KR0159397B1 - 광로 조절 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 와핑 현상을 나타내지 않는 광로 조절 장치를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로, 구동 기판상에 소정 형상의 희생층이 형성된 모재를 준비하는 제1단계와, 상기 모재를 이온 빔 증착 장치로 이송시키는 제2단계와, 상기 모재상에 멤브레인을 형성시키는 제3단계와, 상기 멤브레인상에 다수의 층을 형성시켜서 액츄에이터를 형성시키는 제4단계와, 상기 희생층을 제거하는 제5단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 멤브레인은 과량의 질소를 함유하는 실리콘 질화물로 이루어지고 그 결과 상기 질소에 함유에 의해서 발생되는 인장 응력에 의하여 와핑 현상을 방지시킬 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 제조 방법

제1도는 일반적인 광로 조절 장치의 일부를 확대 도시한 사시도.

제2도는(a) 내지 (c)는 제1도에 표시된 선 A-A를 취하여 광로 조절 장치를 제작하기 위한 방법을 순차적으로 도시한 공정도.

제3도는 일반적인 광로 조절 장치의 와핑 현상을 나타낸 단면도.

제4도는 본 발명에 따라서 광로 조절 장치를 제작하기 위한 방법을 순차적으로 도시한 흐름도.

제5도는 본 발명을 수행하기 이한 이온 빔 증착 장치를 도시한 장착도.

제6도는 플라즈마 여기 공정에 의하여 아르곤 이온의 에너지에 따른 질소 이온의 증착 밀도를 나타낸 그래프.

제7도는 본 발명에 따라서 질소 이온의 양이 다양한 경우에 아르곤 이온의 에너지에 따른 질소 이온의 증착 밀도를 나타낸 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

110 : 구동 기판 130 : 희생층

140 : 액츄에이터 142 : 멤브레인

본 발명은 화상 표시 장치로 사용되는 광로 조절 장치를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로서, 특히 액츄에이터를 구성하는 복수개의 층들중 멤브레인의 결정 구조내에서 발생하는 압축 응력에 의한 와핑 현상을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 제작 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 광로 조절장치는 제어시스템으로부터 인가되는 전기적 신호에 의하여 집속된 광속의 광로를 조절시키기 위한 장치로서, 제1도에 도시되어 있는 바와 같이 복수개의 트랜지스터가 내장된 구동 기판(110)상에 일정한 형상의 희생층(130)상에 형성되는 복수개의 층으로 이루어진 액츄에이터(140)를 구비하고 있으며, 상기 액츄에이터(140)를 구성하는 복수개의 층은 멤브레인(142)과, 하부 전극(143)과, 변형부(144)와 상부 전극(145)으로 이루어져 있다.

이때, 제1도에 표시된 선 A-A를 취한 단면이 도시된 제2도(a) 내지 (c)를 참조하면, 종래의 일실시에에 따른 광로 조절 장치의 제작 방법은 상기 구동 기판(110)상의 패드(120)를 노출시킬 수 있는 소정 형상의 희생층(130)을 형성시키는 단계와, 상기 희생층(130)상에 복수개의 층(142,143,144,145)을 순차적으로 적층시켜서 액츄에이터(140)를 형성시키는 단계와, 상기 희생층(130)을 제거하는 단계로 이루어진다.

한편, 제2도(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 액츄에이터(140)를 구성하는 복수개의 층들중 상기 멤브레인(142)은 상기 희생층(130)상에 실리콘 질화물(SiN)을 화학 기상 증착 공정(CVD) 또는 물리 기상 증착 공정(PVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 형성된다.

이때, 상기된 바와 같은 증착 공정에 의하여 실리콘 질화물을 상기 희생층(130)상에 적층시킬 때, 실리콘 성분과 질소 성분의 물리적 특성에 의하여 상기 멤브레인(142)은 과량의 실리콘을 함유하는 조성으로 이루어진다.

즉, 상기 희생층(130)상에 적층되는 실리콘 질화물의 두께가 증가될수록 실리콘의 함량은 증가되고 그 결과 상기 멤브레인(142)의 결정 구조에 압축 응력이 발생된다.

한편, 상기 멤브레인(142)의 결정 구조에서 발생하는 압축 응력은 상기 멤브레인(142)과 상기 희생층(130) 사이의 계면에서 작용하는 인력에 의하여 완화될 수 있으나, 상기된 바와 같이 상기 액츄에이터(140)를 형성시킨 후 상기 희생층(130)을 제거하는 경우에 과량의 실리콘 성분에 의하여 상기 멤브레인(142)은 압축 응력의 영향을 받게 된다.

즉, 제3도에 도시되어 있는 바와 같이 상기 멤브레인(142)의 결정 구조에서 발생하는 압축 응력의 작용에 의하여 상기 액츄에이터의 자유단부가 상부 방향으로 전곡되는 뒤틀림 현상 즉 와핑 현상(warpping)이 발생하게 되며 이에 의해서 광로 조절 장치의 성능을 저하시킨다는 문제점이 발생된다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로 그 목적은 제어 시스템의 전기적 신호에 의하여 작동되는 액츄에이터를 구성하는 복수개의 충들중 멤브레인의 결정 구조에서 과량의 실리콘 성분에 의하여 발생하는 압축 응력의 영향하에서 상기 액츄에이터가 와핑 현상을 나타내는 것을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 제작 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적은 구동 기판상에 소정 형상의 희생층이 형성된 모재를 준비하는 제1단계와, 상기 모재를 이온 빔 증착 장치로 이송시키는 제2단계와, 상기 모재상에 멤브레인을 형성시키는 제3단계와, 상기 멤브레인상에 다수의 층을 형성시켜서 액츄에이터를 형성시키는 제4단계와, 상기 희생층을 제거하는 제5단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법에 의해 달성된다.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 멤브레인은 이온 빔 여기 증착 공정(IBAD : ion beam assisted deposition)에 의해서 과량의 질소 성분을 함유한다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 이온 빔 여기 증착 공정 (IBAD)은 전자 빔 증발 공정(electron beam evaporation) 및 플라즈마 여기 공정에 의하여 수행된다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 여기 공정은 플라즈마 상태하에서 여기된 이온의 이온 에너지와 이온 플러스를 매개 변수로하여 수행된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같으며 제1도에 도시된 종래 구성과 동일한 구성은 동일 도면 부호를 사용하고 상이한 구성은 프라임을 첨가시킨다.

제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 이온 빔 여기 증착 공정에 의하여 광로 조절 장치를 제작하기 위한 방법을 순차적으로 도시한 공정도이고, 제5도는 본 발명에 따라서 멤브레인을 형성시키기 위한 이온 빔 여기 증착 공정을 수행하기 위한 장치를 개략적으로 도시한 장착도이다.

먼저, 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제작방법은 구동 기판 (110)상에 소정 형상의 희생층 (130)이 형성된 모재를 준비하는 제1단계 (410)와, 상기 모재를 이온 빔 증착 장치로 이송시키는 제2단계(420)와, 상기 모재의 희생층(130)상에 멤브레인(142')을 형성시키는 제3단계(430)와, 상기 멤브레인상에 다수의 층을 형성시켜서 액츄에이터(140)를 형성시키는 제4단계(440)와, 상기 희생층(130)을 제거하는 제5단계(450)로 이루어진다.

이 때, 상기 멤브레인 (142')은 이온 빔 여기 증착 공정에 의하여 과량의 질소를 함유하는 실리콘 질화물(SiN_x) 조성으로 이루어지며 그 결과 상기 멤브레인 (142')의 결정 내부에서 발생되는 인장 응력에 의하여 상기 액츄에이터 (140)의 와핑 현상이 완화된다.

여기에서, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 구동 기판(110)은 도시되어 있지 않은 제어 시스템과 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터를 내장하고 있으며 또한 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되어서 접점 단자로 작용하는 복수개의 패드(120)가 상기 구동기판(110)의 표면상에 형성된다.

이때, 상기 구동 기판(110)상에 인이 함유된 실리콘 산화물 즉 포스포 실리게이크 글라스(PSG) 또는 다결정 실리콘을 스핀 온 코팅 공정(spin-on coation)과 같은 물리 기상 증착 공정(PVD : phisical vapour depositon) 또는 화학 기상 증착 공정(CVD : chemical vapour deposition)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 형성된 희생층(sacrificial layer)(130)을 소정 형상으로 패터닝시킨다.

한편, 상기 희생층(130)을 패터닝시키기 위한 본 발명의 일실시예에 따르면 소정 두께로 형성된 상기 희생층(130)상에 포토 레지스터(PR)를 소정 두께로 도포시켜서 감광층을 형성시킨 후, 포토 리쏘그래피 공정(photo lithography)에 의하여 상기 감광층을 소정 형상으로 패터닝시킨다.

즉, 상기 포토 리쏘그래피 공정에 따르면, 포토 마스크 또는 스텝퍼(stepper)를 사용하여 상기 감광층의 일부를 자외선에 노광시키기고 현상액에 현상시킴으로서 상기 감광층을 소정 형상으로 패터닝시키며 이 후에 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(130)의 일부를 제거하며 이에 의해서 소정 형상의 희생층(130)이 형성된 모재를 준비한다.

또한, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 모재를 이온 빔 증착 장치로 이송시켜서 이온 빔 여기 증착 공정(ion beam assisted deposition)에 의하여 상기 희생층(130)상에 과잉 질소를 함유하는 실리콘 질화물(SiN_X)을 소정 두께로 증착시킴으로서 멤브레인(142')을 형성시키며 상기 이온 빔 여기 증착 공정은 전자 빔 증발 공정(electron beam evaporation) 및 플라즈마 여기 공정에 의하여 수행된다.

한편, 상기 이온 빔 증착 장치(500)는 제5도에 도시되어 있는 바와 같이, 증착 물질이 적층되는 모재가 장착 지지되는 장착 수단(510)과, 상기 모재상에 증착시키고자 하는 물질이 장착되어 있는 공급원(520)과, 상기 공급원(520)에 장착된 증착 물질을 여기시키기 위한 전자 빔 발생수단(electron beam qenerator)(530)과, 그리고 상기 전자 빔 발생 수단의 작용에 의하여 여기된 증착 물질에 에너지를 부가시킬 수 있는 이온을 발생시키기 위한 플라즈마 이온 발생 수단(540)으로 이루어져 있다.

이때, 이온 빔 여기 증착 공정(ion beam assisted deposition)을 수행하기 위하여 상기 전자 빔 증발 공정에 따르면, 상기 전자 빔 발생 수단(530)을 구성하는 캐소드로부터 발생되는 일단의 전자 빔은 전자 빔 총을 통하여 방출된 후 외부로부터 작용하는 자기장의 영향하에서 곡선 운동을 하게 되며 그 결고 상기 일단의 전자 빔은 상기 공급원(520)에 장착되어 있는 증착 물질에 충돌하여서 상기 증착 물질을 이온화시킨다.

상기된 바와 같이 이온화된 증착 물질은 외부로부터 작용하는 전장의 영향하에서 직선 운동을 하며 그 결과 상기 장착 수단(510)상에 장착되어 있는 모재의 표면상에 증착된다.

또한, 상기 플라즈마 여기 공정에 따르면, 상기 플라즈마 이온발생 수단(540)은 플라즈마 상태하에서 아르곤과 같은 가스를 여기시켜서 일단의 이온 빔을 발생시키고 이에 의해서 발생된 아르곤 이온은 플라즈마 건을 통하여 분출된다.

이때, 상기 일단의 아르곤 이온 빔은 상기 전자 빔 증발 공정에 의해서 발생된 상기 증착 물질의 이온에 충돌하여 에너지를 전달하게 되며 그 결과 상기 증착 물질의 이온은 높은 에너지를 갖게된다.

따라서, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 장착 수단(510)에 소정 형상의 희생층(130)이 형성된 모재를 장착시키고 상기 공급원(520)상에는 고체 상태의 질화물(SiN_x)을 장착시키며 또한 상기 플라즈마 이온 발생 수단(540)에 아르곤 가스 또는 아르곤 및 질소의 혼합 가스를 주입시킨다.

이때, 상기된 바와 같이 전자 빔 증발 공정에 따르면 상기 전자 빔 발생 수단(530)의 캐소드의 가열 작용에 의하여 발생되는 일단의 전자 빔은 방출되어서 상기 공급원(520)상에 장착된 실리콘 질화물에 충돌하며 이에 의해서 상기 실리콘 질화물을 구성하는 실리콘 및 질소는 여기되어서 이온 상태로 발생되고 그 결과 이러한 실리콘 이온 및 질소 이온은 외부로부터 작용하는 전장의 영양하에서 상기 모재상에 증착된다.

한편, 상기된 바와 같이, 상기 모재상에 상기 실리콘 이온 및 질소 이온이 증착되어 있는 상태에서 상기 질소 이온의 증기압은 상기 실리콘 이온의 증기압에 비하여 상대적으로 크게 나타나며 그 결과 상기 질소 이온은 상기 모재로부터 증기 상태로 이탈되고 이에 의해서 상기 모재상에는 소량의 질소 이온이 존재하게 된다.

따라서, 이를 해소하기 위한 플라즈마 여기 공정에 따르면, 상기 플라즈마 이온 발생 수단(540)의 플라즈마 상태하에서 발생되는 아르곤 이온 및 질소 이온은 플라즈마 건을 통하여 방출되어서 상기 실리콘 이온 및 질소 이온에 충돌되고 이에 의해서 상기 실리콘 이온 및 질소 이온은 에너지를 제공받게 된다.

이때, 증기압이 상대적으로 큰 상기 질소 이온은 높은 에너지를 갖는 상태로 상기 모재상에 양호하게 증착되며 그 결과 상기 모재상에는 질소 이온이 증가된다.

여기에서, 상기 플라즈마 건으로부터 방출되는 아르곤 이온의 에너지에 따른 질소 이온의 증착 밀도가 나타난 제6도 및 제7도를 설명하면 하기와 같다.

먼저, 제6도를 참조하면, 상기된 바와 같이 상기 공급원(520)으로부터 발생되는 질소 이온의 양이 일정한 경우 예를 들면 이온에 대한 원자의 비(j_i/j_a)가 약 0.16인 경우에 상기 플라즈마 건으로부터 방출되는 아르곤 이온의 에너지가 증가할수록 상기 모재상에 증착되는 질소 이온의 밀도는 선형적으로 증가한다는 것을 알수 있다.

또한, 제7도를 참조하면, 상기 공급원(520)으로부터 여기되는 질소 이온의 양이 증가할수록 상기 플라즈마 건으로부터 방출되는 아르곤 이온의 에너지가 증가하면 상기 모재상에 증착되는 질소 이온의 밀도도 증가한다는 것을 알 수 있다.

여기에서, 제7도에 도시된 선(①)은 이온에 대한 원자의 비(j_i/j_a)가 약 0.3인 경우이고, 선(②)는 이온에 대한 원자의 비(j_i/j_a)가 약 0.5인 경우이고, 선(③)은 이온에 대한 원자의 비(j_i/j_a)가 약 0.7인 경우이며, 또한 선(④)은 이온에 대한 원자의 비(j_i/j_a)가 약 0.9인 경우이다.

따라서, 상기된 바와 같이, 이온 빔 여기 증착 공정에 의하여 상기 모재의 희생층(130)상에 형성되는 멤브레인(142')은 과량의 질소 이온을 함유하는 실리콘 질화물(SiN_x) 조성으로 이루어지며 이때 상기 질소의 함량(x)은 약 1.5이상의 값을 갖고 또한 바람직하게는 약 1.5 내지 2.5의 값을 갖는다.

또한, 본 발명이 일실시에에 따르면, 상기 멤브레인(142')상에 진공 증착 공정 또는 스퍼터링 공정과 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 백금(Pt) 및 티타늄(Ti) 또는 이들중 하나의 원소와 같은 도전성 금속을 소정 두께로 증착시켜서 하부 전극(143)을 형성시켜서 상기 구동 기판(110)상에 내장된 트랜지스터와 전기적으로 연결시키며 이에 의해서 상기 하부 전극(143)은 신호 전극으로 작용하게 된다.

또한, 상기된 바와 같이 형성된 상기 하부 전극(143)상에 Pb(Zr,Ti)O₃, 또는 (Pb,La)(Zr,Ti)O₃조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O₃조성의 전왜 세라믹을 소정 두께로 도포시켜서 변형부(144)를 형성시키며 이러한 변형부(124)는 별도의 분극을 가하지 않아도 도시되어 있지 않은 제어 세스템으로부터 인가되는 전기적 신호에 의하여 분극될 수있을 정도의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

이때, 상기 변형부(144)를 구성하고 있는 상기 세라믹 조성을 급가열 공정에 의하여 열처리시킴으로서 페로브스카이트(perovskite) 결정 구조를 형성시키며 이에 의해서 상기 변형부 (144)는 인가되는 전기장에 의하여 외형이 변하게 되는 압전 특성을 나타낸다.

그리고, 상기 변형부(144)상에 상기된 바와 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 전기 전도도 및 반사 특성이 양호한 알루미늄 또는 백금 및 티타늄과 같은 금속을 소정 두께로 증착시킴으로서 상부 전극(145)을 형성시키며 이에 의해서 상기 상부 전극(145), 변형부(144), 하부 전극(143) 및 멤브레인(142')이 순차적으로 적층되어 있는 액츄에이터(140)를 형성시킨다.

또한, 본 발명의 일실시예에 따르면, 불산(HF)을 함유하는 에칭 용액을 사용하는 습식 식각 공정에 의하여 상기 구동 기판(110)상에 소정 형상으로 형성된 상기 희생층(130)을 식각 제거하며 이에 의해서 상기 액츄에이터(140)의 자유 단부는 상기 구동 기판(110)으로부터 소정 간격으로 이격된 상태로 유지된다.

한편, 상기 습식 식각 공정에 따르면, 상기 에칭 용액의 식각 작용에 의한 식각율은 상기 에칭 용액의 pH 값에 따라서 변하게 되며 여기에서 상기 에칭 용액이 불산으로 이루어져 있는 경우에 상기 희생층(130)은 하기의 식(①)으로 표시된 화학 반응에 의하여 식각되어 제거된다.

즉, 상기 희생층(130)은 불산 이온(F^-)의 식각 작용에 의해서 에칭되는 반면에 상기 식각 작용시 발생되는 수소 이온(H⁺)에 의해서 상기 에칭 용액의 pH값이 변하게 되고 그 결과 상기 희생층(130)의 식각율이 변하게 된다.

따라서, 상기 희생층(130)의 식각율이 일정하게 유지될 수 있도록 상기 에칭 용액의 pH 값을 일정하게 유지시키기 위하여 상기 불화수소에 불소화 암모늄(NH₄F)과 같은 완충 용액을 첨가시킨다.

즉, 상기 에칭 용액에 첨가되는 상기 불소화 암모늄(NH₄F)은 하기의 식(②)과 같은 화학 반응을 하게 되며 그 결과 발생되는 과잉 불소 이온(F^-)은 상기된 바와 같이 식각 작용에 의하여 소모된 불소 이온(F^-)을 보충시키고 이에 의해서 상기 에칭 용액의 pH 값은 일정하게 유지된다.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 불화 수소(HF)에 대한 상기 불소화 암모늄(NH₄F)의 완충비가 약 10:1 미만의 값을 가지며 특히 약 6:1의 값을 갖고 이에 의해서 상기 불소 이온(F^-)의 식각 작용에 의한 식각율은 활성화 에너지에 의해 조절된다.

여기에서, 상기된 바와 같이 습식 식각 공정에 의하여 상기 희생층(130)이 제거되는 경우에 노출되는 상기 멤브레인(142)을 구성하는 실리콘 질화물은 과량의 질소 이온을 함유하고 있으며 그 결과 발생되는 인장 응력에 의하여 상기 액츄에이터(140)는 와핑 현상을 나타내지 않는다.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시키지 않는 범위내에서 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지한다.

따라서, 본 발명에 따르면, 이온 빔 여기 증착 공정에 의하여 액츄에이터의 멤브레인을 구성하는 실리콘 질화물에 과량의 질소 이온을 첨가시킴으로서 상기 액츄에이터가 와핑 현상을 나타내는 것을 방지시킬 수 있다.

Claims (12)

1. 광로조절장치를 제작하기 위한 방법에 있어서, 구동 기판(110)상에 소정 형상의 희생층(130)이 형성된 모재를 준비하는 제1단계(410)와, 상기 모재를 이온 빔 증착 장치로 이송시키는 제2단계(420)와, 상기 모재상에 멤브레인(142')을 형성시키는 제3단계(430)와, 상기 멤브레인상에 다수의 층을 형성시켜서 액츄에이터(140)를 형성시키는 제4단계(440)와, 상기 희생층(130)을 제거하는 제5단계(450)로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 이온 빔 여기 증착 공정은 전자 빔 증발 공정 및 플라즈마 여기 공정으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 이온 빔 여기 증착 공정은 장착수단(510), 공급원(520), 전자 빔 발생 수단(530), 그리고 플라즈마 이온 발생 수단(540)으로 구성된 이온 빔 증착 장치(500)에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 광로 조절장치의 제작 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 공급원(520)상에는 고체 상태의 실리콘 질화물이 장착되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 실리콘 질화물은 상기 전자 빔 발생 수단(530)으로부터 발생된 전자 빔의 여기 작용에 의해서 이온 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 플라즈마 이온 발생 수단 (540)에는 아르곤 가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 아르곤 가스는 플라즈마 상태하에서 이온 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 이온 상태의 아르곤 가스는 상기 이온 상태의 실리콘 질화물 조성에 부가적으로 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
9. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 이온 발생 수단(540)에는 질소 가스가 부가적으로 주입되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 이온 상태의 실리콘 질화물 조성에 부가적으로 제공되는 에너지는 상기 질소 가스의 조성에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인은 과량의 질소 이온을 함유하는 실리콘 질화물(SiN_x)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 실리콘 질화물에 함유되는 질소 이온의 몰비(x)는 1.5내지 2.5의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제작 방법.