KR0122870Y1

KR0122870Y1 - Photomask

Info

Publication number: KR0122870Y1
Application number: KR2019920006096U
Authority: KR
Inventors: 고상기; 박승현
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1992-04-14
Filing date: 1992-04-14
Publication date: 1999-02-18
Also published as: KR930024363U

Abstract

본 고안은 소망패턴보다 실제패턴의 면적이 대폭 감소하는 패턴공정상의 문제를 개선하기 위하여 포토마스크 패턴을 제작할 때 근접효과를 감안하여 미니멈 디자인룰에는 위배되지만 바이아스가 특히 많이 발생되는 사각모서리 부분에 더미패턴(16)을 부가하여 포토마스크 패턴의 모서리부분을 크게 한 것이다.This design violates the minimum design rule in consideration of the proximity effect when manufacturing the photomask pattern to improve the pattern process problem, which greatly reduces the area of the actual pattern than the desired pattern. The dummy pattern 16 is added to enlarge the edge portion of the photomask pattern.

구체적으로는 소망하는 패턴이 사각형태의 캐패시터 스토리지 노드 패턴인 것이다.Specifically, the desired pattern is a rectangular capacitor storage node pattern.

Description

Photomask

제1도는 패턴 형성시 발생되는 문제점을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a problem caused when forming a pattern.

제2도는 본 고안의 포토마스크를 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining a photomask of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 소망 패턴 12 : 바이아스10: Desired Pattern 12: Bias

14, 14' : 실제 패턴 16 : 더미 패턴14, 14 ': real pattern 16: dummy pattern

20 : 확장 패턴 D, D' : 패턴 간격20: expansion pattern D, D ': pattern spacing

본 고안은 반도체 제조공정에서 사용하는 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask used in the semiconductor manufacturing process.

제1도는 종래의 패턴 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional pattern formation method.

반도체 제조공정에서는 패턴을 형성하는 공정이 많다.In the semiconductor manufacturing process, there are many processes for forming a pattern.

이러한 패턴은 산화막, 질화막, 폴리실리콘, 금속층 또는 포토레지스트 등에 형성된다.This pattern is formed on an oxide film, a nitride film, a polysilicon, a metal layer, a photoresist, or the like.

소망하는 패턴이 제1도에서 도면부호 10으로 가르키는 직사각형 모양이라고 할 때, 포토마스크의 패턴도 소망하는 패턴(10)과 꼭같이 제작하며, 인접한 다른 요소와는 미니멈 디자인 룰을 의해 최소간격 D만큼 떨어져 있어야 한다.When the desired pattern is a rectangular shape indicated by reference numeral 10 in FIG. 1, the pattern of the photomask is also made exactly like the desired pattern 10, and the minimum distance D is determined by a minimum design rule with other adjacent elements. Should be as far apart as possible.

소망하는 패턴(10)이 예로서 캐패시터의 스토리지 전극(노드)의 형태라고 할 경우, 많은 수의 캐패시터를 형성키 위하여는 하나의 셀이 차지하는 면적을 적게 해야되는 데도 하나의 셀 내에서는 캐패시터의 노드가 차지하는 면적을 크게하면 할수록 캐패시턴스를 증가시킬 수 있으므로, 웨이퍼상에서 이 면적을 크게 하는 것이 바람직스럽다. 하지만, 디자인 룰에 의해서 인접하는 패턴과 간격 D를 유지하여야 하므로 도시한 바와 같이 소망 패턴(10)을 포토마스크에 디자인하고 있다.If the desired pattern 10 is, for example, in the form of a storage electrode (node) of a capacitor, in order to form a large number of capacitors, the area occupied by one cell must be reduced, but the node of the capacitor in one cell is required. The larger the area occupied by, the higher the capacitance can be. Therefore, it is preferable to increase this area on the wafer. However, since the adjacent pattern and the distance D must be maintained by the design rule, the desired pattern 10 is designed on the photomask as shown.

그러나, 실제 공정에서 포토마스크의 패턴(10)은 노광 식각공정에서의 근접효과(Proximity EFfect) 때문에 생기는 바이아스(12) (제1도에서 →로 표시한 부분)에 의하여 소망하는 패턴(10)보다는 다른 모양(14)으로 제작된다.However, in the actual process, the pattern 10 of the photomask is a desired pattern 10 due to the vias 12 (parts shown as → in FIG. 1) caused by the proximity effect in the exposure etching process. Rather, it is manufactured in a different shape (14).

따라서, 캐패시터의 노드처럼 특히 큰 면적이 요구되는 패턴에서는 실제패턴(14)이 소망패턴(10)보다 작게 형성되면 기대한 만큼의 전기적 특성이 발생되지 아니하는 문제가 발생된다. 따라서 종래에는 이러한 감소효과까지 감안하여 레이아웃을 설계하는 실정이었다.Therefore, in a pattern in which a large area is required, such as a node of a capacitor, when the actual pattern 14 is formed smaller than the desired pattern 10, there is a problem in that electrical characteristics as expected are not generated. Therefore, conventionally, the layout was designed in consideration of such a reduction effect.

본 고안은 이와같은 종래의 문제점, 즉 소망패턴보다 실제패턴의 면적이 대폭 감소하는 문제를 개선하기 위하여 디자인 룰에 얽매이던 종래의 사고방식에서 탈피하여 포토마스크 제작시에 디자인룰에 위배되더라도 실제 형성된 패턴이 디자인룰에 만족되도록 한 것이다.In order to improve such a conventional problem, that is, the area of the actual pattern is greatly reduced than the desired pattern, the present invention is separated from the conventional way of thinking, which is constrained by the design rule. The pattern satisfies the design rule.

즉, 포토마스크 패턴을 제작할 때 근접효과를 감안하여 미니멈 디자인룰에는 위배되지만 바이아스가 특히 많이 발생되는 사각 모서리 부분에 더미패턴(16)을 부가하여 포토마스크 패턴의 모서리부분을 크게 한 것이다.In other words, when the photomask pattern is manufactured, a dummy pattern 16 is added to a rectangular corner portion that violates the minimum design rule in consideration of the proximity effect, but a large number of vias are generated, thereby increasing the edge portion of the photomask pattern.

본 고안은 반도체 제조공정의 패턴 형성공정에서, 소망하는 패턴이 직선과 직선으로 만나는 모서리 부분을 가지고 있는 것인 경우, 포토마스크를 패턴의 모서리 부분 외측에 소정의 폭을 가진 자 모양의 더미패턴을 부가형성하여 포토마스크를 제작하고, 이 포토마스크를 사용하여 실제패턴을 형성하는 것이다.According to the present invention, when a desired pattern has a corner portion where a desired pattern meets in a straight line in a pattern formation process of a semiconductor manufacturing process, a dummy pattern having a predetermined width having a predetermined width is formed outside the edge portion of the pattern. A photomask is produced by addition forming, and an actual pattern is formed using this photomask.

구체적으로는 소망하는 패턴이 사각형태의 캐패시터 스토리지 노드 패턴인 것이다. 반도체 웨이퍼상에 사각형태의 소망패턴을 형성키 위하여 사용되는 포토마스크에 있어서, 사각형태의 각 모서리부분에 소정의 폭을 가진 ㄴ자 모양의 더미패턴을 부착시킨 확장패턴이 형성된 포토마스크이다.Specifically, the desired pattern is a rectangular capacitor storage node pattern. In a photomask used for forming a desired pattern of square shape on a semiconductor wafer, it is a photomask in which an extension pattern is formed by attaching a dummy pattern having a predetermined width to each corner portion of the rectangular shape.

도면을 참조하면서 본 고안을 자세하게 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to the drawings.

제2도에서 도시한 바와 같이, 소망패턴(10)이 직사각형 모양으로 된 경우, 포토마스크를 소망패턴(10)과 꼭같이 제작하면, 실제 웨이퍼상에 형성되는 포토레지스터 패턴에 근접효과에 의하여 제1도의 실제패턴(14)과 같이 사각 모서리부분에 많은 바이아스가 나타나게 되므로, 본 고안에서는 네 개의 모서리 부분에 더미패턴(Dummy pattern)(16)을 각각 붙여서 포토마스크상에 소망패턴(20)을 제작한다.As shown in FIG. 2, in the case where the desired pattern 10 has a rectangular shape, when the photomask is manufactured exactly as the desired pattern 10, the photoresist pattern formed on the actual wafer is produced by the proximity effect. Since many vias appear in the square corners as in the actual pattern 14 of 1 degree, in the present invention, a dummy pattern 16 is attached to each of the four corners to attach the desired pattern 20 on the photomask. To make.

더미패턴이 부과된 포토마스크패턴(20)은 사각형의 각 모서리부분에 소정의 폭을 가진 또는 ㄴ자 모양의 더미패턴을 부착시킨 것인데, 이하에서는 확대패턴(20)이라 부른다.The photomask pattern 20 to which the dummy pattern is applied is affixed to each corner of the quadrangle with a predetermined width or letter-shaped dummy pattern, hereinafter referred to as an enlarged pattern 20.

이 확대패턴(20)과 확대패턴간의 최소간격은 D'가 되어, 정상적인 디자인 룰에서 요구되는 최소간격 D보다는 작아지게 되지만, 이 마스크를 가지고 포토레지스터 패턴을 형성하면, 제2도에서 보인 바와 같이, 각 모서리 부분에서 바이아스가 발생되어 실제로는 소망하는 패턴(10)에 더욱 가까워진 실제패턴(14')으로 형성된다.The minimum distance between the enlarged pattern 20 and the enlarged pattern becomes D 'and becomes smaller than the minimum distance D required by the normal design rule. However, when the photoresist pattern is formed with this mask, as shown in FIG. A bias is generated at each corner portion, and is actually formed into an actual pattern 14 'that is closer to the desired pattern 10.

따라서, 포토레지스터에 형성된 이 실제패턴(14')에 의해서 산화막, 질화막, 폴리실리콘막 등이 패터닝되기 때문에 소망하는 패턴(10) 형태에 매우 가까워진 패턴을 얻을 수 있게 되고, 특히 캐패시터의 노드전극과 같이 큰 면적이 요구되는 요소들을 패터닝할 때에 본 방법을 이용하면 매우 효과적이 된다.Therefore, since the oxide film, the nitride film, the polysilicon film, etc. are patterned by this actual pattern 14 'formed on the photoresist, a pattern very close to the desired pattern 10 can be obtained. In particular, the node electrode of the capacitor and This method is very effective when patterning elements that require large areas.

Claims

A photomask used for forming a desired pattern of rectangular shape on a semiconductor wafer, the photomask having an extension pattern formed by attaching a dummy pattern having a predetermined width to each corner portion of the rectangular shape.

The photomask of claim 1, wherein the photomask pattern is a storage node pattern of a capacitor.