JPWO2021009591A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. デジタル信号が与えられる複数の定電流回路を有し、
   前記複数の定電流回路はそれぞれ、第１トランジスタ乃至第３トランジスタを有し、
   前記第１トランジスタは、前記第２トランジスタが導通状態であるとき、アナログ電位に応じた第１電流を流す機能を有し、
   前記第２トランジスタは、前記デジタル信号に応じて、導通状態または非導通状態となり、
   前記第３トランジスタは、前記第３トランジスタが非導通状態であるとき、前記第１トランジスタのゲートにおいて前記アナログ電位を保持する機能を有し、
   前記第１トランジスタ乃至前記第３トランジスタはそれぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、半導体装置。
2. デジタル信号が与えられる複数の定電流回路と、
   前記複数の定電流回路のそれぞれを流れる電流の総和に応じた電圧を生成する機能を有する負荷と、
   前記電圧を出力電圧として出力する機能を有するバッファ回路と、を有し、
   前記複数の定電流回路はそれぞれ、第１トランジスタ乃至第３トランジスタを有し、
   前記第１トランジスタは、前記第２トランジスタが導通状態であるとき、アナログ電位に応じた第１電流を流す機能を有し、
   前記第２トランジスタは、前記デジタル信号に応じて、導通状態または非導通状態となり、
   前記第３トランジスタは、前記第３トランジスタが非導通状態であるとき、前記第１トランジスタのゲートにおいて前記アナログ電位を保持する機能を有し、
   前記第１トランジスタ乃至前記第３トランジスタはそれぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記負荷は、第４トランジスタを有し、
   前記第４トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、半導体装置。
4. 請求項２または請求項３において、
   前記バッファ回路は、第５トランジスタを有し、
   前記第５トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記複数の定電流回路は、回路上に設けられ、
   前記回路は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを有する、半導体装置。
6. 請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
   前記デジタル信号は、反転信号および非反転信号を有し、
   前記第１トランジスタは、前記反転信号および前記非反転信号に応じて複数設けられる、半導体装置。
7. アンテナと、ミキサーと、発振器と、デジタルアナログ変換回路と、を有する集積回路を有し、
   前記デジタルアナログ変換回路は、
   デジタル信号が与えられる複数の定電流回路と、
   前記複数の定電流回路のそれぞれを流れる電流の総和に応じた電圧を生成する機能を有する負荷と、
   前記電圧を出力電圧として出力する機能を有するバッファ回路と、を有し、
   前記複数の定電流回路はそれぞれ、第１トランジスタ乃至第３トランジスタを有し、
   前記第１トランジスタは、前記第２トランジスタが導通状態であるとき、アナログ電位に応じた第１電流を流す機能を有し、
   前記第２トランジスタは、前記デジタル信号に応じて、導通状態または非導通状態となり、
   前記第３トランジスタは、前記第３トランジスタが非導通状態であるとき、前記第１トランジスタのゲートにおいて前記アナログ電位を保持する機能を有し、
   前記第１トランジスタ乃至前記第３トランジスタはそれぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、無線通信装置。
8. 請求項７において、
   前記複数の定電流回路は、回路上に設けられ、
   前記回路は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタを有する、無線通信装置。
9. 請求項７または請求項８において、
   前記負荷は、第４トランジスタを有し、
   前記第４トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、無線通信装置。
10. 請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
    前記バッファ回路は、第５トランジスタを有し、
    前記第５トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、無線通信装置。
11. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
    前記デジタル信号は、反転信号および非反転信号を有し、
    前記第１トランジスタは、前記反転信号および前記非反転信号に応じて複数設けられる、無線通信装置。