KR0137941Y1 - 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치 - Google Patents
반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 고안은 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치에 관한 것으로, 종래 반도체 질화막성장장치는 진공튜브에서 배출되는 고온의 미반응가스가 저온의 벤트라인을 지나면서 증착되어 공정의 불안정이 야기됨으로써 웨이퍼 증착의 두께가 불균일한 문제점이 있었던 바, 본 고안 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치는 클램프(13)와 벤트라인(12)사이에 확장관(20)을 설치하고, 그 확장관(20)의 내부에 가열코일(21)과 열전대(22)를 설치하며, 온도조절기(23)로 가열코일(21)을 가열하여 확장관(20)의 내부온도를 상승시킴으로써 종래와 같이 진공튜브에서 고온의 미반응가스가 저온의 벤트라인을 통과시에 발생하는 증착에 의한 막힘이 방지되고, 또한 그로인한 공정이 안정되어 웨이퍼 질화막이 두께 유니퍼머티가 향상되는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래 반도체 질화막성장장치의 구성을 보인 개략구성도.
제2도는 본 고안 이물질증착방지장치가 구비된 질화막성장장치의 구성을 보인 개략구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 진공튜브 12 : 벤트라인
20 : 확장관 21 : 가열코일
22 : 열전대 23 : 온도조절기
본 고안은 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치에 관한 것으로, 특히 벤트라인의 내측에 이물질이 발생하여 막힘으로써 공정이 불안정하게 되어 질화막의 두께불량이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 질화막성장장치의 구성을 보인 개략구성도로서, 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 질화막성장장치는 챔버(1)의 내측에 웨이퍼를 수납하기 위한 진공튜브(2)가 설치되어 있고, 그 진공튜브(2)의 일측 단부에는 배기가스가 배출되는 벤트라인(3)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 진공튜브(2)의 출구측 밴트라인(3) 상에는 진공튜브(2)와 밴트라인(3)을 연결 또는 분리하기 위한 제1 및 제2 클램프(4)(5)가 각각 설치되어 있고, 상기 밴트라인(3)의 단부에는 상기 진공튜브(2)의 내측을 진공상태로 유지하기 위한 진공펌프(6)가 설치되어 있다.
도면중 미설명부호 7은 방열판이다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 질화막성장장치를 이용하여 웨이퍼의 질화막을 성장시키는 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 진공튜브(2)의 내측에 질화막을 성장시킬 웨이퍼들을 보트에 탑재하여 위치 시킨다. 그리고, 진공튜브(2)의 내부를 750℃∼850℃로 유지한 상태에서 암모니아 가스(NH3)와 다이크로 싸이렌 가스(SiH2Cl2)를 진공튜브(2)의 내측에 투입하여 웨이퍼에 질화막을 성장시킨다.
상기와 같이 공정이 진행되면 진공펌프(6)에서는 펌핑(PUMPING)하여 진공튜브(2)의 내측을 진공상태로 유지시키며, 이때 진공튜브(6)의 내측에 남아있는 잔류가스나 미반응 가스 등은 벤트라인(3)을 통하여 진공튜브(2)의 밖으로 배출되는 것이다.
그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 질화막성장장치는 공정진행시 진공튜브(2)에서 배기가스나 혹은 미반응된 반응가스가 벤트라인(3)을 통하여 공정튜브(2)의 외부로 배출이 되는데, 이때 고온의 반응가스가 저온(약200℃)의 벤트라인(3)을 지나면서 벤트라인(3)의 내측에 이물질이 되어 증착하게 되며, 이와 같이 증착되는 이물질은 공정이 계속 진행되며 증착량이 많아지면 벤트라인(3)이 막히게 되어 공정의 불안정으로 웨이퍼의 질화막 두께가 일정치 않은 불량을 발생시키는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 공정진행시 벤트라인의 내측에 미반응된 반응가스가 이물질이 되어 증착하여 벤트라인이 막히게 되는 것을 방지함으로써 웨이퍼의 질화막 성장시 질화막 두께 유니퍼머티를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 공정진행시 진공튜브의 내측에서 발생하는 배기가스 및 미반응가스가 벤트라인을 통하여 외부로 배출되도록 구성되어 있는 반도체 질화막성장장치에 있어서, 상기 진공튜브의 출구측과 벤트라인을 연결하는 확장관을 형성하고, 그 확장관의 내부에 확장관의 내부온도를 상승시키기 위한 가열코일을 설치하며, 상기 확장관의 내부에 온도측정용 열전대를 설치하고, 상기 열전대와 가열코일에 연결되어 열전대의 온도감지값으로 가열코일을 가열하기 위한 온도조절기를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치를 첨부된 도면의 실시례를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안 이물질증착방지장치가 구비된 반도체 질화막성장장치의 구성을 보인 개략구성도로서, 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 내측에 설치되며 공정진행시 웨이퍼를 수납하기 위한 진공튜브(11)와, 그 진공튜브(11)의 출구측에 연결되며 배기가스 및 미반응가스를 외부로 배출하기 위한 벤트라인(12)과, 상기 진공튜브(11)의 출구측과 벤트라인(12)을 연결 또는 분리하기 위힌 클램프(13)와, 및 상기 벤트라인(12)의 단부에 설치되어 상기 진공튜브(11)의 내부를 진공상태로 유지하기 위한 진공펌프(14)로 구성된 것은 종래와 동일하다.
여기서, 본 고안은 상기 클램프(13)와 벤트라인(12) 사이에 확장관(20)을 설치하고, 그 확장관(20)의 내부에 확장관(20)의 내부온도를 상승시키기 위한 가열코일(21)을 설치하며, 상기 확장관(20)의 내부에 온도측정용 열전대(22)를 설치하고, 상기 열전대(22)와 가열코일(21)에 연결되어 열전대(22)의 온도감지값으로 가열코일(21)을 가열하기 위한 온도조절기(23)를 설치한 것이다.
도면중 미설명부호 15는 방열판이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 이물질증착방지장치가 구비된 반도체 질화막성장장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 진공튜브(11)의 내측에 질화막을 성장시킬 웨이퍼들을 보트에 탑재하여 위치 시킨다. 그리고, 진공튜브(11)의 내부를 750℃∼850℃로 유지한 상태에서 암모니아 가스(NH3)와 다이크로 싸이렌 가스(SiH2Cl2)를 진공튜브(11)의 내측에 투입하여 웨이퍼에 질화막을 성장시킨다. 그리고, 상기와 같이 공정이 진행되면 진공펌프(14)에서는 펌핑(PUMPING)을 하여 진공튜브(11)의 내측을 진공상태로 유지시키며, 이때 진공튜브(11)의 내측에 남아있는 잔류가스나 미반응 가스 등은 벤트라인(12)을 통하여 진공튜브(11)의 밖으로 배출되는 것이다.
상기와 같이 공정이 진행되면 온도조절기(23)에서 가열코일(21)을 가열하여 진공튜브(11)에서 배출되는 미반응 가스가 확장관(20)의 내측에서 온도변화에 의해 증착이 되는 것을 방지하는 것이다.
즉, 상기 열전대(23)에서 확장관(20)의 내부온도를 감지하여 온도조절기(23)로 보내면, 온도조절기(23)에서 그 감지된 온도값을 참고하여 가열코일(21)를 가열함으로써 항상일정한 온도(약200℃)를 유지할 수 있도록 하는 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치는 클램프와 벤트라인 사이에 확장관을 설치하고, 그 확장관의 내부에 가열코일과 열전대를 설치하며, 온도조절기로 가열코일을 가열하여 확장관의 내부온도를 상승시킴으로써 종래와 같이 진공튜브에서 고온의 미반응가스가 저온의 벤트라인을 통과시에 발생하는 증착에 의한 막힘이 방지되고, 또한 그로인한 공정이 안정되어 웨이퍼 질화막의 두께 유니퍼머티가 향상되는 효과가 있다.
Claims (1)
- 공정진행시 진공튜브의 내측에서 발생하는 배기가스 및 미반응가스가 벤트라인을 통하여 외부로 배출되도록 구성되어 있는 반도체 질화막성장장치에 있어서, 상기 진공튜브의 출구측과 벤트라인을 연결하는 확장관을 형성하고, 그 확장관의 내부에 확장관의 내부온도를 상승시키기 위한 가열코일을 설치하며, 상기 확장관의 내부에 온도측정용 열전대를 설치하고, 상기 열전대와 가열코일에 연결되어 열전대의 온도감지 값으로 가열코일을 가열하기 위한 온도조절기를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950037906U KR0137941Y1 (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019950037906U KR0137941Y1 (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970047024U KR970047024U (ko) | 1997-07-31 |
| KR0137941Y1 true KR0137941Y1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19431803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019950037906U KR0137941Y1 (ko) | 1995-12-02 | 1995-12-02 | 반도체 질화막성장장치의 이물질증착방지장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0137941Y1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20020049086A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 유인종 | 반도체 공정 설비용 인라인 진공히터 |
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1995
- 1995-12-02 KR KR2019950037906U patent/KR0137941Y1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970047024U (ko) | 1997-07-31 |
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