JPWO2022168372A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 希土類元素を１．０×１０１５～１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で含み、かつ、酸素（Ｏ）を９．０×１０１５～１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で含む、二軸配向ＳｉＣ層を備えた、希土類含有ＳｉＣ基板であって、
前記希土類元素の濃度Ｃ ＲＥ の、前記Ｏの濃度Ｃ Ｏ に対する比Ｃ ＲＥ ／Ｃ Ｏ が、１．０×１０ －２ ～１．０×１０ ２ である、希土類含有ＳｉＣ基板。 - 前記希土類元素の濃度ＣＲＥが１．０×１０１５～１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である、請求項１に記載の希土類含有ＳｉＣ基板。
- 前記Ｏの濃度ＣＯが９．０×１０１５～１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である、請求項１又は２に記載の希土類含有ＳｉＣ基板。
- 前記希土類元素が、Ｙ及び／又はＳｍである、請求項１～３のいずれか一項に記載の希土類含有ＳｉＣ基板。
- 前記希土類元素がＹである、請求項１～４のいずれか一項に記載の希土類含有ＳｉＣ基板。
- 前記二軸配向ＳｉＣ層が、ｃ軸方向及びａ軸方向に配向している、請求項１～５のいずれか一項に記載の希土類含有ＳｉＣ基板。
- ＳｉＣ単結晶基板と、前記ＳｉＣ単結晶基板上の請求項１～６のいずれか一項に記載の希土類含有ＳｉＣ基板とを備えた、ＳｉＣ複合基板。
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| PCT/JP2021/037793 WO2022168372A1 (ja) | 2021-02-05 | 2021-10-12 | 希土類含有ＳｉＣ基板及びそれを用いたＳｉＣ複合基板 |
Publications (2)
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|---|---|
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Family
ID=82741001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022579333A Pending JPWO2022168372A1 (ja) | 2021-02-05 | 2021-10-12 |
Country Status (2)
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