JPWO2023286764A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2023286764A5
JPWO2023286764A5 JP2023534813A JP2023534813A JPWO2023286764A5 JP WO2023286764 A5 JPWO2023286764 A5 JP WO2023286764A5 JP 2023534813 A JP2023534813 A JP 2023534813A JP 2023534813 A JP2023534813 A JP 2023534813A JP WO2023286764 A5 JPWO2023286764 A5 JP WO2023286764A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin
acid
action
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023534813A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2023286764A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2022/027383 external-priority patent/WO2023286764A1/ja
Publication of JPWO2023286764A1 publication Critical patent/JPWO2023286764A1/ja
Publication of JPWO2023286764A5 publication Critical patent/JPWO2023286764A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2023534813A 2021-07-14 2022-07-12 Pending JPWO2023286764A1 (https=)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021116511 2021-07-14
PCT/JP2022/027383 WO2023286764A1 (ja) 2021-07-14 2022-07-12 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2023286764A1 JPWO2023286764A1 (https=) 2023-01-19
JPWO2023286764A5 true JPWO2023286764A5 (https=) 2024-04-10

Family

ID=84919502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023534813A Pending JPWO2023286764A1 (https=) 2021-07-14 2022-07-12

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20240176242A1 (https=)
EP (1) EP4372466A4 (https=)
JP (1) JPWO2023286764A1 (https=)
KR (1) KR20240019274A (https=)
CN (1) CN117616336A (https=)
IL (1) IL309807A (https=)
TW (1) TW202319837A (https=)
WO (1) WO2023286764A1 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023182094A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、レジストパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス
JPWO2023189586A1 (https=) * 2022-03-29 2023-10-05
KR20240170533A (ko) * 2022-03-31 2024-12-03 니폰 제온 가부시키가이샤 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JPWO2024203160A1 (https=) * 2023-03-24 2024-10-03

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2472328B1 (en) * 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP2013061648A (ja) 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法
KR102075960B1 (ko) 2012-03-14 2020-02-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 확산 제어제 및 화합물
JP5836299B2 (ja) 2012-08-20 2015-12-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
JP6002705B2 (ja) 2013-03-01 2016-10-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、電子デバイスの製造方法
WO2016017248A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及びマスクブランクス
JP6468139B2 (ja) * 2014-12-18 2019-02-13 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US9644056B2 (en) 2015-02-18 2017-05-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Compound, resin and photoresist composition
JP6518475B2 (ja) 2015-03-20 2019-05-22 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸発生剤及び化合物
JP6613615B2 (ja) * 2015-05-19 2019-12-04 信越化学工業株式会社 高分子化合物及び単量体並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP6650509B2 (ja) 2016-03-07 2020-02-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JPWO2018079449A1 (ja) * 2016-10-27 2019-09-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
KR102395705B1 (ko) 2017-04-21 2022-05-09 후지필름 가부시키가이샤 Euv광용 감광성 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
JP6722145B2 (ja) * 2017-07-04 2020-07-15 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7069657B2 (ja) * 2017-11-15 2022-05-18 昭和電工マテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物及び半導体装置部材の製造方法
JP7119592B2 (ja) 2018-05-31 2022-08-17 日本ゼオン株式会社 Euvリソグラフィ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR102537251B1 (ko) 2018-06-28 2023-05-26 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 수지
JP7076570B2 (ja) 2018-09-25 2022-05-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP7574566B2 (ja) * 2019-08-15 2024-10-29 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成キット

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2023286764A5 (https=)
US9348220B2 (en) Photoacid generators and photoresists comprising same
KR101626637B1 (ko) 중합체 및 감방사선성 조성물 및 단량체
US9348228B2 (en) Acid-strippable silicon-containing antireflective coating
JP5434906B2 (ja) 感放射線性組成物及び重合体並びに単量体
EP2332960B1 (en) Cholate photoacid generators and photoresists comprising same
JP5609881B2 (ja) 重合体及び感放射線性組成物並びに単量体
JP2011180185A5 (https=)
KR20110038621A (ko) 레지스트 패턴 불용화 수지 조성물 및 그것을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법
JPWO2019087626A1 (ja) 光酸発生剤、レジスト組成物及び、該レジスト組成物を用いたデバイスの製造方法
CN104391429B (zh) 放射线敏感性树脂组合物、聚合物及抗蚀剂图案形成方法
TW201728997A (zh) 感放射線性組成物、圖案形成方法及感放射線性酸產生劑
TW201030475A (en) Compositions and processes for photolithography
KR100942124B1 (ko) 절연막 형성용 감방사선성 조성물, 절연막 및 표시 소자
JP2012113302A5 (https=)
JP2008241931A (ja) パターン形成方法
JP4013367B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPWO2022065025A5 (https=)
TW201630894A (zh) 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組合物及抗蝕劑圖案之製造方法
JP5550693B2 (ja) 電子部材用ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜および表示装置
US20060210913A1 (en) Photoresist composition and, used in the photoresist composition, low-molecular compound and high-molecular compound
TW523639B (en) Positive photoresist composition
JP2007301970A5 (https=)
TWI861120B (zh) 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP4192610B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物