KR0121511Y1 - 티이오에스 분사 장치 - Google Patents
티이오에스 분사 장치Info
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- KR0121511Y1 KR0121511Y1 KR2019940014527U KR19940014527U KR0121511Y1 KR 0121511 Y1 KR0121511 Y1 KR 0121511Y1 KR 2019940014527 U KR2019940014527 U KR 2019940014527U KR 19940014527 U KR19940014527 U KR 19940014527U KR 0121511 Y1 KR0121511 Y1 KR 0121511Y1
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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Abstract
본 고안은 반도체 제조 공정 중 금속막간의 절연막으로 사용되는 TEOS 가스 분사 장치에 관한 것으로, TEOS 가스가 주입되도록 그 일측에 주입구가 형성되어 있으며, 제1 내경을 갖는 인입관, 상기 인입관의 배출부에 그 인입부가 일체로 결합되되, 관내를 흐르는 상기 TEOS 가스의 유속이 급격히 빨라지게 그 내경이 점차줄어들도록 형성된 병목관, 상기 병목관의 배출부에 그 인입부가 결합되어 있고 상기 TEOS 가스가 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에서 분사되도록 상방으로 유도하며, 상기 인입관의 제1 내경보다 작은 제2 내경을 갖는 유도관, 및 상기 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에 상응하는 상기 유도관의 상부 위치에 형성되되, 상기 주입구와 반대방향의 측방으로 상기 TEOS 가스가 분사되도록 형성된 분사구를 포함하여 이루어지는 TEOS 분사장치를 제공한다. 이에 의해 TEOS 가스가 액화됨으로 인한 불순물의 발생을 방지하고, 수직형 공정로에 배치되는 각각의 웨이퍼 상에 TEOS 가스를 비교적 고르게 분포시키는 것이 가능하다.
Description
제 1 도는 종래의 TEOS 분사장치 단면도.
제 2 도는 본 고안에 따른 TEOS 분사장치 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11,21:주입구 12,22:분사구
10:관 20a:인입관
20b:병목관 20c:유도관
본 고안은 반도체 제조 공정 중 금속막간의 절연막으로 사용되는 티이오에스(tetra-ethly-ortho-silicate, 이하 TEOS라 함) 가스를 공정로로 분사하는 TEOS 분사장치에 관한 것이다.
제 1 도는 종래의 TEOS 분사장치 단면도로서, 제1 도에 도시된 바와 같이 일단에 TEOS 가스가 주입되는 주입구(11)가 형성되어 있고, 타단에는 분사구(12)가 형성된 일직선 형태의 관(10)으로 이루어진다. 공정로에는 가스 인입관, 웨이퍼 인입관 등의 여러 부속 장치가 연결되는데, 여러 조건의 제약으로 TEOS 분사장치가 공정로의 아래쪽에 연결된다. 이 경우, 공정로에서 분사구(12)가 위치하는 부분의 온도가 TEOS의 비등점보다 낮아서 TEOS 가스가 액화되는데, 이로 인하여 많은 불순물의 발생한다. 또한, 수직형(vertical type) 공정로에는 공정로의 아래로부터 위로 웨이퍼가 배치되는데, 종래에는 TEOS 분사장치의 분사구(12)가 공정로 아래쪽에 위치하여 TEOS 가스가 공정로 아래에서부터 쌓이기 때문에, 공정로 아래쪽에 배치된 웨이퍼와 공정로 위쪽에 배치된 웨이퍼에 도달하는 TEOS 양에 현저한 차이가 생기는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안은 공정로에서 TEOS 비등점보다 온도가 높은 위치에 분사구를 위치시켜, TEOS 가스가 액화됨으로 인한 불순물의 발생을 방지할 수 있으며, 수직형 공정로에 배치되는 각각의 웨이퍼 상에 TEOS 가스를 비교적 고르게 분포시킬 수 있는 TEOS 분사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달상하기 위하여 본 고안은, 티이오에스(TEOS) 가스를 공정로로 분사하기 위한 장치에 있어서, 상기 TEOS 가스가 주입되도록 그 일측에 주입구가 형성되어 있으며, 제1 내경을 갖는 인입관; 상기 인입관의 배출부에 그 인입부가 일체로 결합되되, 관내를 흐르는 상기 TEOS 가스의 유속이 급격히 빨라지게 그 내경이 점차줄어들도록 형성된 병목관; 상기 병목관의 배출부에 그 인입부가 결합되어 있고 상기 TEOS 가스가 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에서 분사되도록 상방으로 유도하며, 상기 인입관의 제1 내경보다 작은 제2 내경을 갖는 유도관; 및 상기 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에 상응하는 상기 유도관의 상부 위치에 형성되되, 상기 주입구와 반대 방향의 측방으로 상기 TEOS 가스가 분사되도록 형성된 분사구를 포함하여 이루어지는 티이오에스(TEOS) 분사장치를 제공한다.
이하, 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 고안의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
제 2 도는 본 고안에 따른 TEOS 분사장치의 측면도이다. 본 고안에 따른 TEOS 분사장치는 그 일측에 주입구(21)가 형성되어 있으며 제1 내경을 갖는 인입관(20a), 상기 인입관(20a)의 배출구에 그 인입부가 일체로 결합되되, 관내를 흐르는 TEOS 가스의 유속이 급격히 빨라지도록 그 내경이 점차 줄어들도록 형성된 병목관(20b), 상기 병목관(20b)의 배출부에 그 인입부가 결합되며 병목관(20b)과 90°를 이루고, TEOS 가스가 비등점 이상의 온도를 갖는 공정로 상부 위치에서 분사되도록 상방으로 유도하며, 인입관(20a)의 제1 내경보다 작은 제2 내경을 갖는 유도관(20c), 유도관(20c)의 상부 위치에 형성되되, 주입구(21)와 반대 방향의 측방으로 TEOS 가스가 분사되도록 하는 분사구(22)로 이루어진다. 상기 병목관(20b)과 유도관(20c)은 플랜지(flange)등과 같은 결합장치로 연결될 수도 있고, 병목관(20b)과 유도관(20c)을 일체형으로 주물 제작할 수도 있다.
본 고안에 따른 TEOS 분사장치는 비교적 온도가 낮은 공정로의 하단에 연결되어도 공정로의 TEOS 비등점 이상의 온도를 갖는 위치에서 TEOS 가스를 분사시키는 것이 가능하여 TEOS 가스의 액화에 따른 불순물의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 유도관(20c)의 측면에 형성된 분사구(22)를 통하여 TEOS 가스가 공정로에 주입되기 때문에 수직형 공정로에 배치된 다수의 웨이퍼에 비교적 골고루 TEOS를 분사할 수 있다.
Claims (1)
- 티이오에스(TEOS) 가스를 공정로로 분사하기 위한 장치에 있어서, 상기 TEOS 가스가 주입되도록 그 일측에 주입구가 형성되어 있으며, 제1 내경을 갖는 인입관; 상기 인입관의 배출부에 그 인입부가 일체로 결합되되, 관내를 흐르는 상기 TEOS 가스의 유속이 급격히 빨라지게 그 내경이 점차줄어들도록 형성된 병목관; 상기 병목관 배출부에 그 인입부가 결합되어 있고 상기 TEOS 가스가 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에서 분사되도록 상방으로 유도하며, 상기 인입관의 제1 내경보다 작은 제2 내경을 갖는 유도관; 및 상기 비등점 이상의 온도를 갖는 상기 공정로 상부 위치에 상응하는 상기 유도관의 상부 위치에 형성되되, 상기 주입구와 반대방향의 측방으로 상기 TEOS 가스가 분사되도록 형성된 분사구를 포함하여 이루어지는 티이오에스(TEOS) 분사장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940014527U KR0121511Y1 (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 티이오에스 분사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940014527U KR0121511Y1 (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 티이오에스 분사 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960003097U KR960003097U (ko) | 1996-01-22 |
| KR0121511Y1 true KR0121511Y1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19386159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940014527U KR0121511Y1 (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 티이오에스 분사 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0121511Y1 (ko) |
-
1994
- 1994-06-21 KR KR2019940014527U patent/KR0121511Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960003097U (ko) | 1996-01-22 |
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