KR0154926B1 - 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법 - Google Patents

광로 조절 장치의 에어갭 형성방법

Info

Publication number
KR0154926B1
KR0154926B1 KR1019950010581A KR19950010581A KR0154926B1 KR 0154926 B1 KR0154926 B1 KR 0154926B1 KR 1019950010581 A KR1019950010581 A KR 1019950010581A KR 19950010581 A KR19950010581 A KR 19950010581A KR 0154926 B1 KR0154926 B1 KR 0154926B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical path
path control
control device
sacrificial film
film
Prior art date
Application number
KR1019950010581A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960039937A (ko
Inventor
구명권
Original Assignee
배순훈
대우전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 배순훈, 대우전자주식회사 filed Critical 배순훈
Priority to KR1019950010581A priority Critical patent/KR0154926B1/ko
Priority to US08/598,478 priority patent/US5677785A/en
Priority to IN246CA1996 priority patent/IN187493B/en
Priority to JP8084620A priority patent/JPH08292382A/ja
Publication of KR960039937A publication Critical patent/KR960039937A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0154926B1 publication Critical patent/KR0154926B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/023—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system for extending or folding an optical path, e.g. delay lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/764—Air gaps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 관한 것으로서, 광로 조절 장치의 제조공정시 액츄에이터들을 한정하도록 패터닝하고 세척한 후 건조하는 광로 조절 장치의 건조방법에 있어서, 상기 광로 조절 장치의 희생막의 소정 부분을 1차 제거하는 단계와, 상기 희생막 1차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계와, 상기 광로 조절 장치를 회전 건조한 후에 상기 1차 제거후 남아있는 희생막을 2차 제거하는 단계와, 상기 희생막을 2차 제거한 후 광로 조절 장치를 회전 건조하여 상기 희생막 2차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계와, 상기 회전 건조한 후에 보호막을 제거하는 단계를 구비한다. 따라서, 본 발명은 희생막을 제거할 때 물이 생성되어 수막현상이 발생되는 것을 방지하므로서 식각율을 향상시켜 불량율을 최소화할 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
제1도는 종래 광로 조절 장치의 에어갭을 형성하기 위해 사용되는 건조장치의 개략도.
제2도는 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법의 순서도.
제3도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법을 나타낸 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 광로 조절 장치 11 : 액츄에이터
13 : 보호막 15 : 구동기판
17 : 회전건조대
본 발명은 투사형표시기에 이용되는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 희생막을 제거한 후 세척(rinse) 공정에서 에어갭(air gap)에 존재하여 스티킹(sticking)을 유발하는 식각잔유물(residue)을 용이하게 제거할 수 있는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 관한 것이다.
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.
직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.
투사형 화상 표시장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 `LCD'라 칭함) 등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막트랜지스터가 화소 마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로광의 효율이 매우 낮다.
따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays : 이하 `AMA'라 칭함)를 이용한 투사형 화상 표시장치가 개발되었다. AMA를 이용한 투사형 화상표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 즉, 액체에이터들에 실장되어 이 액츄에이터들이 개별적으로 구동되는 것에 의해 기울어지는 거울들에 각각 반사시켜 광로(light path)를 변경시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 그러므로, 화면에 화상이 나타나게된다. 상기에서, 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계가 발생되어 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다. AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M×1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA는 거울 들이 M×N 어레이로 배열되고 있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타내게 된다.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹웨이퍼(ceramicwafer)를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다. 그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형의 액츄에이터가 개발되었다.
제1도는 종래 광로 조절 장치의 에어갭을 형성하기 위해 사용되는 건조장치에 대한 개략도이고, 제2도는 종래 기수렝 따른 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법의 순서도이다.
광로 조절 장치(10)는 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장된 구동기판(15)위에 이 트랜지스터들과 동일한 개수의 액츄에이터(11)들이 형성된다. 이 액츄에이터(11)들은 통상의 액츄에이터들과 동일하게 박막으로 이루어진다. 광로 조절 장치(10)는 구동기판(15)의 상부에 다수의 층들이 적층되고 패터닝(patterning) 되어 이웃하는 액츄에이터들과 분리되도록 한정된다. 보호막(13)은 액츄에이터(11)들의 상부와 액츄에이터(11)들의 분리에 의한 측면들을 포터레지스트(photoresist)로 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 광로 조절 장치(10)에 있어서 액츄에이터들을 패터닝하여 한정한 후 희생막(도시되지 않음)을 불산(HF)용액 등의 식각용액으로 제거한다. 이와같이 희생막이 제거된 후 탈이온수(deionized water)를 사용하여 희생막을 제거할 때 사용된 불산 등의 식각용액을 세척하였다(단계 100).
단계 100에서 공로 조절 장치(10)가 탈이온수로 세척된 후 광로조절 장치(10)를 건조하기 위하여 회전 건조대(18)의 상부에 고정시킨 후 고속으로 회전시켜 건조한다. 이때, 회전 건조대(17)를 사용하여 광로 조절 장치(10)를 건조하면 희생막을 제거할 때 사용되었던 불산용액이 고속 회전으로 인하여 제거된다. 이때, 보호막(13)은 불산 등의 식각용액에 의해 액츄에이터(10)의 상부와 분리에 의한 액츄에이터(11)들의 측면들이 손상되는 것을 보호하고 고속회전으로 인한 액츄에이터(11)들이 부러지는 것을 방지한다(단계 105).
그 다음, 단계 105에서 광로 조절 장치(11)가 회전건조된 후 포터레지스터로 이루어진 보호막(13)을 산소(O2) 플라즈마(plasma)에 의한 건조방법으로 제거된다(단계 110).
상술한 바와 같이, 종래 기술에 따른 광로 조절 장치의 건조방법은 포토레지스트로 보호막을 액츄에이터의 상부와 분리에 의한 액츄에이터의 측면에 형성한 후 불산 등의 식각용액으로 희생막을 제거하여 탈이온수로 세척하였다. 그리고, 탈이온수로 세척된 광로 조절 장치를 회전건조한 후 보호막을 산소 플라즈마에 의한 건조방법으로 제거하였다.
그러나, 상술한 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에서 희생막이 하기 식(1)에 의해 제거된다. 하기 식(1)과 같이, 희생막이 제거될 때 물이 발생하여 에어갭의 주변에 수막(WATER FENCE)이 생성되어 희생막의 식각율이 저하되는 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 희생막을 제거하고 세척공정을 한 후 실시되는 건조공정에서 희생막 제거시 발생되는 물을 제거하여 식각율의 저하를 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광조 조절 장치의 에어갭 형성방법은 광로 조절 장치의 제조공정시 액츄에이터들을 한정하도록 패터닝하고 세척한 후 건조하는 광로 조절 장치의 건조방법에 있어서, 상기 광로 조절 장치의 희생막의 소정 부분을 1차 제거하는 단계와, 상기 희생막을 1차 제거한 후 광로 조절 장치를 회전건조하여 상기 희생막 1차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계와, 상기 광로 조절 장치를 회전 건조한 후에 상기 1차 제거후 남아있는 희생막을 2차 제거하는 단계와, 상기 희생막을 2차 제거한 후 광로 조절 장치를 회전 건조하여 상기 희생막 2차 제거한 후 광로 조절 장치를 회전 건조하여 상기 희생막 2차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계와, 상기 회전 건조한 후에 보호막을 제거하는 단계를 구비한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법을 나타낸 순서도이다.
상기 제1도와 같은 구조를 갖는 광로 조절 장치(10)에 있어서 액츄에이터들을 패터닝하여 한정한 후 희생막(도시되지 않음)의 소정 부분, 예를 들면, 액츄에이터의 중심부분을 불산(HF)용액 등의 식각용액으로 1차 제거한다. 이와같이 희생막이 1차 제거된 후 탈이온수(deionized water)를 사용하여 희생막을 1차 제거할 때 사용된 불산 등의 식각용액을 세척하였다(단계 200).
단계 200에서 광로 조절 장치(10)가 탈이온수로 세척된 후 광로 조절 장치(10)와 희생막을 1차 제거하는 공정에서 생성된 물을 건조하기 위하여 회전 건조대(17)의 상부에 고정시킨 후 고속으로 회전시켜 건조한다. 이때, 보호막(13)은 불산 등의 식각용액에 의해 액츄에이터(10)의 상부와 분리에 의한 액츄에이터(11)들의 측면들이 손상되는 것을 보호하고 고속회전으로 인한 액츄에이터(11)들이 부러지는 것을 방지한다(단계 205).
이어, 단계 205에서 광로 조절 장치(10)이 회전건조된 후 불산(HF)용액 등의 식각용액으로 희생막이 1차 제거되고 남은 희생막(도시되지 않음)을 단계 200과 동일한 방법으로 2차 제거한다. 이와같이 희생막이 2차 제거된 후 탈이온수(deionized water)를 사용하여 희생막을 2차 제거할 때 사용된 불산 등의 식각용액을 세척하였다(단계 210).
단계 210에서 광로 조절 장치(10)가 탈이온수로 세척된 후 단계 205와 동일한 방법으로 광로 조절 장치(10)와 희생막을 2차 제거하는 공정에서 생성된 물을 건조하기 위하여 회전 건조대(17)의 상부에 고정시킨 후 고속으로 회전시켜 건조한다. 이때, 보호막(13)은 불산 등의 식각용액에 의해 액츄에이터(10)의 상부와 분리에 의한 액츄에이터(11)들의 측면들이 손상되는 것을 보호하고 고속회전으로 인한 액츄에이터(11)들이 부러지는 것을 방지한다(단계 215).
그 다음, 단계 215에서 광로 조절 장치(11)가 회전건조된 후 포터레지스터로 이루어진 보호막(13)을 산소(O2) 플라즈마(plasma)에 의한 건조방법으로 제거된다(단계 220).
상술한 바와 같이, 본 발명은 포토레지스트로 보호막을 액츄에이터의 상부와 분리에 의한액츄에이터의 측면에 형성한 후 불산 등의 식각용액으로 희생막을 1차 제거하여 탈이온수로 세척한다. 그리고, 탈이온수로 세척된 광로 조절 장치를 회전건조하여 희생막을 1차 제거하는 공정에서 생성된 물과 식각용액을 제거한다. 그리고, 광조 조절 장치가 회전건조된 후 재차 불산 등의 식각용액으로 희생막이 1차 제거되고 남은 희생막을 2차 제거하여 탈이온수로 세척한다. 그리고, 탈이온수로 세척된 광로 조절 장치를 회전건조하여 희생막을 2차 제거하는 공정에서 생성된 물과 식각용액을 제거한 후 보호막을 산소 플라즈마로 제거한다.
따라서, 본 발명은 희생막을 제거할 때 물이 생성되어 수막현상이 발생되는 것을 방지하므로서 식각율을 향상시켜 불량율을 최소화할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (4)

  1. 광로 조절 장치(10)의 제조공정시 액츄에이터(11)들을 한정하도를 패터닝하고 세척한 후 건조하는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 있어서, 상기 광로 조절 장치(10)의 희생막의 소정 부분을 1차 제거하는 단계(200)와, 상기 희생막을 1차 제거한 후 광로 조절 장치(10)를 회전 건조하여 상기 희생막 1차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계(205)와, 상기 광로 조절 장치(10)를 회전 건조한 후에 상기 1차 제거후 남아있는 희생막을 2차 제거하는 단계(21)와, 상기 희생막을 2차 제거한 후 광로 조절 장치(10)를 회전 건조하여 상기 희생막 2차 제거시 생성된 물과 식각용액을 제거하는 단계(215)와, 상기 회전 건조한 후에 보호막(13)을 제거하는 단계(220)를 구비하는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 희생막을 불산용액으로 1차 및 2차 제거한 후 광로 조절 장치(10)를 탈이온수(deionized water)로 세척하는 것을 더 구비하는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호막(13)이 포토레지스터인 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보호막(13)을 산소(O2) 플라즈마(plasma)로 제거하는 광조 조절 장치의 에어갭 형성방법.
KR1019950010581A 1995-04-21 1995-04-29 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법 KR0154926B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950010581A KR0154926B1 (ko) 1995-04-29 1995-04-29 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
US08/598,478 US5677785A (en) 1995-04-21 1996-02-08 Method for forming an array of thin film actuated mirrors
IN246CA1996 IN187493B (ko) 1995-04-21 1996-02-12
JP8084620A JPH08292382A (ja) 1995-04-21 1996-03-13 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950010581A KR0154926B1 (ko) 1995-04-29 1995-04-29 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960039937A KR960039937A (ko) 1996-11-25
KR0154926B1 true KR0154926B1 (ko) 1998-11-16

Family

ID=19413471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950010581A KR0154926B1 (ko) 1995-04-21 1995-04-29 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0154926B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960039937A (ko) 1996-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100207410B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0154926B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
KR0159369B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
KR0170959B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
KR0154927B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
KR0170955B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성 방법
KR0159393B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0170953B1 (ko) 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법
KR0159394B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0170952B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0170958B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0177252B1 (ko) 크랙 확산 방지 방법
KR0159401B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0154959B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR0177250B1 (ko) 광로 조절 장치
KR100207408B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR100195640B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR0178217B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR0159414B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR100207409B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0159415B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100291552B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 금속층 패터닝 방법
KR0154958B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR100209146B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 평탄화 방법
KR100239044B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020628

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee