KR19980049913A - Sense Amp Control Circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 센스 앰프(Sense Amp)의 제어(Control) 회로에 관한 것으로 특히, 고주파수 액세스(High Frequency Access)에 적당하도록 한 센스 앰프의 제어 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control circuit of a sense amplifier, and more particularly, to a control circuit of a sense amplifier adapted for high frequency access.

이와 같은 본 발명에 의한 센스 앰프의 제어회로는 클럭과 어드레스 멀티플렉서의 신호를 받아 코딩하는 코딩부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블 신호를 발생시키는 인에이블 발생부와, 상기 인에이블 발생부의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈 로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀을 선택하는 칩 선택부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The control circuit of the sense amplifier according to the present invention includes a coding unit for receiving and coding signals of a clock and an address multiplexer, a Y signal selecting unit for receiving an output signal coded by the coding unit as an input, and selecting a Y signal; An enable generator that receives an output signal coded by a coding unit and generates a sense amplifier enable signal, and receives an enable signal of the enable generator and detects a data signal having a small voltage difference and sufficiently amplifies it to be suitable for digital logic And a chip selector which selects a sense amplifier, a memory cell which receives the signal of the sense amplifier and the Y signal and stores corresponding data.

Description

센스 앰프(Sense Amp)의 제어회로Sense Amp Control Circuit

본 발명은 센스 앰프(Sense Amp)의 제어(Control)회로에 관한 것으로 특히, 고주파수 액세스(High Frequency Access)에 적당하도록 한 센스 앰프의 제어회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control circuit of a sense amplifier, and more particularly, to a control circuit of a sense amplifier adapted to be suitable for high frequency access.

일반적으로 반도체 메모리 장치는 그 구성상에 있어서 크게 정보를 기억하는 부분(메모리 셀), 지정된 장소에 정보를 선택적으로 저장하거나 읽어내도록 하는 선택부분(디코더 등), 입출력되는 정보의 신호상태를 감지하는 부분(센스 앰프), 그리고 정보가 통과하는 부분(데이타 버스)으로 이루어져 있는데 최근 작은 면적을 차지하면서도 대용량의 정보 저장 기능을 가지게 하는 것과 아울러 그 동작의 신뢰성 향상 및 메모리 셀의 불필요한 누설전류를 줄이고자 하는 문제가 개발의 관심이 되고 있다.In general, a semiconductor memory device has a structure that largely stores information (memory cells), a selection portion (decoder, etc.) for selectively storing or reading information at a designated place, and detects a signal state of input / output information. Part (sense amplifier) and information passing part (data bus), which has recently occupied a small area and has a large amount of information storage function, while improving reliability of operation and reducing unnecessary leakage current of the memory cell. Problem is becoming a concern of development.

특히, 정보를 감지하는 부분, 즉 센스 앰프는 선택된 메모리 셀에 독출된 정보를 전압차로써 충분히 증폭하여 데이타 출력 버퍼로 보내는 기능을 가진다.In particular, the information sensing part, that is, the sense amplifier has a function of sufficiently amplifying the information read in the selected memory cell with the voltage difference and sending it to the data output buffer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a control circuit of a sense amplifier of the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로를 나타낸 블럭도이다.1 is a block diagram showing a control circuit of a sense amplifier of the prior art.

종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로는 도 1에서와 같이 리드 인에이블(RD : Read Enable) 신호인 RD1, RD2, RD3과 클럭(Clock)신호인 CLK1, CLK2, CLK3을 입력으로 받아 각 신호를 조합하는 앤드 게이트(And Gate)(11)들과, 상기 앤드 게이트(11)들의 신호를 반전시키는 제 1 인버터(12)와, 상기 제 1 인버터(12)에서 반전된 신호를 받아 일정한 시간 동안 지연시키는 딜레이(Delay)부(13)와, 상기 딜레이부(13)에 지연된 신호를 다시 반전시키어 인에이블 신호를 출력하는 제 2 인버터 (14)와, 상기 제 2 인버터(14)에서 인에이블된 신호인 SAEAN1, SAEAN2, SEAN3의 신호를 받아 디지탈 로직(Logic)에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프(15)와, 데이타를 저장하는 메모리 셀(16)과, 상기 센스 앰프(15)에서 증폭된 신호와 데이타 라인(Data Line)를 통해 Y신호 선택부(도면에 도시하지 않음)에서 선택된 콜럼 코딩(Column Coding)인 인에이블(Enable)된 신호 Ysel1, Ysel2, Ysel3을 입력으로 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀(16)을 선택하는 칩 선택부(17)와, 상기 칩 선택부(17)에서 선택되어진 메모리 셀(16)을 비트 라인(Bit Line)를 통해서 워드 라인 신호인 W/L1, W/L2, W/L3을 출력하게 된다.The control circuit of the conventional sense amplifier receives the read enable signals RD1, RD2 and RD3 and the clock signals CLK1, CLK2 and CLK3 as shown in FIG. And Gates (11), the first inverter 12 for inverting the signals of the And gate 11 and the inverted signal from the first inverter 12 to receive a delay for a predetermined time A delay unit 13, a second inverter 14 which inverts the delayed signal to the delay unit 13 again and outputs an enable signal, and a signal enabled by the second inverter 14. A sense amplifier 15 that receives signals from SAEAN1, SAEAN2, and SEAN3 and amplifies them sufficiently to be suitable for digital logic, a memory cell 16 that stores data, and signals and data amplified by the sense amplifier 15. Selected by the Y signal selector (not shown) via a data line A chip selector 17 that receives the enabled signals Ysel1, Ysel2, Ysel3, which are column coding, and selects a memory cell 16 storing corresponding data, and the chip selector The memory cell 16 selected in step 17 outputs the word line signals W / L1, W / L2, and W / L3 through the bit line.

종래 기술의 센스 앰프의 제어 회로 동작은 도 2에서와 같이 외부에서 발생되는 코어 클럭 신호(Core CLK)를 입력으로 받아 내부 클럭 발진기(Generator)에 의해 발생된 신호인 CLK1, CLK2, CLK3을 이용하여 리드 인에이블(Lead Enable) 신호인 RD1, RD2, RD3을 합성한 후, 센스 앰프 인에이블(Sense Amp Enable) 신호인 STENA1, STENA2, SEENA3을 순차적으로 발생시킨다.The control circuit operation of the sense amplifier of the prior art uses a CLK1, CLK2, CLK3, which are signals generated by an internal clock generator as an input from an externally generated core clock signal Core CLK, as shown in FIG. After synthesizing RD1, RD2, and RD3, which are lead enable signals, STENA1, STENA2, and SEENA3, which are sense amplifier enable signals, are sequentially generated.

이때 로우 코딩(Row Coding)인 워드 라인인 W/L1, W/L2, W/L3 과 콜롬 코딩(Column Coding)인 Ysel1, Ysel2, Ysel3이 인에이블 되어 있으면 비트 라인에 실리어 메모리 셀(Memory Cell)(16)내의 데이타(Data)가 비트 라인(Bit Line)에 실리게 된다.In this case, if the word lines W / L1, W / L2, and W / L3, which are row coding, and Ysel1, Ysel2, and Ysel3, which are column coding, are enabled, The data in 16 is loaded on the bit line.

결과적으로 상기 인에이블된 센스 앰프 인에이블 신호에 의해 비트 라인의 전위차는 더욱 커지게 된다.As a result, the potential difference of the bit line is further increased by the enabled sense amplifier enable signal.

그러나 상기와 같은 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the control circuit of the sense amplifier of the prior art as described above has the following problems.

즉, 도 2에서와 같이 워드 라인 신호 및 콜롬 코딩 신호 그리고 센스 앰프 엔이블 신호가 동시에 인에이블 하게 되어 비트라인의 전위차가 센스 앰프에 의해 접지(GND) 및 전원(Vdd)전압으로 차이가 발생하기 때문에 많은 A 만큼의 등화 시간(Equalize Time)이 소요되므로 연속적인 액세스(Access)를 할 경우 많은 등화 시간이 필요하므로써 고주파수(High Frequency) 동작이 어렵다.That is, as shown in FIG. 2, the word line signal, the colombian coded signal, and the sense amplifier enable signal are simultaneously enabled, so that a potential difference between the bit lines is caused by the sense amplifier to ground (GND) and power (Vdd) voltages. Therefore, the equalization time is required as much as A, and therefore, the high frequency operation is difficult because a large amount of equalization time is required for continuous access.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 고주파수 동작에 적당한 센스 앰프의 제어신호를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a control signal of a sense amplifier suitable for high frequency operation.

도 1은 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로를 나타낸 블럭도1 is a block diagram showing a control circuit of a conventional sense amplifier.

도 2는 종래 기술의 센스 앰프의 제어회로의 동작을 나타낸 동작 타이밍도2 is an operation timing diagram showing the operation of the control circuit of the conventional sense amplifier.

도 3은 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로를 나타낸 블럭도3 is a block diagram showing a control circuit of the sense amplifier according to the present invention.

도 4는 도 3의 멀티플렉서와 Y신호 선택부 및 센스 앰프 구동부를 나타낸 상세도4 is a detailed view illustrating a multiplexer, a Y signal selector, and a sense amplifier driver of FIG. 3;

도 5는 본 발명의 센스 앰프의 제어회로의 동작을 나타낸 동작 타이밍도5 is an operation timing diagram showing the operation of the control circuit of the sense amplifier of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

21 : 코딩부, 22 : Y신호 선택부, 23 : 인에이블 발생부, 24 : 센스 앰프, 25 : 칩 선택부, 26 : 메모리 셀, 27a,27b,27c,27d,27e,27f,27g,27h : 인버터, 28a,28b : 앤드 게이트, 29a,29b : 오어 게이트, 30 : 딜레이부21 coding unit, 22 Y signal selection unit, 23 enable generation unit, 24 sense amplifier, 25 chip selection unit, 26 memory cell, 27a, 27b, 27c, 27d, 27e, 27f, 27g, 27h : Inverter, 28a, 28b: End gate, 29a, 29b: Or gate, 30: Delay part

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 센스 앰프의 제어회로는 클럭과 어드레스 멀티플렉서의 신호를 받아 코딩하는 코딩부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블 신호를 발생시키는 인에이블 발생부와, 상기 인에이블 발생부의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈 로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀를 선택하는 칩 선택부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The control circuit of the sense amplifier according to the present invention for achieving the above object is a coding unit for receiving the signal of the clock and the address multiplexer and coding, and Y for receiving the output signal coded by the coding unit as input Y A digital signal is detected by a signal selector, an enable generator that receives an output signal coded by the coding unit and generates a sense amplifier enable signal, and detects a data signal having a small voltage difference by receiving an enable signal of the enable generator. And a chip selector configured to select a memory cell that receives a signal of the sense amplifier and the Y signal and stores corresponding data.

아하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로를 상세히 설명하면 다음과 같다.Aha, the control circuit of the sense amplifier according to the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

도 3은 본 발명에 따른 센스 앰프의 제어신호를 나타낸 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating a control signal of a sense amplifier according to the present invention.

본 발명에 따른 센스 앰프의 제어회로는 도 3에서와 같이 센스 앰프 구동부(20)는 클럭(Clock)과 멀티플렉서(Multiplexer)의 신호를 받아 코딩(Coding)하는 코딩부(21)와, 상기 코딩부(21)에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부(22)와, 상기 코딩부(21)에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블(Enale)신호를 발생시키는 인에이블 발생부(23)와, 상기 인에이블 발생부(23)의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프(24)와, 상기 센스 앰프(24)의 신호와 상기 Y신호를 받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메모리 셀(26)를 선택하는 칩 선택부(25)로 구성된다.In the control circuit of the sense amplifier according to the present invention, as shown in FIG. 3, the sense amplifier driver 20 receives a signal from a clock and a multiplexer and codes the coding unit 21 and the coding unit. A Y signal selector 22 which receives the output signal coded at 21 and selects a Y signal, and generates a sense amplifier enable signal by receiving the output signal coded at the coding unit 21; A sense amplifier 24 that receives the enable signal from the enable generator 23 and the enable generator 23, senses a data signal having a small voltage difference, and sufficiently amplifies the signal to be suitable for digital logic; And a chip selector 25 which receives the signal of 24 and the Y signal and selects a memory cell 26 storing corresponding data.

도 4는 도 3의 코딩부와 Y신호 선택부 및 인에이블 발생부를 나타낸 상세도이다.4 is a detailed diagram illustrating a coding unit, a Y signal selection unit, and an enable generation unit of FIG. 3.

도 4에서와 같이 먼저, 코딩부(21)는 외부에서 발생되는 코어 클럭 신호(Core CLK)를 입력으로 받아 내부 클럭 발진기(Generator)에 의해 발생된 신호인 PHI1, PHI2, PHI3 중에서 PHI1 신호는 제 1, 제 2 인버터(27a,27b)를 통해 딜레이 되고, 상기 딜레이된 신호와 어드레스 멀티플렉서를 통한 신호(A)를 받아 코딩하는 제 1 앤드 게이트(28a)(노드 1)와, 상기 제 1 앤드 게이트(28a)에서 코딩된 신호와 다음 클럭 신호인PHI2가 제 3 인버터(27c)에서 반전되어 통해 반전된 신호를 받아 합성하는 제 1 오어 게이트(NOR)(29a)(노드 2)와, 상기 제 1 오어 게이트(29a)의 신호를 반전시키는 제 4 인버터(Inverter)(27d)(노드 3)로 이루어진다.As shown in FIG. 4, first, the coding unit 21 receives an externally generated core clock signal Core CLK as an input, and PHI1 signals among PHI1, PHI2, and PHI3 generated by an internal clock generator are generated. First and second delays through the second inverters 27a and 27b, the first and gate 28a (node 1) for receiving and coding the delayed signal and the signal A through the address multiplexer, and the first and gate A first or gate (NOR) 29a (node 2) for receiving and combining the signal coded at 28a and the next clock signal PHI2 by being inverted through the third inverter 27c and the first signal; 4th inverter 27d (node 3) which inverts the signal of the OR gate 29a.

이어서, 상기 Y신호 선택부(22)는 상기 제 4 인버터(27d)에서 반전된 신호와 상기 어드레스 멀티플렉서 신호가 제 5 인버터(27e)를 통해 반전된 신호를 조합하는 제 2 오어 게이트(29b)와, 상기 제 2 오어 게이트(29b)(노드 4)의 신호를 반전시키어 Y신호를 선택하는 제 6 인버터(27f)로 이루어진다.Subsequently, the Y signal selector 22 includes a second or gate 29b that combines a signal inverted by the fourth inverter 27d and a signal in which the address multiplexer signal is inverted through the fifth inverter 27e. And a sixth inverter 27f that inverts the signal of the second or gate 29b (node 4) and selects the Y signal.

그리고 상기 인에이블 발생부(23)는 상기 제 4 인버터(27d)의 반전된 출력신호를 받아 인에이블 신호를 발생하기 위한 복수개의 인버터로 구성된 딜레이부(30)(노드 5)와, 상기 딜레이부(30)에서 딜레이된 신호와 상기 제 4 인버터(27d)의 출력신호를 받아 조합하는 제 2 앤드 게이트(28b)(노드 6)와, 상기 각 출력신호를 구동시키는 제 7, 제 8 인버터(27g,27h)로 이루어진다.The enable generator 23 receives the inverted output signal of the fourth inverter 27d and includes a delay unit 30 (node 5) composed of a plurality of inverters for generating an enable signal, and the delay unit. A second and gate 28b (node 6) for receiving and combining the signal delayed at 30 and the output signal of the fourth inverter 27d, and the seventh and eighth inverters 27g for driving the respective output signals. , 27h).

상기와 같이 이루어진 센스 앰프의 제어회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the control circuit of the sense amplifier made as described above is as follows.

도 5 에서와 같이 외부 클럭 신호를 받아 발진기를 통해 출력하는 내부 클럭 신호 중에서 PHI1과 어드레스 멀티플렉서 A 신호를 받아 제 1 앤드 게이트(28a)에서 코딩(노드 1)하여 딜레이된 반대의 PHI1 신호가 발생하게 된다.As shown in FIG. 5, the PHI1 and the address multiplexer A signals are received from the internal clock signals output through the oscillator and coded at the first AND gate 28a (node 1) to generate an opposite delayed PHI1 signal. do.

이어, 상기 딜레이된 반대의 PHI1 신호와 제 3 인버터(27c)에 의해 반전된 다음 클럭 신호인 PHI2 신호를 받아 제 1 오어 게이트(29a)에서 코딩한다. (노드 2)Subsequently, the delayed opposite PHI1 signal and the PHI2 signal, which is inverted by the third inverter 27c and then the clock signal, are coded by the first or gate 29a. (Node 2)

또한, 상기 제 1 오어 게이트(29a)에서 코딩된 신호는 제 4 인버터(27d)에 의해 반전된 신호(노드 3)와 상기 어드레스 멀티플렉서 신호가 제 5 인버터(27e)에 의해 반전된 신호를 받아 제 2 오어 게이트 (29c)에서 코딩한다. (노드 4)In addition, the signal coded by the first or gate 29a may receive a signal inverted by the fourth inverter 27d (node 3) and a signal in which the address multiplexer signal is inverted by the fifth inverter 27e. Code at 2 OR gates 29c. (Node 4)

이어, 상기 제 2 오어 게이트(29c)에서 코딩된 신호는 제 6 인버터(27f)를 통해 반전된 신호를 출력하여 Y선택 신호로 사용된다.Subsequently, the signal coded by the second or gate 29c is output as an inverted signal through the sixth inverter 27f and used as a Y selection signal.

그리고 상기 제 4 인버터(27d)에서 반전된 출력신호는 인에이블 발생부(23)의 딜레이부(30)에서 일정시간 딜레이 된다. (노드 5)The output signal inverted by the fourth inverter 27d is delayed by the delay unit 30 of the enable generator 23 for a predetermined time. (Node 5)

이어, 상기 딜레이부(30)에서 딜레이된 신호와 상기 제 4 인버터(27d)에서 반전된 신호를 입력받아 제 2 앤드 게이트 (28b)에서 코딩한다. (노드 6)Subsequently, the signal delayed by the delay unit 30 and the signal inverted by the fourth inverter 27d are received and coded by the second AND gate 28b. (Node 6)

이어서, 상기 제 2 앤드 게이트(28b)에서 코딩된 신호는 제 7, 제 8 인버터(27g,27h)에서 구동(Driver)되어 센스 앰프의 인에블 신호를 출력한다.Subsequently, the signal coded by the second and gate 28b is driven by the seventh and eighth inverters 27g and 27h to output an enable signal of the sense amplifier.

따라서 상기 Y선택 신호는 자신의 펄스영역인 PHI1에서만 인에이블되고, 센스 앰프 인에이블 신호는 Y선택 신호가 디스에이블(Disable)된 후, 다음 클럭 영역에서 펄스 형태로 인에이블된다.Accordingly, the Y selection signal is enabled only in its own pulse region PHI1, and the sense amplifier enable signal is enabled in a pulse form in the next clock region after the Y selection signal is disabled.

여기서 상기 Y선택 신호가 디스에이블된 상태라도 데이타 라인의 캐피시턴스(Capacitance)에 의해 전위차는 유지되므로 센스 앰프에 의하여 데이타 라인 전위차는 전원전압(Vdd)과 접지전압(GND) 값으로 된다.Here, even when the Y selection signal is disabled, the potential difference is maintained by the capacitance of the data line, so that the data line potential difference becomes the power supply voltage Vdd and ground voltage GND by the sense amplifier.

결과적으로 비트 라인 전위차는 전원전압과 접지전압 값으로 가지 않으므로 동일한 연속적인 리드(Read)가 가능하다.As a result, the bit line potential difference does not go to the supply voltage and the ground voltage, so that the same continuous read is possible.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 의한 센스 앰프 제어 회로에 있어서 비트 라인 전위차는 전원전압과 접지전압 값으로 가지 않으므로 동일한 연속적인 리드가 가능하기 때문에 고주파수에 사용하는 효과가 있다.As described above, in the sense amplifier control circuit according to the present invention, since the bit line potential difference does not correspond to the power supply voltage and the ground voltage value, the same continuous read is possible, and thus it is effective to use at high frequency.

Claims (4)

클럭과 어드레스 멀티플렉서의 신호를 받아 코딩하는 코딩부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 입력으로 받아 Y신호를 선택하는 Y신호 선택부와, 상기 코딩부에서 코딩된 출력신호를 받아 센스 앰프 인에이블 신호를 발생시키는 인에이블 발생부와, 상기 인에이블 발생부의 인에이블 신호를 받아 미세한 전압차의 데이타 신호를 감지하여 디지탈 로직에 적합하도록 충분히 증폭하는 센스 앰프와, 상기 센스 앰프의 신호와 상기 Y신호를 입력받아 해당하는 데이타를 저장하고 있는 메로리 셀을 선택하는 칩 선택부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 센스 앰프의 제어회로.A coding unit which receives and codes a signal of a clock and an address multiplexer, a Y signal selecting unit which receives an output signal coded by the coding unit as an input, and selects a Y signal, and receives an output signal coded by the coding unit as a sense amplifier An enable generator that generates an enable signal, a sense amplifier that receives the enable signal of the enable generator and senses a data signal having a small voltage difference and sufficiently amplifies the signal to be suitable for digital logic; the signal of the sense amplifier and the Y And a chip selector configured to receive a signal and select a memory cell storing corresponding data. 제 1 항에 있어서, 상기 코딩부는 클럭가 어드레스 멀티플렉서 신호를 입력받아 앤드 게이트와, 상기 앤드 게이트와 다음 클럭신호를 받아 코딩하는 오어 게이트와, 상기 클럭신호들을 반전시키어 출력하는 복수개의 인버터로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프의 제어 회로.The clock circuit of claim 1, wherein the coding unit comprises an AND gate receiving an address multiplexer signal, an OR gate receiving and encoding the AND gate and the next clock signal, and a plurality of inverters inverting and outputting the clock signals. Sense amplifier control circuit. 제 1 항에 있어서, 상기 Y신호 선택부는 Y신호를 선택하는 오어 게이트와, 상기 오어 게이트의 출력을 반전시키어 Y신호를 출력하는 인버터로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프의 제어 회로.The control circuit of claim 1, wherein the Y signal selector comprises an OR gate for selecting a Y signal, and an inverter for inverting an output of the OR gate and outputting a Y signal. 제 1 항에 있어서, 인에이블 발생부는 상기 코딩부의 출력을 받아 펄스를 만들기 위해 일정시간 동안 지연시키는 딜레이부와, 상기 딜레이부에서 지연된 신호를 연산하여 인에이블 신호를 만드는 앤드 게이트와, 상기 신호들을 구동시키는 복수개의 인버터를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프의 제어 회로.The method of claim 1, wherein the enable generation unit receives the output of the coding unit delayed for a predetermined time to make a pulse, an AND gate for generating an enable signal by calculating the delayed signal in the delay unit, and the signals A control circuit for a sense amplifier, comprising a plurality of inverters to drive.
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