KR100203566B1

KR100203566B1 - 광파이버용 모재 및 광파이버의 제조방법

Info

Publication number: KR100203566B1
Application number: KR1019950705901A
Authority: KR
Inventors: 준 테라다; 히데아키 치바; 미투히로 카와사키; 타다시 타카하시
Original assignee: 푸루카와덴끼고교가부시끼가이샤
Priority date: 1994-04-25
Filing date: 1995-04-25
Publication date: 1999-06-15
Also published as: CN1128528A; WO1995029132A1; KR960703391A; US5666454A; CN1048231C; BR9506216A

Abstract

싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 싱글 모드 광파이버 모재를 제조한다. 이 때, 광파이버용 모재를 선인하여 얻어지는 광파이버에서 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 파장 1.55㎛의 광을 통과한 직경의 모드 필드 직경의 1.9배 이상으로 되도록 하였다. 그 결과 구조 흠결의 영향이 적은 광파이버를 얻는 것이 가능한 싱글 모드 광파이버용 유리 모재가 제조될 수 있다.

Description

[발명의 명칭]

광파이버용 모재 및 광파이버의 제조방법

[기술분야]

본 발명은, 분산 쉬프트 싱글 모드(DSF) 광파이버 및 싱글 모드 광파이버 등의 광파이버에 관한 것으로, 보다 특정적으로는 소망의 특성을 갖는 DSF광파이버 또는 싱글 모드 광파이버로 될 수 있도록 그들의 광파이버용 코어로드를 제조하는 방법에 관한 것이다.

[배경기술]

먼저 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버에 대해 설명한다.

통상 사용되고 있는 외경 125㎛의 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버(이하, 간단히 분산 쉬프트 광파이버 또는 DSF광파이버라 한다)는, 그 중심에 주위보다도 굴절율이 높은 코아 부분을 갖고 있다. 이 DSF광파이버의 구조를 광의 강도 분포라는 관점에서 보면, 광의 강도는 DSF광파이버의 중심이 가장 크고, 중심에서 이격되어 외주로 근접함에 따라 광의 강도는 적어지고, 그 강도의 변화는, 산기슭을 당긴 것과 분포로 되어 있다. 통상, 이와 같은 경우에는, DSF광파이버의 중심부를 모드 필드 부분으로 칭하고, 그 직경을 모드 필드경이라 칭하고 있다. 또, 모드 필드경은 몇몇 조건에 의해 약간 차이가 있으나 전반(傳搬)하는 광파장이 1.55㎛일 때는, 약 8㎛의 모드 필드경을 갖는 DSF광파이버의 구조가 일반적이다.

상술한 바와 같은 구조를 갖는 DSF광파이버용 유리모재(preform)의 제조는 이하와 같이하여 행해진다. (a) 먼저, 적어도 금속 도판트가 존재하는 코어부를 포함하는 DSF광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 VAD법 등에 의해 합성한다(현재로는 코어부와 함께 클래드부의 일부를 합성하는 것이 많으나, 이하 이 클래드부의 일부도 포함하여 DSF광파이버용 코어로드라 한다). (b) 이어서, 다공질 유리체를 탈수·소결하여 DSF광파이버용 코어로드를 형성한다. (c) 또 DSF광파이버용 코어로드를 타켓로드로 하고, 그 외주에 외부법(OVD법) 등에 의해 클래드층에 상당하는 소망 두께의 다공질 유리층을 형성한 후, (d) 그 다공질 유리층을 탈수·유리화하여 DSF광파이버용 모재를 얻는다. (e) 그 후 그 DSF광파이버용 모재를 가열하여 선인(線引)하는 것에 의해 소망의 큰 DSF광파이버를 얻는다.

최근에는 여러 가지 기술의 진보에 의해, 대형의 DSF광파이버용 유리 모재를 얻는 것이 가능해졌다. 이 경우에는, 상술한 제조공정중 후자의 외부법에 의해 다공질 유리층의 제조공정 및 다공질 유리층의 탈수·유리공정이 반복되는 것에 의해, 대형의 DSF광파이버용 모재를 제조하는 것이 많다.

상술한 종래의 대형 DSF광파이버의 제조방법은 전송 특성을 제어하기 쉽다라는 특징이 있고 현재 이들에 대신한 유력한 제조방법은 발견되고 있지 않다.

그렇지만 상술한 제조방법에서는, 1개의 유리모재의 제조공정이 VAD법과 외부법의 적어도 2개의 다른 제조공정으로 이루어진다. 이 때문에 다른 공정에서 제조된 유리의 경계면이 존재하고, 상기 경계면에서 유리의 구조 흠결이 발생하기 쉽다는 것을 알게 되었다. 또 유리는 불순물의 함유율에 의해 점성이 다르다. 통상 외부법 등으로 형성된 코어로드부의 외주에 존재하는 유리의 순도는, 코어로드부의 순도에 비교하여 낮는 경향이 있다. 또 코오로드에서는 굴절률 분포를 제어하기 위하여 직경 방향의 금속 도판트의 농도는 일정하지 않다. 이 때문에 분산 쉬프트 광파이버의 유리의 점성은 일정하지 않다.

상술한 유리의 구조 흠결은 DSF광파이버에 대하여 다음과 같은 영향을 준다. 예를 들면, 종래의 방법에 의하여 제조된 DSF광파이버를, 수소 분위기중에 장시간 방치하면, 수소가 DSF광파이버내로 확산한다. 이어서 확산한 수소는 유리의 구조 흠결에 얽혀, Si-H결합을 형성하여 버린다. 상기 Si-H결합은 DSF광파이버를 전반(傳搬)하는 광중, 파장 1.52㎛의 광을 흡수하여 손실을 주고 소위, 수소로스 증가를 일으키고, 전송 손실이 크게 된다.

또 수소는 대기중에도 존재하는 것이어서, DSF광파이버에 이와 같은 경향이 있으면 대기중에 DSF광파이버를 방치한 경우에도 DSF광파이버에 어떤 영향을 주는 것이 명확해진다. 이와 같은 배경에서, 다른 제조공정에서 형성된 유리의 경계면에서 구조 흠결의 영향이 적은 DSF광파이버가 요구되고 있다.

또 DSF광파이버 모재에서는, 외부법으로 형성된 유리의 순도는 코어로드부에 비하여 낮다. 또 코어로드 내에서는 직경 방향의 굴절율 분포에 대응하여 금속 도판트의 농도는 일정하지 않다. 특히 코어로드의 외층부에 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드 층을 코어부와 동시에 형성한 경우에는, 광파이버의 중심에서, 순도가 높은 금속 도판트를 포함하는 층, 순도가 높고 금속도판트를 포함하지 않는 층, 순도가 낮고 실질적으로 금속 도판트를 포함하지 않는 층이 동심원상의 3개의 부분일 수도 있다. 금속 도판트나 불순물을 포함하는 유리는 이들을 포함하지 않는 유리에 비하여 점성이 낮기 때문에, DSF광파이버의 구조에 대응하여 점성이 낮은 부분, 높은 부분, 낮은 부분의 3개의 동심원 구조로 이루어진다.

이와 같은 점성 분포의 DSF광파이버의 모재를 선인하면, 점성이 높은 부분으로 인장하여 주름살이 가해진다. 이 때문에, 선인 후 DSF광파이버에 굴곡이 남아 DSF광파이버의 강도가 대폭 저하되는 것이 있다.

이어서 종래의 싱글 모드 광파이버에 대해서 서술한다.

통상 사용되고 있는 125㎛의 싱글 모드형 광파이버는, 중심에 직경 약 10㎛의 코어와 그의 외주에 형성된 직경 125㎛의 클래드를 갖고 있다. 싱글 모드 광파이버 중심 코어의 굴절율은, 그 주위의 클래드보다도 굴절율이 높다. 이 싱글 모드 광파이버의 구조를 광의 강도 분포라는 관점에서 보면, 광의 강도는 광파이버 중심(코어)이 가장 크고, 중심에서 이격되어 외주로 근접함에 따라 강도는 적어지고, 즉 산기슭을 당긴 것과 같은 분포로 되어 있다. 통상 이와 같은 경우에는, 싱글 모드 광파이버의 중심 부분을 모드 필드 부분, 그 직경을 모드 필드경이라 칭하고 있다. 또 상기 모드 필드경은 몇몇 조건에 의해 약간 차이가 있으나, 전반하는 광의 파장이 1.55㎛일 때는 약 9∼11㎛의 모드 필드경을 갖는 싱글 모드 광파이버의 구조가 일반적이다.

상술한 바와 같은 구조를 갖는 싱글 모드 광파이버용 유리 모재의 제조는 이하와 같이하여 행해진다. (1) 먼저 적어도 코어부를 포함하는 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 VAD법 등에 의해 합성한다(현재로는 코어부와 함께 클래드부의 일부를 합성하는 것이 많으나, 이하 이 클래드부의 일부도 포함하여 광파이버용 코어로드로 한다). (2) 이어서, 상기 다공질 유리체를 탈수·소결하여 광파이버용 코어로드로 한다. (3) 또 상기 광파이버용 코어로드를 타겟로드로 하고, (4) 그 외주에 외부법 등에 의하여 클래드층에 상당하는 소망의 두께의 다공질 유리층을 형성한 후 (5) 상기 다공질 유리층을 탈수·유리화하여 광파이버용 모재를 얻는다.

근년에는 여러 가지 기술의 진보에 의해, 대형의 광파이버용 유리 모재를 얻는 것이 가능해졌다. 이 경우에는 상술한 제조공정 중, 후자의 외부법 등에 의한 다공질 유리층의 제조공정 및 상기 다공질 유리층의 탈수·유리화 공정이 반복되는 것에 의하여, 대형의 광파이버용 모재를 제조하는 것이 많다.

상술한 종래의 대형 광파이버용 모재의 제조방법은 중심부분의 굴절율 분포를 제어하기 쉽다라는 특징이 있고, 현재 이것에 대신하는 제조방법은 나타나지 않고 있다.

그렇지만 상술한 제조방법에는, 1개의 모재의 제조공정이 VAD법과 외부법의 적어도 2개의 다른 제조공정으로 이루어진다. 이 때문에 다른 공정으로 제조된 유리의 경계면이 존재하고, 상기 경계면에서 유리의 구조 흠결이 발생하기 쉽다고 판단되고 있다.

상술한 유리의 구조 흠결은 광파이버에 대하여 다음과 같은 영향을 준다. 예를 들면, 종래의 방법으로 제조한 광파이버용 모재를 선인하여 얻은 싱글 모드 광파이버를, 수소 분위기중에 장시간 방치하면, 수소가 광파이버내로 확산한다. 이어서 확산된 수소는 유리의 구조 흠결 부분에 들어가 Si-H결합을 형성해 버린다. 상기 Si-H결합은 광파이버중을 전반하는 광중, 파장 1.52㎛의 광을 흡수하는, 소위 수소 로스 증가를 일으켜 전송 손실이 크게 된다.

또 수소는 대기중에도 존재하는 것이기 때문에, 광파이버에 이와 같은 경향이 있으면 대기중에 싱글 모드 광파이버를 방치한 경우에도 싱글 모드 광파이버에 어떤 영향을 주는 것이 명확해지고 있다.

[발명의 개시]

이와 같은 배경으로, 다른 제조공정으로 형성된 유리의 경계면에서 구조 흠결의 영향이 적은 광파이버를 얻는 것이 가능한 광파이버용 모재의 제조방법을 발견하는 것이 필요로 되고 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 구조 흠결의 영향이 적고 또 강도가 높은 분산 쉬프트 광파이버(DSF광파이버)용 유리모재를 제공하고, 또 그로부터 DSF광파이버를 제공하는 것에 있다.

또 본 발명의 목적은, 구조 흠결의 영향이 적고 강도가 높은 싱글 모드 광파이버용 유리 모재를 제공하고, 또 싱글 모드 광파이버를 제공하는 것에 있다.

[분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버]

본 발명에 의하면, (1) 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버(DSF광파이버)용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로하고, (2) DSF광파이버용 코어로드의 주위에 소망치의 외경으로 이루어질 수 있도록 실질적으로 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층을 퇴적시킨 후에, (3) 탈수·유리화하여 석영계 유리 광파이버 모재를 제조하고, (4) 이를 가열 선인하는 것으로 얻어지는 DSF광파이버에 있어서, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이고, 또 상기 코어로드의 외층부에 존재하는 클래드층의 두께가 직경 125㎛의 파이버에 대하여 0∼6㎛의 범위인 것을 특징으로 한다.

먼저, 구조 흠결에 의한 수소로스 증가에 대해서 서술한다. DSF광파이버내를 전반하는 광의 광파이버경 방향에서 강도 분포는, 중심이 가장 크고, 외주로 향함에 따라 그 강도가 거슭을 당긴 것과 같은 형상으로 되어 있다. 그래서 강을 전반하는 부분에 광을 흡수하는 요인이 있으면, 그 부분에 광이 흡수되어 강도가 감소하고, 전송 손실의 증가를 초래한다. 그렇지만 광의 강도가 광파이버의 직경 방향에 대하여 균일하지 않기 때문에, 광의 흡수에 의해 감소하는 강도는 광파이버의 직경 방향으로 상이하다. 구체적으로는, 상기 강도 분포의 기슭 부분에 광을 흡수하는 요인이 있는 경우에는 광의 강도 전체에 대한 영향은 적으나, 흡수하는 요인이 중심 부분에 근접해짐에 따라, 흡수되는 광의 양이 많아지고, 광의 강도 전체가 감소하는 것을 알게 되었다.

이 이론을 종래의 분산 쉬프트 광파이버에 응용하면, 광을 흡수하는 요인이 Si-H결합을 형성하는 원인인 유리의 구조 흠결을, 광이 전반되는 부분, 즉 모드 필드 부분에서 이격되면 이격된 만큼 흡수되는 광의 강도는 적어지게 되고, 어느 한도를 초과하면 그 영향은 무시할 수 있도록 된다라고 말할 수 있다. 구체적으로는, 다른 제조공정의 경계면이, 모드 필드 부분에서 어느 정도 이격되면 좋은 것이 된다. 그래서, 발명자들은 이를 실증할 수 있는 실험을 행하고, 상기 경계면을 어떤 위치 모드 필드 부분에서 이격되면 좋은가를 분산쉬프트 광파이버에서 상기 경계면의 직경을 모드 필드경으로 나눈 값(이하, 간단히 「경계면경/모드 필드경」이라 한다)으로서 나타내는 것에 성공하였다.

그렇지만 코어로드의 외주부에 존재하는 클래드층의 두께를 두껍게하여 경계면경/모드 필드경을 크게한 경우에는, 상술한 바와 같이 금속 도판트를 포함하지 않는 순도가 높은 유리층의 두께가 크게 된다. 이 때문에 선인후에 인장해 굴곡이 남는 부분이 크게 되어 강도가 저하한다. 이를 막기 위해서는, 실용상 문제가 없는 강도로 되도록 코어로드 외주의 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층의 두께를 제한하여 주면 좋다.

그래서, 발명자들은 더욱 실험을 행하여 코어로드 외주의 금속도판트를 포함하지 않는 클래드 층의 두께의 한계치를 발견하였다.

[싱글 모드 광파이버]

본 발명은 싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로하고, 상기 광파이버용 코어로드의 주위에 소망치의 외경으로 되도록 클래드층을 퇴적시킨 후에, 탈수·유리화하여 싱글 모드 광파이버 모재를 제조하는 방법에 있어서, 상기 싱글 모드 광파이버용 모재를 선인하여 얻은 싱글 모드 광파이버 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상인 것을 특징으로 한다.

싱글 모드 광파이버내를 전반하는 광의 광파이버경 방향에서 강도 분포는, 중심이 가장 크고, 외주로 향함에 따라 그 강도가 기슭을 당긴 것과 같은 형으로 되어 있다. 그래서 광을 전반하는 부분에 광을 흡수하는 요인이 있으면, 그 부분에서 광이 흡수되어 강도가 감소하고, 전송손실의 증가를 초래한다. 그렇지만, 광의 강도가 광파이버의 경방향에 대하여 균일하지 않기 때문에, 강의 흡수에 의해 감소하는 강도는 광파이버의 경방향에서 다르다. 구체적으로는, 상기강도분포의 기슭 부분에 광을 흡수하는 요인이 있었던 경우에는 광의 강도 전체에 대한 영향은 적으나, 흡수하는 요인이 중심 부분에 가까워지는 것에 따라, 흡수되는 광의 양이 많아져, 광의 강도 전체가 감소하는 것을 알 수 있었다.

이 이론을 종래의 광파이버에 응용하면, 광을 흡수하는 요인이 Si-H결합을 형성하는 원인인 유리의 구조 흠결을, 광이 전반하는 부분, 즉 모드 필드 부분에서 이격되면 떨어진 만큼 흡수되는 광의 강도는 적어지게 되고, 어느 한도를 초과하면 그 영향은 무시할 수 있는 것으로 된다 라고 말할 수 있다. 구체적으로는, 다른 제조공정의 경계면이, 모드 필드 부분에서 어느 정도 떨어지며 좋은 것이 된다. 그래서, 발명자들은 이를 실증할 수 있는 실험을행하고, 상기 경계면을 어떤 위치 모드 필드 부분에서 떨어지면 좋은가를 광파이버에서 상기 경계면의 직경을 모드 필드 경으로 나눈 값(이하, 간단히 「경계면경/모드 필드경」이라 한다)으로서 나타내는 것에 성공하였다.

[도면의 간단한 설명]

제1도는 본 발명의 광파이버의 단면 특성도이다.

제2도는 본 발명의 제일 실시예로서의 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버에서의 실시예에서 행한 경계면경/모드 필드경과 파장 1.52㎛에서 광흡수 크기의 실험 결과를 나타내는 그래프이다.

제3도는 본 발명의 제일 실시예로서의 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버에서의 실시예에서 행한 코어로드 외주의 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층의 두께와 파이버 파단율의 관계를 나타내는 그래프이다.

제4도는 본 발명의 제이 실시예로서 싱글 모드 광파이버에 대해 행한 실험 결과를 나타내는 그래프이다.

[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]

[제일 실시예 : 분산 싱글 모드 광파이버]

이하, 본 발명의 광파이버의 제일 실시예로서, 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버(DSF 광파이버)에서의 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

본 발명의 DSF 광파이버를 찾아낸 실험은 이하와 같이하여 행하였다. (1) 먼저, 적어도 소위 코어부를 포함하는 DSF 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를, 예를 들면 VAD법에 의해 합성한다(현재로는 코어부와 함께 클래드부의 일부를 합성하는 것이 많다). 또 VAD법에 한하지 않고, 외부법에 의해 다공질 유리체를 합성할 수도 있다. 이하 실시예에서는, VAD법에 의한 예를 나타낸다. (2) 이 다공질 유리체를 탈수·소결하여 코어로드로 한다. (3) 이 코어로드를 타켓로드로 하고, 그 주위에 외부법에 의해 클래드층에 상당하는 다공질 유리층을 형성하고, (4) 그 후 이 다공질 유리층을 탈수·유리화하여 DSF 광파이버용 유리 모재를 얻고, (5) 그후 잘 알려진 통상의 방법에 의해 가열 선인하여 DSF 광파이버를 얻는다.

이 광파이버의 구조와 특성을 제1도에 도시한다.

이 때 DSF 광파이버용 코어로드가 후의 공정에서 DSF 광파이버로 될 때에 상당하는 외경을 모드 필드경으로 나눈 값(경계면경/모드 필드경)을 서서히 변화시켜 광파이어용 코어로드를 제조하였다.

이어서, 얻어진 광파이버를 상온, 1기압의 수소 분위기중에 8시간 방치하고, 또 상온 대기압 중에 48시간 방치하고, 파장 1.52㎛에서 광의 흡수 크기, 즉 수소로스 증가의 크기를 측정하였다. 그 결과를 제2도에 도시하였다. 또 제2도에서 횡축은 경계면경/모드 필드경, 종축은 수소로스 증가의 크기를 나타낸다.

제1도 및 제2도로부터, 경계면경/모드 필드경의 크기가 1.9이상이면 파장 1.52㎛에서 광의 흡수는 무시될 수 있는 것으로 판단할 수 있다. 또 상기 경계면경/모드 필드경의 값이 2.1이상으로 한 경우에는, 전혀 광흡수는 검출되지 않았다. 그러므로 상기 경계면경/모드 필드경의 값이 2.1이상의 경우에는 광흡수의 영향은 무시될 수 있다라고 생각된다.

또 이때 실험에 사용한 파이버의 전장에 걸쳐 0.5%의 신장을 1초간 가한 때의 파단율을 측정하였다. 제3도에는 파이버의 코어로드 외주의 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층의 두께와 파단율과의 관계를 나타낸다. 그 결과에서 코어로드 외주의 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층의 두께에 파단율은 의존하는 경향이 있는 것으로 생각된다. 특히 상기 클래드 층의 두께가 6㎛를 초과하면 급격하게 파단율이 증가한다. 이 때문에 강도가 높은 파이버를 얻기 위해서는 상기 클래드층의 두께를 6㎛이하로 하는 것이 필요하다고 생각된다.

이상에서와 같이, 본 발명의 DSF 광파이버용 모재 및 DSF 광파이버의 제조방법에 의하면, 구조 흠결의 영향이 적어 수소로스 증가를 발생시키지 않고, 또 강도가 높은 DSF 광파이버가 제공된다.

[제이 실시예 : 싱글 모드 광파이버]

이하 본 발명의 광파이버의 제이 실시예로서, 싱글 모드 광파이버에 대해서 제1도 및 제4도를 참조하여 상세하게 설명한다.

본 발명의 싱글 모드 광파이버를 발견한 실험은, 이하와 같이하여 행하였다. 먼저 적어도 소위 코어부를 포함하는 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를, 예를 들면, VAD법에 의해 합성한다(현재에는 코어부와 함께 클래드부의 일부를 합성하는 것이 많다). 또 VAD법에 한하지 않고, 외부법에 의해 다공질 유리체를 합성할 수도 있으나, 이하의 실시예에서는 VAD법에 의한 경우를 나타낸다. 그 다공질 유리질체를 탈수·소결하여 코어로드로 한다. 이어서 그 코어로드를 타겟 로드로 하고, 그 주위에 외부법에 의하여 클래드층에 상당하는 다공질 유리층을 형성한 후, 그 다공질 유리층을 탈수·유리화하여 광파이버용 유리 모재를 얻고, 그 후, 공지의 통상의 방법에 의해 가열 선인하여 싱글 모드 광파이버를 얻었다.

이때, 제일 실시예와 동일하게, 광파이버용 코어로드가 후의 공정에서 광파이버로 된 때에 상당하는 외경을 모드 필드경으로 나눈 값(경계면경/모드 필드경)을 서서히 변화시켜, 광파이버용 코어로드를 제조하였다.

이어서, 얻어진 광파이버를 상온, 1기압의 수소 분위기중에 8시간 방치하고, 또 상온 대기압 중에 48시간 방치하고, 파장 1.52㎛에서 광의 흡수 크기, 즉 수소로스 증가의 크기를 측정하였다. 그 결과를 제4도에 도시하였다. 또 제4도에서 횡축은 경계면경/모드 필드경, 종축은 수소로스 증가의 크기를 나타낸다.

제4도에서, 경계면경/모드 필드경의 값이 1.9이상이면 파장 1.52㎛에서 광의 흡수는 무시될 수 있는 것으로 생각된다. 또 상기 경계면경/모드 필드경의 값이 2.1이상으로 한 경우에는, 전혀 광흡수는 검출되지 않았다. 또 상기 경계면경/모드 필드경의 크기가 2.1이상의 경우에는 광흡수의 영향을 전혀 무시할 수 있다라고 생각된다.

본 발명에 의하면, 구조 흠결의 영향이 적고 강도가 높은 싱글모드 광파이버를 얻은 것이 가능한 싱글 로드 광파이버용 유리 모재를 제공할 수 있고, 또 그 모재에서 소망의 싱글 모드 광파이버가 제공된다.

[산업상의 이용 가능성]

본 발명의 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버 및 싱글모드 광파이버는 각종 광통신, 측정 등에 이용된다.

Claims

분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로 하고, 상기 광파이버용 코어로드의 주위에 소망치의 외경으로 되도록, 실질적으로 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층을 퇴적시킨 후에, 탈수·유리화하여 석영계 유리 광파이버 모재를 제조하는 방법에 있어서, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 상기 광파이버 모재를 가공하여 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버로 형성하고, 이 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이고, 또 상기 코어로드의 외층부에 존재하고, 실질적으로 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층의 두께가 직경 125㎛의 광파이버에 대하여 0∼6㎛의 범위에 있도록 광파이버 모재를 제조하는, 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버용 모재의 제조방법.
제1항 기재의 광파이버 모재를 선인하여 이 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이 모드 필드경의 1.9배 이상이고, 또 상기 코어로드의 외층부에 존재하는 클래드층의 두께가 직경 125㎛의 광파이버에 대하여 0∼6㎛의 범위에 있는 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버를 제조하는 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버 제조방법.
분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로 하고, 상기 광파이버용 코어로드의 주위에 소망치의 외경으로 되도록, 실질적으로 금속 도판트를 포함하지 않는 클래드층을 퇴적시킨 후에, 탈수·유리화하여 석영 유리계 광파이버 모재를 제조하고, 또 상기 광파이버 모재를 선인하여 제조되는 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버에 있어서, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 상기 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이고, 또 상기 코어로드의 외층부에 존재하는 클래드층의 두께가 직경 125㎛의 광파이버에 대하여 0∼6㎛의 범위에 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버.
광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이고, 또 코어로드의 외층부에 존재하는 클래드층의 두께가 직경 125㎛의 광파이버에 대하여 0∼6㎛의 범위에 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 분산 쉬프트 싱글 모드 광파이버.
싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로 하고, 상기 광파이버용 코오러드의 주위에 소망치의 외경으로 되도록 클래드층을 퇴적시킨 후에, 탈수·유지화하여 싱글 모드 광파이버 모재를 제조하는 방법에 있어서, 상기 싱글 모드 광파이버용 모재를 선인하여 얻어지는 싱글 모드 광파이버의 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 선인하여 제조된 싱글 모드 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송하는 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이 되도록, 상기 광파이버용 모재를 제조하는 것을 특징으로 하는 싱글 모드 광파이버용 모재 제조방법.
제5항 기재의 광파이버 모재를 선인하여 이 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송하는 때에, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이 모드 필드경의 1.9배 이상이 되도록, 상기 광파이버용 모재를 선인한 싱글모드 광파이버를 제조하는 싱글 모드 광파이버 제조방법.
싱글 모드 광파이버용 코어로드의 다공질 유리체를 탈수·유리화하여 광파이버용 코어로드로 하고, 상기 광파이버용 코어로드의 주위에 소망치의 외경으로 되도록 클래드층을 퇴적시킨 후에, 탈수·유리화하여 싱글 모드 광파이버 모재를 제조하고, 또 선인하여 제조되는 싱글 모드 광파이버에 있어서, 상기 광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 상기 싱글 모드 광파이버에 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 싱글 모드 광파이버.
광파이버용 코어로드에 상당하는 부분의 직경이, 파장 1.55㎛의 광을 전송한 때에, 모드 필드경의 1.9배 이상이 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 싱글 모드 광파이버.
제7항에 있어서, 탈수·유리화한 상기 싱글 모드 광파이버 모재가 석영계 유리 광파이버 모재인 싱글 모드 광파이버.