US11004936B2
(en )
2021-05-11
Silicon carbide insulated-gate power field effect transistor
JP6220188B2
(ja )
2017-10-25
半導体装置
US9530891B2
(en )
2016-12-27
Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5302553B2
(ja )
2013-10-02
半導体装置とその製造方法
US8476731B2
(en )
2013-07-02
Nitride semiconductor diode
US10490638B2
(en )
2019-11-26
Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2014026307A1
(zh )
2014-02-20
半导体器件及其制造方法
JP2014036115A
(ja )
2014-02-24
半導体装置
JPWO2024143385A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11
JP5907480B2
(ja )
2016-04-26
バイポーラトランジスタ及び半導体装置並びにバイポーラトランジスタの製造方法
JP2016171172A
(ja )
2016-09-23
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
CN112599524B
(zh )
2022-09-20
一种具有增强可靠性的碳化硅功率mosfet器件
JP2021034543A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2021-10-28
JP7388027B2
(ja )
2023-11-29
炭化珪素半導体装置
US10128196B2
(en )
2018-11-13
Semiconductor device
JPWO2024143383A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11
JPWO2023008054A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2024-04-22
JPWO2024143380A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11
JP7216564B2
(ja )
2023-02-01
窒化物半導体装置
JPWO2024143379A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11
JPWO2023181749A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2024-08-16
JPWO2022270245A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2024-03-27
JPWO2024143381A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11
US11239329B2
(en )
2022-02-01
Semiconductor device
JPWO2024143384A5
(cg-RX-API-DMAC7.html )
2025-09-11