KR0131137B1 - 열중합용 양이온 중합성 조성물, 중합촉매 및 중합방법 - Google Patents

열중합용 양이온 중합성 조성물, 중합촉매 및 중합방법

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KR0131137B1 KR1019940000310A KR19940000310A KR0131137B1 KR 0131137 B1 KR0131137 B1 KR 0131137B1 KR 1019940000310 A KR1019940000310 A KR 1019940000310A KR 19940000310 A KR19940000310 A KR 19940000310A KR 0131137 B1 KR0131137 B1 KR 0131137B1
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Abstract

본 발명은, 양이온 중합성 물질을 열에 의해 단시간에 중합시켜 양호한 물성을 갖는 경화물이나 실용성 있는 양이온 중합성 화합물의 올리고머를 얻기 위한 중합 조성물과 이를 중합하기 위한 중합촉매 및 중합방법에 관한 것으로서, 다음의 일반식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)으로 나타내어지는 화합물의 1종 또는 2종 이상 조합되어 선택되어지는 열중합용 양이온 중합개시제 및 양이온 중합성 물질의 하나 또는 둘 이상과, 상기의 열중합용 양이온 중합 개시제를 포함하는 열중합조성물임.
(여기에서, R은 수소원자, 일킬기 또는 알콕시기이고, X=SbF6, AsF6, PF6, BF4 이다.)

Description

열중합용 양이온 중합성 조성물, 중합촉매 및 중합방법
본 발명은 신규한 열중합용 양이온 중합성 조성물, 중합 개시제 및 중합방법에 관한 것이다. 더욱 상세히는 양이온 중합성 물질을 열에 의해 단시간에 중합시켜 양호한 물성을 갖는 경화물이나 실용성 있는 양이온 중합성 화합물의 올리고머를 얻기 위한 중합조성물과 중합 조성물을 중합하기 위한 중합 개시제 및 중합방법에 관한 것이다.
양이온 중합반응은 중합반응 속도가 지극히 빠르다고 하는 특징을 갖고 있다. 종래, 이 반응의 개시제로서 BF3, ZnCl2, AlCl3 등의 루이스(Lewis) 산형개시제와 AlR2Cl, AlRCl2(여기에서 R은 알킬기, 아릴기 등을 비롯한 일반적인 유기작용기이다.) 등의 할로겐 함유 유기알루미늄 화합물 등이 사용되어 왔으나, 이들 개시제는 0℃이상의 온도에서는 양이온 중합반응이 너무 격렬하여 중합반응의 제어가 불가능하며 중합도가 증가하지 않는 문제점이 있다. 따라서 이들을 중합개시제로 사용하기 위해서는 통상 적당한 용매에 용해시킨 양이온 중합성 모노머를 소정의 극저온(-130∼-140℃)까지 냉각시킨 후, 개시제액을 넣고 중합을 행하므로 조작이 불편하고 냉각비용이 높아져 공업적으로 만족할 만한 방법이 아니다. 이외에도 에폭시 수지의 경화제로서 열분해 등에 의해 중합활성을 발휘하는 양이온 중합개시제인 삼불화붕소-아민 착체나 특정의 구조를 갖는 오니움염류(일본국 특허공개 소56-152838호)등이 알려져 있으나, 이 염들은 150℃이상에서 활성을 나타내는 등 그 실용성이 낮다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 개발된 벤질술폰염 및 벤질암모늄염(유럽특허 EP 0 343 690 A2)은 반응온도의 선택성에 대한 특징을 갖고 있다. 즉, 150℃보다 낮은 80∼150℃ 범위에서 단시간에 양이온 중합성 조성물(예를들면, 에폭시 수지)을 경화시킬 수 있으며 비흡수성으로 저장 안정성이 뛰어나고 수지와 장시간의 혼합 보관이 가능하여 사용이 용이한 특성을 갖고 있어 봉지제, 복합수지, 매트릭스 수지 등의 양이온 중합성 조성물의 중합용 개시제로 용도가 제안되어 있다. 그러나, 이들 양이온 중합 개시제들은 중합물의 분자량을 제어하는 기능이 없어 중합물 또는 경화물의 물성 조절 기능이 결여되어 있어 그 사용 범위가 한정되어지는 기능상의 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 양이온 중합성 화합물을 열에 의하여 단시간 내에 경화시킬 뿐만 아니라 중합체의 분자량을 제어하여 중합물의 물성 조절을 할 수 있는 신규의 열잠재성 양이온 중합개시제 및 이를 함유하는 양이온 중합성 조성물을 제공하려는 목적을 갖는다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 다음의 일반식 (Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)으로 이루어지는 군에서 1종 또는 2종 이상 조합되어 선택되어짐을 특징으로 하는 열중합용 양이온 중합개시제를 제공한다.
(여기에서, R은 수소원자, 일킬기 또는 알콕시기이고, X=SbF6, AsF6, PF6, BF4 이다.)
상기의 구조식(Ⅰ) 내지 (Ⅲ)을 갖는 화합물 중에서 1종 또는 2종 이상 조합되어 선택되어지는 본 발명의 중합개시제는, 열에 의해 벤질 양이온을 방출하여 양이온 중합성 화합물의 중합을 진행시키고, 동시에 열분해에 의해 생성되는 3급디아민인 피라진, 퀴녹살린 및 디피리딜은 중합반응을 정지시키는 기능을 갖는다. 즉, 본 발명의 구조식(Ⅰ) 내지 (Ⅲ)을 갖는 열중합용 양이온 중합개시제는 분자내에 포함되어 있는 3급 아민의 비공유 전자쌍이 중합반응의 개시 활성을 억제하고 열분해에 의해 생성되어지는 3급 디아민이 비교 합성예의 경우인 3급 아민에 비해 2배의 정지확율을 가지므로 정지반응을 가속시켜 중합체의 분자량을 하향 조절할 수 있게되는 매우 특징적인 촉매 기능을 갖는다.
이와 같은 중합 개시제에 있어서 중합개시제가 반응의 최종 산물에 대하여 분자량 조절의 기능까지 갖는 예는 아직 보고된 바가 없다.
본 발명에 따른, 상기의 구조식(Ⅰ) 내지 (Ⅲ)으로 나타내어지는 열중합용 양이온 중합개시제는, 바람직하기로는 N-벤질피라지늄 , N-(p-메톡시벤질)피라지늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 상기의 구조식 열중합용 양이온 중합개시제는, 알킬 할라이드와 대응하는 3급 디아민과 멘쉬토킨 반응에 의해 생성된 할라이드염의 할라이드 이온을 SbF6- 와의 음이온교환에 의해 고수율로 합성되어진다.
또한, 이들 염들은 실온 하에서 양이온 중합반응을 개시하지 않기 때문에 필요에 따라서 미리 모노머와 개시제를 무용매 혹은 적단한 용매를 사용하여 보존하여 두는 것도 가능하다.
본 발명은, 또한 양이온 중합성 물질의 하나 또는 둘 이상과, 하기의 일반식 (Ⅰ) 내지 (Ⅲ)으로 나타내어지는 3급 아민기를 갖는 4급 암모늄염을 포함하는 열중합 조성물을 제공한다.
(여기에서, R은 수소원자, 일킬기 또는 알콕시기이고, X=SbF6, AsF6, PF6, BF4 이다.)
본 발명에 있어서 양이온 중합성 물질의 예는 종류에 특별히 제약을 받지는 않지만, 에폭시드 단량체류, 에폭시수지, 페놀/포름알데히드 수지, 멜라민/포름알데히드 수지, 요소/포름알데히드 수지, 스피로오르토에스테르와 같은 환상 에테르 및 환상 티오에테르(에폭시드 및 에피설파이드 이외의 물질) 및 이들의 중합체, 락톤, 스틸렌, 비닐에테르 및 비닐티오에테르와 산처리의 경우 가교 혹은 경화 가능한 관능기를 갖는 수지 등이고, 단독, 혹은 두종류 이상의 혼합물도 포함된다.
본 발명에의 양이온 중합조성물에 사용되어지는 중합개시제인 3급 아민기를 갖는 4급 암모늄염을 열에 대하여 활성을 갖게 된다.
즉, 일정온도 이상의 열에 의하여 여기 되어진 암모늄염은 벤질양이온을 방출하여, 상기한 양이온 중합성 물질들의 중합을 개시시키며, 동시에 열분해에 의해 3급 디아민을 생성하여 이것이 정지 반응에 의하여 중합 반응의 정도를 조정한다.
본 발명에 있어서, 양이온 중합성 물질이 비닐화합물의 경우 중합반응에 있어서 통상 개시제 모노머 등에 불활성인 용매를 사용하여 용액중합법이 행해지지만 경우에 따라서 괴상중합법도 행해진다. 용매로서는 예를 들면 톨루엔, 벤젠, 크실렌과 같은 방향족 탄화수소류, n-헥산, n-부탄의 지방족 탄화수소류, 석유에테르, 리그로인과 같은 탄화수소혼합물류, 클로로벤젠, 디클로로에탄과 같은 할로겐화 탄화수소류가 사용가능하고, 또한 이들 비닐화합물의 중합반응은 상압 혹은 가압 반응하에서 행해지고, 반응온도는 20℃이상의 온도, 바람직하기로는 공업적으로 가열이 용이한 60∼150℃이다.
본 발명에 있어서 열중합용 양이온 중합개시제의 사용량은 양이온 중합성 유기 화합물에 대하여 통상 0.1∼10%이고 바람직하기는 0.5∼5%이다. 첨가량이 10%를 초과하는 경우는 경화시에 발생하는 반응 열에 의해 경화물이 착색이 일어나 경화물의 물성이 좋지 않고 비용면에 있어서도 좋지 않다. 또한 중합시에는 용매 사용이 가능하다.
본 발명의 조성물은 경우에 따라 증량제, 난연제, 정전방지제, 계면활성제, 대표적인 산무수물, 안료, 염료, 무기충진제, 가공조제 등을 혼합하여 사용 가능하다.
본 발명의 조성물은 전기, 전자부품의 봉지, 절연, 접착 등의 응용에 적합하다. 그 밖에 금속, 고무, 플라스틱, 섬유, 종이, 유리, 세라믹, 시멘트 및 목재의 가공에도 응용될 수 있을 것이다. 구체적으로는 인쇄잉크, 실란트, 접착제, 도료, 프린트기판 적층판, 코팅, 치과용재료, 성형재료 등에 응용 가능하다.
본 발명에 따른 경화조성물은 장기간 보존 가능하고, 150℃이하의 온도에서 단시간 내에 중합을 개시하는 기능을 갖추어 고온경화성이 우수하고, 흡습성이 없으며, 내수성, 내약품성이 뛰어난 경화물이 생성된다.
또한, 양이온 중합성 비닐 화합물 중합에 있어서는 종래에는 곤란했던 모노머와 개시제의 일액화 보존 특히 20℃ 이상에서 양이온 중합을 가능하게 할 뿐아니라, 단순한 가열로 실용성이 있는 중합체를 얻을 수 있는 장점이 있다.
이하 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 다음의 실시예에 한정되는 것은 아니다. (표1)에 일반식 (Ⅰ)으로 표시된 양이온 중합개시제의 합성결과를 실었다.
합성예 1
벤질피라지늄헥사플루오로 안티모네이트(Ia)의 합성
염화벤질(2.2g, 10mmole)과 요오드화나트륨(1.5g, 10mmole)을 아세톤 15㎖)중 상온에서 15시간 반응시킨 후 침전된 염화나트륨을 여과한 여과액에 피라진(0.8g, 10mmole)을 주입하여 상온에서 15시간 반응시켰다. 생성된 흰색의 이 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(3.0g, 10mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후 , 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(2.8g, 수율 70%)을 얻었다.
합성예 2
p-메톡시벤질피라지늄헥사플루오로 안티모네이트(Ib)의 합성
p-메톡시벤질알코올로부터 합성한 브롬화 p-메톡시벤질(4.0g, 2mmole)과 파라진(1.6g, 2mmole)을 벤젠(15㎖)중 상온에서 48시간 반응시켰다. 생성된 흰색의 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 이 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(1.5g, 5mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(0.98g, 수율 11%)을 얻었다. 상기 여액은 72시간 반응시킨 다음 동일한 방법으로 염교환을 하여 3회간의 총수율 56%(4.9g)을 얻었다.
합성예 3
벤질퀴녹살리늄헥사플루오로 안티모네이트(Ⅱa)의 합성
염화벤질(2.2g, 10mmole)과 요오드화나트륨(1.5g, 10mmole)을 아세톤(15㎖)중 상온에서 15시간 반응시킨 후 침전된 염화나트륨을 여과한 여과액에 퀴녹살린(1.3g, 10mmole)을 주입하여 상온에서 15시간 반응시켰다. 생성된 흰색의 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 이 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(1.5g, 5mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(0.65g, 수율 14.2%)을 얻었다. 상기 여액은 72시간 반응시킨 다음 동일한 방법으로 염교환을 하여 3회간이 총수율 46%(2.1g)을 얻었다.
합성예 4
p-메톡시벤질퀴녹살리늄헥사플루오로 안티모네이트(Ⅱb)의 합성
p-메톡시벤질알코올로부터 합성한 브롬화 p-메톡시벤질(4.0g,20mmole)과 퀴녹살린(2.6g, 20mmole)을 벤젠(15㎖)중 상온에서 48시간 반응시켰다. 생성된 흰색의 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 이 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(1.5g, 5mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(0.94g, 수율 9.7%)을 얻었다. 상기 여액은 72시간 반응시킨 다음 동일한 방법으로 염교환하여 3회간의 총수율 38%(3.7g)을 얻었다.
합성예 5
벤질디피리딜늄헥사플루오로 안티모네이트(Ⅲa)의 합성
염화벤질(1.3g, 10mmole)과 디피리딜 이수화물(1.9g, 10mmole)을 아세톤(20㎖)중 상온에서 2일 반응후 생성된 흰색의 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 이 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(1.5g, 5mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(2.0g,수율 41%)을 얻었다. 상기 여액은 72시간 반응시킨 다음 동일한 방법으로 염교환하여 3회간의 총수율 82%(4.1g)을 얻었다.
합성예 6
p-메톡시벤질디피리딜늄헥사플로오로 안티모네이트(Ⅲb)의 합성
p-메톡시벤질알코올로부터 합성한 브롬화 p-메톡시벤질(3.0g, 15mmole)과 디피리딜(2.8g, 15mmole)을 벤젠(20㎖)중 상온에서 48시간 반응시켰다. 생성된 흰색의 고체를 여과하여 에틸에테르(25㎖)로 3회 세척한 후 이 고체를 물에 녹이고 이 수용액에 칼륨헥사플루오로 안티모네이트(1.5g, 5mmole)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(2.53g, 수율 47%)을 얻었다.
비교합성예 1
벤질 o-시아노피리디늄 헥사플로오로 안티모네이트(Ⅳa)의 합성
브롬화 벤질(3.42g)과 o-시아노피리딘(1.04g)의 혼합물을 상온에서 2일간 반응시켰다. 반응 혼합물을 물/에테르(30㎖/50㎖)혼합용액으로 추출하여 수층에 칼륨 헥사플루오로 안티모네이트(2.74g)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정(0.27g)을 얻었다.
수 율 : 12.0%
.1H NMR(아세톤, d6) : δ = 9.55-8.40(m, 4H, Py)
7.52(s, 5H, Ph)
6.29(s, 2H, -CH2-)
비교합성예 2
p-메톡시벤질-p-시아노피리디늄 헥사플로오로 안티모네이트(Ⅴa)의 합성
염화p-메톡시벤질(3.2g)과 p-시아노피리딘(2.0g)과의 혼합물을 아세토니트릴(30mL)중 상온에서 96시간 반응시켰다. 반응후 아세토니트릴을 감압 증발시키고 물/에테르(30mL/100mL)혼합용액으로 추출하여 수층에 나트륨 헥사플로오로 안티모네이트(5.2g)를 가하여 생성된 백색고체를 여과, 세척한 후, 메탄올로부터 재결정에 의하여 백색의 결정을 얻었다 표 1 참조
수 율 : 19.4%
1H NMR(아세톤, d6) : δ= 9.00-8.75(d, 2H, py)
8.45-8.15(br, 2H, py)
7.63-6.85(q, 4H, Arom)
5.81(s, 2H, -CH2-)
3.81(s, 3H, CH3O)
실시예 1∼12
일반식 Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ으로 표시된 양이온 중합개시제를 사용하여 에폭시수지의 모델화합물인 페닐글리시딜에테르의 중합을 행하였다. 중합은 파이렉스 유리관에 0.3g의 페닐글리시딜에테르와 이에 대해 3몰%의 양이온 중합개시제를 혼합하여 탈기 봉관후 표2에 나타낸 반응온도 및 시간에서 괴상중합을 행하였다. 반응 혼합물의 형상은 옅은 황색 혹은 적갈색의 고점도 용액 혹은 고체이었고, 반응종료 후, 이 반응 혼합물을 염화메틸렌에 용해 시킨후 이 용액을 메탄올에 적하시켜 옅은 황색 혹은 적갈색의 고점도의 고분자를 얻었다. 이 고분자의 구조는
NMR, IR에 의해 잘 알려진 폴리에테르 구조임을 확인하였고 그 분자량 및 분자량 분포는 폴리스텔렌을 표준물질로 사용한 GPC에 의해 구하여 표2에 실었다.
비교예 1∼4
실시예 1∼12에서 상기의 비교합성예 1∼2에서 제조되어진 양이온 중합개시제(Ⅳa, Ⅴb)를 사용한 것을 제외하고는 실질적으로 실시예와 동일하게 처리하였다.표 2 참조
상기의 (표2)의 결과로부터, 본 발명에 따른 3급 아민기를 갖는 4급 암모늄염을 양이온 중합개시제로 사용하는 중합조성물 및 중합개시제(Ia 및 Ⅱa)의 경우는 종래의 피리디늄염(Ⅳa, 및 Ⅴb)을 중합개시제로 사용하는 경우에 비하여 80∼120℃ 사이에서의 전환율의 경우 비등한 결과를 보이면서도 낮은 수평균 분자량을 갖는 폴리글리시딜페닐에테르를 얻을 수 있었다.
한편, Ⅲa의 경우는 140℃ 이상의 온도에서 개시활성을 나타내어 고온의 용도에 사용되는 중합개시제로 평가되며 역시 낮은 분자량의 폴리에테르를 얻을 수 있다.
또한, 이들의 개시활서을 제어하기 위하여 메톡시기를 도입한 중합개시제(Ib,Ⅱb, 및 Ⅲb)는 그 개시온도를 Ia, Ⅱa 및 Ⅲa에 비해 약 20∼40℃ 낮출 수 있었으며, 일반적으로 저온에서는 분자량이 커짐에도 불구하고 비교예 1과 4보다 낮게 조절할 수 있었다.
이와 같은 결과로부터 본 발명에 따른 열중합용 양이온 중합개시제는 종래의 루이스산, 아민 혹은 산무수물과 같은 에폭시수지 경화제, 혹은 중합개시제의 경우는 보유하지 못하나 오니움염인 양이온 중합개시제가 갖는 특징인 열잠재성, 수분 및 공기, 프로톤성 용매(알코올류)에 대한 안정성 및 비흡습성과 개시활성의 제어 용이성을 보유하기 때문에 모노머와의 혼합보관이 가능하고, 사용이 용이하며 개시온도를 제어할 수 있고, 더욱 종래의 오니움염에 비해 개시반응의 제어가 뛰어나 열잠재성이 우수하며 생장반응의 제어가 가능하여 올리고머의 합성에 대한 선택성이 있음을 말해준다.
이와 같은 본 발명에 따른 열중합용 양이온 중합개시제의 특성으로 본 발명의 양이온 중합개시제를 사용하는 열중합조성물은 전기, 전자부품의 봉지, 절연, 접착 등의 응용에 더 큰 용도를 갖을 수 있다.

Claims (8)

  1. 다음의 일반식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)으로 나타내어지는 군에서 1종 또는 2종이상 조합되어 선택되어지는 열중합용 양이온 중합개시제.
    (여기에서, R은 수소원자, 일킬기 또는 알콕시기이고, X=SbF6, AsF6, PF6, BF4 이다.)
  2. 제1항에 있어서, N-벤질디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)피라지늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트으로 이루어지는 군에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 열중합용 양이온 중합개시제.
  3. 양이온 중합성 물질의 하나 또는 둘 이상과, 다음의 일반식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)으로 나타내어지는 군에서 1종 또는 2종이상 조합되어 선택되어지는 열중합용 양이온 중합개시제를 포함하는 열중합 조성물.
    (여기에서, R은 수소원자, 일킬기 또는 알콕시기이고, X=SbF6, AsF6, PF6, BF4 이다.)
  4. 제3항에 있어서, 상기한 양이온 중합성 물질은 에폭시드 단량체류, 에폭시수지, 페놀/포름알데히드 수지, 멜라민/포름알데히드 수지, 요소/포름알데히드 수지, 스피로오르토에스테르와 같은 환상 에테르 및 환상티오에테르(에폭시드 및 에피설파이드 이외의 물질) 및 이들의 중합체, 락톤, 스틸렌, 비닐에테르 및 비닐티오에테르와 산처리의 경우 가교 혹은 경화시 가능한 관능기를 갖는 수지 등이고 단독, 혹은 두종류 이상의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되어짐을 특징으로 하는 열중합조성물.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기한 양이온 중합성 물질은 에폭시수지임을 특징으로 하는 열중합조성물.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기한 양이온 중합성 물질은 비닐화합물임을 특징으로 하는 열중합조성물.
  7. 제3항에 있어서, 상기한 열중합용 양이온 중합개시제는 양이온 중합성 물질에 대하여 0.1∼10중량% 첨가됨을 특징으로 하는 열중합조성물.
  8. 제3항 또는 제7항에 있어서, 상기한 열중합용 양이온 중합개시제는 N-벤질피라지늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)피라지늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)퀴녹살리늄 헥사플루오로 안티모네이트, N-벤질디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트, N-(p-메톡시벤질)디피리딜리움 헥사플루오로 안티모네이트으로 이루어지는 군에서 선택되어짐을 특징으로 하는 열중합조성물.
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WO2016099004A1 (ko) * 2014-12-18 2016-06-23 삼성에스디아이 주식회사 경화성 수지 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 장치

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