KR0135795Y1 - 반도체소자의 제조에 사용되는 식각장비 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비가 개시되어 있다. 본 고안은 밀폐된 챔버를 구비하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비에 있어서, 상기 챔버의 바닥에 해당하는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 양 가장자리에 각각 상기 베이스 플레이트를 관통하는 제 1 홀 및 제 2 홀; 상기 베이스 플레이트의 중심 부위 상에 설치된 웨이퍼 지지대; 및 상기 웨이퍼 지지대, 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀을 노출시키면서 상기 베이스 플레이트 상에 놓여지고 착탈이 용이하도록 복수개의 조각으로 이루어진 그라운드 링을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비를 제공한다. 본 고안에 의하면, 식각 공정시 발생하는 폴리머가 베이스 플레이트 상에 위치한 그라운드 링 표면에 증착되므로 주기적인 챔버의 세척 작업시 폴리머가 증착된 그라운드 링과 이미 세척된 여분의 그라운드 링을 서로 교체시키므로써, 식각 장비의 가동율을 개선시킬 수 있다. 또한, 폴리머가 증착된 그라운드 링을 클린룸 외부로 이동시키어 세척할 수 있으므로 클린룸 내의 공기가 오염되는 현상을 방지할 수 있다.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 식각 장비의 챔버를 설명하기 위한 평면도이다.
제2도는 본 고안에 의한 식각 장비의 챔버를 설명하기 위한 평면도이다.
본 고안의 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비에 관한 것으로, 특히 식각 공정이 진행되는 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 수많은 공정으로 이루어진다. 이러한 수많은 공정들 중에 원하는 형태의 패턴을 형성하기 위해서는 식각 공정이 필수적으로 요구된다.
식각 공정은 크게 습식 식각 공정과 건식 식각 공정으로 분류할 수 있으며, 반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라 미세 패턴을 형성하기 위하여 건식 식각 공정이 널리 이용되고 있다. 이는, 습식 식각 공정이 등방성 식각의 특성을 갖는 반면에 건식 식각 공정은 이방성 식각의 특성을 갖도록 조절할 수 있기 때문이다. 다시 말해서, 건식 식각 공정은 미세 선폭을 갖는 패턴을 형성하는 데 적합하기 때문이다. 이러한 건식 식각 공정은 고진공을 유지하는 밀폐된 챔버 내에서 이루어진다.
제1도는 종래의 건식 식각 장비의 챔버를 도시한 평면도이다.
제1도를 참조하면, 참조 번호 1 은 챔버의 바닥에 해당하는 베이스 플레이트, 3 및 5는 상기 베이스 플레이트(1)의 양 가장자리에 각각 상기 베이스 플레이트(1)를 관통하는 제 1 홀 및 제 2 홀, 그리고 7은 상기 베이스 플레이트(1)의 중심 부위 상에 장착된 웨이퍼 지지대, 예컨대, 6각형의 기둥 형태를 갖는 헥소우드(hexode)를 나타낸다. 여기서, 상기 제 1 홀(3)은 밀폐된 챔버 내부를 진공 상태로 만들기 위하여 러프 럼프(rough pump : 도시하지 않음)와 연결시키기 위한 배기구 역할을 하며, 상기 제 2 홀(5)은 러프 펌프에 의해 소정의 진공 상태를 유지하는 챔버 내부를 식각 공정에 적합한 고진공 상태로 상태로 만들기 위하여 성능이 우수한 터보 펌프(turbo pump : 도시하지 않음)와 연결시키기 위한 배기구 역할을 한다. 또한, 상기 웨이퍼 지지대(7), 즉, 헥소우드는 그 내부에 냉각수가 순환되도록 설계되어 웨이퍼 지지대(7)를 적정 온도로 유지시키도록 되어 있다. 그리고, 6각형의 기둥 형태를 갖는 웨이퍼 지지대(7)의 각각의 외벽 표면에는 복수의 웨이퍼가 놓여지므로, 베이스 플레이트(1) 표면과 웨이퍼 표면은 서로 수직을 이루도록 되어 있다.
상술한 종래의 식각 장비를 사용하여 식각 공정을 진행하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 웨이퍼의 표면에 박막, 예컨대 산화막을 형성하고, 그 위에 사진 공정을 이용하여 원하는 형태를 갖는 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 다음에, 상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼를 제1도의 챔버부를 갖는 식각 장비에 로딩시킨 후, 고진공 상태에서 포토 레지스트 패턴에 의해 노출된 박막을 소정의 식각 가스를 사용하여 식각한다. 이 때, 탄소 성분으로 이루어진 포토 레지스트 패턴과 식각 가스가 서로 반응하여 폴리머(polymer)가 발생하게 된다. 이러한 폴리머는 챔버의 측벽 및 베이스 플레이트 상에 증착되며, 식각 공정의 횟수가 증가할수록 많은 양의 폴리머가 베이스 플레이트 상에 형성된다. 이와 같이 폴리머의 양이 증가하게 되면, 챔버 내부에 많은 오염 입자를 발생시키어 웨이퍼를 오염시킨다. 따라서, 주기적으로 챔버의 내부를 세척하여 폴리머를 제거시켜야 한다. 이 때, 상기 베이스 플레이트는 식각 장비에 고정되어 있으므로, 그 표면에 증착된 폴리머를 세척하기 위해서는 식각 장비가 설치된 클린룸 내에서 아세톤과 같은 유기물 제거 용액으로 작업을 하여야 한다. 따라서, 클린룸 내의 청정도에 악영향을 주며, 세척 작업이 완료될 때까지 식각 공정을 진행할 수 없는 문제점이 있다. 결과적으로, 식각 장비의 가동율이 감소되어 생산성을 크게 저하시킨다.
따라서, 본 고안의 목적은 주기적인 정비 및 세척 작업시 식각 장비의 가동율을 높이면서 클린룸 내의 청정도를 저하시키지 않도록 할 수 있는 식각 장비를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은,
밀폐된 챔버를 구비하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비에 있어서,
상기 챔버의 바닥에 해당하는 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트의 양 가장자리에 각각 상기 베이스 플레이트를 관통하는 제 1 홀 및 제 2 홀;
상기 베이스 플레이트의 중심 부위 상에 설치된 웨이퍼 지지대; 및
상기 웨이퍼 지지대, 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀을 노출시키면서 상기 베이스 플레이트 상에 놓여지고 착탈이 용이하도록 복수개의 조각으로 이루어진 그라운드 링을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각장비를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
제2도는 본 고안에 의한 식각 장비를 설명하기 위한 챔버의 평면도이다. 여기서, 제1도의 참조 번호와 동일한 번호로 표시한 부분은 동일 부분을 의미하며, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
제2도를 참조하면, 참조 번호 9a 및 9b는 각각 상기 웨이퍼 지지대(7), 상기 제 1 홀(3), 및 상기 제 2 홀(5)을 노출시키면서 상기 베이스 플레이트(1) 상에 놓여지는 하나의 그라운드 링을 구성하는 제 1 조각 및 제 2 조각을 나타낸다. 여기서, 상기 그라운드 링(9a,9b)은 도시된 바와 같이 2개의 조각으로 구성되기 때문에 착탈이 용이하다.
상술한 본 고안의 실시예에 의한 챔버를 사용하여 식각 공정을 진행하게 되면, 폴리머가 베이스 플레이트 상에 놓여진 그라운드 링 표면에 증착되므로, 그 아래의 베이스 플레이트 표면에 폴리머가 증착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 주기적으로 실시하는 프리메인트넌스(pre-maintenance : P/M) 작업시 폴리머가 증착된 그라운드 링과 이미 세척된 여분의 그라운드 링을 서로 교체시키므로써, 식각 장비의 가동율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한, 이 때 표면에 폴리머가 증착된 그라운드 링을 클린룸 외부로 이동시키어 세척 작업을 진행할 수 있으므로 클린룸 내의 공기가 오염되는 현상을 방지할 수 있다.
Claims (3)
- 밀폐된 챔버를 구비하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비에 있어서, 상기 챔버의 바닥에 해당하는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 양 가장자리에 각각 상기 베이스 플레이트를 관통하는 제 1 홀 및 제 2 홀; 상기 베이스 플레이트의 중심 부위 상에 설치된 웨이퍼 지지대; 및 상기 웨이퍼 지지대, 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀을 노출시키면서 상기 베이스 플레이트 상에 놓여지고 착탈이 용이하도록 복수개의 조각으로 이루어진 그라운드 링을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지대는 6각형의 기둥 형태를 갖는 헥소우드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비.
- 제1항에 있어서, 상기 그라운드 링은 2개의 조각으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR2019960003368U KR0135795Y1 (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 제조에 사용되는 식각장비 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019960003368U KR0135795Y1 (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 제조에 사용되는 식각장비 |
Publications (2)
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|---|---|
| KR970052818U KR970052818U (ko) | 1997-09-08 |
| KR0135795Y1 true KR0135795Y1 (ko) | 1999-03-20 |
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ID=19451121
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR2019960003368U KR0135795Y1 (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 제조에 사용되는 식각장비 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR0135795Y1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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1996
- 1996-02-28 KR KR2019960003368U patent/KR0135795Y1/ko not_active IP Right Cessation
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