JPWO2020129376A1 - 電力変換装置、それを構成する多層基板、及び電力変換装置を搭載した車両 - Google Patents

Abstract

電力変換装置は、導電層によって、トランス（ＴＲ）の一次側コイル及び二次側コイルが形成された多層基板（１００）と、多層基板（１００）と電気的に接続され、第１の変換回路（２１０）が形成された回路基板（２００）とを含む。多層基板（１００）は、トランス（ＴＲ）が形成されたトランス領域（１１０）と、トランス領域（１１０）に配置され、一次側コイル及び二次側コイルが巻回されたコア部材（１４０）と、トランス領域（１１０）に隣接し、一次側コイルまたは二次側コイルと電気的に接続される第２の変換回路（１３０）が形成された回路形成領域（１２０）と、二次側コイルまたは一次側コイルと電気的に接続された端子部（１５０，１５２）とを含む。第１の変換回路（２１０）は、端子部（１５０，１５２）を介して、トランス（ＴＲ）と電気的に接続されており、一方のコイルの巻き数は、他方のコイルの巻き数より少ない。

Description

本開示は、電力変換装置、それを構成する多層基板、及び電力変換装置を搭載した車両に関する。本開示は、２０１８年１２月２１日出願の日本出願第２０１８−２３９２６８号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）、及びプラグインハイブリッド電気自動車（ＰＨＥＶ）にはモータ駆動用の高圧バッテリ（例えば３００Ｖ）から低圧バッテリ（例えば１２Ｖ）又は低圧負荷に電力を供給するための、絶縁型の電力変換装置である降圧ＤＣ／ＤＣコンバータが搭載される。

このような絶縁型の電力変換装置には、入力側（一次側）と出力側（二次側）とを絶縁するためのトランス（変圧器）が用いられる。また従来、トランスの形成に多層基板を用いる技術が知られている。

後掲の特許文献１はこうした技術を開示する。特許文献１には、導電層をコイル形状にパターニングすることによって多層基板にトランスを形成した多層基板トランスが記載されている。この多層基板トランスは、表面にコイルパターンが形成された複数枚の基材を積層一体化した後、上下に位置するコイルパターン間を選択接続することによって形成されている。コイルパターンの形成は、フォトリソグラフィ技術等の印刷技術を用いて行なうことができるため、巻線工数がかからずバラツキを抑えることができる。

特開２０１０−９３１７４号公報

本開示の第１の局面に係る電力変換装置は、導電層を含み、この導電層によってトランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成された多層基板と、多層基板と電気的に接続され、第１の変換回路が形成された回路基板とを含み、多層基板は、トランスが形成されたトランス領域と、トランス領域に配置され、一次側コイル及び二次側コイルが巻回されたコア部材と、トランス領域に隣接し、一次側コイル及び二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される第２の変換回路が形成された回路形成領域と、一次側コイル及び二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続された端子部とを含み、第１の変換回路は、端子部を介して、トランスと電気的に接続されており、第２の変換回路が接続された一方のコイルの巻き数は、端子部が接続された他方のコイルの巻き数より少ない。

本開示の第２の局面に係る多層基板は、導電層が積層された多層基板であって、導電層によって、トランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成されたトランス領域と、トランス領域に隣接し、一次側コイル及び二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される回路が形成される回路形成領域と、一次側コイル及び二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続される端子部とを含み、一方のコイルの巻き数は、他方のコイルの巻き数より少ない。

本開示の第３の局面に係る車両は、電力を供給する蓄電装置と、蓄電装置から供給される電力を変換する、上記第１の局面に係る電力変換装置と、電力変換装置により変換された電力が供給される負荷とを含む。

図１は、第１の実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータの全体構成を示す平面図である。 図２は、ＤＣ／ＤＣコンバータを構成するトランス基板の斜視図である。 図３は、図２に示すトランス基板の平面図である。 図４は、図２に示すトランス基板からコア部材を取り除いた状態を示す平面図である。 図５は、トランス基板に用いられるコア部材の斜視図である。 図６は、ＤＣ／ＤＣコンバータを構成するメイン基板の平面図である。 図７は、第１の実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータの回路図である。 図８Ａは、トランス基板を構成する基材の平面図である。 図８Ｂは、トランス基板を構成する基材の平面図である。 図９Ａは、トランス基板を構成する基材の平面図である。 図９Ｂは、トランス基板を構成する基材の平面図である。 図１０は、トランス基板を構成する基材の平面図である。 図１１は、図３のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。 図１２は、シミュレーションに用いた回路構成を示す図である。 図１３は、シミュレーションの条件を示す図である。 図１４は、シミュレーションの結果を示すグラフである。 図１５は、第３の実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータの全体構成を示す平面図である。 図１６は、第４の実施の形態に係る車両の概略構成を示す図である。

［本開示が解決しようとする課題］
多層基板は一般的にコストが高く、基板サイズが大きくなるとコストがさらに増加する。そのため、多層基板を用いる場合は、基板サイズが大きくなり過ぎないようにするのが好ましい。特許文献１の多層基板トランスは、トランスを形成する領域を確保できればよいため、基板サイズの増加を抑制することが可能である。

しかし、特許文献１の多層基板トランスは、電力変換装置のトランスとして用いた場合に、多層基板トランス以外のトランスと同様、トランスと回路部分とを接続する配線が長くなるという不都合がある。そのため、トランスと回路部分とを接続する接続部の配線インダクタンスが増加し、回路動作に悪影響が及ぶおそれがあるという問題がある。

それゆえに、本開示は、多層基板のサイズ増加を抑制しつつ、配線インダクタンスに起因する回路動作への悪影響を抑制することが可能な電力変換装置、それに用いる多層基板、及び、その電力変換装置を搭載した車両を提供することを目的とする。

［本開示の効果］
本開示によれば、多層基板のサイズ増加を抑制しつつ、配線インダクタンスに起因する回路動作への悪影響を抑制することが可能な電力変換装置、それに用いる多層基板、及び、その電力変換装置を搭載した車両を得ることができる。

［本開示の実施の形態の説明］
最初に、本開示の好適な実施形態を列記して説明する。なお、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組合せてもよい。

上記目的を達成するために、本願発明者が鋭意検討した結果、トランスの一次側コイル及び二次側コイルに接続される回路のうち、巻き数の少ないコイルと接続される回路の接続部の配線インダクタンスが回路動作に与える悪影響の度合いが大きいという知見を見出し、本開示に至った。

（１）すなわち、本開示の第１の局面に係る電力変換装置は、導電層を含み、この導電層によって、トランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成された多層基板と、多層基板と電気的に接続され、第１の変換回路が形成された回路基板とを含む。多層基板は、トランスが形成されたトランス領域と、トランス領域に配置され、一次側コイル及び二次側コイルが巻回されたコア部材と、トランス領域に隣接し、一次側コイル及び二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される第２の変換回路が形成された回路形成領域と、一次側コイル及び二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続された端子部とを含む。第１の変換回路は、端子部を介して、トランスと電気的に接続されており、第２の変換回路が接続された一方のコイルの巻き数は、端子部が接続された他方のコイルの巻き数より少ない。

多層基板には、トランスとともに、巻き数の少ない一方のコイルと電気的に接続される第２の変換回路が形成される。上述のように、トランスの一次側コイル及び二次側コイルに接続される回路のうち、巻き数の少ないコイルと回路とを接続する接続部（配線）の配線インダクタンスの方が回路動作に与える悪影響の度合いが大きい。そのため、巻き数の少ないコイルと接続される第２の変換回路を回路形成領域に形成することによって、第２の変換回路をトランスの近傍に配置できる。これにより、トランスと第２の変換回路とを接続する配線長を短くできるので、配線インダクタンスが増加するのを抑制できる。その結果、配線インダクタンスの増加に起因する回路動作への悪影響を抑制できる。

第１の変換回路は、端子部を介して、巻き数の多い他方のコイルと電気的に接続されている。巻き数の多いコイルと回路とを接続する接続部（配線）の配線インダクタンスは回路動作に与える悪影響の度合いが小さい。そのため、第１の変換回路を、多層基板とは別の配線基板（回路基板）に形成したとしても、回路動作に悪影響が及ぶのを抑制できる。さらに、第１の変換回路を回路基板に形成することによって、第１の変換回路及び第２の変換回路の両方を多層基板に形成する場合に比べて、多層基板のサイズを小さくできる。これにより、多層基板のサイズ増加に起因するコストの増加を抑制できる。なお、隣接とは、隣り合っていることを意味する。そのため、トランス領域に隣接する領域（回路形成領域）は、トランス領域に隣り合う領域を含む。

（２）好ましくは、回路基板の層数は、多層基板の層数より少ない。これにより、多層基板に比べて少ない製造工数で回路基板を作製できる。回路基板の製造が容易になるため、このような回路基板を用いることによって、電力変換装置の製造コストを容易に低減できる。

（３）より好ましくは、回路基板の主面の面積は、多層基板の主面の面積より大きい。これにより、多層基板のサイズ増加を抑制しつつ、回路の実装領域を容易に確保できる。そのため、例えば、他の回路を実装する必要がある場合に、そのような回路を回路基板に容易に実装できる。

（４）さらに好ましくは、多層基板は、トランス領域において、一次側コイルを構成する導電層と、二次側コイルを構成する導電層とが交互に積層されている。これにより、一次側コイルと二次側コイルとの間の交差磁束が増加するので、一次側コイルと二次側コイルとの結合を良好にできる。そのため、磁束の漏れを抑制できるので、伝送効率の向上及び内部損失の低減を図ることができる。

（５）さらに好ましくは、第１の変換回路は、直流電圧を交流電圧に変換する第１のスイッチ回路を含み、第２の変換回路は、第１のスイッチ回路で変換された交流電圧を整流する第２のスイッチ回路を含む。これにより、回路動作への悪影響を抑制することが可能な、降圧ＤＣ／ＤＣコンバータを容易に得ることができる。

（６）さらに好ましくは、回路形成領域は、トランス領域に対して、端子部とは反対側の領域に設けられている。これにより、多層基板と回路基板とを容易に電気的に接続できる。

（７）さらに好ましくは、回路基板は、第１の変換回路及び第２の変換回路の少なくとも一方の駆動を制御する制御部を含む。これにより、第１の変換回路及び第２の変換回路の少なくとも一方の駆動を容易に制御できる。

（８）本開示の第２の局面に係る多層基板は、導電層が積層された多層基板である。この多層基板は、導電層によって、トランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成されたトランス領域と、トランス領域に隣接し、一次側コイル及び二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される回路が形成される回路形成領域と、一次側コイル及び二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続される端子部とを含む。一方のコイルの巻き数は、他方のコイルの巻き数より多くなるよう構成されている。こうした多層基板を用いることにより、多層基板のサイズ増加を抑制しながら、配線インダクタンスに起因する回路動作への悪影響を抑制することが可能な電力変換装置を容易に得ることができる。

（９）好ましくは、多層基板は、回路形成領域に実装され、回路を構成する電子部品と、トランス領域に配置され、一次側コイル及び二次側コイルが巻回されるコア部材とをさらに含む。このような多層基板を用いることにより、多層基板のサイズ増加を抑制しながら、配線インダクタンスに起因する回路動作への悪影響を抑制することが可能な電力変換装置をより容易に得ることができる。

（１０）本開示の第３の局面に係る車両は、電力を供給する蓄電装置と、蓄電装置から供給される電力を変換する、上記第１の局面に係る電力変換装置と、電力変換装置により変換された電力が供給される負荷とを含む。これにより、車両において、蓄電装置から供給された電力を電力変換装置によって効率よく変換して、負荷に供給できる。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る電力変換装置、多層基板及び車両の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。以下の実施の形態では、同一の部品には同一の参照番号を付してある。それらの機能及び名称も同一である。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。

（第１の実施の形態）
［全体構成］
図１を参照して、本実施の形態に係る電力変換装置は、絶縁型の電力変換装置の一種である降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータ５０である。このＤＣ／ＤＣコンバータ５０は、トランスＴＲが形成された多層基板１００（以下「トランス基板１００」と呼ぶ）と、このトランス基板１００が取付けられる回路基板２００（以下「メイン基板２００」と呼ぶ）とを含む。

本ＤＣ／ＤＣコンバータ５０は、当該ＤＣ／ＤＣコンバータ５０を構成する主要な構成要素がトランス基板１００とメイン基板２００とに分散して配置された構造を持つ。すなわち、トランス基板１００に搭載されない構成要素がメイン基板２００に配置されている。これにより、トランス基板１００のサイズ増加が抑制されている。

［トランス基板１００の構成］
図２及び図３を参照して、トランス基板１００は、トランスＴＲが形成されたトランス領域１１０と、トランス領域１１０に隣接する領域であって、整流回路１３０が形成された回路形成領域１２０とを含む。トランス領域１１０には、トランスＴＲの一次側コイル及び二次側コイルが形成されている。一次側コイル及び二次側コイルは、トランス基板１００に含まれる導電層をコイル状にパターニングにすることによって形成されている。一次側コイルは、その巻き数が、二次側コイルより多くなるよう構成されている。換言すると、二次側コイルの巻き数は、一次側コイルの巻き数より少ない。さらに、一次側コイルを構成する導電層と二次側コイルを構成する導電層とは、トランス領域１１０において、交互に積層されている。一次側コイル及び二次側コイルの詳細については後述する。

トランス基板１００は、複数の導電層（配線層）が積層一体化された構造を有する。本実施の形態では、トランス基板１００の層数は４層である。すなわち、トランス基板１００は４層構造のプリント配線基板１０２を含む。

トランス基板１００のトランス領域１１０には、一次側コイル及び二次側コイルが巻回されるコア部材１４０が配置されている。図５を参照して、このコア部材１４０はＥＩ型のトランスコアであり、Ｅ型コア１４２とＩ型コア１４４とを含む。Ｅ型コア１４２は、中央磁脚１４２ａと、側磁脚１４２ｂ及び１４２ｃとを含む。

図４を参照して、トランス領域１１０には、貫通孔１０２ａと、切欠き部１０２ｂ及び１０２ｃとが形成されている。これらの貫通孔１０２ａ、並びに、切欠き部１０２ｂ及び１０２ｃは、いずれも矩形状に形成されている。切欠き部１０２ｂは、貫通孔１０２ａに対して、トランス基板１００の短手方向の一端側に形成されており、切欠き部１０２ｃは、貫通孔１０２ａに対して、トランス基板１００の短手方向の他端側に形成されている。

再び図２を参照して、トランス基板１００の貫通孔１０２ａには、Ｅ型コア１４２の中央磁脚１４２ａが挿通される。切欠き部１０２ｂ及び１０２ｃには、それぞれ、Ｅ型コア１４２の側磁脚１４２ｂ及び１４２ｃが挿通される。Ｉ型コア１４４は、Ｅ型コア１４２の中央磁脚１４２ａの先端並びに側磁脚１４２ｂ及び１４２ｃの先端と対向するように配置されている。

トランス基板１００の回路形成領域１２０には、回路を構成するための電子部品が実装されている。具体的には、回路形成領域１２０には、整流回路１３０を構成するスイッチ素子Ｓ１及びＳ２が実装されている。スイッチ素子Ｓ１及びＳ２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ-Ｏｘｉｄｅ-Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ-Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）から構成されている。スイッチ素子Ｓ１及びＳ２は、ＭＯＳＦＥＴ以外の例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、及びＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワー半導体デバイスであってもよい。

整流回路１３０は、スイッチ素子Ｓ１及びＳ２を含むプッシュプル回路である。スイッチ素子Ｓ１は、互いに並列接続されたスイッチ素子Ｓ１ａ及びスイッチ素子Ｓ１ｂを含む。すなわち、整流回路１３０に流れる電流が大きいことを考慮して、１つのスイッチングに対して２つのスイッチ素子Ｓ１ａ及びＳ１ｂを用いてＯＮ／ＯＦＦを行なう構成としている。同様に、スイッチ素子Ｓ２も互いに並列接続されたスイッチ素子Ｓ２ａとスイッチ素子Ｓ２ｂを含む。なお、スイッチ素子Ｓ１及びＳ２は、それぞれ、１つのスイッチ素子を用いる構成であってもよいし、３つ以上のスイッチ素子を用いる構成であってもよい。

図２及び図３を参照して、トランス基板１００はさらに、入力側の端子部１５０及び１５２と、出力側の端子部１６０及び１６２とを含む。入力側の端子部１５０及び１５２は、トランス基板１００の長手方向の一端側に配置されており、出力側の端子部１６０及び１６２は、トランス基板１００の長手方向の他端側に配置されている。端子部１５０、１５２、１６０及び１６２は、いずれも、スルーホールによって形成されている。

回路形成領域１２０は、トランス領域１１０に対して、入力側の端子部１５０及び１５２とは反対側の領域に、トランス領域１１０と隣接するように設けられている。すなわち、回路形成領域１２０は、トランス領域１１０と隣り合うように設けられている。回路形成領域１２０のトランス領域１１０とは反対側には、出力側の端子部１６０及び１６２が設けられている。回路形成領域１２０に形成される整流回路１３０の入力側は、トランスＴＲの二次側コイルと電気的に接続されており、その出力側は出力側の端子部１６０及び１６２と電気的に接続されている。

入力側の端子部１５０及び１５２には、それぞれ、端子ピン１５４及び端子ピン１５６が取付けられている。端子部１５０と端子ピン１５４とは電気的に接続されており、端子部１５２と端子ピン１５６とは電気的に接続されている。同様に、出力側の端子部１６０及び１６２には、それぞれ、端子ピン１６４及び端子ピン１６６が取付けられている。端子部１６０と端子ピン１６４とは電気的に接続されており、端子部１６２と端子ピン１６６とは電気的に接続されている。

［メイン基板２００の構成］
図６を参照して、メイン基板２００は、トランス基板１００よりも層数が少ないプリント配線基板２０２によって構成されている。プリント配線基板２０２には、一方の面（主面）のみに配線層が形成された片面基板又は両方の面（主面）に配線層が形成された両面基板を用いることができる。プリント配線基板２０２には、３層の多層基板を用いてもよい。このメイン基板２００は、トランス基板１００よりも基板サイズが大きい。すなわち、メイン基板２００の主面の面積は、トランス基板１００の主面の面積より大きい。メイン基板２００の一辺には、トランス基板１００が配設される、矩形状の切欠き部２０４が形成されている。

再び図１を参照して、切欠き部２０４の幅Ｘ１は、トランス基板１００の長手方向の長さＸ２より小さく、奥行き方向の長さＹ１は、トランス基板１００の短手方向の長さＹ２より大きい。トランス基板１００は、長手方向の両端部分がメイン基板２００と重なるように、当該メイン基板２００の切欠き部２０４部分に配置され、端子ピン１５４、１５６、１６４、及び１６６を介して、メイン基板２００に取付けられている。これにより、メイン基板２００の切欠き部２０４を介して、トランス基板１００のトランス領域１１０及び回路形成領域１２０がメイン基板２００の表面側に露出する。そのため、トランス領域１１０のコア部材１４０及び回路形成領域１２０のスイッチ素子がメイン基板２００と干渉するのが抑制される。

メイン基板２００はさらに、インバータ回路２１０、平滑回路２２０、及び、制御部２３０を含む。インバータ回路２１０は、フルブリッジ接続された４つのスイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４を含む。インバータ回路２１０の出力側は、トランス基板１００の入力側の端子部１５０及び１５２（端子ピン１５４及び１５６）を介して、トランスＴＲの一次側コイルと電気的に接続される。スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４は、例えばＭＯＳＦＥＴから構成されている。ただし、スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４は、ＭＯＳＦＥＴ以外の例えばＩＧＢＴ、及びＨＥＭＴ等のパワー半導体デバイスであってもよい。

平滑回路２２０は、整流回路１３０からの整流出力に含まれる脈流分を除去して平滑化する回路である。平滑回路２２０の入力側は、トランス基板１００の出力側の端子部１６０及び１６２（端子ピン１６４及び１６６）を介して、整流回路１３０の出力側と電気的に接続されている。制御部２３０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びメモリ等（いずれも図示せず。）を含むマイクロコンピュータであり、インバータ回路２１０及び整流回路１３０の駆動を制御する。制御部２３０は、アナログＩＣ、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）等の制御用ＩＣであってもよい。なお、制御部２３０とトランス基板１００とを接続する配線等は図示を省略している。

［回路構成］
図７を参照して、ＤＣ／ＤＣコンバータ５０は、トランスＴＲと、このトランスＴＲを中心とする一次側部分５０Ａ及び二次側部分５０Ｂと、制御部２３０とを含む。一次側部分５０Ａは、２つの入力端子２４０及び２４２の間に接続されたコンデンサＣ０と、インバータ回路２１０とを含む。二次側部分５０Ｂは、整流回路１３０と、平滑回路２２０とを含む。入力端子２４０及び２４２には高電圧の直流電圧が印加される。入力端子２４０及び２４２から入力された高電圧の直流電圧はＤＣ／ＤＣコンバータ５０にて低電圧の直流電圧に変換され、出力端子２４４及び２４６から取出される。

入力端子２４０及び２４２と、コンデンサＣ０と、インバータ回路２１０と、平滑回路２２０と、出力端子２４４及び２４６と、制御部２３０とはメイン基板２００に設けられている。トランスＴＲと、整流回路１３０とはトランス基板１００に設けられている。

トランスＴＲは、センタータップ式であり、一次側コイル６０、二次側コイル６２、及び、コア部材１４０を含む。二次側コイル６２は、第１のコイル６２ａと、第１のコイル６２ａと直列に接続された第２のコイル６２ｂとを含む。一次側コイル６０と二次側コイル６２（第１のコイル６２ａ、第２のコイル６２ｂ）の巻数比（一次側コイル６０の巻き数：第１のコイル６２ａの巻き数：第２のコイル６２ｂの巻き数）は、例えば、１０：１：１である。

インバータ回路２１０は、コンデンサＣ０と並列に、入力端子２４０と入力端子２４２との間に直列に接続されたスイッチ素子Ｑ１及びＱ３と、同様に入力端子２４０と入力端子２４２との間に、コンデンサＣ０並びにスイッチ素子Ｑ１及びＱ３と並列に接続されたスイッチ素子Ｑ２及びＱ４とを含む。スイッチ素子Ｑ１及びＱ２のドレインは入力端子２４０に接続されている。スイッチ素子Ｑ３及びＱ４のソースは入力端子２４２に接続されている。スイッチ素子Ｑ１のソースとスイッチ素子Ｑ３のドレインとは互いに接続されている。同様にスイッチ素子Ｑ２のソースとスイッチ素子Ｑ４のドレインとは互いに接続されている。

スイッチ素子Ｑ１及びＱ３の接点は、入力側の端子部１５０を介して、トランスＴＲの一次側コイル６０の一方端と接続されている。トランスＴＲの一次側コイル６０の他方端は、入力側の端子部１５２を介して、スイッチ素子Ｑ２及びＱ４の接点と接続されている。

整流回路１３０は、トランスＴＲを介して伝送されたインバータ回路２１０からの出力を整流する。整流回路１３０は、スイッチ素子Ｓ１及びＳ２を含む。図７では、スイッチ素子Ｓ１ａ及びＳ１ｂは機能的には同じであるため、これらをまとめてスイッチ素子Ｓ１として記載している。同様に、スイッチ素子Ｓ２ａ及びＳ２ｂは機能的には同じであるため、これらをまとめてスイッチ素子Ｓ２として記載している。

スイッチ素子Ｓ１のドレインは二次側コイル６２の一方端（第１のコイル６２ａの一方端）に接続されており、スイッチ素子Ｓ２のドレインは二次側コイル６２の他方端（第２のコイル６２ｂの他方端）に接続されている。第１のコイル６２ａの他方端は第２のコイル６２ｂの一方端に接続されており、その接点は出力側の端子部１６０に接続されている。スイッチ素子Ｓ１のソース及びスイッチ素子Ｓ２のソースは、出力側の端子部１６２に接続されている。

平滑回路２２０は、出力側の端子部１６０（端子ピン１６４）を介して、二次側コイル６２の接点（第１のコイル６２ａと第２のコイル６２ｂの接点）に直列に接続されるコイルＬと、出力端子２４４及び２４６の間に接続されたコンデンサＣ１とを含む。

制御部２３０は、インバータ回路２１０を構成するスイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４、及び、整流回路１３０を構成するスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ２を駆動制御する。

［トランスＴＲのコイル構成］
トランス基板１００は、表面に導電層が形成された基材を複数積層することによって形成されている。基材は例えばガラスエポキシ等の絶縁材料から構成されており、導電層は例えば銅等の導電材料から構成されている。導電層は、フォトリソグラフィ技術等を用いて所望の形状にパターニングされている。具体的には、導電層上に設けられたレジストを、フォトリソグラフィ技術等を用いてパターニングした後、そのレジストをマスクとして導電層をエッチングすることにより、当該導電層が所望の形状にパターニングされている。

図８Ａ及び図８Ｂを参照して、一次側コイル６０は、前半部分と後半部分とで２つの層に分かれて形成されている。具体的には、一次側コイル６０は、基材１０２Ａの表面にコイル状に形成された導電層１１２（図８Ａ参照）と、基材１０２Ｂの表面にコイル状に形成された導電層１１４（図８Ｂ参照）とによって構成されている。コイル状の導電層１１２は、コア部材１４０の中央磁脚１４２ａ（図５参照）が挿通される貫通孔１０２ａの周囲を５ターンするように形成されている。同様に、コイル状の導電層１１４も、コア部材１４０の中央磁脚１４２ａ（図５参照）が挿通される貫通孔１０２ａの周囲を５ターンするように形成されている。導電層１１２の一方端は、入力側の端子部１５０と電気的に接続されており、導電層１１４の他方端は、入力側の端子部１５２と電気的に接続されている。導電層１１２の他方端と導電層１１４の一方端とは、ビア１７０を介して電気的に接続されている。

図９Ａ及び図９Ｂを参照して、二次側コイル６２を構成する第１のコイル６２ａは、基材１０２Ｃの表面にコイル状に形成された導電層１１６（図９Ａ参照）によって構成されている。二次側コイル６２を構成する第２のコイル６２ｂは、基材１０２Ｄの表面にコイル状に形成された導電層１１８（図９Ｂ参照）によって構成されている。第１のコイル６２ａ（導電層１１６）及び第２のコイル６２ｂ（導電層１１８）はいずれも、貫通孔１０２ａの周囲を１ターンするように形成されている。コイル状の導電層１１６が形成される基材１０２Ｃの表面にはさらに、スイッチ素子Ｓ１及びＳ２のソースが接続される導電層１８０と、スイッチ素子Ｓ２のドレインが接続される導電層１８２とが形成されている。スイッチ素子Ｓ１及びＳ２のソースが接続される導電層１８０は、導電層１８０と一体的に形成された配線部１８０ａを介して、出力側の端子部１６２とも電気的に接続されている。スイッチ素子Ｓ１のドレインはコイル状の導電層１１６の一方端に接続されている。

コイル状の導電層１１６（図９Ａ参照）の他方端は、ビア１７２を介して、コイル状の導電層１１８（図９Ｂ参照）の一方端と電気的に接続されている。この導電層１１８の一方端は、導電層１１８と一体的に形成された配線部１１８ａを介して、出力側の端子部１６０とも電気的に接続されている。スイッチ素子Ｓ２のドレインが接続される導電層１８２（図９Ａ参照）は、ビア１７４を介して、コイル状の導電層１１８（図９Ｂ参照）の他方端と電気的に接続されている。

図１０を参照して、トランス基板１００は、基材１０２Ｃ→基材１０２Ａ→基材１０２Ｄ→基材１０２Ｂの順に第１層〜第４層となるように基材が配置され、プリプレグ等の絶縁性の接着剤を間に介して積層一体化されている。図１１を参照して、このようにして形成されたトランス基板１００は、上記したように、一次側コイル６０を構成する導電層１１２及び１１４と二次側コイル６２を構成する導電層１１６及び１１８とが、トランス領域１１０において、交互に積層配置されている。

［シミュレーションによる確認］
一次側コイルに比べて、二次側コイルの巻き数が少ないトランスを用いた場合に、どの配線が回路動作に影響を与えるのかを確認するために行なったシミュレーションの内容について説明する。

図１２にシミュレーションに用いた回路構成を示す。図１２を参照して、この回路３０は、本実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ５０の回路構成（図７参照）を模擬している。回路３０は、４つのスイッチ素子を含むインバータ回路３２、トランス３４、整流回路３６、及び平滑回路３８を含む。整流回路３６には、スイッチ素子に代えてダイオードを用いた。トランス３４は、トランスＴＲと同様、センタータップ方式であり、一次側コイルと二次側コイルとを含む。二次側コイルは第１のコイルと第２のコイルとを含む。このような回路構成において、トランス３４の一次側及び二次側の各々の配線に配線インダクタンスＬ１〜Ｌ４を設定した。配線インダクタンスＬ１は、一次側コイルとインバータ回路３２とを接続する配線の配線インダクタンスであり、配線インダクタンスＬ２及びＬ３は、二次側コイルと整流回路３６とを接続する配線の配線インダクタンスである。配線インダクタンスＬ４は、二次側コイルの接点（第１のコイルと第２のコイルとの接点）と平滑回路３８とを接続する配線の配線インダクタンスである。

配線インダクタンスによって電力伝達が阻害されると、インバータ回路３２の駆動ｄｕｔｙ比が低下し、ＤＣ／ＤＣコンバータとしての出力電圧が低下する。そこで、各配線インダクタンスＬ１〜Ｌ４を１ｎＨ、５ｎＨ、１０ｎＨ、１００ｎＨとしたときの出力電圧を比較した。

図１３にシミュレーション条件を示す。図１３を参照して、回路動作は位相シフトフルブリッジとした。入力電圧は４００Ｖ、出力電流は１００Ａである。各スイッチ素子の駆動周波数は５００ｋＨｚであり、ｄｕｔｙ比は０．２３である。トランス巻数比（一次側コイルの巻き数：第１のコイルの巻き数：第２のコイルの巻き数）は、本実施の形態と同様、１０：１：１とした。

図１４にシミュレーションの結果を示す。図１４を参照して、一次側の配線インダクタンスＬ１の値を１ｎＨ〜１００ｎＨのいずれにしても出力電圧の低下は見られなかった。これに対し、二次側については、配線インダクタンスＬ２の値を１００ｎＨにしたとき、及び配線インダクタンスＬ３の値を１００ｎＨにしたときに出力電圧が低下する傾向が見られた。配線インダクタンスＬ４の値を１００ｎＨにしたときにも出力電圧が低下する傾向が見られたものの、その程度はわずかであった。すなわち、トランス３４と整流回路３６とを接続する接続部（配線）の配線インダクタンスＬ２及びＬ３が、一次側の配線インダクタンスＬ１に比べて回路動作に与える悪影響が大きい結果となった。

以上のシミュレーションの結果より、一次側の配線インダクタンスＬ１の増加は、出力電圧、すなわち回路動作に与える悪影響の度合いが小さく、二次側の配線インダクタンスＬ２及びＬ３の増加は、出力電圧に与える悪影響の度合いが大きいことが確認された。

［本実施の形態の効果］
以上の説明から明らかなように、本実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ５０は以下に述べる効果を奏する。

トランス基板１００には、トランスＴＲとともに整流回路１３０が形成される。整流回路１３０は、巻き数の少ない二次側コイル６２と電気的に接続されている。上述のように、トランスＴＲの一次側コイル６０及び二次側コイル６２に接続される回路のうち、巻き数の少ないコイルと回路とを接続する接続部（配線）の配線インダクタンスの方が回路動作に与える悪影響の度合いが大きい。巻き数の少ない二次側コイル６２と接続される整流回路１３０を回路形成領域１２０に形成することによって、整流回路１３０をトランスＴＲの近傍に配置できる。これにより、トランスＴＲと整流回路１３０とを接続する配線長を短くできるので、配線インダクタンスが増加するのを抑制できる。その結果、配線インダクタンスの増加に起因する回路動作への悪影響（出力電圧の低下）を抑制できる。

インバータ回路２１０は、入力側の端子部１５０及び１５２を介して、巻き数の多い一次側コイル６０と電気的に接続されている。巻き数の多いコイルと回路とを接続する接続部（配線）の配線インダクタンスは回路動作に与える悪影響の度合いが小さい。そのため、インバータ回路２１０を、トランス基板１００とは別の配線基板（メイン基板２００）に形成したとしても、回路動作に悪影響が及ぶのを抑制できる。さらに、インバータ回路２１０をメイン基板２００に形成することによって、インバータ回路２１０及び整流回路１３０の両方をトランス基板１００に形成する場合に比べて、トランス基板１００のサイズを小さくできる。これにより、トランス基板１００のサイズ増加に起因するコストの増加を抑制できる。

さらに、ＤＣ／ＤＣコンバータ５０を、トランス基板１００及びメイン基板２００を含むように構成することによって、トランス基板１００とメイン基板２００とを個別に設計できるため、設計自由度が向上する。加えて、トランス基板１００を他の装置に流用することもできる。

メイン基板２００の層数をトランス基板１００の層数より少なくすることにより、トランス基板１００に比べて少ない製造工数でメイン基板２００を作製できる。メイン基板２００の製造が容易になるため、このようなメイン基板２００を用いることによって、製造工数の削減、製造時間の短縮等を図ることができるので、電力変換装置の製造コストを容易に低減できる。

メイン基板２００の主面の面積を、トランス基板１００の主面の面積より大きくすることによって、トランス基板１００のサイズ増加を抑制しつつ、回路の実装領域を容易に確保できる。そのため、例えば、フィルター回路等の他の回路を実装する必要がある場合に、そのような回路をメイン基板２００に容易に実装できる。

トランス基板１００は、トランス領域１１０において、一次側コイル６０を構成する導電層１１２及び１１４と、二次側コイル６２を構成する導電層１１６及び１１８とが交互に積層されている。これにより、一次側コイル６０と二次側コイル６２との間の交差磁束が増加するので、一次側コイル６０と二次側コイル６２との結合を良好にできる。そのため、磁束の漏れを抑制できるので、伝送効率の向上及び内部損失の低減を図ることができる。

回路形成領域１２０を、トランス領域１１０に対して、入力側の端子部１５０及び１５２とは反対側の領域に設けることによって、トランス基板１００とメイン基板２００とを容易に電気的に接続できる。

さらに、メイン基板２００に制御部２３０を実装することによって、インバータ回路２１０及び整流回路１３０の駆動を容易に制御できる。

さらに上記したトランス基板１００を用いることによって、本実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ５０を容易に製造することができる。

（第２の実施の形態）
本実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータは、トランス基板に層数の多い高多層基板が用いられている点において、第１の実施の形態とは異なる。その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。

トランス基板の層数は例えば１２層である。このトランス基板は、第１の実施の形態と同様、トランスの一次側コイルと二次側コイルとが交互に積層されて一体化されている。層数が１２層の場合、トランス基板には、図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、及び図９Ｂに示した各基材が３枚ずつ用いられる。

具体的には、一次側コイルは、表面にコイル状の導電層１１２が形成された基材１０２Ａ（図８Ａ参照）、及び、表面にコイル状の導電層１１４が形成された基材１０２Ｂ（図８Ｂ参照）をそれぞれ３枚ずつ用いて形成されている。３枚の基材１０２Ａは、それぞれ、第２層、第４層、第６層に配置される。コイル状の各導電層１１２は、ビア１７０及び入力側の端子部１５０を介して、互いに並列接続されている。これにより、一次側コイルの前半部分が構成されている。同様に、３枚の基材１０２Ｂは、それぞれ、第７層、第９層、第１１層に配置される。コイル状の各導電層１１４は、ビア１７０及び入力側の端子部１５２を介して、互いに並列接続されている。これにより、一次側コイルの後半部分が形成されている。前半部分と後半部分とは、ビア１７０を介して、直列接続されている。

二次側コイルは、第１のコイルと第２のコイルとに分けられる。第１のコイルは、表面にコイル状の導電層１１６が形成された基材１０２Ｃ（図９Ａ参照）を３枚用いて形成されている。３枚の基材１０２Ｃは、それぞれ、第１層、第３層、第５層に配置される。コイル状の各導電層１１６は、ビア１７６及び１７２を介して、互いに並列接続されている。なお、内装（第３層、第５層）に配置される基材１０２Ｃについては、導電層１８０は形成されていなくてもよい。同様に、第２のコイルは、表面にコイル状の導電層１１８が形成された基材１０２Ｄ（図８Ａ参照）を３枚用いて形成されている。３枚の基材１０２Ｄは、それぞれ、第８層、第１０層、第１２層に配置される。コイル状の各導電層１１８は、ビア１７２及び１７４を介して、互いに並列接続されている。３枚の基材１０２Ｄのうちの少なくとも１つに配線部１１８ａが設けられる構成であってもよい。

本実施の形態では、トランス基板を高多層化するとともに、トランスの一次側コイルを構成する複数の導電層と、二次側コイルを構成する複数の導電層とを交互に積層している。一次側コイルと二次側コイルとの間の交差磁束がより増加するので、一次側コイルと二次側コイルとの結合をより一層良好にできる。これにより、磁束の漏れを効果的に抑制できるので、伝送効率の向上及び内部損失の低減を容易に図ることができる。

その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。

（第３の実施の形態）
図１５を参照して、本実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ３５０は、フィルター回路２５０及び２５２を含む点において、第１の実施の形態とは異なる。その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。

ＤＣ／ＤＣコンバータ３５０は、メイン基板２００（図１参照）に代えて、メイン基板３００を含む。フィルター回路２５０及び２５２は、それぞれ、メイン基板３００上に実装されている。メイン基板３００は、その主面の面積が、トランス基板１００の主面の面積より大きい。そのため、ＤＣ／ＤＣコンバータがフィルター回路を含む場合に、そうしたフィルター回路２５０及び２５２をメイン基板３００上に容易に実装することが可能となる。メイン基板３００のその他の構成は、メイン基板２００と同様である。

その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。

（第４の実施の形態）
本実施の形態では、第１の実施の形態に係る降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータ５０を車両に搭載する例について説明する。

図１６を参照して、本実施の形態に係る車両４００は、電気自動車（ＥＶ）、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）、又はプラグインハイブリッド電気自動車（ＰＨＥＶ）である。車両４００は、主機モータ４１０、インバータ４２０、高圧バッテリ４３０、低圧バッテリ４４０、ＤＣ／ＤＣコンバータ５０、及び補機４５０を含む。

主機モータ４１０は、走行用のモータであり、インバータ４２０から出力される交流電力により駆動される。インバータ４２０は、高圧バッテリ４３０の直流電力を交流電力に変換して主機モータ４１０に供給する。補機４５０は、低圧バッテリ４４０の直流電力により動作する電子機器であり、例えば、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ
Ｕｎｉｔ）、ヘッドライト、室内灯等の低圧負荷を含む。

高圧バッテリ４３０は、例えば、リチウムイオンバッテリ等を複数接続して構成される高圧（例えば３００Ｖ）の蓄電装置である。低圧バッテリ４４０は、例えば、鉛電池等の低圧（例えば１２Ｖ）の蓄電装置である。

本実施の形態では、車両４００が、上記第１の実施の形態で示したＤＣ／ＤＣコンバータ５０を搭載することにより、高圧バッテリ４３０から供給された電力をＤＣ／ＤＣコンバータ５０によって効率よく変換して、低圧バッテリ４４０又は補機４５０に供給できる。

なお、上記第１の実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータ５０に代えて、第２の実施の形態又は第３の実施の形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータを車両４００に搭載するようにしてもよい。

（変形例）
上記実施の形態では、降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータに本開示を適用した例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。例えば、昇圧型のＤＣ／ＤＣコンバータに本開示を適用してもよい。その場合、トランス基板には、整流回路に代えて、インバータ回路を実装するようにすればよい。

上記実施の形態では、ＤＣ／ＤＣコンバータのインバータ回路をフルブリッジ回路により構成した例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。インバータ回路は、例えばハーフブリッジ回路等の他の回路構成であってもよい。

上記実施の形態では、二次側に２つのコイルを持つ、合計３つのコイルからなるトランスを用いた例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。トランスのコイルの数は、２つであってもよいし、３つより多くてもよい。また、補助コイルを設ける構成としてもよい。

上記実施の形態では、トランス基板において、一次側コイルと二次側コイルとを交互に積層する例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。トランス基板は、一次側コイルと二次側コイルとが交互に積層されていない構成であってもよい。一次側コイルと二次側コイルとを交互に積層する場合、上記実施の形態で示したように、１層毎に交互に積層するようにしてもよいし、複数層毎（例えば２層毎）に交互に積層するようにしてもよい。

上記実施の形態では、４層又は１２層のトランス基板を用いる例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。トランス基板の層数は、上記実施の形態で示したもの以外であってもよい。

上記実施の形態では、トランス基板の基材に、片面に導電層が形成された基材を用いる例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。例えば、両面に導電層が形成された基材をトランス基板の基材に用いてもよい。基材の材質は、ガラスエポキシ以外の絶縁材料を用いてもよい。その場合、放熱特性に優れた材料を用いるのが好ましい。

上記実施の形態では、整流回路をプッシュプル回路とする例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。整流回路はプッシュプル回路以外の回路構成であってもよい。

上記実施の形態では、トランス基板に整流回路を形成する例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。トランス基板に形成する回路は整流回路以外の回路であってもよい。例えば、トランス基板に他のＡＣ／ＤＣ変換部を設けるようにしてもよい。

上記実施の形態では、メイン基板に制御部を実装する例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。例えば、メイン基板以外の他の基板等に制御部を実装するようにしてもよい。上記実施の形態ではさらに、メイン基板にフィルター回路を実装する例についても示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。例えば、フィルター回路以外の回路又は部品等を、フィルター回路に代えて、又はフィルター回路とともにメイン基板に実装するようにしてもよい。

上記実施の形態では、１つの回路基板（メイン基板）を含むＤＣ／ＤＣコンバータの例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。ＤＣ／ＤＣコンバータは、複数の回路基板を含む構成であってもよい。

上記実施の形態では、メイン基板において、トランス基板が配置される部分に切欠き部を設けた例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。メイン基板に切欠き部を設けない構成であってもよい。トランス基板をメイン基板に取付ける方法は、上記実施の形態で示した方法以外であってもよい。なお、トランス基板はメイン基板と電気的に接続されていればよく、そういった観点から、トランス基板はメイン基板以外の部材に取付けられていてもよい。

上記実施の形態では、トランスのコア部材にＥＩ型のコアを用いた例について示したが、本開示はそのような実施の形態には限定されない。コア部材は、例えば、ＥＥ型、ＥＦ型、ＥＲ型、ＰＱ型等の他の形状であってもよい。

なお、上記で開示された技術を適宜組合せて得られる実施形態についても、本開示の技術的範囲に含まれる。

今回開示された実施の形態は単に例示であって、本開示が上記した実施の形態のみに限定されるわけではない。本開示の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。

３０ 回路
３２、２１０ インバータ回路
３４、ＴＲ トランス
３６、１３０ 整流回路
３８、２２０ 平滑回路
５０、３５０ ＤＣ／ＤＣコンバータ
５０Ａ 一次側部分
５０Ｂ 二次側部分
６０ 一次側コイル
６２ 二次側コイル
６２ａ 第１のコイル
６２ｂ 第２のコイル
１００ トランス基板、多層基板
１０２、２０２ プリント配線基板
１０２Ａ〜１０２Ｄ 基材
１０２ａ 貫通孔
１０２ｂ、１０２ｃ、２０４ 切欠き部
１１０ トランス領域
１１２、１１４、１１６、
１１８、１８０、１８２ 導電層
１１８ａ、１８０ａ 配線部
１２０ 回路形成領域
１４０ コア部材
１４２ Ｅ型コア
１４２ａ 中央磁脚
１４２ｂ、１４２ｃ 側磁脚
１４４ Ｉ型コア
１５０、１５２、１６０、１６２ 端子部
１５４、１５６、１６４、１６６ 端子ピン
１７０、１７２、１７４、１７６ ビア
２００、３００ メイン基板、回路基板
２３０ 制御部
２４０、２４２ 入力端子
２４４、２４６ 出力端子
２５０、２５２ フィルター回路
４００ 車両
４１０ 主機モータ
４２０ インバータ
４３０ 高圧バッテリ
４４０ 低圧バッテリ
４５０ 補機
Ｑ１〜Ｑ４、Ｓ１〜Ｓ２ スイッチ素子

Claims (10)

1. 導電層を含み、前記導電層によって、トランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成された多層基板と、
   前記多層基板と電気的に接続され、第１の変換回路が形成された回路基板とを含み、
   前記多層基板は、
   前記トランスが形成されたトランス領域と、
   前記トランス領域に配置され、前記一次側コイル及び前記二次側コイルが巻回されたコア部材と、
   前記トランス領域に隣接し、前記一次側コイル及び前記二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される第２の変換回路が形成された回路形成領域と、
   前記一次側コイル及び前記二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続された端子部とを含み、
   前記第１の変換回路は、前記端子部を介して、前記トランスと電気的に接続されており、
   前記第２の変換回路が接続された前記一方のコイルの巻き数は、前記端子部が接続された前記他方のコイルの巻き数より少ない、電力変換装置。
2. 前記回路基板の層数は、前記多層基板の層数より少ない、請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記回路基板の主面の面積は、前記多層基板の主面の面積より大きい、請求項１又は請求項２に記載の電力変換装置。
4. 前記多層基板は、前記トランス領域において、前記一次側コイルを構成する導電層と、前記二次側コイルを構成する導電層とが交互に積層されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
5. 前記第１の変換回路は、直流電圧を交流電圧に変換する第１のスイッチ回路を含み、
   前記第２の変換回路は、前記第１のスイッチ回路で変換された交流電圧を整流する第２のスイッチ回路を含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
6. 前記回路形成領域は、前記トランス領域に対して、前記端子部とは反対側の領域に設けられている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電力変換装置。
7. 前記回路基板は、前記第１の変換回路及び前記第２の変換回路の少なくとも一方の駆動を制御する制御部を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
8. 導電層が積層された多層基板であって、
   前記導電層によって、トランスの一次側コイル及び二次側コイルが形成されたトランス領域と、
   前記トランス領域に隣接し、前記一次側コイル及び前記二次側コイルのうちの一方のコイルと電気的に接続される回路が形成される回路形成領域と、
   前記一次側コイル及び前記二次側コイルのうちの他方のコイルと電気的に接続される端子部とを含み、
   前記一方のコイルの巻き数は、前記他方のコイルの巻き数より少ない、多層基板。
9. 前記回路形成領域に実装され、前記回路を構成する電子部品と、
   前記トランス領域に配置され、前記一次側コイル及び前記二次側コイルが巻回されるコア部材とをさらに含む、請求項８に記載の多層基板。
10. 電力を供給する蓄電装置と、
    前記蓄電装置から供給される電力を変換する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電力変換装置と、
    前記電力変換装置により変換された電力が供給される負荷とを含む、車両。

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