KR100192524B1 - Control circuit for sense amplifier - Google Patents
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Abstract
본 발명은 센스 앰프(Sense Amp)의 제어(Control)회로에 관한 것으로 특히, 고주파수 액세스(High Frequency Access)에 적당하도록 한 센스 엠프의 제어 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control circuit of a sense amplifier, and more particularly to a control circuit of a sense amplifier adapted to be suitable for high frequency access.
이와 같은 본 발명에 의한 센스 앰프의 제어회로는 클럭과 어드레스 멀티플렉서의 신호를 받아 코딩하는 코딩부와, 상기 코딩부에서 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블 신호를 발생시키는 인에이블 발생부와, 상기 인에이블 발생부의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈 로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀을 선택하는 칩 선택부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The control circuit of the sense amplifier according to the present invention includes a coding unit for receiving a signal of a clock and an address multiplexer and coding, a Y signal selecting unit for receiving an output signal from the coding unit and selecting a Y signal, and the coding unit. An enable generator that receives an output signal coded by and generates a sense amplifier enable signal, and a sense amplifier that senses a data signal having a small voltage difference by receiving the enable signal of the enable generator and sufficiently amplifies it to be suitable for digital logic And a chip selector configured to receive a signal of the sense amplifier and the Y signal and select a memory cell storing corresponding data.
Description
본 발명은 센스 앰프(Sense Amp)의 제어(Control) 회로에 관한 것으로 특히, 고주파수 액세스(High Frequency Access)에 적당하도록 한 센스 앰프의 제어회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control circuit of a sense amplifier, and more particularly, to a control circuit of a sense amplifier adapted to high frequency access.
일반적으로 반도체 메모리 장치는 그 구성상에 있어서 크게 정보를 기억하는 부분(메모리 셀), 지정된 장소에 정보를 선택적으로 저장하거나 읽어내도록 하는 선택부분(디코더 등), 입출력되는 정보의 신호상태를 감지하는 부분(센스 앰프), 그리고 정보가 통과하는 부분(데이타 버스)으로 이루어져 있는데 최근 작은 면적을 차지하면서도 대용량의 정보 저장 기능을 가지게 하는 것과 아울러 그 동작의 신뢰성 향상 및 메모리 셀의 불필요한 누설전류를 줄이고자 하는 문제가 개발의 관심이 되고 있다.In general, a semiconductor memory device has a structure that largely stores information (memory cells), a selection portion (decoder, etc.) for selectively storing or reading information at a designated place, and detects a signal state of input / output information. Part (sense amplifier) and information passing part (data bus), which has recently occupied a small area and has a large amount of information storage function, while improving reliability of operation and reducing unnecessary leakage current of the memory cell. Problem is becoming a concern of development.
특히, 정보를 감지하는 부분, 즉 센스 앰프는 선택된 메모리 셀에 독출된 정보를 전압차로써 충분히 증폭하여 데이타 출력 버퍼로 보내는 기능을 가진다.In particular, the information sensing part, that is, the sense amplifier has a function of sufficiently amplifying the information read in the selected memory cell with the voltage difference and sending it to the data output buffer.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a control circuit of a sense amplifier of the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.
제1도는 종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로를 나타낸 블럭도이다.1 is a block diagram showing a control circuit of a sense amplifier of the prior art.
종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로는 제1도에서와 같이 리드 인에이블(RD : Read Enable) 신호인 RD1, RD2, RD3과 클럭(Clock) 신호인 CLK1, CLk2, CLK3을 입력으로 받아 각 신호를 조합하는 앤드 게이트(And Gate)(11)들과, 상기 앤드 게이트(11)들의 신호를 반전시키는 제1인버터(12)와, 상기 제1인버터(12)에서 반전된 신호를 받아 일정한 시간 동안 지연시키는 딜레이(Delay)부(13)와, 상기 딜레이부(13)에 지연된 신호를 다시 반전시키어 인에이블 신호를 출력하는 제2인버터(14)와, 상기 제2인버터(14)에서 인에이블된 신호인 SAEAN1, SAEAN2, SAEAN3의 신호를 받아 디지탈 로직(Logic)에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프(15)와, 데이타를 저장하는 메모리 셀(16)과, 상기 센스 앰프(15)에서 증폭된 신호와 데이타 라인(Data Line)을 통해 Y신호 선택부(도면에 도시하지 않음)에서 선택된 콜럼코딩(Columm Coding)인 인에이블(Enable)된 신호 Ysel1, Ysel2, Ysel3을 입력으로 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀(16)을 선택하는 칩 선택부(17)와, 상기 칩 선택부(17)에서 선택되어진 메모리 셀(16)을 비트 라인(Bit Line)를 통해서 워드 라인 신호인 W/L1, W/L2, W/L3을 출력하게 된다.The control circuit of the prior art sense amplifier receives the read enable signals RD1, RD2, RD3 and the clock signals CLK1, CLk2, CLK3, as shown in FIG. And gates 11 to be combined, a first inverter 12 for inverting the signals of the AND gates 11, and a signal delayed for a predetermined time by receiving the inverted signal from the first inverter 12. A delay unit 13, a second inverter 14 that inverts the delayed signal to the delay unit 13 to output an enable signal, and an signal enabled by the second inverter 14. A sense amplifier 15 that receives signals of SAEAN1, SAEAN2, and SAEAN3, and sufficiently amplifies them to be suitable for digital logic, a memory cell 16 for storing data, and amplified signals from the sense amplifier 15; Call selected by the Y signal selector (not shown) via the data line A chip selector 17 for receiving the enabled signals Ysel1, Ysel2, and Ysel3, which are coding (Columm Coding), as an input, and selecting a memory cell 16 storing corresponding data; The memory cell 16 selected in 17) outputs word line signals W / L1, W / L2, and W / L3 through a bit line.
종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로 동작은 제2도에서와 같이 외부에서 발생되는 코어 클럭 신호(Cord CLK)를 입력으로 받아 내부 클럭 발진기(Generator)에 의해 발생된 신호인 CLK1, CLK2, CLK3을 이용하여 리드 인에이블(Lead Enable) 신호인 RD1, RD2, RD3를 합성한 후, 센스 앰프 인에이블(Sense Amp Enable)신호인 STENA1, STENA2, SEENA3을 순차적으로 발생시킨다. 이때 로우 코딩(Row Coding)인 워드 라인인 W/L1, W/L2, W/L3과 콜롬 코딩(Columm Coding)인 Ysel1, Ysel2, Ysel3이 인에이블 되어 있으면 비트 라인에 실리어 메모리 셀(Memory Cell)(16)내의 데이타(Data)가 비트 라인(Bit Line)에 실리게 된다.The control circuit operation of the sense amplifier of the prior art uses the CLK1, CLK2, and CLK3 signals, which are generated by an internal clock generator, by receiving an externally generated core clock signal (Cord CLK), as shown in FIG. After synthesizing RD1, RD2, and RD3, which are lead enable signals, STENA1, STENA2, and SEENA3, which are sense amplifier enable signals, are sequentially generated. In this case, if the word lines W / L1, W / L2, and W / L3, which are low coding, and Ysel1, Ysel2, and Ysel3, which are Column coding, are enabled, a bit line memory cell is used. The data in 16 is loaded on the bit line.
결과적으로 상기 인에이블된 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 비트 라인의 전위차는 더욱 커지게 된다.As a result, the potential difference of the bit line is further increased by the enabled sense amplifier enable signal.
그러나 상기와 같은 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the control circuit of the sense amplifier of the prior art as described above has the following problems.
즉, 제2도에서와 같이 워드 라인 신호 및 콜롬 코딩 신호 그리고 센스 앰프 인에이블 신호가 동시에 인에이블 하게 되어 비트라인의 전위차가 센스 앰프에 의해 접지(GND) 및 전원(Vdd) 전압으로 차이가 발생하기 때문에 많은 A만큼의 등화 시간(Equalize Time)이 소요되므로 연속적인 액세스(Access)를 할 경우 많은 등화 시간이 필요하므로서 고주파수(High Frequence) 동작이 어렵다.That is, as shown in FIG. 2, the word line signal, the colon coded signal, and the sense amplifier enable signal are simultaneously enabled, so that a potential difference between the bit lines is caused by the sense amplifier to the ground (GND) and power supply (Vdd) voltages. Therefore, the equalization time takes as much as A, and therefore, high access operation is difficult because a large amount of equalization time is required for continuous access.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 고주파수 동작에 적당한 센스 앰프의 제어회로를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a control circuit of a sense amplifier suitable for high frequency operation.
제1도는 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로를 나타낸 블럭도.1 is a block diagram showing a control circuit of a sense amplifier of the prior art.
제2도는 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로의 동작을 나타낸 동작 타이밍도.2 is an operation timing diagram showing the operation of the control circuit of the sense amplifier of the prior art.
제3도는 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로를 나타낸 블럭도.3 is a block diagram showing a control circuit of a sense amplifier according to the present invention.
제4도는 제3도의 멀티플렉서와 Y신호 선택부 및 센스 앰프 구동부를 나타낸 상세도.4 is a detailed view showing the multiplexer, Y signal selector, and sense amplifier driver of FIG.
제5도는 본 발명의 센스 앰프의 제어회로의 동작을 나타낸 동작 타이밍도.5 is an operation timing diagram showing the operation of the control circuit of the sense amplifier of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
21 : 코딩부 22 : Y신호 선택부21 coding unit 22 Y signal selection unit
23 : 인에이블 발생부 24 : 센스 앰프23: enable generator 24: sense amplifier
25 : 칩 선택부 26 : 메모리 셀25 chip selector 26 memory cell
27a,27b,27c,27d,27e,27f,27g,27h : 인버터27a, 27b, 27c, 27d, 27e, 27f, 27g, 27h: Inverter
28a,28b : 앤드 게이트 29a,29b : 오어 게이트28a, 28b: And Gate 29a, 29b: Or Gate
30 : 딜레이부30: delay unit
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 센스 앰프의 제어회로는 클럭과 어드레스 멀티플렉서의 신호를 받아 코딩하는 코딩부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블 신호를 발생시키는 인에이블 발생부와, 상기 인에이블 발생부의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈 로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀을 선택하는 칩 선택부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The control circuit of the sense amplifier according to the present invention for achieving the above object is a coding unit for receiving the signal of the clock and the address multiplexer and coding, and Y for receiving the output signal coded by the coding unit as input Y A digital signal is detected by a signal selector, an enable generator that receives an output signal coded by the coding unit and generates a sense amplifier enable signal, and detects a data signal having a small voltage difference by receiving an enable signal of the enable generator. And a chip selector configured to select a memory cell that receives a signal of the sense amplifier and the Y signal and stores corresponding data.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the control circuit of the sense amplifier according to the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.
제3도는 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로를 나타낸 블럭도이다.3 is a block diagram showing a control circuit of the sense amplifier according to the present invention.
본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로는 제3도에서와 같이 센스 앰프 구동부(20)는 클럭(Clock)과 멀티플렉서(Multiplexer)의 신호를 받아 코딩(Coding)하는 코딩부(21)와, 상기 코딩부(21)에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부(22)와, 상기 코딩부(21)에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블(Enable)신호를 발생시키는 인에이블 발생부(23)와, 상기 인에이블 발생부(23)의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프(24)와, 상기 센스 앰프(24)의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀(26)를 선택하는 칩 선택부(25)로 구성된다.In the control circuit of the sense amplifier according to the present invention, as shown in FIG. 3, the sense amplifier driver 20 receives a signal from a clock and a multiplexer, and codes a coding unit 21 for coding. A Y signal selector 22 which receives an output signal coded by the input unit 21 and selects a Y signal, and generates a sense amplifier enable signal by receiving the output signal coded by the coding unit 21. A sense amplifier 24 which receives the enable signal of the enable generator 23 and the enable signal from the enable generator 23, senses a data signal having a small voltage difference, and sufficiently amplifies the signal to be suitable for digital logic; And a chip selector 25 which receives the signal of the amplifier 24 and the Y signal and selects a memory cell 26 storing corresponding data.
제4도는 제3도의 코딩부와 Y신호 선택부 및 인에이블 발생부를 나타낸 상세도이다.4 is a detailed diagram illustrating a coding unit, a Y signal selection unit, and an enable generation unit of FIG. 3.
제4도에서와 같이 먼저, 코딩부(21)는 외부에서 발생되는 코어 클럭 신호(Core CLK)를 입력으로 받아 내부 클럭 발진기(Generator)에 의해 발생된 신호인 PHI1, PHI2, PHI3 중에서 PHI1 신호는 제1, 제2인버터(27a,27b)를 통해 딜레이되고, 상기 딜레이된 신호와 어드레스 멀티플렉서를 통한 신호(A)를 받아 코딩하는 제1앤드 게이트(28a)(노드 1)와, 상기 제1앤드 게이트(28a)에서 코딩된 신호와 다음 클럭 신호인 PHI2가 제3인버터(27c)에서 반전되어 통해 반전된 신호를 받아 합성하는 제1오어 게이트(NOR)(29a)(노드 2)와, 상기 제1오어 게이트(29a)의 신호를 반전시키는 제4인버터(Inverter)(27d)(노드 3)로 이루어진다.As shown in FIG. 4, first, the coding unit 21 receives an externally generated core clock signal Core CLK and receives a PHI1 signal from among PHI1, PHI2, and PHI3, which are signals generated by an internal clock generator. A first end gate 28a (node 1) which is delayed through the first and second inverters 27a and 27b, receives and codes the delayed signal and the signal A through the address multiplexer, and the first end A first-or-gate (NOR) 29a (node 2) for receiving and combining the signal coded at the gate 28a and the next clock signal PHI2 by being inverted through the third inverter 27c and the second signal; And a fourth inverter 27d (node 3) which inverts the signal of the one-or gate 29a.
이어서, 상기 Y신호 선택부(22)는 상기 제4인버터(27d)에서 반전된 신호와 상기 어드레스 멀티플렉서 신호가 제5인버터(27e)를 통해 반전된 신호를 조합하는 제2오어 게이트(29b)와, 상기 제2오어 게이트(29b)(노드 4)의 신호를 반전시키어 Y신호를 선택하는 제6인버터(27f)로 이루어진다.Subsequently, the Y signal selector 22 includes a second OR gate 29b that combines a signal inverted by the fourth inverter 27d and a signal in which the address multiplexer signal is inverted through the fifth inverter 27e. And a sixth inverter 27f that selects the Y signal by inverting the signal of the second or gate 29b (node 4).
그리고 상기 인에이블 발생부(23)는 상기 제4인버터(27d)의 반전된 출력신호를 받아 인에이블 신호를 발생하기 위한 복수개의 인버터로 구성된 딜레이부(30)(노드 5)와, 상기 딜레이부(30)에서 달레이된 신호와 상기 제4인버터(27d)의 출력신호를 받아 조합하는 제2앤드 게이트(28b)(노드 6)와, 상기 각 출력신호를 구동시키는 제7, 제8인버터(27g, 27h)로 이루어진다.The enable generator 23 receives the inverted output signal of the fourth inverter 27d and includes a delay unit 30 (node 5) including a plurality of inverters for generating an enable signal, and the delay unit. A second end gate 28b (node 6) for receiving and combining the signal delayed at 30 and the output signal of the fourth inverter 27d, and the seventh and eighth inverters for driving the respective output signals ( 27g, 27h).
상기와 같이 이루어진 센스 앰프의 제어회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the control circuit of the sense amplifier made as described above is as follows.
제5도에서와 같이 외부 클럭 신호를 받아 발진기를 통해 출력되는 내부 클럭 신호 중에서 PHI1과 어드레스 멀티플렉서 A 신호를 받아 제1앤드 게이트(28a)에서 코딩(노드 1)하여 딜레이된 반대의 PHI1 신호가 발생하게 된다.As shown in FIG. 5, PHI1 and the address multiplexer A signal are received from the internal clock signals outputted through the oscillator and coded at the first end gate 28a (node 1) to generate a reversed PHI1 signal. Done.
이어, 상기 딜레이된 반대의 PHI1 신호와 제3인버터(27c)에 의해 반전된 다음 클럭 신호인 PHI2 신호를 받아 제1오어 게이트(29a)에서 코딩한다.(노드 2) 또한, 상기 제1오어 게이트(29a)에서 코딩된 신호는 제4인버터(27d)에 의해 반전된 신호(노드 3)와 상기 어드레스 멀티플렉서 신호가 제5인버터(27e)에 의해 반전된 신호를 받아 제2오어 게이트(29c)에서 코딩한다.(노드 4)Subsequently, the delayed opposite PHI1 signal and the PHI2 signal, which is inverted by the third inverter 27c, are received and coded at the first or gate 29a. (Node 2) In addition, the first or gate is coded. The signal coded at 29a receives a signal inverted by the fourth inverter 27d (node 3) and a signal inverted by the fifth inverter 27e at the second or gate 29c. Code (node 4)
이어, 상기 제2오어 게이트(29c)에서 코딩된 신호는 제6인버터(27f)를 통해 반전된 신호를 출력하여 Y선택 신호로 사용된다. 그리고 상기 제4인버터(27d)에서 반전된 출력신호는 인에이블 발생부(23)의 딜레이부(30)에서 일정시간 딜레이 된다.(노드 5)Subsequently, the signal coded by the second OR gate 29c is output as an inverted signal through the sixth inverter 27f and used as a Y selection signal. The output signal inverted by the fourth inverter 27d is delayed by the delay unit 30 of the enable generator 23 for a predetermined time (node 5).
이어, 상기 딜레이부(30)에서 딜레이된 신호와 상기 제4인버터(27d)에서 반전된 신호를 입력으로 받아 제2앤드 게이트(28b)에서 코딩한다.(노드 6)Subsequently, the signal delayed by the delay unit 30 and the signal inverted by the fourth inverter 27d are received as an input and coded by the second end gate 28b. (Node 6)
이어, 상기 제2앤드 게이트(28b)에서 코딩된 신호는 제7, 제8인버터(27g, 27h)에서 구동(Driver)되어 센스 앰프의 인에이블 신호를 출력한다.Subsequently, the coded signal from the second and gate 28b is driven by the seventh and eighth inverters 27g and 27h to output an enable signal of the sense amplifier.
따라서 상기 Y선택 신호는 자신의 펄스영역인 PHI1에서만 인에이블되고, 센스 앰프 인에이블 신호는 Y선택 신호가 디스에이블(Disable)된 후, 다음 클럭 영역에서 펄스 형태로 인에이블 된다.Accordingly, the Y selection signal is enabled only in its own pulse region PHI1, and the sense amplifier enable signal is enabled in a pulse form in the next clock region after the Y selection signal is disabled.
여기서 상기 Y선택 신호가 디스에이블된 상태라도 데이타 라인의 캐패시턴스(Capacitance)에 의해 전위차는 유지되므로 센스 앰프에 의하여 데이타 라인 전위차는 전원전압(Vdd)과 접지전압(GND) 값으로 된다.Here, even when the Y selection signal is in a disabled state, the potential difference is maintained by the capacitance of the data line, so that the data line potential difference becomes a power supply voltage Vdd and a ground voltage GND value by the sense amplifier.
결과적으로 비트 라인 전위차는 전원전압과 접지전압 값으로 가지 않으므로 동일한 연속적인 리드(Read)가 가능하다.As a result, the bit line potential difference does not go to the power supply voltage and the ground voltage, so that the same continuous read is possible.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 센스 앰프 제어 회로에 있어서 비트 라인 전위차는 전원전압과 접지전압 값으로 가지 않으므로 동일한 연속적인 리드가 가능하기 때문에 고주파수에 사용하는 효과가 있다.As described above, in the sense amplifier control circuit according to the present invention, since the bit line potential difference does not correspond to the power supply voltage and the ground voltage value, the same continuous read is possible, and thus, it is effective to use at high frequency.
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