JPWO2020175501A1 - 太陽電池素子、および太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態に係る太陽電池装置10について、図1から図4(b)を参照しつつ説明する。
太陽電池素子20は、基材1上に位置している。太陽電池素子20は、例えば、第1電極21と、第1キャリア輸送部22と、光吸収層23と、第2キャリア輸送部24と、第2電極25と、を備えている。第1実施形態では、基材1上に、第1電極21と、第1キャリア輸送部22と、光吸収層23と、第2キャリア輸送部24と、第2電極25と、がこの記載の順に積層されている状態にある。換言すれば、第2方向としての−Z方向において、第1電極21と、第1キャリア輸送部22と、光吸収層23と、第2キャリア輸送部24と、第2電極25と、がこの記載の順に積層されている状態にある。
基材1は、例えば、透光性を有する絶縁性の基板である。この基材1は、例えば、特定波長域の光に対する透光性を有する。特定波長域は、例えば、光吸収層23が吸収して光電変換を生じ得る光の波長域を含む。これにより、例えば、第1面10fに照射される光が、光吸収層23に向けて基材1を透過し得る。ここで、例えば、特定波長域に、太陽光を構成する照射強度の高い光の波長が含まれていれば、太陽電池素子20における発電量が増加し得る。基材1の材料には、例えば、ガラス、アクリルまたはポリカーボネートなどが適用される。基材1の形状としては、例えば、平板状、シート状またはフィルム状などが採用される。基材1の厚さは、例えば、0.01ミリメートル(mm)から5mm程度とされる。
第1電極21は、基材1上に位置している。第1電極21は、例えば、光吸収層23における光の照射に応じた光電変換で生じたキャリアを集めることができる。第1実施形態では、第1電極21は、例えば、キャリアとしての電子を集める電極(負電極ともいう)としての役割を果たすことができる。第1電極21は、例えば、透光性を有する。第1電極21が、基材1と同様に、特定波長域の光に対する透光性を有していれば、特定波長域の光が基材1と第1電極21とを透過して第1キャリア輸送部22に入射し得る。第1電極21の材料には、例えば、特定波長域の光に対して透光性を有する透明導電性酸化物(TCO)が適用される。TCOは、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、二酸化チタン(TiO2)、酸化スズ(IV)(SnO2)または酸化亜鉛(ZnO)などを含む。第1電極21には、例えば、厚さが小さな薄膜状または層状の電極(第1電極層ともいう)などが適用される。第1電極21の厚さは、例えば、10(ナノメートル)nmから1000nm程度とされる。ここで、例えば、後述する第2電極25が透光性を有する場合には、第1電極21が透光性を有していなくてもよい。透光性を有していない第1電極21の材料としては、例えば、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、チタン(Ti)、インジウム(In)またはスズ(Sn)などの導電性に優れた金属が適用され得る。
第1キャリア輸送部22は、第1電極21と光吸収層23との間に位置している。第1キャリア輸送部22は、例えば、光吸収層23における光の照射に応じた光電変換で生じたキャリアとしての電子を収集して第1電極21に出力することができる。換言すれば、第1キャリア輸送部22は、キャリア(電子)を輸送するための部分(電子輸送部ともいう)である。第1キャリア輸送部22は、例えば、光吸収層23側からのホール(正孔)の侵入をブロックする機能も有する。
光吸収層23は、第1電極21と第2電極25との間に位置している。第1実施形態では、光吸収層23は、第1キャリア輸送部22上に位置している。換言すれば、光吸収層23は、第1電極21上に、第1半導体層22tを含む第1キャリア輸送部22を介して位置している。
第2キャリア輸送部24は、光吸収層23と第2電極25との間に位置している。第1実施形態では、第2キャリア輸送部24は、例えば、光吸収層23に対する光の照射に応じた光電変換で生じたキャリアとしての正孔を収集して第2電極25に出力することができる。換言すれば、第2キャリア輸送部24は、キャリア(正孔)を輸送するための部分(正孔輸送部ともいう)である。第2キャリア輸送部24は、例えば、光吸収層23側からの電子の侵入をブロックする機能も有する。
第2電極25は、第2キャリア輸送部24の上に位置している。第1実施形態では、例えば、第2電極25は、第2キャリア輸送部24のうちの第2キャリア導入層24iに接している。この第2電極25は、光吸収層23における光の照射に応じた光電変換で生じたキャリアとしての正孔を集めることができる電極(正電極ともいう)としての役割を果たすことができる。ここで、第2電極25の材料には、例えば、金(Au)などの導電性に優れた金属またはTCOが適用される。TCOは、例えば、ITO、FTOまたはZnOなどを含む。第2電極25には、例えば、厚さが小さな薄膜状または層状の電極(第2電極層ともいう)などが適用される。第2電極25の厚さは、例えば、10nmから1000nm程度とされる。ここで、例えば、第2電極25の材料にTCOが適用される場合には、第2電極25は、特定波長域の光に対する透光性を有する。このとき、例えば、第2面10bに照射される光が、第2電極25を光吸収層23に向けて透過し得る。これにより、太陽電池素子20は、第1面10fだけでなく第2面10bも含めた両面が受光面となり得る。
第1キャリア輸送部22および第2キャリア輸送部24におけるキャリアの移動について、第2キャリア輸送部24を例に挙げて説明する。
例えば、図5で示されるように、ステップS1からステップS5の処理を、この記載の順に行うことで、第1実施形態に係る太陽電池素子20を製造することができる。
第1実施形態に係る太陽電池素子20では、例えば、第1半導体層22tにおける不純物元素の濃度を高めなくても、第1半導体層22tに接するように、第1半導体層22tの電子親和力よりも小さなイオン化ポテンシャルを有する第1キャリア導入層22iを存在させている。これにより、例えば、第1半導体層22tにキャリア(電子)を導入して、第1半導体層22tにおける電子のキャリア密度を高めることができる。その結果、例えば、第1半導体層22tにおける抵抗損失および再結合損失が増加しにくい。したがって、例えば、太陽電池素子20における光電変換効率を向上させることができる。
本開示は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良などが可能である。
上記第1実施形態において、第1キャリア輸送部22は、例えば、図7で示されるように、光吸収層23から第1電極21に向かう第1方向としての+Z方向において、第1半導体層22tと第1キャリア導入層22iとが繰り返し積層された状態にあってもよい。このような構成を有する第1キャリア輸送部22は、例えば、上記ステップS2で、第1電極21上において、ステップS2aにおける第1キャリア導入層22iの形成と、ステップS2bにおける第1半導体層22tの形成と、を繰り返すことで形成され得る。また、第2キャリア輸送部24は、例えば、図7で示されるように、光吸収層23から第2電極25に向かう第2方向としての−Z方向において、第2半導体層24tと第2キャリア導入層24iとが繰り返し積層された状態にあってもよい。このような構成を有する第2キャリア輸送部24は、例えば、上記ステップS4で、光吸収層23上に、ステップS4aで形成される第2半導体層24tと、ステップS4bで形成される第2キャリア導入層24iと、を繰り返し積層することで形成され得る。
上記各実施形態において、例えば、基材1上における太陽電池素子20の構造が上下逆であってもよい。この場合には、例えば、第1方向が−Z方向であり、第2方向が+Z方向である。
上記各実施形態において、例えば、第1キャリア輸送部22が、第1導電型(n型)の半導体層であってもよい。この場合には、例えば、図11(a)で示されるように、第1キャリア輸送部22が1層の半導体層によって構成される態様が考えられる。
上記各実施形態において、例えば、第2キャリア輸送部24が、第2導電型(p型)の半導体層であってもよい。この場合には、例えば、図12(a)で示されるように、第2キャリア輸送部24が1層の半導体層によって構成される態様が考えられる。
上記各実施形態において、例えば、図13で示されるように、第1キャリア導入層22iが、第1半導体層22tの一面上において、分散している複数の島状の部分を有する態様が採用されてもよい。また、上記各実施形態において、例えば、図13で示されるように、第2キャリア導入層24iが、第2半導体層24tの一面上において、分散している複数の島状の部分を有する態様が採用されてもよい。
21 第1電極
22 第1キャリア輸送部
22i 第1キャリア導入層
22t 第1半導体層
23,26,27 光吸収層
24 第2キャリア輸送部
24i 第2キャリア導入層
24t 第2半導体層
25 第2電極
Claims (22)
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に位置している光吸収層と、
該光吸収層と前記第1電極との間に位置している第1キャリア輸送部と、を備え、
該第1キャリア輸送部は、前記光吸収層から前記第1電極に向かう方向に積層している状態にある、第1導電型の第1半導体層と、第1キャリア導入層と、を有し、
該第1キャリア導入層は、前記第1半導体層の前記第1電極側の面に接しており、
前記第1キャリア導入層におけるイオン化ポテンシャルは、前記第1半導体層における電子親和力よりも小さい、太陽電池素子。 - 請求項1に記載の太陽電池素子であって、
前記光吸収層と前記第2電極との間に位置している第2キャリア輸送部、をさらに備え、
該第2キャリア輸送部は、前記光吸収層から前記第2電極に向かう方向に積層している状態にある、第2導電型の第2半導体層と、第2キャリア導入層と、を有し、
該第2キャリア導入層は、前記第2半導体層の前記第2電極側の面に接しており、
前記第2キャリア導入層における電子親和力は、前記第2半導体層におけるイオン化ポテンシャルよりも大きい、太陽電池素子。 - 請求項1または請求項2に記載の太陽電池素子であって、
前記光吸収層から前記第1電極に向かう方向において、前記第1キャリア輸送部の厚さは、前記光吸収層の前記第1電極側の表面に存在する凹凸の高さよりも大きい、太陽電池素子。 - 請求項2に記載の太陽電池素子であって、
前記光吸収層から前記第2電極に向かう方向において、前記第2キャリア輸送部の厚さは、前記光吸収層の前記第2電極側の表面に存在する凹凸の高さよりも大きい、太陽電池素子。 - 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に位置している光吸収層と、
該光吸収層と前記第2電極との間に位置している第2キャリア輸送部と、を備え、
該第2キャリア輸送部は、前記光吸収層から前記第2電極に向かう方向に積層している状態にある、第2導電型の第2半導体層と、第2キャリア導入層と、を有し、
該第2キャリア導入層は、前記第2半導体層の前記第2電極側の面に接しており、
前記第2キャリア導入層における電子親和力は、前記第2半導体層におけるイオン化ポテンシャルよりも大きい、太陽電池素子。 - 請求項5に記載の太陽電池素子であって、
前記光吸収層から前記第2電極に向かう方向において、前記第2キャリア輸送部の厚さは、前記光吸収層の前記第2電極側の表面に存在する凹凸の高さよりも大きい、太陽電池素子。 - 請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
前記第1半導体層は、前記光吸収層に接しており、
前記第1電極は、前記第1キャリア導入層に接している、太陽電池素子。 - 請求項1から請求項4の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
前記第1キャリア輸送部は、前記光吸収層から前記第1電極に向かう方向において前記第1半導体層と前記第1キャリア導入層とが繰り返し積層された状態にある、太陽電池素子。 - 請求項2、請求項4および請求項5の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
前記第2半導体層は、前記光吸収層に接しており、
前記第2電極は、前記第2キャリア導入層に接している、太陽電池素子。 - 請求項2、請求項4および請求項5の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
前記第2キャリア輸送部は、前記光吸収層から前記第2電極に向かう方向において前記第2半導体層と前記第2キャリア導入層とが繰り返し積層された状態にある、太陽電池素子。 - (A)光吸収層上に、第1半導体層と、該第1半導体層における電子親和力よりも小さなイオン化ポテンシャルを有する第1キャリア導入層とを、前記第1半導体層のうちの前記光吸収層とは逆側の面に前記第1キャリア導入層が接するように積層することで、第1キャリア輸送部を形成するステップと、
(B)前記第1キャリア輸送部上に第1電極を形成するステップと、を有する太陽電池素子の製造方法。 - 請求項11に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(A)において、前記光吸収層に接するように前記第1半導体層を形成するとともに、前記第1半導体層の前記光吸収層とは逆側の面に接するように前記第1キャリア導入層を形成し、
前記ステップ(B)において、前記第1キャリア導入層の前記光吸収層とは逆側の面に接するように前記第1電極を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項11に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(A)において、前記光吸収層上に前記第1半導体層と前記第1キャリア導入層とを繰り返し積層することで前記第1キャリア輸送部を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項11から請求項13の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(A)においては、前記光吸収層の厚さ方向において、前記光吸収層のうちの前記第1キャリア輸送部が形成される対象の表面に存在する凹凸の高さよりも、前記第1キャリア輸送部の厚さが大きくなるように、前記第1キャリア輸送部を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項11から請求項14の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(A)において、前記第1半導体層を原料液の塗布および加熱によって形成し、前記第1キャリア導入層を真空プロセスで形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項11から請求項14の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(A)において、前記第1半導体層および前記第1キャリア導入層の双方を真空プロセスで形成する、太陽電池素子の製造方法。 - (a)光吸収層上に、第2半導体層と、該第2半導体層におけるイオン化ポテンシャルよりも大きな電子親和力を有する第2キャリア導入層とを、前記第2半導体層のうちの前記光吸収層とは逆側の面に前記第2キャリア導入層が接するように積層することで、第2キャリア輸送部を形成するステップと、
(b)前記第2キャリア輸送部上に第2電極を形成するステップと、を有する太陽電池素子の製造方法。 - 請求項17に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(a)において、前記光吸収層に接するように前記第2半導体層を形成するとともに、前記第2半導体層のうちの前記光吸収層とは逆側の面に接するように前記第2キャリア導入層を形成し、
前記ステップ(b)において、前記第2キャリア導入層のうちの前記光吸収層とは逆側の面に接するように前記第2電極を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項17に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(a)において、前記光吸収層上に前記第2半導体層と前記第2キャリア導入層とを繰り返し積層することで前記第2キャリア輸送部を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項17から請求項19の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(a)においては、前記光吸収層の厚さ方向において、前記光吸収層のうちの前記第2キャリア輸送部が形成される対象の表面に存在する凹凸の高さよりも、前記第2キャリア輸送部の厚さが大きくなるように、前記第2キャリア輸送部を形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項17から請求項20の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(a)において、前記第2半導体層を原料液の塗布および加熱によって形成し、前記第2キャリア導入層を真空プロセスで形成する、太陽電池素子の製造方法。 - 請求項17から請求項20の何れか1つの請求項に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
前記ステップ(a)において、前記第2半導体層および前記第2キャリア導入層の双方を真空プロセスで形成する、太陽電池素子の製造方法。
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