KR0179253B1 - 칼라 음극선관용 전자총 - Google Patents

Abstract

본 발명은 칼라 음극선관용 전자총에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 가속전극과 집속전극에 형성된 경사진 차폐판의 중앙전자빔 통과공주위로 형성되는 완만한 침투전계에 의해 중앙빔의 비점수차(Astigmatism)를 개선하여 해상도가 열화되는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.

이를 위해, 집속전극(6)의 중앙전자빔 통과공 차폐판길이(l1)를 가속전극(7)의 중앙전자빔 통과공 차폐판길이(l2)보다 길게 형성하고 집속전극(6)의 양측전자빔 통과공 상하방향에는 전자빔 통과방향과 수직한 방향으로 수평평판 보정전극(33)을 설치하며, 가속전극(7)의 중앙전자빔 통과공의 상하방향에는 전자빔 통과방향과 수직한 방향으로 보정전극(34)를 설치하여서 된 것이다.

Description

칼라 음극선관용 전자총

제1도는 일반적인 칼라 음극선관을 나타낸 종단면도.

제2도는 종래 비축대칭 주렌즈를 형성하는 전극의 일 실시예를 나타낸 종단면도.

제3도는 종래 비축대칭 주렌즈를 형성하는 전극의 다른 실시예를 나타낸 종단면도.

제4도는 종래 비축대칭 주렌즈를 형성하는 전극의 또 다른 실시예를 나타낸 종단면도.

제5도의 (a)는 제2도의 횡단면도.

제5도의 (b)는 제5도 (a)의 A-A선 단면도.

제6도는 차폐판에 공통인 축방향최소길이를 y로 했을때 전자빔이 1점에 집중하는데 까지의 거리를 L로 나타낸 그래프.

제7도는 유니 포텐셜렌즈에 적용된 일 실시예의 요부단면도.

제8도는 바이 포텐셜렌즈에 적용된 일 실시예의 요부단면도.

제9도는 종래 비축대칭 주렌즈를 형성하는 전극에 등포텐셜라인을 나타낸 상태도.

제10도는 종래의 구조에 따른 전자빔의 모식도로써,

(a)는 싸이드빔의 포커싱상태를 나타낸 모식도.

(b)는 중앙빔의 포커싱상태를 나타낸 모식도.

제11도는 본 발명의 일 실시예를 나타낸 종단면도.

제12도는 집속전극측에 설치되는 보정전극의 사시도.

제13도는 가속전극측에 설치되는 보정전극의 사시도.

제14도는 가속전극에 형성된 중앙전자빔 통과공의 지름에 따라 중앙빔과 싸이드빔의 비점수차가 동일하게 되는 영역을 나타낸 그래프.

제15도는 집속전극에 형성된 수평 평판전극의 높이에 따라 중앙빔과 싸이드빔의 비점수차가 동일하게 되는 영역을 나타낸 그래프.

제16도는 집속전극과 가속전극의 차폐판길이에 따라 중앙빔과 싸이드빔의 비점수차관계를 나타낸 그래프.

제17도는 본 발명의 가속전극에 설치된 보정전극 구조에 따른 전자빔의 모식도.

제18도는 본 발명의 집속전극에 설치된 보정전극 구조에 따른 전자빔의 모식도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

6 : 집속전극 7 : 가속전극

16,17,31,32 : 차폐판 33 : 수평평판 보정전극

34 : 보정전극

본 발명은 칼라 음극선관용 전자총에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 가속전극과 집속전극에 형성된 경사진 차폐판의 중앙전자빔 통과공주위로 형성되는 완만한 침투전계에 의해 중앙빔의 비점수차(Astigmatism)를 개선하여 해상도가 열화되는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.

첨부도면 제1도는 일반적인 칼라 음극선관을 나타낸 종단면도로서, 칼라 음극선관은 판넬(1)과, 네크부(2a)가 일체로 형성된 펀넬(2)로 구성된 진공용기로 구성되어 상기 네크부에 전자총이 봉입되어 있다.

상기 전자총은 열원에 의해 전자를 방출하는 3개의 음극(3)과, 상기 음극으로 부터 방출된 전자를 일정한 형태로 제어하는 제어전극(4)과, 상기 제어전극에 의해 제어된 전자빔을 가속시키는 가속전극(5)과, 가속된 전자를 집속시키는 집속전극(6)과 그리고 최종 가속전극(7)및 차폐컵(8)으로 이루어져 있으며, 상기한 전극들은 각각의 음극에 대응하는 개공구의 중심축과 일치하며 공통 평면상에서 서로 평행하게 위치되어 있다.

상기한 개공부의 중심축이 각 전자빔의 초기통로를 부여한다.

이에 따라 음극(3)에서 방출된 전자빔은 각각의 중심축에 연해서 집속전극(6)과 가속전극(7)에 의해 형성된 실질적으로 개별적인 주렌즈에 입사된다.

상기 집속전극(6)은 가속전극(7)보다 저전위로 설정되며, 고전위의 가속전극(7)은 차폐컵(8)및 네크부(2a)의 내벽에 도포된 도전막(9)과 동전위를 띠게 된다.

각 전자빔은 집속전극과 가속전극사이에 형성되는 주렌즈에 의해 집속되지만, 상기 주렌즈중 중앙의 주렌즈는 대략 축대칭으로 형성되며, 중앙의 음극(3)에서 방출된 전자빔은 중심축에 연해서 주렌즈측으로 진행하게 된다.

한편, 양측의 주렌즈는 비축대칭으로 형성되며, 양측에 위치된 음극(3)에서 방출된 전자빔은 중앙전자빔의 방향으로 집중력을 받아 주렌즈에서 스크린측으로 진행하게 되므로 중앙빔과 함께 섀도우마스크(10)의 한점에 집중된다.

그리고 펀넬(2)로부터 연장되어 형성되는 네크부(2a)의 외주면에 설치된 편향요크(11)는 3개의 전자빔(12)에 수직, 수평자속을 작용시켜 이들 전자빔을 형광면(13)상에 수직및 수평방향으로 주사시키는 역할을 하게 된다.

첨부도면 제2도는 한국특허공고88-1014호에 나타난 비축대칭 주렌즈의 일 실시예를 나타낸 요부단면도로써, 각 전자빔을 집속하는 주렌즈를 구성하는 전극이 독립되어 있고, 일체화되어 있지 않을 경우를 나타낸다.

저전위측 전극인 집속전극(6)과 고전위측 전극인 가속전극(7)은 서로 간격을 두고 설치되며, 서로 가장 가까운부분에 중심축(G)에 대해 수직인 단면(14)(15)을 갖추고 있다.

상기 대향하는 단면(14)(15)에는 각기 3개의 전자빔 통과공(16)(17)이 형성되어 있고 상기 전자빔 통과공의 중심축은 전자빔(12)의 중심축(G)과 일치되어 있으며 그 직경은 상호 같도록 형성되어 있다.

상기 전자빔 통과공(16)의 외주면에는 상기 전자빔 통과공의 직경과 같은 내경을 갖는 원통형상의 차폐판(18)이 동심되게 형성되어 있다.

상기 차폐판(18)은 그 측벽의 길이가 전자빔의 집중방향(도면상 화살표 AR)을 향해서 순차적으로 감소하도록 원통을 비스듬하게 절단한 형태를 취하고 있다.

즉, 차폐판(18)은 그 중심축이 전자빔 통과공(16)의 중심축(G)과 일치한 같은 원통으로 이루어져 있고 상기 원통의 일단부는 가속전극(7)과 인접하고 있으며, 반대측에 위치하는 단부는 전자빔 통과공(16)의 중심축에 대해 경사지고 있다.

또한, 가속전극(7)에 형성된 전자빔 통과공(17)에도 집속전극에 형성된 전자빔 통과공의 직경과 같은 내경을 갖는 원통형상의 차폐판(19)이 동심되게 형성되어 있다.

상기 차폐판(19)은 그 측벽의 길이가 집속전극(6)에 형성된 차폐판(18)과는 반대로 전자빔의 집중방향(AR)을 향해서 점진적으로 증대되는 원통형상으로 되어 있다.

상기한 구성에 의하면,저전위전극인 집속전극(6)에서 차폐판의 측벽길이가 긴 부분에서 고전위의 침입이 강하게 억제되며, 고전위전극인 가속전극(7)에서는 저전위의 침입이 강력하게 억제된다.

더구나 억제되는 방향이 각각의 전극에 있어서 중심축(G)에 대해 서로 대칭위치에 있으므로 집속전극(6)과 가속전극(7)사이에 제2도와 같이 등전위전(20)이 형성된다.

즉, 축대칭 집속전계의 양측에 경사전계가 중첩된 전계가 형성된다.

이에 따라 상기한 전계에 의해 전자빔(12)은 집속되는 동시에 도면상 아랫방향(집중방향 AR)으로 편향된다.

상기한 비축대칭 주렌즈는 제3도에 나타낸 바와 같이, 원통은 축에 평행으로 2분할된 반원통상의 차폐판(21)(22)을 각각 집속전극(6)과 가속전극(7)의 전자빔 통과공(16)(17)에 형성하는 것에 의해서도 구성할 수 있다.

상기한 경우, 반원통형상의 차폐판(21)은 중심축의 윗쪽(전자빔의 집중방향 AR과 반대쪽의 절반)에 배치되며, 다른 일측의 차폐판(22)은 중심축()의 아랫쪽(전자빔의 집중방향 AR쪽의 절반)에 배치된다.

첨부도면 제4도는 종래 비축대칭 주렌즈를 형성하는 전극의 또 다른 실시예를 나타낸 종단면도로써, 저전위측전극인 집속전극(6)에 전자빔 통과공(16)이 형성되어 있고 상기 전자빔 통과공의 내측에는 상기 전자빔 통과공의 직경보다 큰 내경을 갖는 원통형상의 차폐판(23)이 형성되어 있다.

그리고 고전위전극인 가속전극(7)에도 전자빔 통과공(17)이 형성되어 있고 상기 전자빔 통과공의 내측에는 상기 전자빔 통과공의 직경보다 큰 내경을 갖는 원통형상의 차폐판(24)이 형성되어 있다.

상기 집속전극(6)에 형성된 차폐판(23)은 전자빔(12)의 초기통로(전자빔 통과공의 중심축)로 부터 약간 전자빔 집중방향(AR)에 편심되게 배치되며, 이와는 반대로 가속전극(7)에 형성된 차폐판(24)은 전자빔(12)의 초기통로(전자빔 통과공의 중심축)에서 약간 전자빔 집중방향(AR)과 반대방향(도면에서는 윗쪽방향)으로 편심되게 배치되어 있다.

이와 같이 원통형상의 차폐판(23)(24)을 전자빔 통과공(16)(17)의 중심축(G)에서 편심시키면 차폐판의 측벽의 일부가 중심축에 대해 편심시킨 방향으로 얻어진다.

상기 측벽이 중심축에서 멀어지면 멀어질수록 저전위전극인 집속전극(6)에서는 고전위가, 그리고 고전위전극인 가속전극(7)에서는 저전위가 깊이 침입하게 된다.

상기 차폐판의 측벽을 멀리하는 방향은 각각의 전극에서 전자빔 통과공의 중심축에 대해서 대칭의 관계에 있으므로 등전위선(20)은 제4도와 같은 형상으로 나타나며, 축대칭 집속관계의 양측에는 경사전계가 중첩되게 형성된다.

이에따라 상기한 전계에 의해 전자빔(12)은 경사방향으로 집중력을 받게 된다.

제2도의 일 실시예에서는 전계의 경사가 원통형상의 차폐판 일측에서 전위의 칩입을 억제하므로 인해 형성되므로 차폐판을 비스듬히 절단했을 때의 경사각과는 일치하지 않으며, 차폐판의 절단에 따른 경사각보다도 작은 값으로 된다.

이에 따라 차폐판의 경사각에 대한 전자빔 편향량의 의존성은 작으며, 제작상의 오차에 의해 발생되는 전자빔의 편향량 오차도 작다.

또 마찬가지로, 제3도에 있어서의 반원통상 차폐판의 길이에 대한 전자빔 편향량의 의존성도 작으므로 제작상의 오차에 의해 발생되는 전자빔의 편향량의 오차도 작아지게 된다.

따라서 정밀한 가공을 필요로 하지 않게 되므로 실용성이 매우 높은 잇점을 갖는다.

또, 제2도 내지 제4도의 전극구조에서의 전극공극부의 중간에서 전계는 축대칭으로 되며, 그 양측의 넓은 범위에 비축대칭전계가 부가되어 있다.

이 때문에 전자빔은 넓은 영역에서 완만하게 편향되므로 편향에 의해 발생되는 비점수차도 작아지게 된다.

제2도에 있어서의 차폐판(18)은 단면(14)에 중심축(G)에서 전자빔 집중방향에 편심한 소 타원공(小 楕圓孔)을, 차폐판(19)은 단면(15)에 중심축(G)에서 전자빔 집중방향과 반대방향에 편심한 소 타원공(小 楕圓孔)을 미리 뚫은 다음, 중심축(G)을 중심으로 하여 프레스가공하므로써 용이하게 성형할 수 있다.

제3도에 있어서의 차폐판(21)은 단면에 전자빔 통과공(16)과 동일경, 동일중심의 반원을 전자빔 집중방향으로, 차폐판(22)은 단면에 전자빔 통과공(17)과 동일경, 동일중심의 반원을 전자빔 집중방향과 반대방향으로 뚫은 후, 중심축(G)을 중심으로 하여 프레스가공하므로써 용이하게 성형할 수 있다.

또한, 제4도에 있어서의 차폐판(23)은 프레스의 중심을 중심축(G)에서 전자빔 집중방향으로, 차폐판(24)은 전자빔 집중방향과 반대방향으로 각각 편심시켜서 프레스가공하므로써 성형할 수 있다.

그후, 중심축(G)과 동일중심의 전자빔 통과공(16)(17)을 갖는 평판을 단면(14)(15)에 각각 고정하여 차폐판의 구멍을 부분적으로 폐쇄할 수도 있다.

또, 집속전극(6)및 가속전극(7)의 전자빔 통과공(16)(17)은 그 중심축이 상호 일치하며, 또 직경도 일치하므로 조립시에 복잡한 지그(Jig)을 필요로 하지 않으며, 조립작업도 용이하므로 위치맞춤정도도 향상된다.

상기 집속전극(6)과 가속전극(7)은 동일경이므로 전극외경의 증대나 구면수차가 증대되는 현상도 발생되지 않는다.

또한, 집속전극(6)과 가속전극(7)의 대향하는 단면(14)(15)은 중심축에 대해 수직이기 때문에 단면을 중심축에 대해 원하는 각도를 정도좋게 경사시키기 위한 복잡한 공정은 필요치 한다.

또, 경사전계를 형성하는 차폐판의 제작에는 전극단면을 경사시킬 때에 필요했었던 제작정밀도도 필요치 않게 된다.

이처럼 전극의 부품가공, 조립작업이 모두 현저하게 간편화되므로 그 효과를 기대할 수 있다.

상기한 각 실시예에서는 차폐판으로써 원통 또는 반원통을 사용했을 경우에 대해 설명했지만, 차폐판의 형상은 이것에 한정되지 않으며, 예를 들어 단면이 타원인 통을 사용할 수도 있다.

또, 차폐판을 전극에 각각 설치할 필요는 없으며, 일측의 전극에만 설치해도 좋다.

제5도의 (a)는 제2도와 제4도의 전자빔 집중수단을 조합하여 이것을 인라인형, 일체화 전자총에 적용한 일 실시예의 요부단면도, 제5도의 (b)는 (a)에 있어서의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.

3개의 전자빔을 집속하는 3개의 주렌즈가 집속전극(6)과 가속전극(7)사이의 각각의 전자빔에 대응하는 전극개공부에 형성된다.

중앙빔을 집속하는 주렌즈를 축대칭으로 형성하기 위해 축대칭 원통형의 차폐판(25)(26)을 각기 집속전극(6)과 가속전극(7)에 집속하므로 중앙빔은 직진한다.

양측의 전자빔은 정(靜)컨버젼스를 취하기 때문에 중앙전자빔방향에, 즉 내측으로 집중시키기 위해 원통을 비스듬히 절단한 형상의 차폐판(18)을 집속전극(6)에, 그리고 차폐판(19)을 가속전극(7)에 접속한다.

이때 원통을 절단하는 방향은 제2도에 의거하여 상세히 설명한 바와 같이 전자빔을 원하는 방향, 즉 내측에 집중하기 위한 조건을 충족시키게 한다.

또 저전위측 집속전극(6)에서는 전극의 외주면은 그 내벽이 전자빔 집중방향과 반대측에 있어서 양측 전자빔에 접근하고 있으므로 제4도의 차폐판(23)과 마찬가지의 기능을 가지며, 양측 전자빔에 집중력을 부여한다.

또한, 고전위측 가속전극(7)에 있어서도 전극의 외주면의 내벽은 전자빔 집중방향과 반대측에서 양측 전자빔에 접근하고 있으며, 전자빔 집중방향과 반대측으로의 편향력을 준다.

그러나, 고전위부분에서는 전자빔의 중심축방향의 속도가 고속이기 때문에 편향량이 작으며, 저전위측 전극에서의 집중이 우세하며, 역시 양측 전자빔은 전체적으로 내측방향으로 집중된다.

제5도에 있어서 h=21.4mm,d=5.5mm,1=4.1mm,t=0.2mm,g=1.0mm,v=9.

4mm,x=2.8mm로 하고, 고전위전극인 가속전극(7)에 25KV, 저전위 전극인 집속전극(6)에는 7KV의 전위를 인가하여 3차원 전장분포(電場分布)를 수치계산에 의해 구하고, 다시 그 전장내의 전자빔 궤도를 분석하여 실험치와 비교하여 실험치를 제6도에 나타내었다.

전자총의 중심축(G)과 양측 전자빔을 집중하는 전자총의 중심축과의 거리 S=6.6mm로 되므로 양측 전자빔의 편향략이 상기 값에 일치했을 때에 3개의 전자빔은 1점에 집중된다.

제6도는 차폐판(18)(19)에 공통인 축방향 최소길이를 y로 했을때 3개의 전자빔이 1점에 집중하기 까지의 거리를 L로 나타낸 것이다.

상기 거리 L은 집속전극(6)의 가속전극(7)에 상대하는 단면에서 얻어진 값이다.

여러가지 규격의 칼라 음극선관에서는 상기 단면에서 형광면까지의 거리가 약 250∼340mm의 범위에 있으므로 제6도로 부터 그 값에 응해서 저전위측 전극이 7KV일 때는 y=0.4∼0.8mm정도의 범위에서 적당히 선정하므로써 형광면상의 1점에 각 전자빔을 집중시킬 수 있게 된다.

이러한 종래의 전자총은 제1도에 나타낸 바와 같이 집속전극(6), 가속전극(7)에 의해 주렌즈를 구성하는 이른바 바이 포텐셜렌즈에 한정하지 않으며, 저전위전극의 양측에 고전위전극을 배치하여 3개의 전극에 의해 구성하는 유니 포텐셜렌즈, 또는 유니 포텐셜렌즈의 음극측에 다시 또 하나의 저전위전극을 부가하여 4개의 전극에 의해 구성하는 바이-유니 포텐셜렌즈에도 적용된다.

제7도는 유니 포텐셜렌즈에 적용한 일 실시예를 나타낸 것으로써, (27)(7)은 서로 전기적으로 접속된 고전위전극이며, (6)은 저전위전극이다.

차폐판(16)(17)의 효과에 의해 전극(6)(7)과의 사이에 비축대칭의 렌즈가 형성되며, 양측전자빔(12a)과 중앙전자빔(12b)은 스크린상의 1점에 집중된다.

제8도는 바이-유니 포텐셜렌즈에 적용한 일 실시예를 나타낸 것으로써, (28)(7)은 서로 전기적으로 접속된 고전위전극, (6)(29)은 서로 전기적으로 접속된 저전위전극이다.

차폐판(16)(14)의 효과에 의해 전극(6)(7)사이에 비축대칭렌즈가 형성되며, 양측전자빔(12a)과 중앙전자빔(12b)은 스크린상의 1점에 집중된다.

이때 전자빔의 집중에 대해서는 제7도의 전극(6)과 제8도의 전극(6)은 제4도의 전극(6)과 동일한 효과를 가지므로 그들 전극의 칫수와 전위를 공통으로 하고, 또한 전극(7)의 칫수와 전위를 공통으로 하면 전자빔의 궤도해석의 결과도 공통으로 되므로 제7도및 제8도의 실시예에 대해서도 제6도에 따라서 차폐판의 적당한 칫수를 결정할 수 있다.

그러나 상기한 차폐판(16)(17)은 조립오차를 줄이고, 양측전자빔을 중앙전자빔에 집중시키는 능력을 향상시키는 잇점을 갖게 되나, 다음과 같은 문제점을 나타낸다.

제9도에서 보는 것처럼 집속전극(6)측 차폐판(16)은 중앙전자빔 통과공주위가 낮게 형성되어 있다.

그리고 가속전극(7)측 차폐판(17)은 중앙전자빔 통과공주위가 높게 형성되어 있다.

이에 따라 양측전자빔 통과공에서는 경사전계(e)가 형성되므로 상기 경사전계에 의해 전자빔은 중앙전자빔에 수렴된다.

하지만, 집속전압(Vf)에 가까운 등 포텐셜라인(침투전계)은 제9도에 e로 표시한 것과 같이 중앙전자빔을 둘러싸게 된다.

이로 인해 중앙전자빔 통과공주위에서는 수평방향으로 완만한 렌즈가 형성되므로 수평방향에서 발산하는 효과를 나타내게 된다.

이를 좀더 상세히 설명하면, 제10도에서 처럼 양측전자빔은 수평보다 수직의 집속작용이 미세하나마 약화되어 스크린에서 수평방향은 저스트 포커스, 그리고 수직방향은 언더 포커스를 유지하며 미세종장형의 빔스포트를 나타내지만 중앙전자빔은 중앙전자빔 통과공을 수평방향으로 둘러싸는 침투전계(e)에 의해 수평방향의 집속력이 약화되어 수평은 언더 포커스, 수직은 오버 포커스의 형태를 띠므로 제10도에서처럼 횡장화된 빔스포트를 나타낸다.

이와 같은 횡장화된 전자빔은 화면의 해상도 열화를 초래하게 되므로 반드시 개선되어야 한다.

이러한 현상은 비점수차라는 특성으로 나타나는데, 실제 이를 측정하여 보았다.

비점수차는 전자빔의 수평사이즈가 최소가 될 때의 전압에 수직사이즈가 최소가 될 때의 전압을 뺀 값으로 일반적으로 +의 경향이 되도록 설계한다.

+의 경향이 되면 주변부 할로(holo)성분을 미소하나마 조정가능하기 때문이다.

실제 종래의 집속전극과 가속전극에 차폐판을 형성시킨 전자총을 측정하여 보았더니, 그 결과 양측전자빔은 약 +50V의 비점수차를 나타내고, 중앙전자빔의 비점수차는 약-250∼-350V 수준으로 나타났다.

본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 그 구조를 개선하여 중앙전자빔의 비점수차를 양측전자빔의 비점수차와 동일하게 유지시킬수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 집속전극의 중앙전자빔 통과공 차폐판길이를 가속전극의 중앙 전자빔 통과공 차폐판길이보다 길게 형성하고 집속전극의 양측전자빔 통과공 상하방향에는 전자빔 통과방향과 수직인 방향으로 수평평판 보정전극을 설치하며, 가속전극의 중앙전자빔 통과공의 상하방향에는 전자빔 통과방향과 수직한 방향으로 보정전극을 설치함을 특징으로 하는 칼라 음극선관용 전자총이 제공된다.

이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 첨부된 도면 제11도 내지 제18도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

첨부도면 제11도는 본 발명의 일 실시예를 나타낸 종단면도이고 제12도는 집속전극측에 설치되는 보정전극의 사시도이며 제13도는 가속전극측에 설치되는 보정전극의 사시도로써, 집속전극(6)과 가속전극(7)의 양측전자빔 통과공에 형성된 차폐판(16)(17)의 길이는 가변시킬 수 없다.

이는 집속전극(6)과 가속전극(7)의 양측전자빔 통과공에 형성된 차폐판(16)(17)의 길이를 가변시키면 양측전자빔의 중앙전자빔에 대한 수렴능력이 달라지기 때문에 가변시키지 않고, 중앙전자빔 통과공을 둘러 싸고 있는 집속전극의 차폐판(31)및 가속전극(7)의 차폐판(32)길이를 가변시킨다.

이때 집속전극(6)및 가속전극(7)이 차폐판(31)(32) 길이는 집속전극측은 전자빔 통과공의 1/2이상, 가속전극측은 전자빔 통과공의 1/2 이하가 되도록 형성하고 집속전극(6)의 차폐판(31)길이(l₁)을 가속전극(7)의 차폐판(32)길이(l₂)보다 1.2∼1.5배로 형성하므로써 비점수차를 보정할 수 있게 된다.

첨부도면 제11도에 도시한 것처럼 집속전극(6)에 수평평판 보정전극(33)을 설치하여 양측전자빔의 비점수차를 중앙전자빔의 비점수차에 일치시켰다.

이는 중앙전자빔과 양측전자빔의 비점수차가 맞으면 전체적인 발란스는 도면에는 도시되지 않았지만, 제어전극의 슬로트와 같은 것으로 형성하기 때문이다.

다시 말해서 비대칭 삼극부 또는 프리 포커스렌즈를 형성시키면 되기 때문이다.

상기한 구성은 비점수차를 개선할려는 의도가 아니라, 양측전자빔과 중앙전자빔이 동일한 경향이 되도록 하기 위한 방법이며, 별도의 수단이 있어야 된다.

집속전극(6)측 보정전극은 차폐판의 수직방향에 수평평판 보정전극(33)으로 구성한다.

그리고 가속전극(7)에는 보정전극(34)을 설치하여 중앙전자빔의 비점수차를 개선하였다.

이때 가속전극(7)측에 설치되는 보정전극(34)은 중앙전자빔 통과공(35)의 수직방향의 길이(l₃)가 양측전자빔 통과공의 수직방향길이(l₄)보다 1.9∼2.2배 정도 높게 구성하여야 된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용, 효과를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 중앙전자빔 통과공을 둘러싸고 있는 집속전극(6)및 가속전극(7)에 형성된 차폐판에 대해 설명하면, 제16도에서 알수 있듯이 양측전자빔의 비점수차는 +50V정도로 미세 종장형의 스포트로 양호한 상태를 나타내지만, 중앙전자빔은 -250∼-350V정도로 수평으로 발산하고, 수직으로는 집속하는 횡장형의 스포트형태를 나타낸다.

이를 개선하기 위해 집속전극(6)의 차폐판길이를 현재 3.1mm에서 늘리고, 줄이면서 비점수차를 관찰하고 가속전극(7)에서 차폐판길이를 현재 2.8mm에서 늘리고, 줄이면서 양측전자빔의 비점수차 +50V를 만족시키는 칫수를 찾아 보았다.

예를 들면, 가속전극(7)의 차폐판길이를 2.8mm로 고정하였을때 집속전극(6)의 차폐판길이는 약 3.35mm정도임을 알수 있었고, 집속전극의 차폐판길이를 3.1mm로 고정하였을 경우 가속전극의 차폐판길이는 약 2.56mm정도임을 알수 있었다.

또한, 집속전극의 차폐판길이가 가속전극의 차폐판길이의 1.2∼1.5배정도임을 알 수 있었다.

이렇게 구성하였을 경우 제18도의 (b)에 도시한 바와 같이 수직방향으로 발산력을 증대시키게 되므로 중앙전자빔과 양측전자빔이 동일한 비점수차를 갖게 되어 미세 종장형의 양호한 빔스포트를 형성하게 된다.

한편, 가속전극(7)에 설치된 보정전극(34)에 의해 제14도에 도시한 바와 같이 전체적으로 비점수차가 +100V로 증가했다.

이때의 보정전극 및 가속전극칫수는 중앙전자빔 통과공은 2.2∼3.4mm까지 가변하였으며, 양측전자빔 통과공의 치수는 1.6mm로 고정한 경우이다.

여기서 알 수 있는 것은 중앙전자빔과 양측전자빔의 비점수차가 동일하게 되는 영역이 3.0∼3.4mm정도의 중앙전자빔 통과공칫수임을 알수 있고, 또한 중앙전자빔통과공과 양측전자빔 통과공의 비율이 약 1.9∼2.2배임을 알수 있다.

이 또한 제18도에 나타낸 바와 같이 수직방향에서 중앙전자빔이 발산작용을 하게 되므로 전체적으로 종장형의 스포트형태를 나타내게 된다.

한편, 집속전극(6)의 양측전자빔 통과공의 수직한 방향에 수평평판 보정전극(33)을 설치한 다음 중앙전자빔과 양측전자빔의 비점수차가 동일한 점을 찾아 보았더니 1.6∼2.0mm정도가 되는 것을 알았다.

이때 상기 수평평판 보정전극의 높이(W)는 6.0mm로 설정한 경우이다.

상기한 구성에 따라 제17도에 도시한 바와 같이 수직방향의 집속렌즈가 1개 더 있는것과 같은 형태로 설명할 수 있게 됨은 이해가능한 것이다.

이상에서와 같이 본 발명은 집속전극에 설치되어 중앙전자빔이 통과되는 차폐판의 길이를 종래보다 길게 형성하고 집속전극에는 수평평판 보정전극을, 그리고 가속전에는 보정전극을 설치하여 중앙전자빔 통과공의 주위로 발산되는 완만한 침투전계에 의한 중앙전자빔의 비점수차를 개선하게 되므로 해상도가 열화되는 현상을 미연에 방지하게 된다.

Claims (6)

1. 전자빔을 방사하기 위한 복수개의 인라인형 전자빔 방사수단과, 상기 전자빔의 방사량과 크로스오버를 조절하기 위한 제어전극과 가속전극으로 구성된 삼극부와, 상기 전자빔을 스크린에 집속하기 위한 집속및 가속렌즈를 형성하는 적어도 1개이상의 집속및 가속전극으로 구성되며 상기 전자빔 방사수단및 복수개의 집속및 가속전극으로 구성되어 상기 전자빔 방사수단 및 복수개의 전극들은 서로 일정간격 떨어져 관축방향으로 순차적으로 배치되어 있으며 상기 복수개의 집속및 가속전극에는 버링이 전극내부로 돌출되어 있으며, 외측 전자빔 통과공은 경사버링이 형성되어 있는 것에 있어서, 집속전극측 중앙전자빔 통과공 버링길이가 가속전극측 중앙전자빔 통과공 버링길이의 1.2∼1.5배인 칼라 음극선관용 전자총.
2. 제1항에 있어서, 집속전극측 버링길이가 공경의 1/2이상인 칼라 음극선관용 전자총.
3. 제1항에 있어서, 가속전극측 버링길이는 공경의 1/2이하인 칼라 음극선관용 전자총.
4. 전자빔을 방사하기 위한 복수개의 인라인형 전자빔 방사수단과, 상기 전자빔의 방사량과 크로스오버를 조절하기 위한 제어전극과 가속전극으로 구성된 삼극부와, 상기 전자빔을 스크린에 집속하기 위한 집속 및 가속렌즈를 형성하는 적어도 1개이상의 집속및 가속전극으로 구성되어 상기 전자빔 방사수단및 복수개의 집속및 가속전극으로 구성되어 상기 전자빔 방사수단 및 복수개의 전극들은 서로 일정간격 떨어져 관축방향으로 순차적으로 배치되어 있으며 상기 복수개의 집속및 가속전극에는 버링이 전극내부로 돌출되어 있으며 외측 전자빔 통과공은 경사버링이 형성되어 있고 가속전극내부에는 전자빔 통과공의 수직한 방향으로 수평평판 보정전극이 삽입된 것에 있어서, 중앙공 상하에 형성된 수평평판 보정전극의 높이가 외측공 상하에 형성된 수평평판전극의 높이보다 1.9∼2.2배인 칼라음극선관용전자총.
5. 제4항에 있어서, 외측공 상하에 형성된 수평평판 보정전극의 높이가 공경의 0.15∼0.4배인 칼라 음극선관용 전자총.
6. 전자빔을 방사하기 위한 복수개의 인라인형 전자빔 방사수단과, 상기 전자빔의 방사량과 크로스오버를 조절하기 위한 제어전극과 가속전극으로 구성된 삼극부와, 상기 전자빔을 스크린에 집속하기 위한 집속및 가속렌즈를 형성하는 적어도 1개이상의 집속및 가속전극으로 구성되어 상기 전자빔 방사수단및 복수개의 집속및 가속전극으로 구성되어 상기 전자빔 방사수단및 복수개의 전극들은 서로 일정간격 떨어져 관축방향으로 순차적으로 배치되어 있으며 상기 복수개의 집속및 가속전극에는 버링이 전극내부로 돌출되어 있으며 외측 전자빔 통과공은 경사버링이 형성되어 있고, 집속전극내부에는 외측 전자빔통과공의 수직한 방향으로 수평평판 보정전극이 들어 있는 칼라 음극선관용 전자총.