JPWO2020149330A1 - 方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2019年1月16日に日本に出願された特願2019−005059号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
(3)上記(1)または(2)に記載の方向性電磁鋼板の製造方法において、歪領域形成工程では、電子ビームの照射条件が、加速電圧:50kV以上350kV以下、ビーム電流:0.3mA以上50mA以下、ビーム照射径:10μm以上500μm以下、照射間隔:3mm以上20mm以下、スキャン速度:5m/秒以上80m/秒以下、であってもよい。
(4)上記(1)から(3)のいずれか一つに記載の方向性電磁鋼板の製造方法において、母材鋼板上に中間層を形成する中間層形成工程をさらに備え、中間層形成工程では、焼鈍温度:500℃以上1500℃以下、保持時間:10秒以上600秒以下、露点:−20℃以上5℃以下、に調整された焼鈍条件で母材鋼板に熱処理を施して中間層を形成してもよい。
(5)上記(1)から(4)のいずれか一つに記載の方向性電磁鋼板の製造方法において、中間層が形成された母材鋼板に、絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程をさらに備え、絶縁皮膜形成工程では、絶縁皮膜形成用溶液を塗布量2g/m2〜10g/m2で母材鋼板の表面に塗布し、絶縁皮膜形成用溶液が塗布された母材鋼板を3秒〜300秒放置し、絶縁皮膜形成用溶液が塗布された母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.3以下に調整された雰囲気ガス中で、昇温速度5℃/秒以上30℃秒以下で加熱し、加熱された母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.3以下に調整された雰囲気ガス中で、300℃以上950℃以下の温度範囲で、10秒以上300秒以下で均熱し、均熱された母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.05以下に制御された雰囲気ガス中で、冷却速度5℃/秒以上50℃秒以下で、500℃まで冷却してもよい。
また、本発明者らは、上記のような特定の照射条件を満たさない場合、磁区の幅を狭く制御できたとしても、絶縁皮膜中に空隙が発生し、絶縁皮膜の密着性が劣化することも見出した。
また、以下の実施形態において、「〜」を用いて表される数値限定範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。「超」または「未満」と示す数値は、その値が数値範囲に含まれない。
以下に、本発明に係る方向性電磁鋼板の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る方向性電磁鋼板の製造方法は、下記の方法に限定されない。下記の製造方法は、本実施形態に係る方向性電磁鋼板を製造するための一つの例である。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、仕上げ焼鈍時にフォルステライト皮膜の生成が抑制された又は仕上げ焼鈍後にフォルステライト皮膜が除去された母材鋼板を出発材料として、この母材鋼板に対して、中間層を形成し、絶縁皮膜を形成し、歪領域を形成して製造すればよい。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板の製造方法の歪領域形成工程では、圧延方向および歪領域の伸びる方向における歪領域の中央部の温度が800℃以上2000℃以下に加熱される。
(a)仕上げ焼鈍で生成したフォルステライト等の無機鉱物質の皮膜を、酸洗、研削等の手段で除去した母材鋼板を焼鈍し、又は、
(b)仕上げ焼鈍で上記無機鉱物質の皮膜の生成を抑制した母材鋼板を焼鈍し、
(c)熱酸化焼鈍、すなわち露点を制御した雰囲気下での焼鈍によって、母材鋼板の表面上に中間層を形成し、
(d)この中間層上に、燐酸塩とコロイド状シリカを主体とする絶縁皮膜形成用溶液を塗布して焼付ける。
上記の製造方法によって、母材鋼板と前記母材鋼板上に接して配された中間層と、中間層上に接して配されかつ最表面となる絶縁皮膜とを有する方向性電磁鋼板を製造することができる。
Siを0.8〜7.0質量%含有する珪素鋼片を、好ましくはSiを2.0〜7.0質量%含有する珪素鋼片を、熱間圧延し、熱間圧延後の鋼板に必要に応じて焼鈍を施し、その後、焼鈍後の鋼板に1回又は中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施して、最終板厚の鋼板に仕上げる。次いで、最終板厚の鋼板に、脱炭焼鈍を施すことで、脱炭に加え、一次再結晶を進行させるとともに、鋼板表面に酸化層を形成する。
次いで、母材鋼板の表面に、絶縁皮膜形成用溶液を塗布量2g/m2〜10g/m2で塗布し、絶縁皮膜形成用溶液が塗布された母材鋼板を3秒〜300秒放置する。
この条件で均熱された母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.05以下に制御された雰囲気ガス中で、冷却速度5℃/秒以上50℃秒以下で、500℃まで冷却する。
加熱〜冷却における雰囲気の酸化度が上記で示した下限値未満であると、中間層が薄くなってしまう場合がある。また、上記で示した上限値を超えると中間層が厚くなってしまう場合がある。
また、冷却時の冷却速度が5℃/秒未満であると生産性が低下してしまう場合がある。また、冷却速度が50℃/秒超であると絶縁皮膜中に多くの空隙が発生してしまう場合がある。
したがって、圧延方向における歪領域の中央部及び歪領域の伸びる方向における歪領域の中央部の双方に該当する領域が800℃以上2000℃以下に加熱される。
ここで、圧延方向および歪領域の伸びる方向における歪領域の中央部の温度を800℃以上2000℃以下に加熱するために、歪領域形成工程では、加速電圧:50kV以上350kV以下、ビーム電流:0.3mA以上50mA以下、ビーム照射径:10μm以上500μm以下、照射間隔:3mm以上20mm以下、スキャン速度:5m/秒以上80m/秒以下の条件で、電子ビームが照射されることが好ましい。電子ビームは、高加速電圧化による皮膜損傷の抑制効果や、高速でビーム制御ができるなどの特徴があるため、電子ビームを用いることが好ましい。
歪領域形成工程では、圧延方向および歪領域の伸びる方向における歪領域の中央部の温度が800℃以上1500℃以下に加熱されてもよい。
電子ビームの加速電圧は高い方が好ましい。電子ビームの加速電圧が高いほど、電子ビームの物質透過性が高まり、電子ビームが絶縁皮膜を透過しやすくなる。そのため、絶縁皮膜の損傷が抑制される。また、加速電圧が高いとビーム径を小さくしやすいという利点がある。以上の効果を得るために、加速電圧を50kV以上とすることが好ましい。なお、加速電圧は70kV以上とすることが好ましく、100kV以上とすることがより好ましい。
一方、設備コスト抑制の観点から、加速電圧は350kV以下とすることが好ましい。なお、加速電圧は300kV以下とすることが好ましく、250kV以下とすることがより好ましい。
ビーム電流は、ビーム径縮小の観点からは小さい方が好ましい。ビーム電流が大きすぎるとビームを収束させることが困難となる可能性があるため、ビーム電流を50mA以下とすることが好ましい。なお、ビーム電流は30mA以下とすることがより好ましい。ビーム電流が小さすぎると、十分な磁区細分化効果を得るために必要な歪を形成することができない可能性があるため、ビーム電流を0.3mA以上とすることが好ましい。なお、ビーム電流は0.5mA以上とすることがより好ましく、1mA以上とすることがさらに好ましい。
ビームの走査方向と直交する方向におけるビーム照射径は、小さいほど単板鉄損の向上に有利である。電子ビームの走査方向と直交する方向におけるビーム照射径を500μm以下とすることが好ましい。ここで、本実施形態では、ビーム照射径を、スリット法(幅0.03mmのスリットを使用)によって測定したビームプロファイルの半値幅と定義する。なお、走査方向と直交する方向におけるビーム照射径は、400μm以下とすることが好ましく、300μm以下とすることがより好ましい。
走査方向と直交する方向におけるビーム照射径の下限は特に限定されないが、10μm以上とすることが好ましい。電子ビームの走査方向と直交する方向におけるビーム照射径が10μm以上であれば、1つの電子ビーム源によって広い範囲に対し照射を行うことが可能である。なお、走査方向と直交する方向におけるビーム照射径は、30μm以上とすることが好ましく、100μm以上とすることがより好ましい。
また、照射間隔が3mm以上20mm以下であることにより、磁区細分化による渦電流損の低減とヒステリシス損の増加抑制とのバランスによる鉄損低減という効果が得られる。照射間隔とは、母材鋼板の圧延方向に沿った、電子ビームを照射する距離であり、圧延方向における歪領域の間隔である。
さらに、スキャン速度が5m/秒以上80m/秒以下であることにより、磁区細分化効果と生産性向上とが両立できる。
ビームのスキャン速度は5m/秒以上とすることが好ましい。ここで、スキャン速度とは、各歪領域を形成する際の電子ビームの照射開始地点から照射終了地点までの距離を当該地点間のスキャンに要した時間で除することで得られるスキャン速度、すなわち平均スキャン速度である。例えば、電子ビームの照射開始地点及び照射終了地点が鋼板の幅方向の両端部となる場合、スキャン速度は、鋼板の幅端部から、もう一方の幅端部へビームを走査しながら照射する間の、平均スキャン速度(鋼板の幅端部間の距離を当該幅端部間の走査に要した時間で除した速度)となる。スキャン速度が5m/秒より小さいと、処理時間が長くなり、生産性が低下する可能性がある。走査速度は、45m/秒以上とすることがより好ましい。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、母材鋼板と、母材鋼板上に接して配された中間層と、中間層上に接して配された絶縁皮膜とを有する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、母材鋼板の表面に圧延方向と交差する方向に延びる歪領域を有し、圧延方向および板厚方向と平行な面の断面視で、歪領域上の絶縁皮膜中にM2P4O13が存在する。Mは、Fe又はCrの少なくとも一方、あるいは双方を意味する。
ここで、フォルステライト皮膜のない方向性電磁鋼板とは、フォルステライト皮膜を製造後に除去して製造した方向性電磁鋼板、又は、フォルステライト皮膜の生成を抑制して製造した方向性電磁鋼板である。
本実施形態において、圧延方向と交差する方向とは、圧延方向に対して母材鋼板の表面に平行かつ直角な方向(以下、単に「圧延方向に対して直角な方向」とも称する)から母材鋼板の表面に平行に時計回り方向または反時計回り方向に45°以内の傾きの範囲にある方向を意味する。歪領域は母材鋼板の表面に形成されるため、歪領域は、母材鋼板の表面上の圧延方向および板厚方向に対して直角な方向から、母材鋼板の板面において45°以内の傾きの方向に延在する。
基材である母材鋼板は、母材鋼板の表面において結晶方位がゴス方位に制御された結晶粒集合組織を有する。母材鋼板の表面粗度は、特に制限されないが、母材鋼板に大きい張力を付与して鉄損の低減を図る点で、算術平均粗さ(Ra)で0.5μm以下が好ましく、0.3μm以下がより好ましい。なお、母材鋼板の算術平均粗さ(Ra)の下限は、特に制限されないが、0.1μm以下では鉄損改善効果が飽和してくるので下限を0.1μmとしてもよい。
中間層は、母材鋼板上に接して配され(すなわち、母材鋼板の表面に形成され)、母材鋼板と絶縁皮膜とを密着させる機能を有する。中間層は、母材鋼板の表面上に連続して広がっている。中間層が母材鋼板と絶縁皮膜との間に形成されることで、母材鋼板と絶縁皮膜との密着性が向上して、母材鋼板に応力が付与される。
このような構成とすることで、歪領域においても絶縁皮膜の密着性を良好に保つことができる。
具体的には、次に説明する手法で、歪領域の中間層の平均厚さ、ならびに歪領域以外の中間層の平均厚さを測定することができる。
定量分析する元素は、Fe、Cr、P、Si、Oの5元素とする。以下に説明する「原子%」とは、原子%の絶対値ではなく、これらの5元素に対応するX線強度を基に計算した相対値である。
また、TEM−EDSで測定される上記相対値は、日本電子株式会社製の透過電子顕微鏡(JEM−2100F)および日本電子株式会社製のエネルギー分散型X線分析装置(JED−2300T)で線分析を行い、その結果を日本電子株式会社製のEDSデータ用ソフト(Analysis Station)に入力して計算した場合の具体的数値であるものとする。もちろん、SEM−EDS、TEM−EDSでの測定は以下に示す例に限られない。
絶縁皮膜は、燐酸塩とコロイド状シリカ(SiO2)を主体とする溶液を中間層の表面に塗布して焼付けて形成されるガラス質の絶縁皮膜である。あるいは、アルミナゾルとホウ酸とを主体とする溶液を塗布して焼付けて絶縁皮膜を形成してもよい。
この絶縁皮膜は、母材鋼板に高い面張力を付与することができる。絶縁皮膜は、例えば方向性電磁鋼板の最表面を構成する。
図3および図4を用いて、母材鋼板に形成された歪領域の説明をする。
図3は、圧延方向および板厚方向と平行な面の断面を示す模式的な図であり、母材鋼板1の表面に形成された歪領域Dを含む図である。図3に示すように、母材鋼板1上に接して中間層4が配され、中間層4上に接して絶縁皮膜3が配され、母材鋼板1の表面に歪領域Dが形成されている。なお、中間層4は他の層に比べて厚さが小さいため、図3においては、中間層4は線で表現されている。
なお、圧延方向において、歪領域の中心と歪領域の中央部の中心の位置が一致することがより好ましい。
図4に示す例では、歪領域Dの中央部Cの絶縁皮膜3中にM2P4O13の析出物が存在する。図4では、この析出物を領域5としている。また、図4の領域5の周辺では、非晶質燐酸化物の析出物を含む領域6が存在する。絶縁皮膜3において、領域5と領域6を除く領域は絶縁皮膜の母相7やボイド8を含む。
領域6は絶縁皮膜3の表面近傍に形成される場合もある。
この同定は、ICDD(International Centre for Diffraction Data)のPDF(Powder Diffraction File)を用いて行えばよい。具体的には、析出物がM2P4O13の場合、PDF:01−084−1956の回折パターンが現れ、析出物が従来の絶縁皮膜に存在するM2P2O7の場合、PDF:00−048−0598の回折パターンが現れる。また、析出物が非晶質燐酸化物の場合、回折パターンはハローパターンとなる。
このような構成とすることで、ボイドを起点とした絶縁皮膜の剥離が抑制され、絶縁皮膜の密着性が向上するという効果が得られる。
ここで、図5の例では、ボイド8の長さLdの合計ΣLdは、ΣLd=L1+L2+L3+L4である。図5に示すように、板厚方向にボイド8が重なる場合、重なるボイドの長さLdから重なった部分の長さを引いたものをボイドの長さとする。図5において、板厚方向に沿って見たときに重なる2つのボイド8の長さは、重なり合う長さを引いたL4とする。
なお、画像解析を行うための画像の二値化は、上記したボイドの判別結果に基づき、組織写真に対して手作業で空隙の色付けを行って画像を二値化してもよい。
このような構成とすることで、磁区細分化効果が安定して得られるという効果が得られる。
面積率は、好ましくは、20%以上であり、より好ましくは30%以上である。面積率は、好ましくは50%以下であり、より好ましくは40%以下である。このような構成とすることで、絶縁皮膜の密着性が向上するという効果が得られる。
非晶質燐酸化物領域の面積率が1%以上であることで、絶縁皮膜中の局所応力が緩和される。また、非晶質燐酸化物領域の面積率が60%以下であることで絶縁皮膜の張力を低下させないという効果が得られる。
非晶質燐酸化物領域の面積率は、より好ましくは5%以上であり、非晶質燐酸化物領域の面積率は、より好ましくは40%以下である。中央部の絶縁皮膜中の非晶質燐酸化物領域の面積率は、中央部の絶縁皮膜中のM2P4O13の面積率と同様の方法で測定することができる。
以下、素材鋼片および母材鋼板の成分組成に係る%は、素材鋼片または母材鋼板の総質量に対する質量%を意味する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板の母材鋼板は、例えば、Si:0.8〜7.0%を含有し、C:0.005%以下、N:0.005%以下、SおよびSeの合計量:0.005%以下、ならびに酸可溶性Al:0.005%以下に制限し、残部がFeおよび不純物からなる。
Si(シリコン)は、方向性電磁鋼板の電気抵抗を高めて鉄損を低下させる。Si含有量の好ましい下限は0.8%以上であり、さらに好ましくは2.0%以上である。一方、Si含有量が7.0%を超えると、母材鋼板の飽和磁束密度が低下するため、鉄心の小型化が難くなる可能性がある。このため、Si含有量の好ましい上限は7.0%以下である。
C(炭素)は、母材鋼板中で化合物を形成し、鉄損を劣化させるため、少ないほど好ましい。C含有量は、0.005%以下に制限することが好ましい。C含有量の好ましい上限は0.004%以下であり、さらに好ましくは0.003%以下である。Cは少ないほど好ましいので、下限は0%を含むが、Cを0.0001%未満に低減しようとすると、製造コストが大幅に上昇するので、製造上、0.0001%が実質的な下限である。
N(窒素)は、母材鋼板中で化合物を形成し、鉄損を劣化させるため、少ないほど好ましい。N含有量は、0.005%以下に制限することが好ましい。N含有量の好ましい上限は0.004%以下であり、さらに好ましくは0.003%以下である。Nは少ないほど好ましいので、下限が0%であればよい。
S(硫黄)およびSe(セレン)は、母材鋼板中で化合物を形成し、鉄損を劣化させるため、少ないほど好ましい。SまたはSeの一方、または両方の合計を0.005%以下に制限することが好ましい。SおよびSeの合計量は、0.004%以下が好ましく、0.003%以下がさらに好ましい。SまたはSeの含有量は少ないほど好ましいので、下限がそれぞれ0%であればよい。
酸可溶性Al(酸可溶性アルミニウム)は、母材鋼板中で化合物を形成し、鉄損を劣化させるため、少ないほど好ましい。酸可溶性Alは、0.005%以下であることが好ましい。酸可溶性Alは、0.004%以下が好ましく、0.003%以下がさらに好ましい。酸可溶性Alは少ないほど好ましいので、下限が0%であればよい。
Mn:0%以上かつ1.00%以下、
Bi:0%以上かつ0.010%以下、
B:0%以上かつ0.008%以下、
Ti:0%以上かつ0.015%以下、
Nb:0%以上かつ0.20%以下、
V:0%以上かつ0.15%以下、
Sn:0%以上かつ0.30%以下、
Sb:0%以上かつ0.30%以下、
Cr:0%以上かつ0.30%以下、
Cu:0%以上かつ0.40%以下、
P:0%以上かつ0.50%以下、
Ni:0%以上かつ1.00%以下、および
Mo:0%以上かつ0.10%以下。
母材鋼板の集合組織は、一般的な分析方法によって測定すればよい。例えば、X線回折法(ラウエ法)により測定すればよい。ラウエ法とは、鋼板にX線ビームを垂直に照射して、透過または反射した回折斑点を解析する方法である。回折斑点を解析することによって、X線ビームを照射した場所の結晶方位を同定することができる。照射位置を変えて複数箇所で回折斑点の解析を行えば、各照射位置の結晶方位分布を測定することができる。ラウエ法は、粗大な結晶粒を有する金属組織の結晶方位を測定するのに適した手法である。
定量分析する元素は、Fe、Cr、P、Si、Oの5元素とする。以下に説明する「原子%」とは、原子%の絶対値ではなく、これらの5元素に対応するX線強度を基に計算した相対値である。以下では、上述した装置などを用いてこの相対値を計算した場合の具体的数値を示す。
なお、歪領域においても同様の手法で中間層の平均厚さ、および絶縁皮膜の平均厚さを算出することができる。
本発明は、本発明の要旨を逸脱せず、本発明の目的を達成する限りにおいて、種々の条件を採用し得るものである。
表1に示す成分組成の素材鋼片を1150℃で60分均熱してから熱間圧延に供し、2.3mm厚の熱延鋼板とした。次いで、この熱延鋼板を1120℃で200秒保持した後、直ちに冷却して、900℃で120秒保持し、その後に急冷する熱延板焼鈍を行った。熱延板焼鈍後の熱延焼鈍板を酸洗後、冷間圧延に供し、最終板厚0.23mmの冷延鋼板とした。
中間層が形成された母材鋼板の表面に、燐酸塩とコロイド状シリカを主体とする溶液を表2に示す条件で塗布し、表2に示す条件で絶縁皮膜を形成した。
表4からわかるように、本発明の製造方法で作製した方向性電磁鋼板は密着性が良好である。
表4からわかるように、本発明の製造方法で作製した方向性電磁鋼板は、鉄損が低減されている。
2 フォルステライト皮膜
3 絶縁皮膜
4 中間層
5 M2P4O13の析出物を含む領域
6 非晶質燐酸化物の析出物を含む領域
7 絶縁皮膜の母相
8 ボイド
Claims (5)
- 方向性電磁鋼板の製造方法であって、
母材鋼板と、前記母材鋼板上に接して配された中間層と、前記中間層上に接して配された絶縁皮膜とを有する方向性電磁鋼板に電子ビームを照射して、前記母材鋼板の表面に前記母材鋼板の圧延方向と交差する方向に延びる歪領域を形成する歪領域形成工程を備え、
前記歪領域形成工程では、前記母材鋼板の圧延方向および前記歪領域の伸びる方向における前記歪領域の中央部の温度が800℃以上2000℃以下に加熱される
ことを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記歪領域形成工程では、前記母材鋼板の圧延方向および前記歪領域の伸びる方向における前記歪領域の中央部の温度が800℃以上1500℃以下に加熱される
ことを特徴とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記歪領域形成工程では、電子ビームの照射条件が、
加速電圧:50kV以上350kV以下、
ビーム電流:0.3mA以上50mA以下、
ビーム照射径:10μm以上500μm以下、
照射間隔:3mm以上20mm以下、
スキャン速度:5m/秒以上80m/秒以下、
であることを特徴とする請求項1または2に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記母材鋼板上に前記中間層を形成する中間層形成工程をさらに備え、中間層形成工程では、
焼鈍温度:500℃以上1500℃以下、
保持時間:10秒以上600秒以下、
露点:−20℃以上5℃以下、
に調整された焼鈍条件で前記母材鋼板に熱処理を施して中間層を形成する
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。 - 前記中間層が形成された前記母材鋼板に、前記絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程をさらに備え、絶縁皮膜形成工程では、
絶縁皮膜形成用溶液を塗布量2g/m2〜10g/m2で前記母材鋼板の表面に塗布し、
前記絶縁皮膜形成用溶液が塗布された母材鋼板を3秒〜300秒放置し、
前記絶縁皮膜形成用溶液が塗布された母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.3以下に調整された雰囲気ガス中で、昇温速度5℃/秒以上30℃秒以下で加熱し、
加熱された前記母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.3以下に調整された雰囲気ガス中で、300℃以上950℃以下の温度範囲で、10秒以上300秒以下で均熱し、
均熱された前記母材鋼板を、水素および窒素を含有しかつ酸化度PH2O/PH2が0.001以上0.05以下に制御された雰囲気ガス中で、冷却速度5℃/秒以上50℃秒以下で、500℃まで冷却する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
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