KR0172436B1 - 반도체 장치의 기준전압 발생회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치 등을 위한 기준전압 발생회로에 관한 것으로, 특히 엔모오스 트랜지스터 와 양의 온도계수를 가지는 온도보상회로를 가지고 온도, 공정 및 외부의 공급전압의 레벨이 변화더라도 변화의 값을 자동적으로 보상하여 일정한 레벨이 기준전압을 발생하는 기준전압 발생회로에 관한 것이다. 상기의 기준전압 발생회로는 상기 전원전압이 입력되는 단자로부터 상기 기준전압이 출력되는 기준전압단자의 사이에 직렬 접속되어 전류를 공급하는데 제1, 제2저항과, 상기 기준전압단자와 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되어 게이트로 입력되는 제어전압에 따라 상기 기준전압단자의 레벨을 제어하는 제1엔모오스 트랜지스터와, 상기 제2저항과 상기 제1엔모오스 트랜지스터 의 게이트 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 상기 제1 및 제2저항의 접속노드에 게이트가 접속된 제2엔모오스 트랜지스터 와, 상기 기준전압단자로부터 출력되는 기준전압을 온도변화에 적응적으로 준압하여 온도보상제어전압을 출력하는 온도보상수단과, 상기 제1엔모오스 트랜지스터 의 게이트와 상기 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 게이트가 상기 온도보상수단의 출력노드에 접속되어 상기 제1엔모오스 트랜지스터 의 게이트로 입력되는 제어전압은 제어하는 제3엔모오스 트랜지스터로 구성된다.
Description
제1도는 종래의 반도체 장치에 사용된 기준전압 발생회로도.
제2도는 종래의 기준전압 발생회로의 전원전압 대 기준전압의 변화특성 곡선도.
제3도는 본 발명에 따른 기준전압 발생회로의 실시예의 상세 구성도.
제4도는 본 발명에 따라 구성된 기준저압 발생회로의 전원전압 대 기준전압 변화 특성 곡선도.
제5도는 본 발명에 따른 기준전압 발생기의 문턱 전압 및 온도변화에 따른 기준전압 레벨 변화정도를 나타낸 시뮬레이션 결과 테이블.
본 발명은 반도체 장치의 외부로부터 공급되는 전원전압보다 낮은 기준전압을 발생하는 기준전압 발생회로에 관한 것으로, 특히 모오스 트랜지스터의 제조공정상의 변화 및 주변의 온도가 변화하더라도 상기 변화요소에 따른 기준전압의 변동을 보상하는 기준전압 발생회로에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치의 소형화 및 고집적화 추세에 따라서, 반도체 메모리 장치의 외부로부터 공급되는 전원전압 보다 소정의 레벨이 낮은 내부공급전압을 사용하는 메모리 장치가 일반화되고 있다. 따라서, 최근에 들어서는 이러한 내부전원전압 발생회로의 기준이 되는 기준전압 발생기의 연구가 활발히 진행되고 있다. 상기의 기준전압은 내부전원전압을 발생시키기 위한 기준이 되는 정전압으로, 외부 환경의 변화에 따른 온도의 변화, 외부로부터 공급되는 전원전압에 변화 및 다양한 공정상의 변소에 무관하게 안정한 기준전압 레벨을 유지하도록 설계하는 것이 가장 중요한 문제점이다.
위와 같은 설계조건을 만족하는 종래의 기술로서는 본원 출원인에 의해 1992년 특허출원되어 1994년 특허공고된 공고번호 제94-7298호로 게재된 씨모오스 트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로가 있으며, 이는 하기 제1도에 도시된 바와 같다.
제1도는 종래의 반도체 장치에 사용된 기준전압 발생회로도로서, 이는 국내 특허공보 제3709호의 309면 내지 316면에 상세히 게재되어 있다. 그 구성을 간략히 살펴보면 하기와 같다.
외부로부터 공급되는 전원전압 Vcc와 접지전압 Vss의 사이에 저항 12, 14 및 엔모오스 트랜지스터 16의 드레인-소오스 채널과 엔모오스 트랜지스터 18의 드레인-소오스 채널이 직렬로 접속되어 있으며, 상기 엔모오스 트랜지스터 18의 게이트는 전원전압 Vcc에 접속되고 상기 엔모오스 트랜지스터 16의 게이트는 상기 저항 12과 저항 14의 접속노드 N2인 기준전압 Vref에 접속되어 있다. 그리고, 상기 기준전압 Vref와 접지전압 Vss의 사이에는 피모오스 트랜지스터 20의 소오스-드레인 채널이 접속되며, 상기 피모오스 트랜지스터 20의 게이트와 벌크바이어스단자(Bulk bias terminal)는 상기 엔모오스트랜지스터 16의 드레인 및 상기 기준전압 Vref에 각각 접속되어 구성되어 있다.
상기와 같이 구성된 씨모오스 트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로의 동작을 간략히 설명하면 다음과 같다.
지금, 외부로부터 전원전압 Vcc이 공급되면, 상기 전원전압 Vcc에 게이트가 접속된 엔모오스트랜지스터 18는 정상상태에서 항상 턴온되어진 상태로 동작된다. 따라서, 상기 저항 12, 14 및 엔모오스트랜지스터 16의 드레인-소오스 채널과 이에 직렬 접속된 엔모오스트랜지스터 18의 드레인-소오스 채널을 통해 전류 루우프가 형성되어 전원전압 Vcc의 전류가 접지전압 Vss로 바이패스된다.
상기와 같은 전류 루우프에 의해 상기 저항 14의 양단에는 전류 I104가 흐르게 된다. 상기와 같은 전류 흐름에 의해 상기 엔모오스트랜지스터 16의 드레인과 저항 14가 접속된 노드 N2로부터는 소정레벨의 전압 V2가 출력된다. 이때, 상기 엔모오스트랜지스터 18이 정상 상태에서 항상 턴-온되어 있기 때문에 상기 노드 N2 전압 V2는 피모오스 트랜지스터 20을 턴온시키기에 충분한 낮은 전압레벨을 가지므로 상기 피모오스 트랜지스터 20도 턴-온되게 된다. 따라서, 상기 피모오스 트랜지스터 20의 소오스로부터 출력되는 기준전압 Vref의 레벨은 하기 식 1과 같이 된다.
단, 상기 식 1에서, Rch는 엔모오스트랜지스터 16과 18의 채널저항이고, Vtp는 피모오스 트랜지스터 20의 문턱전압, 그리고, R14는 저항 14의 저항값이다.
상기와 같이 구성된 기준전압 발생회로에 공급되는 전원전압 Vcc의 레벨이 상승되거나, 감소되면 엔모오스트랜지스터 16 및 18의 게이트 전위가 변화됨으로써 피모오스 트랜지스터 20의 게이트로 공급되는 전압의 레벨이 가변되어 기준전압 Vref의 레벨이 일정하게 제어된다. 따라서, 상기 제1도와 같이 구성된 기준전압 발생회로는 엔모오스 트랜지스터와 피모오스 트랜지스터의 쌍으로 이루어진 씨모오스 트랜지스터의 동작에 의해 일정한 기준전압 Vref를 발생함을 알 수 있다.
상기 제1도와 같이 구성된 기준전압 발생회로는 주변의 온도 변화에 따른 온도보상의 동작을 수행한다. 제1도와 같이 구성된 회로의 온도보상은 음의 온도계수를 가지는 피모오스 트랜지스터 20와, 양의 온도계수를 가지는 엔모오스트랜지스터 16의 상쇄 작용에 의한 것이다.
예를 들어, 주변의 온도가 증가하면 피모오스 트랜지스터 16과 18들의 채널 내부의 캐리어의 이동도(mobility)가 감소하여 채널 저항이 증가하게 되어 노드 N2의 전압 V2의 레벨이 증가된다. 이때, 음의 온도계수를 가지는 엔모오스트랜지스터 20의 문턱전압 Vtp는 온도의 증가에 따라 감소하게 된다. 따라서, 주변의 온도가 상승되면 양의 온도계수를 가지는 상기 엔모오스트랜지스터 16, 18와 음의 온도계수를 가지는 피모오스 트랜지스터 20의 상쇄작용에 의해 기준전압 Vref은 일정한 레벨의 전압으로 유지 출력 된다.
이와는 반대로, 온도가 내려 가면 상기 엔모오스트랜지스터 16, 18의 채널 저항이 감소하여 노드 N2의 전압이 감소하고, 상기 피모오스 트랜지스터 20의 문턱전압 Vtp가 증가하여 이들이 서로 상쇄되어 온도가 감소되더라도 기준전압 Vref는 어느정도 안정적으로 유지되게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 회로는 온도의 변화에 따른 엔모오스트랜지스터 16, 18의 채널저항의 변화와 피모오스 트랜지스터 20의 문턱전압 Vtp의 변화 정도가 일정하지 않아 온도변화에 따른 상쇄효과가 같지 않게 되어 온도가 상승함에 따라서 기준전압 Vref의 레벨이 증가하는 문제점이 야기된다. 또한, 제1도와 같이 구성된 종래의 기준전압 발생회로는 엔모오스트랜지스터와 피모오스 트랜지스터의 결합을 갖는 씨모오스 트랜지스터의 구성으로 되어 있기 때문에 공정상의 변화, 즉, 엔모오스트랜지스터 16, 18의 문턱전압 Vtn과 피모오스 트랜지스터 20의 문턱전압 Vtp가 변화하게되면 기준전압 Vref의 레벨이 제2도와 같이 변하게 되어 반도체 메모리 장치의 효율과 신뢰성을 저하 시키게 되는 문제를 야기시킨다.
따라서 본 발명의 목적은 동일 형태의 채널을 가지는 모오스 트랜지스터들과 온도보상회로를 가지고 온도의 변화에도 안정한 기준전압을 발생하는 기준전압 발생회로를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 엔모오스 트랜지스터와 온도보상회로를 사용하여 피모오스 트랜지스터의 문턱전압의 변화에 무관하고, 온도변화에도 안정한 기준전압 발생회로를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 동일 형태의 채널을 갖는 모오스 트랜지스터들만을 이용하여 주변의 온도, 공정 및 공급전압의 변화에 적응하여 안정된 기준전압을 발생하는 기준전압 발생회로를 제공함에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 외부로부터 공급되는 전원전압을 입력하여 그 보다 더 낮은 기준전압을 발생하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 전원전압이 입력되는 단자로부터 상기 기준전압이 출력되는 기준전압단자의 사이에 직렬 접속되어 전류를 공급하는 제1, 제2저항과, 상기 기준전압단자와 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되어 게이트로 입력되는 제어전압에 따라 상기 기준전압단자의 레벨을 제어하는 제1엔모오스 트랜지스터와, 상기 제2저항과 상기 제1엔모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며, 상기 제1 및 제2저항의 접속노드에 게이트가 접속된 제2엔모오스 트랜지스터와, 상기 기준전압단자로부터 출력되는 기준전압을 온도변화에 적응적으로 분압하여 온도보상제어전압을 출력하는 온도보상수단과, 상기 제1엔모오스 트랜지스터의 게이트와 상기 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 게이트가 상기 온도보상수단의 출력노드에 접속되어 상기 제1엔모오스 트랜지스터의 게이트로 입력되는 제어전압을 제어하는 제3엔모오스 트랜지스터로 구성함을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 동작을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명에 따른 기준전압 발생회로의 실시예에 상세 구성도로서, 이의 구성은, 전원전압 Vcc와 접지전압 Vss의 사이에 저항 12, 14 및 엔모오스 트랜지스터 16, 22, 24 및 18의 드레인-소오스 채널이 직렬 접속되어 있다. 상기 엔모오스 트랜지스터 16의 게이트는 상기 저항 12과 저항 14의 직렬 접속 노드 N1에 접속되어 있으며, 엔모오스 트랜지스터 24, 18의 게이트는 전원전압 Vcc에 접속되어 있다. 그리고, 상기 기준전압 Vref이 출력되는 노드와 접지전압 Vss의 사이에는 게이트가 상기 엔모오스 트랜지스터 16의 소오스와 엔모오스 트랜지스터 22의 드레인이 접속된 노드 N2에 접속된 엔모오스 트랜지스터 28의 드레인-소오스 채널이 접속되어 있다. 상기 엔모오스 트랜지스터 22의 게이트는 상기 기준전압 Vref의 출력노드와 접지전압 Vss의 사이에 접속되어 상기 기준전압 Vref를 온도의 변화에 적응하여 분압하여 온도보상 제어전압을 출력하는 온도보상회로의 출력노드에 접속되어 있다. 이때, 상기 엔모오스 트랜지스터 24의 채널 저항을 가변할 수 있도록 드레인-소오스 채널의 사이에는 퓨즈(Fuse)가 접속되어 있다. 상기의 구성중, 온도보상회로는 상기 기준전압 Vref와 접지전압 Vss의 사이에 전류제한 저항 0과 엔모오스 트랜지스터 32의 드레인-소오스 채널이 직렬 접속되어 구성되며, 상기 엔모오스 트랜지스터 32의 게이트는 상기 기준전압 Vref에 접속되어 구성된다.
[기준전압 Vref의 발생]
지금, 외부로부터 전원전압 Vcc가 공급되면 이는 엔모오스 트랜지스터 18과 24의 게이트로 공급됨과 동시에 저항 12와 저항 14을 통하여 기준전압 Vref이 출력되는 노드 및 엔모오스 트랜지스터 16의 게이트로 공급된다. 이때, 상기 엔모오스 트랜지스터 16는 상기 저항 12와 저항 14의 접속 노드 N1의 전압에 의해 턴온되어져 드레인으로 공급되는 전압을 소오스의 노드 N2로 공급한다. 상기 기준전압 Vref의 출력노드에 게이트가 접속된 엔모오스 트랜지스터 32는 상기 저항 14에 의해 공급되는 전류에 의해 턴온되어진다.
상기 엔모오스 트랜지스터 32가 턴온되면 기준전압 Vref와 상기 엔모오스 트랜지스터 32의 드레인에 접속된 저항 30의 접속 노드 N3으로부터는 전류제한 저항 30과 상기 엔모오스 트랜지스터 32의 채널 저항의 저항비에 따른 분압전압이 엔모오스 트랜지스터 22의 게이트로 공급된다. 상기 엔모오스 트랜지스터 22는 상기 노드 N3으로부터 출력되는 제어전압에 따라 포화되어 드레인-소오스 채널을 형성한다. 따라서, 상기와 같이 외부로부터 전원전압 Vcc가 공급되면 상기 노드 N2에는 일정한 레벨의 전압이 유지되며, 상기 노드 N2에 게이트가 접속된 엔모오스 트랜지스터 28도 항상 턴온상태를 유지하게 된다.
상기와 같은 상태에서 입력되는 전원전압 Vcc의 레벨이 증가되면, 저항 12, 14에 의해 엔모오스 트랜지스터 16의 게이트 전압이 상승된다. 이와 같이 상기 엔모오스 트랜지스터 16의 게이트 전압이 상승되면 상기 엔모오스 트랜지스터 16의 소오스와 엔모오스 트랜지스터 22의 드레인이 접속된 노드 N2의 전압이 상승되어 엔모오스 트랜지스터 28의 게이트 전압을 증가 시킴으로써 기준전압 Vref의 레벨 상승을 방지시킨다.
이와는 반대로, 외부로부터 공급되는 전원전압 Vcc의 레벨이 감소되면, 저항 12, 14들이 접속된 노드 N1의 전압이 감소되어 엔모오스 트랜지스터 16의 드레인-소오스 채널을 통해 노드 N2로 공급되는 전압의 레벨이 낮아진다. 상기와 같이 노드 N2의 레벨 감소되면 엔모오스 트랜지스터 28의 게이트로 공급되는 전압이 감소되어 짐으로써 기준전압 Vref의 레벨의 레벨의 감소를 방지하게 된다.
상기와 같이 동작되는 기준전압 발생회로로부터 출력되는 기준전압 Vref는 하기 식 2와 같이 출력됨을 알 수 있다.
단, 상기 식2에서 2Vtn은 엔모오스 트랜지스터 16과 28의 문턱전압이며, R12, R14는 저항 12와 14의 저항값이다.
따라서, 상기 제3도와 같이 구성된 기준전압 발생회로로부터 출력되는 기준전압 Vref는 두 개의 엔모오스 트랜지스터 16, 28의 문전압과 전류제한 저항 12, 14의 저항값에 의해 결정되어 출력됨을 알 수 있다.
[온도보상]
다음으로, 본 발명에 따른 회로의 온도보상 작용에 대하여 살펴보면 하기와 같다 주변환경의 변화로 온도가 상승되면, 제3도에 도시된 양의 온도계수를 갖는 엔모오스 트랜지스터들의 채널 내부의 캐리어의 이동도가 감소하여 드레인-소오스 채널 저항들이 모두 증가한다. 상기와 같이 채널 저항이 증가되면 온도보상회로내의 엔모오스 트랜지스터 32의 채널 저항과 저항 30이 접속된 노드 N3로부터 출력되는 제어전압도 증가된다. 상기와 같이 저항 30과 엔모오스 트랜지스터 32의 채널 저항에 의해 분합 출력되는 제어전압이 증가되면, 엔모오스 트랜지스터 22의 채널 콘덕턴스가 더욱 켜져 노드 N2의 전압이 감소된다. 상기와 같이 엔모오스 트랜지스터 28의 게이트가 접속된 노드 N2의 전압이 감소되면 엔모오스 트랜지스터 28의 채널 콘덕턴스가 작아짐으로써 기준전압 Vref의 레벨은 온도가 상승되더라도 감소되지 않고 안정적으로 유지된다.
반대로, 온도가 상승되면 양의 온도계수를 갖는 엔모오스 트랜지스터 32의 채널 저항이 감소됨으로써 노드 N3의 전압도 감소된다. 상기와 같이 노드 N3의 전압이 감소되면, 엔모오스 트랜지스터 28의 게이트의 전압이 상승되어 기준전압 Vref의 레벨이 안정적으로 유지된다. 즉, 온도가 낮아져 노드 N3로보터 출력되는 제어전압의 레벨이 낮아지면 엔모오스 트랜지스터 22의 게이트 전위가 낮아짐으로써 엔모오스 트랜지스터 28의 채널 콘덕턴스를 증가시켜 출력되는 기준전압의 레벨을 안정화시킨다. 따라서, 제3도와 같이 구성된 본 발명의 기준 전압 발생회로는 엔모오스 트랜지스터들의 구성만으로 반도체 장치의 기준전압 Vref를 발생시킴으로써 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp의 변화에 무관하게 안정된 기준전압의 레벨을 얻을 수 있다.
만약, 제3도와 같은 회로의 구성에서 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp이 변화되어 기준전압 Vref의 레벨이 변화될 경우, 엔모오스 트랜지스터 24의 드레인-소오스 채널 사이에 접속된 퓨즈 26을 컷팅하거나 언컷팅하여 노드 N4, N2의 전압레벨을 조절함으로써 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp의 변화에 따라 기준전압 Vref의 레벨 안정화 시킬 수 있다.
제4도는 본 발명에 따라 구성된 기준저압 발생회로의 전원전압 대 기준전압 변화 특성 곡선도로서, 이는 주변의 온도 및 전압의 변화에 따른 기준전압 Vref의 변화를 나타낸 파형도이다. 제4도에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 기준 전압 발생회로는 최저동작 전압이 매우 낮게 설정되며, 온도의 변화 및 외부로부터 입력되는 전원전압 Vcc의 변화에 대하여 매우 안정된 기준전압을 출력함을 알 수 있다. 이와 같은 특성을 제2도의 종래의 특성과 비교하여 보면, 온도의 변화에 대하여 매우 안정화됨을 알 수 있다.
제5도는 본 발명에 따른 기준전압 발생기와 종래의 기술에 의한 기준전압 발생기에 대하여 피모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp, 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtn 및 온도, 외부의 전원전압 Vcc를 가변하여 시뮬레이션한 결과 테이블이다. 제5도를 참조하면, 본 발명에 따른 기준전압 발생회로는 피모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp의 변화에 무관함을 알 수 있다. 그리고, 온도의 변화에 대해서도 제4도의 파형도에 나타낸 바와 같이 종래의 회로에 비하여 기준전압 Vref의 출력이 매우 안정화됨을 알 수 있다. 단, 상기 제5도의 테이블에서, 백바이어스 전압은 -1.4볼트이며, 최대 온도 변화차는 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtn과 피모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtp 변화시 기준전압 레벨의 초대 절대값의 차을 나타낸 값이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 엔모오스 트랜지스터만을 이용하여 외부로부터 인가되는 전원전압보다 낮은 기준전압을 발생함으로써 오도, 공정 및 외부의 공급전압이 가변되더라고 안정된 기준전압을 얻을 수 있는 이점이 있다.
Claims (7)
- 외부로부터 공급되는 전원전압을 입력하여 그 보다 더 낮은 기준전압을 발생하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로에 있어서, 상기 전원전압이 입력되는 단자로부터 상기 기준전압이 출력되는 기준전압 단자의 사이에 직렬 접속되어 전류를 공급하는 제1, 제2저항과, 상기 기준전압단자와 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되어 게이트로 입력되는 제어전압에 따라 상기 기준전압단자의 레벨을 제어하는 제1모오스 트랜지스터와, 상기 제2저항과 상기 제1모오스 트랜지스터의 게이트 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 상기 제1 및 제2저항의 접속노드에 게이트가 접속된 제2모오스 트랜지스터와, 상기 기준전압단자로부터 출력되는 기준전압을 온도변화에 적응적으로 분압하여 온도보상제어전압을 출력하는 온도보상수단과, 상기 제1모오스 트랜지스터의 게이트와 상기 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 게이트가 상기 온도보상수단의 출력노드에 접속되어 상기 제1모오스 트랜지스터의 게이트로 입력되는 제어전압을 제어하는 제3모오스 트랜지스터로 구성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 온도보상수단은, 상기 기준전압 출력단자에 일측이 접속된 제3저항과, 상기 제3저항의 타측과 접지단자의 사이에 드레인-소오스 채널이 접속되며 게이트가 상기 기준전압 출력단자에 접속된 제4모오스 트랜지스터로 구성되어 상기 제3저항과 제4모오스 트랜지스터의 채널저항에 의해 상기 기준전압을 분압하여 상기 제3모오스 트랜지스터의 게이트에 온도보상 제어전압을 공급함을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기준전압 발생회로내의 모든 모오스 트랜지, 스터들은 N채널형 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기준전압 발생회로내의 모든 모오스 트랜지, 스터들은 양의 온도계수를 가짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 게이트가 상기 전원전압에 접속되어 있으며 드레인-소오스의 채널이 상기 제3모오스 트랜지스터의 소오스와 상기 접지단자의 사이에 직렬 접속된 제5 및 제6모오스 트랜지스터를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제5항에 있어서, 상기 제5 및 제6모오스 트랜지스터드 각각은 양의 온도계수를 가지는 N채널형 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
- 제6항에 있어서, 상기 제5모오스 트랜지스터의 드레인-소오스 채널의 사이에는 융단가능한 퓨즈가 더 접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 기준전압 발생회로.
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| KR20000002771A (ko) * | 1998-06-23 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치의 기준전압 발생기 |
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