JPWO2020100013A5 - Ｅｌデバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 - Google Patents

Claims (23)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極および前記陰極の間に位置するＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、第１の層を有し、
   前記第１の層は、第１の物質と第２の物質とを含み、
   前記第１の物質は前記第２の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
   前記第１の物質は、アクリジン骨格を有し、
   前記第１の物質にはフッ素原子が含まれるＥＬデバイス。
2. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極および前記陰極の間に位置するＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、第１の層を有し、
   前記第１の層は、第１の物質と第２の物質とを含み、
   前記第１の物質は、前記第２の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
   前記第１の物質は、アリールアミン骨格またはアクリジン骨格を有し、
   前記第１の物質は、前記アリールアミン骨格または前記アクリジン骨格における窒素原子の孤立電子対が共役可能である芳香族環を一つまたは複数有し、
   前記芳香族環の１つまたは２つにフッ素原子が結合しているＥＬデバイス。
3. 請求項２において、前記芳香族環の１にフッ素原子が結合しているＥＬデバイス。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の物質の屈折率が１．８以下であるＥＬデバイス。
5. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極および前記陰極の間に位置するＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、第１の層を有し、
   前記第１の層は、第１の物質と第２の物質とを含み、
   前記第１の物質は前記第２の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
   前記第１の物質は、アリールアミン骨格を有し、
   前記第１の物質にはフッ素原子が含まれ、
   前記第１の物質の屈折率が１．８以下であるＥＬデバイス。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の物質がモリブデン酸化物であるＥＬデバイス。
7. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極および前記陰極の間に位置するＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、第１の層を有し、
   前記第１の層は、第１の物質と第２の物質とを含み、
   前記第１の物質は前記第２の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
   前記第１の物質は、アリールアミン骨格を有し、
   前記第１の物質にはフッ素原子が含まれ、
   前記第２の物質がモリブデン酸化物であるＥＬデバイス。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記ＥＬ層は正孔注入層と発光層とを含み、
   前記発光層は前記正孔注入層と前記陰極との間に設けられ、
   前記正孔注入層は前記陽極と接して設けられ、
   前記第１の層が前記正孔注入層であるＥＬデバイス。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記ＥＬ層は複数の発光ユニットと、前記複数の発光ユニット間に設けられた電荷発生層と、を有し、
   前記第１の層が前記電荷発生層であるＥＬデバイス。
10. 請求項９において、
    前記ＥＬ層は、さらに第２の層を有し、
    前記第２の層は、第３の物質と第４の物質とを有し、
    前記第３の物質は、前記第４の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
    前記第３の物質は、アリールアミン骨格またはアクリジン骨格を有する有機化合物であり、
    前記第３の物質にはフッ素原子が含まれるＥＬデバイス。
11. 請求項９において、
    前記ＥＬ層は、さらに第２の層を有し、
    前記第２の層は、第３の物質と第４の物質とを有し、
    前記第３の物質は、前記第４の物質に対して電子供与性を示す物質であり、
    前記第３の物質は、アリールアミン骨格またはアクリジン骨格を有する有機化合物であり、
    前記第１の物質は、前記アリールアミン骨格または前記アクリジン骨格における窒素原子の孤立電子対が共役可能である芳香族環を一つまたは複数有し、
    前記芳香族環の一つまたは２つにフッ素原子が結合しているＥＬデバイス。
12. 請求項１０または請求項１１において、
    前記第３の物質の屈折率が１．８以下であるＥＬデバイス。
13. 請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記複数の発光ユニットにおける最も陽極側の発光ユニットは、前記陽極に接する正孔注入層を有し、
    前記第２の層が前記正孔注入層であるＥＬデバイス。
14. 請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
    前記第１の物質と前記第３の物質とが同じ物質であり、
    前記第２の物質と前記第４の物質とが同じ物質であるＥＬデバイス。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記第１の物質に含まれるフッ素原子が５個以上であるＥＬデバイス。
16. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記第１の物質に含まれるフッ素原子が７原子％以上４０原子％以下であるＥＬデバイス。
17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記フッ素原子が結合している芳香族環がベンゼン環またはナフタレン環であるＥＬデバイス。
18. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記フッ素原子が結合している芳香族環が、パーフルオロアリール基であるＥＬデバイス。
19. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記フッ素原子が結合している芳香族環がパーフルオロフェニル基またはパーフルオロビフェニル基であるＥＬデバイス。
20. 請求項１乃至請求項１９のいずれか一個において、
    前記第１の層の膜厚が２０ｎｍ以上であるＥＬデバイス。
21. 請求項１乃至請求項２０のいずれか一項に記載のＥＬデバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
22. 請求項２１に記載の発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、
    を有する電子機器。
23. 請求項２１に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。