하게 가이스 선택을 표현한다. 제2도는 충전된 애퍼튜어(20)가 기판(22)에 의해 지지된 반사 금속 재료(21)로 만들어진다.

제3도에서, 기판(32)에 의해 지지된 교대층(31)에서 발생된 바와 같은 애퍼튜어(30)가 충전된다. 투명층(31)의 경우, 층(31)의 것보다 큰 굴절률의 투명재료로 충전된다.

제4도에서, 애퍼튜어(40)는 충전된 대로 다시 도시된다(층(41)의 주위 재료의 것보다 큰 굴절률의 재료에 의해 - 기판(42)에 의해 지지된). 상기 애퍼튜어 금속층(43)이 감소된 밝기 (그레이 스케일)룰 제공하는데 있어서 유용하게 사용된다.

금속층의 용도는 가이드(40)사이에서 결합을 제어하는 역할을 하며, 따라서 비충전 가이드의 사용이 가능할 수 있다. 상기 설명이 해상도 개선에 맞추어 행해졌지만, 본 발명의 접근, 즉 격자, 예를 들어 선형 또는 원형의 격자에 대한 목적은 형태의 선택(뿐만 아니라 규격/ 굴절률)에 관한 것이다. 격자는 의도한 기능, 즉 밝기를 감소하고, 소정층 두께에 대한 위상 변이의 크기를 증가하여 경로 길이를 증가하고, 원형 구조의 경우 프레넬 구조로 작용하기 위한 기능으로 작용한다. 이러한 구조들은 에너지를 회절하기 위해, 예를 들어 소정점 또는 지역에 에너지를 집중하기 위해(프레넬 존 플레이트로서 작용하기 위해) 작용을 계속한다.

[도파관 규격]

양 가이드의 규격(의도된 투과 방향과 법선의 단면의 규격)과 스페이스 가이드 대 가이드 스페이스의 규격은 임계적으로 중요하다. 디바이스 기능에 있어서 허용가능한 결함에 의해 영향을 미치는 실제적 한계에 관점으로 제한 규격은 최대와 최소로 작용한다. 스페이스, 예를 들어 위상면의 소망 균일성에 대해 최대 한계를 초과하지 않으며, 동시에 위상 변화, 예를 들어 위상 생성과 디바이스 피쳐 엣지의 개선된 해상도가 바람직한 경우 어느 최소치 이하로 떨어지지 않는다.

가이드 단면과 사용매체의 굴절률과 같은 파라미터에 대한 위상 변화 정도의 관계는 공지의 원리에 의거한다. 일반적으로, 규격은 파장에 비교할만하다. (λ에 비교할만하다) 보다 정확하게는 파장에 대한 관점에서 λcutoff 와 비교할만 하다.(가이드가 금속 범위내 보다 단순한 실시예에 비추어) 바람직한 모든 투명 구조에 비추어, 멀티 모드 투과를 회피하는 것이 통상의 관심사이다. 이는 다시 파장에 비교할만한 한계 규격을 초래한다. 상세한 고려사항은 여러 텍스트에 설명되어 있다. John Wiley Son 사에 의해 1979년에 발간된 John E.Midwintev의 Optical Fibers for Transmision 을 참조하라. 공지되고 참고문헌에 기술된 바와 같이, 고려된 범위, 아마도 λ에서 λ/2까지의 관련 가이드 규격을 감소하는 것은 위상 속도에서의 변화가 이루어진다.(감소 규격을 가진 위상속도의 증가) 이러한 고려사항에 따른 규격의 선택은 한편은 설계의 융통성과 다른 한편으론 비소망 변동의 회피 사이의 크로스오버에 의한 것이다.

규격적 고려사항, 특히 투명구조에 대해 고려사항은 굴절률의 가용값의 함수이다. 일반적으로 유리재료의 굴절률은 그밖의 다른 적합한 재료의 경우 uv근방의 경우 1.45에서 1.75까지 가변한다. (진공에 비례한 통상의 기초에 의거) 굴절율의 변화인 0.3의 △n의 가용값을 보다 짧은 윤곽 에너지 파장에 대해 증가한다. 아마도 윤곽 에너지파장은 디프 UV에 대해0.45값에 해당한다. 도파관 어레이의 주기가 고려되어야 한다. 플렛 또는 가변의 연속 도달의 위상면은 다음의 공식에 따른다

주기× 축소화

여기서, 주기는 λ와 동일 단위이며 축소화가 선형 규격(이때 축소값은 통상적으로 5X)에 의하여 마스크 생성 영상(투명 또는 간접 생성)에 비례한 투영 영상의 감소일때 이고 다른 파라미터는 상기 정의한 바와 같다.

어레이의 주기가 하나 또는 두 파장을 초과하고 있으면, 그리고 모두 투명 마스크를 가장하면, 두파관에 유입된 위상 변화는 주요소가 아니다. 조사 위상을 정하는데 있어 주요소가 되는 도파관에 대해서, 최대 주기 규격은 하나 또는 두 도파관과 비교될 수 있다. 공식값보다 작은 주기에 대해 동일 제한내에서 마크된 이탈, 즉 또다른 감소는 화이트 스페이스로 된다. 결과의 밝은 영역은 다양한 목적, 예를 들어 디바이스 패턴화에 대한 그레이 스케일 부수물의 견지에서 의도된다.

상기식으로 산출된 것보다 큰 주기로 인한 불 연속성은 설계의 필요성으로 작용한다. 예를 들어 수정되지 않는 (투명)층의 고유특성의 위상면/ 밝기 특징의 영역을 제공한다. 이러한 고려는 대규격 영역에서, 즉 웨이브 가이딩을 무시하는 충분한 사이즈의 규격 영역에서 층제거를 위해 설비가 만들어진 구조를 이끈다. 또다른 변형은 웨이브 가이딩을 무시하는 것과 같은 측면 규격의 두께 축소에 달려있다. 이러한 형태의 마스크 제조가 1991년 3월 22일에 출원된 미합중국 출원 제07/673626호에 기술되어 있으며, 여기서 상기 출원은 참고문헌으로 기술되어 있다.

λ에 비레하여 이러한 큰 영역을 제거 또는 얇게 하는 구조는 설계 융통성을 발생하며, 마스크 교정에 대항 차량으로 작용한다. 연속 사용한 윤곽 조상의 편광은 독립적으로 작용하는 즉, 많은 파장의 규격에 의해 분리된 원형 가이드에 대해 사소한 결과이다. 그것은 비대칭 가이드, 예를 들어 근접이격된 원통형 가이드 또는 비원형 단면의 가이드에 대한 결과이다. 비대칭 가이드는 제조 잇점을 제공하며 비대칭 해상도 손상 목적(링깅의 감소 효과에 대해)을 적절히 수용한다.

[프로세스되는 조사]

이 장에서 다루어지는 고려상황은 본 발명에 따라 제조된 마스크 또는 다른 제품에 의해 영향받는 조사에 관한 것이다. 상기한 바와 같이, 디바이스 윤곽에 비추어 (예를 들어, VLSI 마스 윤곽에 비추어) 이 양상을 다루는 것이 유익하다.

제1 생성 위상 마스크의 목적은 기존의, 그리고 의도된 프린터에서 고해상도와 영상질을 얻기 위함이다. 이는 가시 스펙트럼에서 예를 들어, 4360Å에서의 머큐리 G라인, 3650Å에서의 머큐리 I라인의 UV 근방의 스펙트럼, 2480Å에서의 디프 UV 크립톤 불화물 엑사이머 레이저 라인, 머큐리 2540Å라인 그리고 1930Å에서 아르곤 불화물 엑사이머 레이저 라인의 각종 파장의 조사로 동작하는 프린터를 포함한다. 원리상, UV 스펙트럼에서 것보다 단파장의 윤곽조사에서 논의된 고려사항이 응용가능하다. 실용적 관점에서, 단파장 조사에 비교할만한, 예를 들어 X-선 스펙트럼에서의 조사에 비교할만한 필요한 가이드 규격은 제조 문제점을 제공한다(50Å의 가이드 규격은 곤란함을 나타낸다). 어떤 용도의 경우, 예를 들어 프레넬 존과 존 플레이트에 대해서, 이러한 규격은 곤란함이 덜하다.

프로젝션 리소그래피를 이용한 모든 시스템에서 (광학적, 소프트 X-선 스펙트럼에서의 조사를 이용) 조명 조사의 코히어런스가 중요하다. 조명은 일시적(세로) 코히어런스 및 측면 또는 나선형 코히어런스를 가진다. 일시적으로 코히어런스는 조사 대역폭과 관련 있으며, 코히어런스 길이에 의하여 표현될 수 있다. 파간 위상차를 발생하는 간섭에 대해서 조사의 코히어런스 길이보다 작아야한다. 위상 마스크와 관련된 경우, 이러한 위상 차이는 소수의 파장보다 좀처럼 크지는 않다. 모든 조사원에 대한 코히어런스는 수십 또는 수백의 파장이기 때문에, 코히어런스 길이는 문제가 아니다.

다른 양상이 나선 또는 측면 코히어런스이다. 이것은 수치적 애퍼튜어 NA, 충전계수 σ로 특징지워진다. 레이져 소스 또는 먼 포인트 소스의 사용으로 고려할만한 측면 코히어런스가 있게 된다. 큰 소소 또는 확산된 포인트 소스의 사용으로, 감소된 측면 코히어런스와 결과적으로 보다 V가 된다. 통상의 리소그래피에서 , 낮은 σ은 소피쳐에서 보다 샤프한 엣지를 발생하나 σ의 큰값이 바람직한, 즉 σ=0.5의 값이 알맞게 발견되어지는 링깅(ringing) 및 간섭 영향을 가진다. 위상 마스크에서, 링깅은 중요한 관심사이며, σ의 큰값이 어느 링깅을 평균화하나 바람직한 영향을 발생하는 위상 상쇄의 성능을 저하한다. 현재, 기존 카메라 즉, σ=약 0.5로 작동하도록 위상 마스크 시스템이 설계되어 있다. 본 발명에 따라 제조된 마스크는 이러한 σ값을 이용하나 보다 작은 σ를 만드는데 잇점이 있다. 부분적으로 코리어런트광(유한값의 σ)을 사용하여 많은 간섭의 효과를 평균화하나, 완전한 위상과 진폭 제어는 이러한 평균화에 필요성을 배제한다.

이처럼 위상 마스크는 특정 조면 (σ와 NA를 고려하여)에 대한 최상 결과를 주도록 설계된다. 기존 카메라로 광손실없이 σ를 변화하기란 어렵다. 최적화는 콘덴서(condenser)시스템의 재설계를 요한다. 제5도와 6도는 본 발명에 따른 모든 투명 구조의 소 - 대 및 대 -소 코어-클래딩을 나타낸다. 두 도면에서, 힝좌표상의 가이드 규격과 굴절률(파선)에 의하여, 좌표상의 전계의 임의 단위(실선)에 의하여 본 발명의 적합한 구조에 대한 규격을 나타낸다. 유용한 투시가 0.6㎛의 가이드 길이(즉, 층두께)에 대한 1.6의 코어 굴절율 (공기 클래딩을 가정)은 증가 위상 속도의 결과로서 위상 변이를 도입한다. 그 외에서 표준에 따른 값은30°와 150°이며, 이는 동일 굴절률(1.6)의 벌크층을 통과하는 동일 조사에 측정된 바와 같은 값에 비례한다.

Claims

제품상에 입사하도록 만들어진 전자기 조사의 프로세싱을 수반하는 기능을 하기 위한 상기 제품을 포함하는 장치에서, 상기 프로세싱은 소망 영상 패턴화 정보와 부가적 보상 정보로 상기 조사를 변조하는 것과, 영상면상에 변조된 조사를 투과하는 것을 포함하며, 상기 프로세싱은 상기 제품을 통해 투과되는 조사의 위상 변이를 포함하는데, 부가 정보로의 변조는 비영상 패턴화와 영상 패턴화 조사로 되는 조사의 공간적으로 선택된 영역내에 있으며, 입사된 상기 조사는 중심파장에 대해 진폭을 감소하는 스펙트럼 분포를 가지며, 상기 위상 변이의 검출이 가능한 코히어런스로 되며, 상기 장치가 상기 프로세스된 잔자기 조사를 영상화하는 영상면을 제공하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치에 있어서, 상기 제픔은 도파관으로 이루어진 층을 포함하며, 상기 도파관은 가이드 영역을 포함하는 가이드 재료로 이루어지며, 상기 도파관은 가이드 영역이 구성되는 바와 같은 동일 광학 특성의 벌크 재료를 통과하는 동일 거리로 투사되는 조사에 비례하여 최소 5^o크기의 가이드된 조사에 대해 위상 변이가 이루어지는 규격으로 되며, 이에 따라 상기 영상면상의 품질이 위상 변이에 의해 개선되는 위상 변이로 특징지워지는 영상이 별생되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 장치는 마스크이며, 상기 영상면은 제조되는 디바이스에 있게 되며, 상기 제조는 상기 영상에 따른 선택적 프로세싱을 수반하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제2항에 있어서, 상기 가이드 영역은 상기 가이드 조사에 대한 반사도의 클래딩 재료내에 한정되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제3항에 있어서, 상기 클래딩 재료가 금속인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제4항에 있어서, 상기 도파관 포함층이 금속인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제4항에 있어서, 도파관이 애퍼튜어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제4항에 있어서, 애퍼튜어가 상기 조사에 대해 증가된 굴절률의 재료로 충전되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제2항에 있어서, 상기 도파관 포함층이 상기 조사에 투명한 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제8항에 있어서, 상기 가이딩 재료의 굴절률이 주변 도파관 포함층 재료의 것보다 큰 0.2인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제8항에 있어서, 상기 도파관 포함층의 최소 한 영역이 가이드가 웨이브 가이딩 층의 표면을 교차하는 위치에서 애퍼튜어된 투명층으로 표면화되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제10항에 있어서, 상기 투명층의 재료가 금속인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제2항에 있어서, 상기 중심 파장은 진공에서 측정된 바와 같이 최대 0.5㎛이며, 위상 변이에 의한 상기 영상의 품질 개선이 비소망 조사를 감소하는 진폭을 포함하며, 상기 비소망 조사가 회절 분산에 의해 만들어진 조사를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제12항에 있어서, 상기 비소망 조사의 진폭 감소는 비패턴화 조사에 의한 위상 변이로 초래되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제13항에 있어서, 상기 위상 변이는 영상면에서 측정된 회절 분산 조사에 비례하는 근사치 180°인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제12항에 있어서, 상기 변조는 상기 제품과 회절분산이 상기 투명 영상의 피쳐 엣지로 입사 조사의 상호 작용이 있는 투명 영상 패턴에 의한 조사의 차단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제15항에 있어서, 상기 회절 분산은 제1의 공진 링깅를 발생하며, 진폭 감소는 상기 제1링깅의 반대 부호와 동일 주기의 제2 공진 링깅을 포함하는 비패턴화 정보와의 상호 작용을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제12항에 있어서, 소망 영상 패턴화 정보로의 최소 일부분의 변조는 위상 간섭으로 만들어진 다크 피쳐의 부과로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제17항에 있어서, 상기 다크 피쳐는 상기 도파관 그룹으로 이루어진 회절 격자에 의해 만들어진 실재적 부분인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제18항에 있어서, 상기 다크 피쳐는 관련 조사의 거의 완전한 분산에 기인한 최소 하나의 블랙 피쳐를 포함하며, 상기 블랙피쳐는 소망 영상 패턴화 정보에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제18항에 있어서, 상기 다크 피쳐는 관련 조사의 불완전 분산에 기인한 최소 하나의 그레이 피쳐를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제18항에 있어서, 상기 격자는 스트라이프 구조의 이격된, 평행 위치의 도파관으로 한정된 선형 회절 격자로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제18항에 있어서, 상기 격자는 이격된 커브 연장형 가이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제22항에 있어서, 상기 커브 가이드는 원형이며 동심적으로 위치되는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제23항에 있어서,상기 커브 가이드는 프레넬렌즈로서의 동작을 허용하는 문자인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제12항에 있어서, 상기 층은 상기 도파관 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제25항에 있어서, 상기 어레이는 원형 단면의 도파관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제26항에 있어서, 상기 어레이는 2차원적인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제27항에 있어서, 상기 2차원 어레이는 상기 조사에 대한 상이한 위상지연의 도파관을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제28항에 있어서, 상기 2차원 어레이의 교번 도파관은 상기 조사에 대해 동일한 위상 지연인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제2항에 있어서, 상기 소망 영상 패턴화 정보는 VLSI 패턴화 정보인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제30항에 있어서, 상기 중심 파장이 진공에서 측정된 바와 같이 최대 0.5㎛인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제31항에 있어서, 상기 영상 패턴화 정보는 영상면에서 측정된 바와 같이 0.5㎛보다 작은 최소 규격인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제1항에 있어서, 상기 제품이 회절 광학 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.
제33항에 있어서, 상기 소자가 프레넬 소자인 것을 특징으로 하는 전자기 프로세싱을 수반하는 기능을 하는 제품을 포함하는 장치.