KR100193949B1 - 반도체복합소자 및 그 소자를 사용한 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법 - Google Patents

반도체복합소자 및 그 소자를 사용한 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법 Download PDF

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다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
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Abstract

과전류, 제어공급전압감소 및 과열상태가 검출되고, 검출된 이상신호에 따라 다른 이상신호를 출력하는 반도체복합소자는 복수의 반도체 스위칭소자중의 어느 1개 또는 전부의 과전류 또는 제어공급전압감소, 그리고 반도체 복합소자의 과열을 검출하는 이상상태검출수단으로 구성되어 있으며, 이상신호발생수단은 이상상태검출수단에 의해 검출된 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 발생하기 위해 제공되어 있다.

Description

반도체복합소자 및 그 소자를 사용한 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법
제1도는 이 발명의 1개 실시예를 구성한 반도체 복합소자의 내부배열을 나타낸 블록도.
제2도는 이 발명에 의한 반도체복합소자를 사용한 인버터 장치의 배열을 나타낸 블록도.
제3(a)∼3(c)도는 이상상태가 발생시 반도체복합소자의 이상신호출력단자에 발생된 다른 이상신호를 나타낸 도.
제4도는 이 발명의 최대의 특성인 이상신호발생부의 동작을 설명하는 플로우차트.
제5도는 종전의 반도체복합소자의 내부배열을 나타낸 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 반도체 복합소자 21a : 정측 제어전원단자
21b : 부측 제어전원단자 22a : 정측 제어공통단자
22b : 부측 제어공통단자 23a : 정측 제어신호 입력단자
23b : 부측 제어신호 입력단자 24a : 정측 이상신호출력단자
24b : 부측 이상신호출력단자 25a : 정측 DC입력단자
25b : 부측 DC입력단자 26 : AC전원 출력단자
27a : 정측 반도체 스위칭소자인 트랜지스터
27b : 부측 반도체 스위칭소자인 트랜지스터
28a : 정측 다이오드 28b : 부측 다이오드
29a : 정측 트랜지스터 전류검출기 29b : 부측 트랜지스터 전류검출기
30a : 정측 트랜지스터 구동회로 30b : 정측 트랜지스터 구동회로
31a : 정측 트랜지스터 과전류 보호회로
31b : 부측 트랜지스터 과전류 보호회로
32a : 정측 제어공급전압 감소 방지회로
32b : 부측 제어공급전압 감소 방지회로
33 : 온도검출기 34 : 과열보호회로
35 : 제1의 논리OR회로 36 : 제2의 논리OR회로
50 : 반도체 복합소자 51 : 제1의 이상상태검출부
52 : 제2의 이상상태검출부 53 : 제1의 이상신호검출부
54 : 제2의 이상신호발생부
10a,10b,10c : 인버터장치의 전원입력단자
11 : 다이오브리지 12 : 평활커패시터
50a,50b,50c : 반도체 복합소자
26a,26b,26c : 인버터장치의 AC출력단자
13 : 마이크로 검퓨터 14a∼14l : 절연 증폭기
15 : 출력부(디스플레이부)
이 발명은 인버터장치와 같은 기기에 사용되는 반도체 복합소자에 관한 것이며, 과전류, 제어전압저하 및 과열등의 이상상태를 검출하며, 검출된 각각의 이상상태에 따라 다른 이상신호가 출력되는, 반도체 복합소자를 사용한 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법에 관한 것이다.
제5도는 종전의 반도체 복합소자의 내부배열을 나타낸 블록도이며, 도면에는, 20은 반도체 복합소자, 21a는 정(+)측 제어전원단자, 21b는 부(-) 측 제어전원단자, 22a는 정측 제어공통단자, 22b는 부측제어공통단자이고, 23a는 정측 제어신호 입력단자, 23b는 부측 제어신호단자, 24a는 정측 이상신호출력단자, 24b는 부측 이상신호출력단자, 25a는 정측 DC전원입력단자, 25b는 부측DC전원입력단자이다.
26은 AC전원출력단자, 27a는 정측 반도체 스위칭소자인 트랜지스터, 27b는 부측반도체 스위칭소자인 트랜지스터이다.
또한, 도면에서 28a는 정측 다이오드, 28b는 부극 다이오드, 29a는 정측 트랜지스터 전류검출기, 29b는 부측 트랜지스터 전류검출기, 30a는 정측 트랜지스터 구동회로, 30b는 부측 트랜지스터 구동회로, 31a는 정측 트랜지스터 과전류 보호회로, 31b는 부측 트랜지스터 과전류 보호회로, 32a는 정측 제어공급전압 감소방지회로, 32b는 부측 제어공급전압 감소방지회로이다.
33은 반도체 복합소자(20)의 온도를 검출하는 온도검출기, 34는 과열방지회로, 35는 정측 트랜지스터과전류 보호회로(31a) 및 정측 제어공급전압 보호회로(32a)의 출력신호중의 어느 하나를 수신할 때 출력신호를 발생하는 제1의 논리OR회로이며, 36은 부측의 트랜지스터 과전류 보호회로(31b) 및 부측 제어공급 전압보호회로(32b)의 출력신호중의 어느 하나를 수신할 때 출력신호를 발생하는 제2의 논리OR회로이다.
이와같이 구성된 종전의 반도체 복합소자(20)에 있어서, 정측 트랜지스터(27a) 및 부측 트랜지스터(27b)가 동시에 on하지 않는 각각의 제어신호가 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 각각 공급되므로, 트랜지스터(27a,27b)는 정측 트랜지스터 구동회로(30a) 및 부측 트랜지스터 구동회로(30b)를 통하여 교대로 on 및 off시키므로서, AC전원출력단자(26)에 AC전력을 공급하여 트랜지스터에 AC전류가 흐른다.
이 동작에 있어서, 전측 및 부측 트랜지스터(27a∼27b)에 흐르는 전류는 정측 및 부측 전류검출기(29a,29b)에 의해 각각 검출되고, 정측 과전류 보호회로(31a) 및 부측 과전류 보호회로(31b)는 검출된 전류치가 정상치인가 아닌가, 즉 소정치보다 큰가를 판단한다.
과전류의 이상임을 검출하였을 때는 정측 과전류 보호회로(31a)(또는 부측 트랜지스터 구동회로(31b))는 그에 접속된 정측 트랜지스터 구동회로(30a)(또는 부측 트랜지스터 구동회로(30b))에 이상신호를 공급한다.
이상신호를 수신시, 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)는 정측 또는 부측 트랜지스터(27a,27b)를 off하고 정측 또는 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 공급되는 제어신호에 관계없이 전류를 차단하며, 동시에 정측 또는 부측과전류 보호회로(31a,31b)는 제1 또는 제2의 논리OR소자(35,36)를 통하여 정측 또는 부측 이상신호 출력단자(24a,24b)에 이상신호를 공급한다.
한편, 정측 제어전원단자(21a)와 정측 제어공통단자(22a)간에 공급된 제어공급전압 및 부측 제어전원단자(21b)와 부측 제어공통단자(21b)간에 공급된 제어공급전압이 각각 정측 제어공급전압 감소방지회로(32a)와 부측 제어공급전압 감소방지회로(32b)에 의해 판독되므로, 제어공급전압이 소정치보다 적은 이상치인가 아닌가가 판별된다.
제어공급전압의 이상이 발생하면 상기 과전류검출과 동일하게 정측 부측 제어공급전압 감소방지회로(32a,27b)는 정측 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)에 이상신호를 공급한다.
이상신호를 수신시, 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)는 정측 또는 부측 트랜지스터(27a,27b)를 off하고, 정측 또는 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 공급된 제어신호에 관계없이 전류를 차단한다.
동시에, 정측 또는 부측 제어공급전압 감소방지회로(32a,32b)는 제1 및 제2의 논리OR(35,36)를 통하여 정측 또는 부측 이상신호 출력단자(24a,24b)에 이상신호를 공급한다.
반도체복합소자(20)의 온도는 온도검출기(33)에 의해 검출되며, 과열보호회로(34)는 검츨된 온도가 소정치보다 높은 이상인가 높은 이상인가 아닌가를 판별한다.
과열이상이 검출되면, 과열보호회로(34)는 부측 트랜지스터 구동회로(30b)에 이상신호를 공급한다.
이상신호를 수신할 때, 부측 트랜지스터 구동회로(30b)는 부측 트랜지스터를 off하여 부측 제어신호 입력단자(23b)에 공급된 제어신호에 관계없이 전류를 차단하여, 동시에 과열보호회로(34)는 제2의 논리OR소자(36)를 통하여 부측이상신호 출력단자(24b)에 이상신호를 공급한다.
상기와 같이, 종전의 반도체 복합소자에 있어서는 과전류, 제어공급전압 감소 및 과열의 3개 이상상태를 검출하기 위하여 검출된 전류, 전압 및 온도를 각각 소정의 치와 비교하여, 그들이 이상인가 아닌가를 판별하였다.
즉, 전압, 전류 및 온도중 어느 하나가 이상이면 이상신호가 출력되어 이상상태를 제거하였다.
그러나, 반도체 복합소자에 있어서는 출력된 이상신호가 특별한 이상상태를 판별할 수 없는 문제가 있다.
이 발명은 종전의 반도체 복합소자에 수반되는 상기 문제를 제거하기 위한 것으로, 이 발명의 목적은 과전류 제어공급전압감소 및 과열의 3개의 이상상태를 검출하고, 장치를 보호하기 위하여 3개의 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 출력하는 반도체 복합소자를 제공하는 것이다.
이 발명의 다른 목적은 반도체 복합소자로 된 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법을 제공하는 것이며, 이 발명의 목적은 다음의 수단으로 구성된 반도체 복합소자를 제공하므로서 달성된다.
복수의 반도체 스위칭소자의 하나 또는 전부의 과전류이상 및 제어공급전압감소이상 및 반도체 복합소자의 광열이상을 검출하는 이상상태 검출수단과, 이상상태 검출수단에 의해 검출된 각 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 발생하는 이상신호 발생수단으로 구성된반도체 복합소자를 제공하므로 달성된다.
제1의 반도체 스위칭소자의 과전류이상 및 제어공급 전압감소이상을 검출하는 제1의 이상상태 검출수단과, 제2의 반도체 스위칭소자의 과전류이상 및 제어공급 전압감소이상 및 반도체 복합소자의 과열을 검출하는 제2의 이상상태검출수단과, 제1의 이상상태검출수단에 의해 검출된 각 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 발생하는 제1의 이상신호발생수단 및 제2의 이상신호 발생수단에 의해 검출된 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 발생하는 제2의 이상신호 발생수단으로 구성된 반도체 복합소자를 제공하므로서 달성된다.
또, 상기 목적은 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법을 사용하므로 달성된다.
인버터장치를 형성하는 반도체 복합소자에 있어서 복수의 반도체 스위칭소자중의 하나 또는 전부의 과전류가 검출될 때, 여기에 대응하는 제1의 이상신호가 출력되며, 복수의 반도체 스위칭소자중의 하나 또는 전부의 제어공급전압감소가 검출될 때, 여기에 대응하는 제2의 비정상신호가 출력되며, 또한 반도체 복합소자의 과열이 검출될 때, 여기에 대응하는 제3의 이상신호가 출력된다.
[실시예 1]
제1도는 이 발명의 실시예 1을 구성하는 반도체 복합소자의 내부배열을 나타내는 블록도이며, 도면에서 50은 반도체 복합소자, 51은 정측 과전류 보호회로(31a) 및 정측 제어공급 전압감소 방지회로(32a)로 구성된 제1의 이상상태검출부, 52는 부측 과전류 보호회로(31b), 부측 제어공급 전압감소 방지회로(32b) 및 과열보호회로(34)로 구성된 제2의 이상상태 검출부, 53은 정측 과전류 보호회로(31a) 및 정측 제어공급전압감소 방지회로(32a)의 출력신호를 수신하여 후술과 같이 출력신호를 발생하는 제1의 이상신호발생부, 54는 이 발명의 특징의 하나인 제2의 이상신호발생부이며, 부측 과전류 보호회로(31b), 부측 제어공급 전압감소 방지회로(32b) 및 과열보호회로(34)의 출력신호를 수신하여 후술과 같이 출력신호를 발생한다.
기타 부분은 제5도에 표시된 종전의 반도체 복합소자와 동일하므로 설명을 생략한다.
실시예 1에 있어서, 과열보호회로(34)는 제2의 이상상태 검출부(52)를 구성하고 있으나, 제1의 비정상상태 검출부(51)라도 되고, 또는 제1 및 제2의 이상상태 검출부(51,52)의 양쪽을 구성하는 것이라도 좋다.
제2도는 이 발명에 의한 반도체 복합소자로 된 인버터장치의 배열을 나타내는 블록도이며, 도면에서 10a,10b 및 10c는 인버터장치의 전원입력단자, 11은 콘버터부인 다이오드브리지, 12는 평활커패시터, 50a,50b 및 50c는 제1도에 상세히 나타나 있는 반도체 복합소자, 26a,26b 및 26c는 인버터장치의 AC전원출력단자, 13은 인버터장치에 있는 마이크로컴퓨터, 14a에서 141은 절연 증폭기, 15는 인버터장치에서 이상신호를 외부에 출력하는 출력부로 전기단자 또는 LED모니터와 같은 디스플레이부이다.
제2도에 표시된 인버터장치에 있어서, 전원입력단자(10c)를 통하여 전원입력단자(10a)에 공급되는 AC전원은 다이오드브리지(11)에 의해 정류되고 평활커패시터(12)에 의해 평활되어 DC전력을 출력한다.
한편, 마이크로컴퓨터(13)에 의해 공급된 제어신호는 절연 증폭기(14a∼14f)를 통하여 3개의 반도체 복합소자(50a,50b,50c)의 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 입력되므로 이들 반도체 복합소자에는 6개의 반도체 스위칭소자(트랜지스터는 표시않됨)가 스위칭되어, 상기한 DC전력은 임의의 주파수 및 전압의 AC전력으로 변환하여 AC전원출력단자(26a,26b,26c)를 통하여 출력된다.
이 동작에 있어서, 각 반도체 복합소자(50a,50b,50c)는 다음과 같이 동작한다.
반도체 복합소자(50a,50b,50c)는 제1도와 같이 구성되어 있으므로, 정측 및 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)에서는 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 입력된 제어신호에 따라 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)를 각각 스위칭하므로, AC전류가 AC전원출력단자(26)에서 출력된 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)에 흐르는 전류는 정측 및 부측 전류검출기(29a,29b)에 의해 각각 검출되며, 정측 및 부측 과전류 보호회로(31a,31b)는 검출된 전류가 이상인가 아닌가, 즉 소정치보다 큰가를 판별한다.
이상이 검출되면, 정측 또는 부측 과전류 보호회로(31a,31b)는 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)에 이상신호를 공급한다.
이상신호가 입력되면 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)는 정측 또는 부측 트랜지스터(27a,27b)를 off하고 정측 또는 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 공급된 제어신호에 관계없이 전류를 차단하므로 과전류로부터 보호하는 효과가 있다.
동시에 정측 또는 부측 과전류 보호회로(31a,31b)는 제1의 이상신호 발생부, 즉 정측 이상신호 발생회로(53)(또는 제2의 이상신호 발생부), 즉 부측 이상신호 발생회로(54)에 이상신호를 공급한다.
즉, 정측 이상신호 발생회로(53) 또는 부측 이상신호 발생회로(54)에서, 제3a도와 같이 온(on)폭이 1ms의 펄스신호를 과전류이상을 나타내는 신호로서 발생시켜, 그 펄스신호를 정측 또는 부측 이상신호 출력단자(24a,24b)에 공급한다.
한편, 정측 제어전원단자(21a)와 정측 제어공통단자(22a)간 및 부측 제어전원단자(21b)와 부측 제어공통단자(22b)간에 인가된 제어공급전압은 정측 또는 부측 제어공급전압 감소방지회로(32a,32b)에 의해 각각 판독되므로, 제어공급전압이 이상인가 아닌가, 즉 소정의 치보다 적은가를 판단한다.
정측 또는 부측 제어전압 감소방지회로(32a,32b)에 의해 제어공급전압이 이상으로 판단되면, 상기의 과전류이상의 경우와 마찬가지로, 정측 또는 부측 제어공급전압감소방지회로(32a,32b)는 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)에 이상신호를 공급한다.
이상신호를 입력할 때, 정측 또는 부측 트랜지스터 구동회로(30a,30b)는 정측 또는 부측 트랜지스터(27a,27b)를 off하고, 정측 또는 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 공급된 제어신호에 관계없이 전류를 차단하여제어공급전압 감소로부터 보호하는 효과가 있다.
동시에, 정측 또는 부측 제어공급전압 감소방지회로(32a,32b)는 정측 또는 부측 이상신호 발생회로(53,54)에 이상신호를 공급하며, 정측 이상신호 발생회로(53) 또는 부측 이상신호 발생회로(54)에서, 제3b도에 표시된 것같은 온(on)폭이 2ms의 펄스신호를 제어공급전압감소를 나타내는 신호로서 발생시켜 이 펄스신호를 정측 또는 부측 이상신호 출력단자(24a,24b)에 공급한다.
반도체 복합소자(50)의 온도는 온도검출기(33)에 의해 검출되며, 과열보호회로(34)는 검출된 온도가 이상, 즉 소정치보다 높은가 아닌가를 판별한다.
온도가 이상으로 판별되면 과열보호회로(34)는 부측 트랜지스터 구동회로(30b)에 이상신호를 공급하며, 이 이상신호에 대응하여 부측 트랜지스터 구동회로(30b)는 부측 트랜지스터(27b)를 off하고, 부측 제어공급입력단자(23b)에 공급된 제어신호에 관계없이 전류를 차단하므로 과열로부터 보호하는 효과가 있다.
동시에, 과열보호회로(34)는 부측 이상신호 발생회로(54)에 이상신호를 공급하며, 그 회로는 제3c도에 표시된 것같이 온(on)폭이 3ms의 펄스신호를 출력한다.
이 신호는 부측 이상신호출력단자(24b)로부터 출력하여 과열이상상태를 나타낸다.
반도체 복합소자(50a,50b,50c)의 정측 및 부측 이상신호출력단자(24a,24b)는 절연 증폭기(14g∼141)를 통하여 인버터장치의 마이크로컴퓨터(13)에 접속되어 있으므로 반도체 복합소자(50a,50b,50c)에서의 이상신호를 수신할 때, 마이크로컴퓨터(13)가 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 공급되어 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)를 스위칭하기 위한 제어신호의 출력을 정지시켜 인버터장치를 보호한다.
동시에, 마이크로컴퓨터(3)는 이상상태를 판별한다.
예컨대, 제3a도에서와 같이 온(on)폭이 1ms의 펄스신호이면 과전류이상상태가 판별되고, 또한 제3b도와 같이 온(on)폭이 2ms의 펄스신호이면, 제어공급전압감소상태가 판별되며, 과열상태는 이미 제3c도에서 설명하였다.
이와같이 판별된 이상의 내용이 출력부(15)에 송신되므로, 이상신호는 전기단자 또는 LED모니터와 같은 디스플레이부인 출력부(15)에 의해 인버터장치로부터 출력된다.
제4도에서, 상기 동작을 제2의 이상신호발생부에 의한 이상상태검출, 즉 부측 이상신호 발생회로(54)의 경우에 대해서 설명한다.
부측 이상신호 발생회로(54)가 이상상태(S1)를 검출하면, 반도체 복합소자(50a,50b,50c)에 있는 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)가 off(S2)되어, 이상상태가 과전류이상인가 아닌가를 판단한다(S3).
검출된 비정상상태가 과전류이상이면, 온폭이 1ms의 펄스신호인 이상신호가 이상신호 출력단자(24b)에 공급된다.(S4).
이상신호출력단자(24b)에서의 이상신호에 따라, 마이크로컴퓨터(13)에서 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)로의 제어신호의 공급이 중지되므로, 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)의 동작이 중지되고, 과전류이상상태가 디스플레이부에 표시된다.(S5).
검출된 이상상태가 과전류이상이 아닌 경우, 그 이상내용이 제어공급전압감소인가 아닌가를 판단하고(S6), 제어공급전압감소 이상이면, 온폭이 2ms의 펄스신호인 이상신호가 이상신호출력단자(24b)에 공급된다.(S7).
이상신호출력단자(24b)에서의 이상신호에 의해 마이크로컴퓨터(13)에서 정측 또는 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)로의 제어신호의 공급이 중지되어 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)의 동작이 중지되며, 제어공급전압감소 이상상태가 디스플레이부에 표시된다(S8).
검출된 이상상태가 제어공급전압 감소상태가 아니면, 과열상태이므로 온폭이 3ms의 펄스신호인 이상신호가 부측 이상신호 출력단자(24b)에 공급된다(S9).
이상신호출력단자(24b)에서의 이상신호에 대응하여, 마이크로컴퓨터(13)에서 정측 및 부측 제어신호 입력단자(23a,23b)에 입력되는 제어신호의 공급이 중단되고, 정측 및 부측 트랜지스터(27a,27b)의 동작이 중지되며, 과열이상상태가 디스플레이부에 표시된다(S10).
부측 이상신호 발생회로(54)는 상기 방법으로 동작된다.
[살시예 2]
상기의 실시예 1에 있어서, 과전류이상에 대해서는 1ms의 펄스(on)폭의 펄스신호가 이상신호로서 출력되었으며, 제어공급전압감소 이상에 대하여는 2ms의 펄스(on)폭의 펄스신호가 이상신호로서 출력되었고, 과열이상에 대하여는 3ms의 펄스(on)폭의 펄스신호가 이상신호로서 출력되었다.
그러나, 이상신호는 이상상태의 내용별로 구별될 수 있으면 어떤 종류의 것이라도 구애될 필요는 없다.
즉, 서로 다른 진폭, 주파수, 위상등과 같은 각 이상상태를 나타내는 서로 식별되는 신호도 이상신호로서 사용될 수 있다.
또한 상기 실시예 1에 있어서, 1개의 이상신호출력단자가 트랜지스터마다 제공되었다 할지라도 이 발명은 그것에 구애될 필요가 없고, 복수의 이상신호출력단자가 설치되어 이상신호를 일정비트수의 신호로 식별한다.
또, 상기 실시예 1에서는 반도체 복합소자가 2개의 트랜지스터를 가진 경우를 설명하였으나, 트랜지스터의 수는 제한되지 않는다.
요컨데, 이상신호발생수단은 과전류, 제어공급전압감소 및 과열등의 각 이상상태에 따른 다른 이상신호를 발생하므로 반도체복합소자의 이상상태는 정확하게 식별될 수 있고, 이상상태를 신속하게 제거할 수 있다.
또, 반도체 복합소자에 있어서 제1 및 제2의 이상신호발생수단은 과전류, 제어공급전압감소 및 과열에 따라 다른 이상신호를 발생하여 이상상태를 판별하고 보다 신속하게 제거할 수 있다.
이 발명은 청구범위 제3항에 의한 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법에 있어서, 인버터장치의 과전류의 이상상태를 정확하게 판별하고 신속하게 대응하여 관련기기에 미치는 영향을 미연에 방지하고 최소화할 수 있다.

Claims (8)

  1. 인버터를 제어하는 복수의 반도체 스위칭소자를 구비한 반도체 복합소자에 있어서, 복수의 반도체 스위칭 소자중 1개 또는 전부의 과전류 또는 제어공급전압감소와 반도체 복합소자의 과열을 검출하는 이상상태검출수단과, 이상상태검출수단에 의해 검출된 이상상태에 따라 각각 다른 이상신호를 발생하는 이상신호 발생수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 복합소자.
  2. 제1항에 있어서, 이상신호발생수단은 복수의 이상신호를 발생하며, 각 신호는 이상상태에 대응한 다른 시간주기를 갖은 것을 특징으로 하는 반도체 복합소자.
  3. 제1항에 있어서, 이상신호발생수단은 복수의 이상신호를 발생하며, 각 신호는 이상상태에 대응한 다른 디지털치로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 복합소자.
  4. 인버터를 제어하는 적어도 제1의 반도체 스위칭소자 및 제2의 반도체 스위칭소자를 구비한 반도체 복합소자에 있어서, 제1의 반도체 스위칭소자의 과전류 및 제어공급전압감소를 검출하는 제1의 이상상태검출수단과, 제2의 반도체 스위칭소자의 과전류 및 제어공급전압감소 및 반도체 복합소자의 과열을 검출하는 제2의 이상상태검출수단과, 제1의 이상상태검출수단에 의해 검출된 이상상태에 따라 다른 이상신호를 발생하는 제1의 이상신호발생수단과, 제2의 이상상태검출수단에 의해 검출된 각각의 이상상태에 따라 다른 이상신호를 발생하는 제2의 이상신호발생수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 복합소자.
  5. 제4항에 있어서, 각 이상신호발생수단은 복수의 이상신호를 발생하며, 각 신호는 이상상태에 대응한 다른 시간 주기를 갖은 것을 특징으로 하는 반도체 복합소자.
  6. 기기를 제어하는 복수의 반도체 스위칭소자로 된 반도체 복합소자를 구비하고, 복수의 반도체 스위칭소자중의 어느 1개 또는 전부의 과전류 및 제어공급전압감소, 그리고 반도체 복합소자의 과열을 검출하는 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법에 있어서, 복수의 반도체 스위칭소자중의 어느 1개 또는 전부의 과전류를 검출시, 그에 대응한 제1의 이상신호를 출력하고, 복수의 반도체 스위칭소자중의 어느 1개 또는 전부의 제어공급전압감소를 검출시, 그에 대응한 제2의 이상신호를 출력하며, 반도체복합소자의 과열을 검출시, 그에 대응하 제3의 이상신호를 출력하고, 각 제1,제2 및 제3의 이상신호는 이상신호의 다른 신호에 대해서는 단일한 것을 특징으로 하는 인버터장치의 이상상태를 검출하는 방법.
  7. 제7항에 있어서, 각 제1, 제2 및 제3의 이상신호는 각 이상상태에 대응하는 서로 다른 시간주기를 갖은 것을 특징으로 하는 인버터장치의 이상상태검출방법.
  8. 제7항에 있어서, 각 제1, 제2 및 제3의 이상신호는 각 이상상태에 대응하는 서로 다른 디지털 치로 구성됨을 특징으로 하는 인버터장치이 이상상태검출방법.
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