JPWO2023157164A5

JPWO2023157164A5 -

Info

Publication number: JPWO2023157164A5
Application number: JP2022542213A
Authority: JP
Filing date: 2022-02-17
Publication date: 2024-01-23
Anticipated expiration: 2042-02-17

Claims

サンプル載置領域を含む第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するサンプル支持板と、
前記サンプル載置領域上に載置されるサンプルに向かって励起光を放射する励起光源と、
前記第１主面上に設けられている少なくとも一つの温度センサと、
前記第１主面上に設けられている基準温度センサとを備え、
前記サンプル載置領域から前記第２主面まで延在する貫通孔が前記サンプル支持板に設けられており、
前記励起光は、前記貫通孔を通って、前記サンプルに照射され、
前記基準温度センサは、前記サンプル載置領域に設けられており、かつ、前記サンプルに接触し、
前記第１主面の平面視において、前記基準温度センサと前記貫通孔との間の第２距離は、前記少なくとも一つの温度センサと前記貫通孔との間の第１距離の１０倍以上である、非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、前記サンプル載置領域に設けられており、かつ、前記サンプルに接触する、請求項１に記載の非侵襲物質分析装置。
前記サンプル支持板は、基板と、前記基板上に設けられており、かつ、前記基板よりも低い熱伝導率を有する低熱伝導膜とを含み、
前記第１主面の少なくとも一部は、前記低熱伝導膜によって形成されており、
前記少なくとも一つの温度センサは、前記低熱伝導膜上に設けられている、請求項１または請求項２に記載の非侵襲物質分析装置。
物質分析部をさらに備え、
前記物質分析部は、前記少なくとも一つの温度センサの温度変動幅信号に基づいて、前記サンプル中のまたは前記サンプルの表面上の物質を分析し、
前記温度変動幅信号は、前記サンプルの分析中の、前記少なくとも一つの温度センサによって測定される前記サンプルの温度変動幅に対応している、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の非侵襲物質分析装置。
信号処理部と、
物質分析部をさらに備え、
前記少なくとも一つの温度センサは、複数の温度センサであり、
前記信号処理部は、複数の温度変動幅信号の平均を出力し、
前記複数の温度変動幅信号は、各々、前記サンプルの分析中の、前記複数の温度センサのうち対応するものによって測定される前記サンプルの温度変動幅に対応し、
前記物質分析部は、前記複数の温度変動幅信号の前記平均に基づいて、前記サンプル中のまたは前記サンプルの表面上の物質を分析する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の非侵襲物質分析装置。
信号処理部と、
物質分析部をさらに備え、
前記信号処理部は、前記少なくとも一つの温度センサの温度変動幅信号を前記基準温度センサの基準温度変動幅信号で較正することによって、前記少なくとも一つの温度センサの較正済温度変動幅信号を算出し、
前記物質分析部は、前記較正済温度変動幅信号に基づいて、前記サンプル中のまたは前記サンプルの表面上の物質を分析し、
前記温度変動幅信号は、前記サンプルの分析中の、前記少なくとも一つの温度センサによって測定される前記サンプルの温度変動幅に対応し、
前記基準温度変動幅信号は、前記サンプルの分析中の、前記基準温度センサによって測定される前記サンプルの温度変動幅に対応している、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の非侵襲物質分析装置。
サンプル載置領域を含む第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有するサンプル支持板と、
前記サンプル載置領域上に載置されるサンプルに向かって励起光を放射する励起光源と、
前記第１主面上に設けられている少なくとも一つの温度センサと、
前記励起光を透過させる光学媒質とを備え、
前記サンプル載置領域から前記第２主面まで延在する貫通孔が前記サンプル支持板に設けられており、
前記励起光は、前記貫通孔を通って、前記サンプルに照射され、
前記光学媒質は、前記貫通孔を閉塞し、
前記サンプル載置領域の少なくとも一部は、前記光学媒質によって形成されており、
前記励起光は、前記光学媒質を通って、前記サンプルに照射され、
前記サンプル支持板は、基板を含み、
前記光学媒質は、前記基板よりも低い熱伝導率を有する、非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、前記サンプル載置領域に設けられており、かつ、前記サンプルに接触する、請求項７に記載の非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、前記光学媒質上に配置されている、請求項７または請求項８に記載の非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、温度センサ本体を含み、
前記温度センサ本体は、熱電対、サーモパイル、サーミスタまたはダイオードである、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、前記温度センサ本体を覆う保護膜をさらに含む、請求項１０に記載の非侵襲物質分析装置。
前記少なくとも一つの温度センサは、プローブ光が入射される第１光導波路と、前記第１光導波路に光学的に結合する導波路型リング共振器と、前記導波路型リング共振器と前記プローブ光の強度を検出する光強度検出器とに光学的に結合する第２光導波路とを含む、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の非侵襲物質分析装置。