KR100204569B1 - 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100204569B1
KR100204569B1 KR1019960035935A KR19960035935A KR100204569B1 KR 100204569 B1 KR100204569 B1 KR 100204569B1 KR 1019960035935 A KR1019960035935 A KR 1019960035935A KR 19960035935 A KR19960035935 A KR 19960035935A KR 100204569 B1 KR100204569 B1 KR 100204569B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mirror layer
forming
upper mirror
emitting laser
photoresist pattern
Prior art date
Application number
KR1019960035935A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980016376A (ko
Inventor
추혜용
유병수
박효훈
Original Assignee
정선종
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정선종, 한국전자통신연구원 filed Critical 정선종
Priority to KR1019960035935A priority Critical patent/KR100204569B1/ko
Priority to US08/919,620 priority patent/US5888842A/en
Publication of KR19980016376A publication Critical patent/KR19980016376A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100204569B1 publication Critical patent/KR100204569B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18355—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a defined polarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/18352—Mesa with inclined sidewall
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H01S5/2086—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques lateral etch control, e.g. mask induced
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 편광을 제어할 수 있도록 공진기가 110 방향과

Description

편광 제어된 표면 방출 렝이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법
본발명은 표면 방출 레이저 어레이에 관한 것으로, 특히 공진층을 110과 110 방향으로 기울여 식각하고 표면 방출 레이저를 열 또는 행을 따라 교대로 배열함으로써 어레이를 형성하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
수직 공진형 표면 방출 레이저는 측면 방출형 레이저와는 달리 편광이 무질서하게 나타나는 특성이 있다. 이와 같은 편광 특성을 원하는 방향으로 제어할 수 있다면 광접속 또는 광교환등을 위한 광연결 효율을 높일 수 있을 분만 아니라 자기광 디스크(magneto-optics disk)와 같이 편광에 민감한 소자에 응용할 때 매우 효과적이다. 종래의 편광 제어 방법으로는 공진층을 비대칭형 단면으로 식각하는 방법과 표면에 미세 패턴을 형성하는 방법등이 보고되었다. 전자의 방법은 레이저 빔의 원형성이 깨어지며 후자의 방법은 전자 빔(E-beam) 리소그라피 공정과 같은 고난도의 기술을 도입해야 하므로 공정이 복잡한 단점이 있다. 무엇보다도 두 방법 모두 한 방향의 편광을 도출할 수 있지만, 수직한 두 방향의 편광 특성을 칩내에 제조할 수는 없었다.
수직한 방향의 편광 특성을 갖는 표면 방출 레이저를 한 칩내에 집적하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이는 고집적의 표면 방출 레이저 어레이의 제조시 이웃하는 레이저 빔들이 서로 다른 특성을 갖게 됨으로 이들 사이의 상호 작용을 최소화 할 수 있으며, 편광 특성에 민감한 소자에 응용을 용이하게 한다. 뿐만아니라 편광 특성에 따라 발진 빔의 진행 방향을 제어할 수 있으므로 광접속 및 광교환을 용이하게 한다.
따라서, 본 발명은 편광에 민감한 소자의 응용을 용이하게 하며, 편광에 따라 발진빔의 진행 방향을 제어할 수 있어 광접속 빛 광교환을 용이하게 하기 위해 표면 방출 레이저 어레이의 열 또는 행을 따라 110 또는방향으로 공진기를 기울여 식각한 표면 방출 레이저를 교대로 배열하여 제조하므로써또는 110 방향의 편광 특성을 갖는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조는 표면 방출 레이저의 거울층과 공진기를 110 방향으로 식각한 레이저들과방향으로 식각한 레이저들을 열 또는 행 방향으로 배열시켜 하나의 어레이내에서 레이저 빔이 110 방향과방향의 두가지 다른 편광을 발진시키도록 구성된 것을 특징으로 한다.
한편 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 편광 제어된 표면 방출 레이저의 제조 방법은 GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부에 무 반사막을 형성하는 단계와, 상기 무반사막의 가장자리의 선택된 영역을 식각하고 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택된 영역을 110 및방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 재거한 후 상기 상부 거울층 상부에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층을및 110 방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄화 하는 단계와, 전체 구조 상부의 선택된 영역에 p형 전극 패드를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 실시 예에 따른 편광 제어된 표면 방출 레이저의 제조 방법은 GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활설층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부의 선택된 영역에 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층 상부에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택될 영역을 110 및방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기술기로 식각하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 상부 거울층 상부에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층을및 110 방향중 어느 한 방향으로 5° 내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제가한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄화하는 단계와, 전체 구조 상부의 선택된 영역에 p형 전극 패드를 형성한 후 상기 전체 구조 상부의 가장자리에 링모양의 패턴을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
제1a도 내지 1e는 본 발명에 따른 4×4 하부 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도.
제2a도 내지 2e는 본 발명에 따른 4×4 상부 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도.
제3a도는 본 발명에 따른 4×4 하부 표면 방출 레이저 어레이의 평면도.
제3b도는 본 발명에 따른 4×4 상부 표면 방출 레이저 어레이의 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 갈륨비소 기판(GaAs substrate)
2 : 하부 거울층(bottom mirror layers)
3 : 활설층(active layers) 4 : 상부 거울층(top mirror layers)
5 : 무반사막(antireflection layer) 6 : n형 전극(n-type contacts)
7 : 제1 포토레지스트 패턴(first photoresist pattern)
8 : 제2 포토레지스트 패턴(second photoresist pattern)
9 : 폴리이미드 평탄화막(polyimide planarization layer)
10 : p형 전극 패드(p-type metal pads) 11 : 공진기(cavity)
본 발명에 따른 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 동작 원리는 다음과 같다. 공진기를 기울여 식각하게 되면 기울어진 방향과 그 방향에 수직인 방향에서 이득 및 손실이 달라지게 된다. 즉, 기울어진 방향에 수직으로 놓인 편광의 이득이 상대적으로 높고 손실은 적게 되어 이 방향의 편광을 갖는 레이저 빔이 지배적으로 방출된다. 따라서 공진기를 110 방향으로 기울일 때는방향의 편광 특성을 갖게 되며방향으로 기울일 때는 110 방향의 편광 특성을 갖게 되므로 기울이는 방향에 따라 원하는 편광 특성을 갖는 표면 방출 레이저를 제조할 수 있게 된다. 이와 같은 원리를 이용하여 110 방향과방향으로 기울어진 표면 방출 레이저를 열 또는 행을 따라 교대로 배열하여 제조함으로 두 방향의 편광 특성을 모두 갖는 표면 방출 레이저 어레이 제조가 가능하게 된다.
편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이는 하부 방출형과 상부 방출형의 두가지 유형으로 제조할 수 있으며, 각 유형에 대한 제조 방법은 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기도 한다.
제1a도 내지 1e는 본 발명에 따른 굴절 유도형 하부 방출 4×4 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도이다. 제1a도에 도시된 바와 같이 소자의 제조에 사용되는 수직 공진형 표면 방출 레이저의 기판은 GaAs 반도체 기판(1)위에 하부 거울층(2), 활성층(3), 상부거울층(4)이 성장되어 있다. 이때 하부 거울층(2) 및 상부 거울츠어(4)은 화합물 반도체 재료를 사용한다. GaAs 반도체 기판(1) 아래에는 무반사막(5)으로 SiO×./TiO×다층박막을 무반사 조건이 만족하도록 증착한 후 가장자리의 선택된 영역을 식각하고 n형 전극(6)을 증착한다.
제1b도에 도시된 바와 같이 상부 거울층(4) 상부에 제1 포토레지스트 패턴(7)을 형성한다. 제1 포토레지스트 패턴(7)을 마스크로하여 기판을또는 110 방향으로 5°∼45° 기울여 상부 거울층(4) 및 활성층(3)을 반응성 이온 식각 방법 또는 반응성 이온빔 식각 방법으로 식각한다.
제1c도에 도시된 바와 같이 제1포토레지스트 패턴(7)을 제거한 후 상부 거울층(4) 상부에 제2포토레지스트 패턴(8)을 형성한다. 제2포토레지스트 패턴(8)을 마스크로하여 표면 방출 레이저 어레이 사이사이를 앞서 식각한 방향에 수직한 방향, 즉 110 또는방향으로 5°~45° 기울여 상부 거출층(4) 및 활성층(3)을 반응성 이온 식각 방법 또는 반응성 이온빔 식각 방법으로 식각한다.
제1d도는 제2 포토레지스트 패턴(8)을 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드(polyimide)(9)를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄하게 만든 단면도이다.
제1e도는 공진기(11) 주위의 선택된 영역에 p형 전극(10)을 형성하여 소자의 제조를 완료한 단면도이다. 이때, p형 전극(10)은 공진기(11)의 상부가 막히도록 형성한다.
제2a도 내지 제2e도는 본 발명에 따른 굴절 유도형 상부 방출 4×4표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법을 설명하기 위해 순서적으로 도시한 소자의 단면도이다. 제2A도에 도시된 바와 같이 소자의 제조에 사용되는 수직 공진형 표면 방출 레이저의 기판은 GaAs 반도체 기판(1)위에 하부 거울층(2), 활성층(3), 상부 거울층(4)이 성장되어 있다. 이때 하부 거울층(2) 및 상부 거울층(4)은 화합물 반도체 재료를 사용한다. GaAs반도체 기판(1) 하부의 가장자리의 선택된 영역을 식각하고 n형 전극(6)을 증착한다. 설명된 바와 같이 하부 방출형 표면 방출 레이저 어레이와 다른점은 레이저 빔이 기판의 상부로 방출되므로 제1a도에서와 같이 기판의 뒷면에 무반사막을 증착하는 공정은 하지 않는다.
제2b도는 상부 거울층(4) 상부에 제1 포토레지스트 패턴(7) 형성하고 이를 마스크로하여 기판을또는 110 방향으로 5°∼45° 기울여 상부 거울층(4) 및 활성층(3)을 반응성 이온 식각 방법 또는 반응성 이온빔 식각방법으로 식각한 단면도이다.
도2c에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(7)을 제거한 후 상부 거울층(4) 상부에 제2 포토레지스트 패턴(8)을 형성한다. 제2 포토레지스트 패턴(8)을 마스크로하여 표면 방출 레이저 어레이 사이사이를 앞서 식각한 방향에 수직한 방향, 즉110 또는 110 방향으로 5°∼45° 기울여 상부 거울층(4) 및 활성층(3)을 반응성 이온 식각 방법 또는 반응성 이온빔 식각 방법으로 식각한다.
제2d도는 제2 포토레지스트 패턴(8)을 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드(polyimide)(9)를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄하게 만든 단면도이다.
제2e도는 표면 방출 레이저 표면의 가장자리에 링 모양의 패턴을 형성하여 p형 전극 패드(10)의 형성시 레이저 빔이 표면으로 방출될 수 있도록 한 단면도이다. 즉, p형 전극 패드(10)를 공진기(11)의 가장자리에만 존재하도록 형성한다.
제3a도는 편광 제어된 하부 방출형 4×4 표면 방출 레이저 어레이의 평면도로서, 4×4, 4×4 어레이의 각 공진기(11)가 열방향으로 하부로 기울어져 형성된 모습과 우측으로 기울어져 형성된 모습이 교대로 도시된 것으로 중앙부의 작은 원이 각각의 공진기(11)를 나타내고 그 상부가 막혀있는 모습을 도시한 것이다. 이와 같은 구조는 공진층을 110 방향으로 식각한 행 혹은 열은방향의 편광 특성을 나타낸다.
제3b도는 편광 제어된 상부 방출형 4×4 표면 방출 레이저 어레이의 평면도로서, 4×4 어레이의 각 공진기(11)가 열방향으로 좌측으로 기울어져 형성된 모습과 상부로 기울어져 형성된 모습이 교대로 도시된 것으로 중앙부의 작은 원이 각각의 공진기를 나타내고 그 상부가 열려있는 모습을 도시한 것이다. 이와 같은 구조는 곤진층을 110 방향으로 식각한 행 혹은 열은방향의 편광 특성을 나타낸다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 고집적된 표면 방출 레이저 어레이의 제조에서 이웃하는 레이저 빔들 사이의 상호 작용을 최소화할 수 있으며, 편광 특성에 따라 레이저 빔의 진행 방향을 제어할 수 있어 광접속 및 광교환 등이 용이하게 될 뿐만 아니라 자기광 디스크(magneto-optics disk)와 같이 편광에 민감한 소자에 응용할 때 매우 효과적으로 작용할 수 있는 탁월한 효과가 있다.

Claims (9)

  1. GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부에 무반사막을 형성하는 단계와, 상기 무반사막의 가장자리의 선택된 영역을 식각하고, n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택된 영역을 110 및방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 상부 거울층 상부에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층을및 110 방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기술이로 식각하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄화 하는 단계와, 전체 구조 상부의 선택된 영역에 p형 전극 패드를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 거울층 및 활성층은 반응성 이온 식각 방법 및 반응성 이온빔 식각 방법중 어느 한 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 편관 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 p형 패드는 공진기의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조방법.
  4. GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부의 선택된 영역에 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층 상부에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택된 영역을 110 및방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 상부 거울층 상부에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로하여상부 거울층 및 활성층을및 110 방향중 어느 한 방향으로 5°내지 45°의 기울기로 식각하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거한 후 전체 구조 상부에 폴리이미드를 도포하고 표면 방출 레이저의 상부 표면만을 노출시켜 표면을 평탄화 하는 단계와, 전체 구조 상부의 선택된 영역에 p형 전극 패드를 형성한 후 상기 전체 구조 상부의 가장자리에 링모양의 패턴을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 상부 거울층 및 활성층은 반응성 이온 식각 방법 및 반응성 이온빔 식각 방법중 어느 한 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 p형 패드는 공진기 상부로 레이저 빔이 방출 될 수 있도록 공진기의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법.
  7. 표면 방출 레이저의 거울층과 공진기를 110 방향으로 식각한 레이저들과방향으로 식각한 레이저들을 열 또는 행 방향으로 배열시켜 하나의 어레이내에서 레이저 빔이 110방향과방향의 두가지 다른 편광을 발진시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조.
  8. 제7항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 뒷면으로 방출시키는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조.
  9. 제7항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 상부 표면으로 방출시키는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의구조.
KR1019960035935A 1996-08-28 1996-08-28 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법 KR100204569B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960035935A KR100204569B1 (ko) 1996-08-28 1996-08-28 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법
US08/919,620 US5888842A (en) 1996-08-28 1997-08-28 Method of manufacturing polarization-controlled surface emitting laser array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960035935A KR100204569B1 (ko) 1996-08-28 1996-08-28 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980016376A KR19980016376A (ko) 1998-05-25
KR100204569B1 true KR100204569B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19471067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960035935A KR100204569B1 (ko) 1996-08-28 1996-08-28 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5888842A (ko)
KR (1) KR100204569B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006005860A1 (de) * 2006-02-09 2007-08-30 Bayer Innovation Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polarisationshologrammen
US11283240B2 (en) * 2018-01-09 2022-03-22 Oepic Semiconductors, Inc. Pillar confined backside emitting VCSEL
US11233377B2 (en) * 2018-01-26 2022-01-25 Oepic Semiconductors Inc. Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application
US11398715B2 (en) * 2018-02-26 2022-07-26 Panasonic Holdings Corporation Semiconductor light emitting device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0178492B1 (ko) * 1995-12-21 1999-04-15 양승택 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980016376A (ko) 1998-05-25
US5888842A (en) 1999-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0178492B1 (ko) 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법
EP0858137B1 (en) Surface emitting laser device and its method of manufacture
JP4275948B2 (ja) Ｖｃｓｅｌにおける横断バンドギャップ構造を使用するモードの制御
US5185290A (en) Method of coating facet of semiconductor optical element
KR940022722A (ko) 전자 소자 제조방법
JP3791584B2 (ja) 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
JPH077222A (ja) 大面積偏向ミラーを備えた表面放射レーザおよびその製造方法
CN101336381B (zh) 利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法
KR100273134B1 (ko) 단일모드표면방출레이저및그제조방법
KR100204569B1 (ko) 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법
US6548319B2 (en) Method for manufacturing semiconductor laser diode
US7825399B2 (en) Optical device and method of fabricating an optical device
JP4969066B2 (ja) 面発光型半導体レーザアレイ
JP2001028456A (ja) 半導体発光素子
JP2002214404A (ja) Ａｌを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法
KR100427581B1 (ko) 반도체 광소자의 제조방법
KR100319752B1 (ko) 편광조절 표면방출 레이저소자 및 그 제조방법
JP4250258B2 (ja) 半導体近接場光源、及びその製造方法
JPH0951147A (ja) 半導体レーザ装置
JP4677825B2 (ja) 面発光型半導体素子の製造方法及び面発光型半導体素子
EP1304780B1 (en) A widely tunable semiconductor laser with a grating structure
EP1564855B1 (en) Surface emitting laser devices and method of manufacture
JPH07297497A (ja) 半導体レ−ザ装置及びその製造方法
JPH0697578A (ja) 半導体レーザアレイ
JP3342881B2 (ja) 回折格子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090303

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee