KR100212720B1 - 교류형 플라즈마 표시소자 및 그 전극제조방법 - Google Patents

교류형 플라즈마 표시소자 및 그 전극제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규한 구조의 전극을 사용하는 AC형 PDP와 그 제조방법을 개시한다.
후막 또는 박막공정으로 제조되는 전극은 그 제조가 복잡하고 저항이 큰 문제가 있음에도, AC형 PDP는 전극상에 절연층이 있어야 하므로 금속전극을 사용할 수 없었다.
본 발명에서는 금속전극상에 유전체를 피복하여 전극체를 구성하고, 이 전극체를 배열하여 소성시킴으로써 AC형 PDP에 금속전극의 채택이 가능하도록 하였다.

Description

교류형 플라즈마 표시소자 및 그 전극제조방법
제1도는 AC형 PDP의 개략적 구성을 보이는 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 PDP의 구성을 보이는 사시도.
제3도는 그 결합상태 단면도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 보이는 단면도.
제5도는 본 발명의 또다른 구성을 순차적으로 보이는 사시도 및 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
S : 기판(substrate) B : 격벽(barrier)
1, 1', 1 : 전극체 M' : 전극조립체
W : 금속와이어 P : 금속판
D : 유전체
본 발명은 교류(AC)형 플라즈마 표시소자(PDP : Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 특히 신규한 전극구조를 가진 PDP와 그 제조에 적합한 방법에 관한 것이다.
기체방전을 화상표시에 이용하는 PDP는 고휘도의 대면적 표시장치의 구성이 가능하여 차세대 평판표시장치로서 각광받고 있다.
이러한 PDP는 인가되는 구동전압 및 이에 따른 방전형식에 따라 직류형(DC)과 교류형 PDP로 구분되는데, 먼저 DC PDP는 방전가스가 충전된 공가에서 서로 대향되는 두 전극 사이에 선택적으로 구동전압을 인가함으로써 방전발광을 일으키는 방식이다. 이러한 DC형 PDP는 일반적으로 방전 개시 전압이 높아 응답속도가 늦고 소비전력이 크며 방전이 유지되지 못하므로 발광휘도가 낮다.
이에 비해 AC형 PDP는 대향 전극을 절연층, 즉 유전체내에 매설하여 구동전압의 인가시 벽전하(Wall discharge)를 형성함으로써 응답속도가 빠르고 소비전력이 작으며 방전유지, 즉 기억기능을 가져 발광휘도가 높은 장점을 가지고 있다.
제1도에는 이러한 AC형 PDP의 일반적인 형태를 도시하였는데, 전면기판(F)과 배면기판(R)에는 서로 교차하는 전극(X, Y)들이 대향 배치된다. 전면기판(F)의 전극(X)은 일반적으로 ITO(Indium Tin Oxide)등 투명도전재질의 투명전극으로 구성되고 그 위에 절연층(DI)과 필요에 따라 보호층이 형성된다.
한편 배면기판(R)측의 전극(Y)은 일반적으로 금속전극으로 구성되어 그 위에 절연층(D2)이 형성되는데, 칼라 PDP의 경우에는 이 절연층(D2) 위치에 R, G, B 형광체의 형광층이 교호적으로 형성되고 필요에 따라 적절한 보호층이 형성될수 있다. 또한 각 화소간의 크로스토오크(cross talk)를 방지하기 위해 각 화소사이에는 절연체로 된 격벽(barrier rib;B)이 구비된다.
이러한 종래의 AC형 PDP에 있어서, 전면 및 배면기판(F, R)의 전극(X, Y)들은 각 후막인쇄 또는 박막증착 방법으로 형성되고 그 상부에 유전체로 된 절연층(D1, D2)을 도포하게 된다.
그런데 인쇄방법의 경우는 균일한 전극패턴의 형성이 어렵고 그 페이스트(paste)에 사용되는 유기용제 등이 PDP의 내부를 오염시키는 문제가 있으며, 박막공정은 특히 대형 PDP 패널의 제작시에는 제조원가가 크게 상승되는 문제가 있다. 또한 전면기판(F)의 전극(X)을 구성하는 ITO는 도전성이 낮고 저항이 크므로 패널이 커지면 금속전극 등으로 된 보조전극이 요구되어 제조원가가 상승되고 화면휘도가 저하되는 등의 문제가 발생된다.
이에 따라 직류(DC)형 PDP중 특히 멀티스크린(multi screen)용 PDP에서는 금속제의 와이어(wire) 또는 시이트(sheet)전극을 사용하기도 하지만 그 배치와 고정 등에 많은 문제가 있고, AC PDP에는 전극상에 벽전하를 형성할 절연층이 필요하므로 이러한 구성의 전극이 채용될 수 없었다.
이와같은 종래의 문제점을 감안하여, 본 발명의 목적은 제조가 용이하고, 도전성이 우수한 전극구조를 가지는 AC형 PDP를 제공하는 것이다.
상술한 목적의 달성을 위해 본 발명에 의한 와이어나 시이트 또는 판상의 금속전극에 유전체를 도포하여 전극을 구성하는 것을 특징으로 한다.
여기서 시이트 또는 판상의 금속전극은 큰 면적의 금속시이트 또는 판을 격자(grid)형으로 패터닝(patterning)한후 이에 유전체를 도포하는 방법으로 구성될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
제2도에서, 전면기판 또는 배면기판 등의 기판(S)상에는 본 발명에 따라 도전성이 금속와이어(W)상에 유전체(D)가 피복된 구성의 전극체(1)가 소정간격으로 배열된다. 전극체(1)의 정렬을 위해 바람직하기로 이 전극체(1)는 격벽(B)이 형성될 기판(S)상에 설치되고, 각 격벽(B) 사이의 전극형성위치에 배열된다.
여기서 전극체(1)의 유전체(D)로는 SiO2등 기판(S)과 접합성이 우수한 재질을 주성분으로하여 적절한 용제로 분산시킨 페이스트(paste)로서 금속와이어(W)상에 도포된다.
여기서 유전체(D) 페이스트의 도포방법은 분사나 인쇄, 침지(浸漬) 등의 방법이 사용될 수 있으며, 도포후 건조시켜 전극체(1)를 구성하고 필요에 따라 가소성(prebaking)시킬 수도 있다.
기판(S)상에 전극체(1)의 배열이 완료되면 이 기판(S)을 소성하는데, 전극체(1)의 유전체(D)는 소결(燒結)되어 제3도에 도시된 바와 같이 금속와이어(W)를 기판(S)상에 부착시키게 된다.
이 상태에서 금속와이어(W)가 전극으로 가능하게 되고 그 표면의 유전체(D)는 이를 보호하며 벽전하를 형성하는 절연층으로 기능하게 된다.
이와같은 구성에 의하면 저항이 낮고 도전성이 높은 금속와이어(W)가 전극이 되므로 그 직경이 작아도 무방하게 되어 이는 전면기판이나 배면기판의 어느 전극으로도 사용될 수 있게 되며, 또한 그 제조도 인쇄나 증착 등 복잡한 공정과 설비를 소요하지 않고도 단순히 전극체(1')의 배열만으로 이루어질 수 있어 극히 용이하게 된다.
한편 제4도에 도시된 실시예에서는 금속와이어(W) 대신 금속판(P) 또는 금속시이트에 유전체(D)를 피복한 구성의 전극체(1')가 사용된다.
이러한 금속판(P)으로된 전극체(1')는 각각 단독적으로 구성 및 배열되어 사용될 수도 있지만, 특히 제5도와 같은 방법으로 제조되는 것이 바람직하다.
제5(a)도에서 도전성금 속의 넓은 판(M)에 사진식각(photo etching) 등의 방법으로 격자형태가 되도록 소정간격으로 슬롯(slot; T)을 형성한다. 그러면 이 슬롯(T) 사이의 잔류부위가 제4도에서와 같은 금속판(P) 역할을 하게 된다.
슬롯(T)이 형성된 판(M)에 전술한 바와 같은 방법으로 유전체(D)를 도포하면 제5(b)도와 같이 금속판(P)에 유전체(D)가 피복된 전극체(1)가 소정간격으로 배열된 전극조립체(M')를 얻게 된다.
그러면 제5(c)도와 같이 미리 이 전극조립체(M')의 전극체(1) 간격으로 격벽(B)이 배열된 기판(S)의 격벽(B)사이로, 즉 각 슬롯(T)으로 격벽(B)이 통과하도록 이 전극조립체(M')의 각 전극체(1)를 진입시킨다.
다음 이를 소성시키면 제5(d)도와 같이 격벽(B) 사이에 유전체(D)로 피복된 전극체(1)가 결합되어 전극으로 사용될 수 있게 된다.
이러한 방법은 격벽(B) 및 전극이 스트라이프(stripe)형으로 배열되며, 조립상태에서 각 전극체(1)가 전극조립체(M')의 단부에서 서로 연결되어 있으므로 그대로 커먼(common)전극으로 사용될 수 있다.
한편 각 조립체(1)를 커먼전극이 아닌 독립적 전극으로 하기 위해서는 전극조립체(M')의 결합이 완료된 후 전극조립체(M')의 단부를 절단해내는 방법을 사용할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면 DC형 PDP에서만 사용할 수 있던 와이어 또는 시이트전극을 AC형 PDP에서도 사용할 수 있게 되어, 인쇄나 박막공정의 번거로움이 없이 저렴하게 고휘도의 AC형 PDP를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 기판상의 격벽으로 구획된 전극상에 유전층이 형성되는 교류형 플라즈마 표시소자에 있어서, 와이어나 시이트 또는 판상의 금속전극(W, P)에 유전체(D)를 피복한 전극체(1, 1', 1)를 상기 격벽(B)사이에 배열하는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극체(1, 1', 1)의 배열후 소성에 의해 상기 유전체(D)가 소결되어 상기 전극체(1, 1', 1)가 상기 기판(S)상에 부착되는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자.
  3. 도전성금속의 판에 소정간격의 격자상으로 슬롯을 형성하고, 슬롯이 형성된 상기 판에 유전체를 피복함으로써 전극조립체를 형성한 뒤, 기판상에 상기 슬롯의 간격으로 배열된 격벽 사이로 상기 전극조립체를 진입시켜 배열하고, 이를 소성시키는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 전극 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전극조립체가 커먼전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 전극 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 소성의 완료후 상기 전극조립체의 단부를 절단함으로써 독립된 복수의 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 전극 제조방법.
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