JPWO2020059244A1 - 点灯制御回路 - Google Patents

Abstract

点灯制御回路（１）は、第１端子（７０）と第２端子（８０）とを有する発光素子（１０）と、第１端子（７０）と第２端子（８０）との間に、発光素子（１０）に並列接続された第１分流抵抗素子（２０）と、第１端子（７０）と第２端子（８０）との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、第１端子（７０）と第２端子（８０）との間の、第１分流抵抗素子（２０）を経由する第１電流経路を導通状態とし、上記電位差が第１閾値よりも小さい場合に、第１電流経路を非導通状態とする制御回路（３０）と、を備える。

Description

本発明は、点灯状態を制御する点灯制御回路に関する。

従来、点灯状態を制御する技術が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

特開平０８−２２３９３２号公報 特開２０１７−１３９２０７号公報

発光素子に印加される電圧が低下すると、発光素子から射出される光量が減少する。このため、発光素子の点灯状態を視認することが難しくなることがある。

そこで、本発明は、発光回路に印加される電圧が低下することによる発光素子に印加される電圧低下を抑制することによって、発光素子から射出される光量の減少を抑制することができる点灯制御回路を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る点灯制御回路は、第１端子と第２端子とを有する発光素子と、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記発光素子に並列接続された第１分流抵抗素子と、前記第１端子と前記第２端子との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、前記第１端子と前記第２端子との間の、前記第１分流抵抗素子を経由する第１電流経路を導通状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１電流経路を非導通状態とする制御回路と、を備える。

本開示の一態様に係る点灯制御回路によると、発光回路に印加される電圧が低下することによる発光素子に印加される電圧低下を抑制することによって、発光素子から射出される光量の減少を抑制することができる。

図１は、実施の形態１に係る点灯制御回路の構成を示す回路図である。 図２は、実施の形態１において、電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ以上の場合における主要な電流経路を示す模式図である。 図３は、実施の形態１において、電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ未満の場合における主要な電流経路を示す模式図である。 図４は、比較例における従来型の点灯制御回路の構成を示す回路図である。 図５は、実施の形態１において、電源Ｖｉｎの電位と発光素子の光量との関係を示すグラフである。 図６は、実施の形態２に係る点灯制御回路の構成を示す回路図である。 図７は、実施の形態２において、電源Ｖｉｎの電位と発光素子の光量との関係を示すグラフである。 図８は、変形例１に係る点灯制御回路の構成を示す回路図である。 図９は、変形例２に係る点灯制御回路の構成を示す回路図である。

（本発明の一態様を得るに至った経緯）
欧州等で一般的に使用されているブック型サーボアンプでは、構造的に電流経路の一部が外部に露出している。このため、回路の内部電圧が人体にとって危険な電圧である危険電圧以上である場合に、発光素子が発光することによる警告表示を行う。このようなブック型サーボアンプを電源電圧４００Ｖで利用する場合には、回路の内部電圧が危険電圧しきい値近くにまで低下すると、発光素子の光量が大きく低下することとなり、発光素子の点灯状態を視認することが難しくなることが知られている。

そこで、発明者は、上記ブック型サーボアンプにおいて、回路の内部電圧が低下しても、発光素子の光量が大きく低下することを抑制すべく検討を重ねた。その結果、発明者は、下記本開示の一態様に係る点灯制御回路に想到した。

本開示の一態様に係る点灯制御回路は、第１端子と第２端子とを有する発光素子と、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記発光素子に並列接続された第１分流抵抗素子と、前記第１端子と前記第２端子との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、前記第１端子と前記第２端子との間の、前記第１分流抵抗素子を経由する第１電流経路を導通状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１電流経路を非導通状態とする制御回路と、を備える。

上記点灯制御回路では、発光素子に印加される電圧が第１閾値よりも低下すると、第１電流経路が導通状態から非導通状態へと変化する。このため、発光素子に流れる電流量は、第１電流経路が導通状態である場合よりも増加する。このように、上記点灯制御回路によると、発光回路に印加される電圧が低下することによる発光素子に印加される電圧低下を抑制することによって、発光素子から射出される光量の減少を抑制することができる。

また、前記制御回路は、前記電位差を検出する検出回路と、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わる、前記第１電流経路上において前記第１分流抵抗素子と直列接続された第１スイッチと、を含み、前記検出回路は、前記電位差が前記第１閾値よりも大きい場合に、前記第１スイッチを前記第１状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１スイッチを前記第２状態とするとしてもよい。

また、さらに、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記発光素子及び前記第１分流抵抗素子に並列接続された第２分流抵抗素子を備え、前記制御回路は、前記第１端子と前記第２端子との間の電位差が、前記第１閾値と異なる第２閾値よりも大きい場合に、前記第１端子と前記第２端子との間の、前記第２分流抵抗を経由する第２電流経路を導通状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも小さい場合に、前記第２電流経路を非導通状態とするとしてもよい。

また、前記制御回路は、前記電位差を検出する検出回路と、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わる、前記第１電流経路上において前記第１分流抵抗素子と直列接続された第１スイッチと、導通する第３状態と導通しない第４状態とに切り替わる、前記第２電流経路上において前記第２分流抵抗素子と直列接続された第２スイッチと、を含み、前記検出回路は、前記電位差が前記第１閾値よりも大きい場合に、前記第１スイッチを前記第１状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１スイッチを前記第２状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも大きい場合に、前記第２スイッチを前記第３状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも小さい場合に、前記第２スイッチを前記第４状態とするとしてもよい。

以下、本開示の一態様に係る点灯制御回路の具体例について、図面を参照しながら説明する。ここで示す実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、並びに、ステップ（工程）及びステップの順序等は、一例であって本開示を限定するものではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意に付加可能な構成要素である。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。

（実施の形態１）
以下、本開示の一態様に係る点灯制御回路の一例について説明する。

図１は、実施の形態１に係る点灯制御回路１の構成を示す回路図である。

図１に示されるように、点灯制御回路１は、発光素子１０と、第１分流抵抗素子２０と、制御回路３０と、電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０とを含んで構成される。なお、ここでは、点灯制御回路１は、電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０を含んで構成されるとして説明するが、電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０は、必ずしも、点灯制御回路１に含まれる必要はない。例えば、電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０は、点灯制御回路１の外部回路に含まれるとしても構わない。

発光素子１０は、第１端子７０と第２端子８０とを有し、第１端子７０と第２端子８０との間に流れる電流量に応じて、電流量がより多い程より光量が多くなるように発光する。発光素子１０は、一例として、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）によって実現される。

第１分流抵抗素子２０は、第１端子７０と第２端子８０との間に、発光素子１０に並列接続される。第１分流抵抗素子２０は、典型的には、抵抗値が数ｋΩ〜数十ｋΩの抵抗素子である。

制御回路３０は、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０を経由する第１電流経路を導通状態とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも小さい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０を経由する第１電流経路を非導通状態とする。

図１に示されるように、制御回路３０は、検出回路４０と第１スイッチ５０を含んで構成される。

第１スイッチ５０は、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わるスイッチであって、第１電流経路上において、第１分流抵抗素子２０と直列接続される。

検出回路４０は、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差を検出する。そして、検出回路４０は、検出した電位差が第１の閾値よりも大きい場合に、第１スイッチ５０を第１状態とし、検出した電位差が第１の閾値よりも小さい場合に、第１スイッチ５０を第２状態とする。

電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０は、電源Ｖｉｎと第１端子７０との間に直列接続される。電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０は、典型的には、抵抗値が数百ｋΩの抵抗素子である。

以下、上記構成の点灯制御回路１の動作について説明する。

以下では、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖの場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値となるとして説明する。また、以下では、検出回路４０は、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値以上の場合に、第１スイッチ５０を第１状態（導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値未満の場合に、第１スイッチ５０を第２状態（非導通状態）とするとして説明する。

図２は、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ以上の場合において、電源ＶｉｎとグラウンドＧＮＤとの間に流れる主要な電流経路を示す模式図である。

図３は、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ未満の場合において、電源ＶｉｎとグラウンドＧＮＤとの間に流れる主要な電流経路を示す模式図である。

図４は、点灯制御回路１から、制御回路３０と第１分流抵抗素子２０とが削除され、電流制限抵抗素子２１０〜電流制限抵抗素子２３０が、それぞれ、電流制限抵抗素子２１１〜電流制限抵抗素子２３１に変更されて構成される、比較例における従来型の点灯制御回路１０００の構成を示す回路図である。

点灯制御回路１において、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ以上の場合には、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値以上となるため、第１スイッチ５０が導通状態となる。このため、図２に示されるように、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、第１スイッチ５０と第１分流抵抗素子２０とを通って流れる電流経路（すなわち、第１電流経路）と、発光素子１０を通って流れる電流経路とに分流して流れることとなる。

点灯制御回路１において、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ未満の場合には、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値未満となるため、第１スイッチ５０が非導通状態となる。このため、図３に示されるように、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、第１スイッチ５０と第１分流抵抗素子２０とを通って流れる電流経路（すなわち、第１電流経路）に分流することなく、発光素子１０を通って流れる電流経路のみに流れることとなる。

従って、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ以上の状態から、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖ未満の状態へと遷移する場合には、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０に流れる電流量が増加することとなる。すなわち、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０の光量が増加する。

これに対して、比較例における従来型の点灯制御回路１０００では、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位に関係なく、発光素子１０を通って流れる電流経路のみに流れる。このため、発光素子１０に流れる電流量は、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って単調減少する。すなわち、点灯制御回路１０００において、発光素子１０の光量は、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って単調減少する。

図５は、点灯制御回路１と点灯制御回路１０００とにおける、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位と、発光素子１０の光量との関係を示すグラフである。

図５に示されるように、従来型の点灯制御回路１０００（図５中の「制御回路なし」に対応）では、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って、発光素子１０の光量が単調減少し、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１００Ｖを切ると、発光素子１０の光量が、視認基準値を下回る。

これに対して、点灯制御回路１（図５中の「制御回路あり」に対応）では、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って、１５０Ｖを切るまでは、点灯制御回路１０００と同様に、発光素子１０の光量が単調減少する。一方で、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１５０Ｖを切ると、一旦、発光素子１０に流れる電流量が増えることとなる。このため、発光素子１０の光量が、一旦、増加する。そして、５０Ｖ付近まで、発光素子１０の光量は、視認基準値を上回る値を維持し続ける。

このように、実施の形態１に係る点灯制御回路１は、従来型の点灯制御回路１０００に対して、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位がより低い電位になるまで、発光素子１０の光量を、視認基準値以上に維持することができる。

すなわち、実施の形態１に係る点灯制御回路１によると、従来に比べて、発光回路に印加される電圧が低下することによる発光素子１０に印加される電圧が低下することによって、発光素子１０から射出される光量の減少を抑制することができる。

（実施の形態２）
以下、実施の形態１に係る点灯制御回路１から、その構成の一部が変更された実施の形態２に係る点灯制御回路について説明する。

図６は、実施の形態２に係る点灯制御回路１ａの構成を示す回路図である。

図６に示されるように、点灯制御回路１ａは、実施の形態１に係る点灯制御回路１から、制御回路３０に替えて制御回路３０ａを含み、第１分流抵抗素子２０に替えてｎ（ｎは２以上の整数。但し、図６ではｎが３以上である場合について図示されている。）の分流抵抗素子を含んで構成される。ここでは、ｎの分流抵抗素子のことを、第１分流抵抗素子２０ａ、第２分流抵抗素子２０ｂ、第ｎ分流抵抗素子２０ｎの３つの分流抵抗素子を代表として用いて説明する。なお、図６では、ｎはあたかも３以上であるかのように図示されているが、ｎは２であってもよい。ｎが２の場合には、点灯制御回路１ａは、第ｎ分流抵抗素子２０ｎ、第ｎスイッチ５０ｎ（後述）を含まずに構成されることとなる。

以下、点灯制御回路１ａの構成について、実施の形態１に係る点灯制御回路１との相違点を中心に説明する。

第１分流抵抗素子２０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間に、発光素子１０に並列接続され、第２分流抵抗素子２０ｂは、第１端子７０と第２端子８０との間に、発光素子１０及び第１分流抵抗素子２０ａに並列接続され、第ｎ分流抵抗素子２０ｎは、第１端子７０と第２端子８０との間に、発光素子１０、第１分流抵抗素子２０ａ、及び第２分流抵抗素子２０ｂに並列接続される。第１分流抵抗素子２０ａ、第２分流抵抗素子２０ｂ、第ｎ分流抵抗素子２０ｎは、それぞれ、典型的には、抵抗値が数ｋΩ〜数十ｋΩの抵抗素子である。

制御回路３０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０ａを経由する第１電流経路を導通状態とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも小さい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０ａを経由する第１電流経路を非導通状態とする。また、制御回路３０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値と異なる第２閾値よりも大きい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第２分流抵抗素子２０ｂを経由する第２電流経路を導通状態とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第２閾値よりも小さい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第２分流抵抗素子２０ｂを経由する第２電流経路を非導通状態とする。また、制御回路３０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値及び第２閾値と異なる第ｎ閾値よりも大きい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第ｎ分流抵抗素子２０ｎを経由する第ｎ電流経路を導通状態とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第ｎ閾値よりも小さい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第ｎ分流抵抗素子２０ｎを経由する第ｎ電流経路を非導通状態とする。

図６に示されるように、制御回路３０ａは、検出回路４０ａと、ｎのスイッチとを含んで構成される。ここでは、ｎのスイッチのことを、ｎの分流抵抗素子の場合と同様に、第１スイッチ５０ａ、第２スイッチ５０ｂ、第ｎスイッチ５０ｎの３つのスイッチを代表として用いて説明する。

第１スイッチ５０ａは、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わるスイッチであって、第１電流経路上において、第１分流抵抗素子２０ａと直列接続される。

第２スイッチ５０ｂは、導通する第３状態と導通しない第４状態とに切り替わるスイッチであって、第２電流経路上において、第２分流抵抗素子２０ｂと直列接続される。

第ｎスイッチ５０ｎは、導通する第５状態と導通しない第６状態とに切り替わるスイッチであって、第ｎ電流経路上において、第ｎ分流抵抗素子２０ｎと直列接続される。

検出回路４０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差を検出する。そして、検出回路４０ａは、検出した電位差が第１の閾値よりも大きい場合に、第１スイッチ５０ａを第１状態とし、検出した電位差が第１の閾値よりも小さい場合に、第１スイッチ５０ａを第２状態とし、検出した電位差が第２の閾値よりも大きい場合に、第２スイッチ５０ｂを第３状態とし、検出した電位差が第２の閾値よりも小さい場合に、第２スイッチ５０ｂを第４状態とし、検出した電位差が第ｎの閾値よりも大きい場合に、第ｎスイッチ５０ｎを第５状態とし、検出した電位差が第ｎの閾値よりも小さい場合に、第ｎスイッチ５０ｎを第６状態とする。

以下、上記構成の点灯制御回路１ａの動作について説明する。

以下では、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が、３００Ｖ、２００Ｖ、１００Ｖの場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が、それぞれ、第１閾値、第２閾値、第ｎ閾値となるとして説明する。また、以下では、検出回路４０ａは、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値以上の場合に、第１スイッチ５０ａを第１状態（導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値未満の場合に、第１スイッチ５０ａを第２状態（非導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第２閾値以上の場合に、第２スイッチ５０ｂを第３状態（導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第２閾値未満の場合に、第２スイッチ５０ｂを第４状態（非導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第ｎ閾値以上の場合に、第ｎスイッチ５０ｎを第５状態（導通状態）とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第ｎ閾値未満の場合に、第ｎスイッチ５０ｎを第６状態（非導通状態）とするとして説明する。

点灯制御回路１ａにおいて、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が３００Ｖ以上の場合には、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値以上、第２閾値以上、第ｎ閾値以上となるため、第１スイッチ５０ａ、第２スイッチ５０ｂ、第ｎスイッチ５０ｎが導通状態となる。このため、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、第１スイッチ５０ａと第１分流抵抗素子２０ａとを通って流れる電流経路（すなわち、第１電流経路）と、第２スイッチ５０ｂと第２分流抵抗素子２０ｂとを通って流れる電流経路（すなわち、第２電流経路）と、第ｎスイッチ５０ｎと第ｎ分流抵抗素子２０ｎとを通って流れる電流経路（すなわち、第ｎ電流経路）と、発光素子１０を通って流れる電流経路との４つの電流経路に分流して流れることとなる。

点灯制御回路１ａにおいて、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が２００Ｖ以上３００Ｖ未満の場合には、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値未満、第２閾値以上、第ｎ閾値以上となるため、第１スイッチ５０ａが非導通状態となり、第２スイッチ５０ｂ、第ｎスイッチ５０ｎが導通状態となる。このため、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、第２スイッチ５０ｂと第２分流抵抗素子２０ｂとを通って流れる電流経路（すなわち、第２電流経路）と、第ｎスイッチ５０ｎと第ｎ分流抵抗素子２０ｎとを通って流れる電流経路（すなわち、第ｎ電流経路）と、発光素子１０を通って流れる電流経路との３つの電流経路に分流して流れることとなる。

従って、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が３００Ｖ以上の状態から、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が３００Ｖ未満の状態へと遷移する場合には、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０に流れる電流量が増加することとなる。すなわち、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０の光量が増加する。

点灯制御回路１ａにおいて、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１００Ｖ以上２００Ｖ未満の場合には、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値未満、第２閾値未満、第ｎ閾値以上となるため、第１スイッチ５０ａ、第２スイッチ５０ｂが非導通状態となり、第ｎスイッチ５０ｎが導通状態となる。このため、第１端子７０と第２端子８０との間の主要な電流は、第ｎスイッチ５０ｎと第ｎ分流抵抗素子２０ｎとを通って流れる電流経路（すなわち、第ｎ電流経路）と、発光素子１０を通って流れる電流経路との２つの電流経路に分流して流れることとなる。

従って、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が２００Ｖ以上の状態から、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が２００Ｖ未満の状態へと遷移する場合には、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０に流れる電流量が増加することとなる。すなわち、遷移前の状態よりも遷移後の状態の方が、発光素子１０の光量が増加する。

図７は、点灯制御回路１ａと、比較例における従来型の点灯制御回路１０００（実施の形態１における図５等参照。）とにおける、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位と、発光素子１０の光量との関係を示すグラフである。

図７に示されるように、従来型の点灯制御回路１０００（図７中の「制御回路なし」に対応）では、実施の形態１でも説明した通り、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って、発光素子１０の光量が単調減少し、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が１００Ｖを切ると、発光素子１０の光量が、視認基準値を下回る。

これに対して、点灯制御回路１ａ（図７中の「制御回路あり」に対応）では、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位の低下に伴って、３００Ｖを切るまでは、点灯制御回路１０００と同様に、発光素子１０の光量が単調減少する。一方で、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が３００Ｖを切ると、一旦、発光素子１０に流れる電流量が増えることとなる。このため、発光素子１０の光量が、一旦、増加する。さらに、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が低下して、２００Ｖを切ると、再度、一旦、発光素子１０に流れる電流量が増えることとなる。このため、発光素子１０の光量が、再度、一旦、増加する。さらに、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位が低下して、１００Ｖを切ると、再度、一旦、発光素子１０に流れる電流量が増えることとなる。このため、発光素子１０の光量が、再度、一旦、増加する。そして、５０Ｖ付近まで、発光素子１０の光量は、視認基準値を上回る値を維持し続ける。

このように、実施の形態２に係る点灯制御回路１ａは、従来型の点灯制御回路１０００に対して、グラウンドＧＮＤに対する電源Ｖｉｎの電位がより低い電位になるまで、発光素子１０の光量を、視認基準値以上に維持することができる。

すなわち、実施の形態２に係る点灯制御回路１ａによると、従来に比べて、発光回路に印加される電圧が低下することによる発光素子１０に印加される電圧が低下することによって、発光素子１０から射出される光量の減少を抑制することができる。

（その他の実施の形態）
以上、本発明に係る点灯制御回路について、実施の形態１及び実施の形態２に基づいて説明したが、本発明は、これら実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、及び異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。

以下に、本開示における更なる変形例の一例について列記する。

（１）実施の形態１において、制御回路３０は、第１スイッチ５０と検出回路４０とを含んで構成されるとして説明した。しかしながら、制御回路３０は、実施の形態１において説明した機能と同様の機能を実現することができれば、実施の形態１において説明した通りの回路構成によって実現される例に限定される必要はなく、どのような回路構成によって実現されてもよい。

本開示に係る点灯制御回路の別の一例として、以下に、制御回路３０と異なる回路構成の制御回路を含んで構成される変形例１に係る点灯制御回路を例示する。

図８は、変形例１に係る点灯制御回路１ｂの構成を示す回路図である。

図８に示されるように、点灯制御回路１ｂは、実施の形態１に係る点灯制御回路１から、制御回路３０に替えて制御回路３０ｂを含んで構成される。

そして、制御回路３０ｂは、制御トランジスタ４１０と、第１制御抵抗素子４２０と、第２制御抵抗素子４３０とから構成される。

制御回路３０ｂは、第１制御抵抗素子４２０の抵抗値と、第２制御抵抗素子４３０の抵抗値とを適切な値にすることで、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０を経由する第１電流経路を導通状態とし、第１端子７０と第２端子８０との間の電位差が第１閾値よりも小さい場合に、第１端子７０と第２端子８０との間の、第１分流抵抗素子２０を経由する第１電流経路を非導通状態とすることができる。

（２）本開示に係る点灯制御回路は、その構成要素の少なくとも一部に、他の回路でも共通に利用される共用素子を含んで構成されてもよい。

本開示に係る転送制御回路の別の一例として、以下に、その構成要素の一部に、他の回路でも共通に利用される共用素子を含んで構成される変形例２に係る点灯制御回路を例示する。

図９は、変形例２に係る点灯制御回路１ｃの構成を示す回路図である。

図９に示されるように、点灯制御回路１ｃは、実施の形態１に係る点灯制御回路１から、電流制限抵抗素子２１０〜電源制限抵抗素子２３０に替えて、第１バランス抵抗素子２６０及び第２バランス抵抗素子２７０を含んで構成される。

電源Ｖｉｎ及びグラウンドＧＮＤを、点灯制御回路１ｃと共通の電源及びグラウンドとして利用する、電源平滑回路（その全体回路像は、図示されず。）において、第１バランス抵抗素子２６０及び第２バランス抵抗素子２７０は、平滑用コンデンサ３１０及び平滑用コンデンサ３２０と共に用いられるバランス抵抗素子としても利用される。

このように、点灯制御回路１ｃは、他の回路である電源平滑回路でも共通に利用される共用素子である第１バランス抵抗素子２６０及び第２バランス抵抗素子２７０を含んで構成されることにより、点灯制御回路１ｃと電源平滑回路とにおけるトータルの素子数の低減を実現することができる。このため、点灯制御回路１ｃと電源平滑回路とからなる装置の小型化、低価格化を実現することができる。

本発明は、点灯状態を制御する点灯制御回路に広く利用可能である。

１、１ａ、１ｂ、１ｃ 点灯制御回路
１０ 発光素子
２０、２０ａ 第１分流抵抗素子
２０ｂ 第２分流抵抗素子
２０ｎ 第ｎ分流抵抗素子
３０、３０ａ、３０ｂ 制御回路
４０、４０ａ 検知回路
５０、５０ａ 第１スイッチ
５０ｂ 第２スイッチ
５０ｎ 第ｎスイッチ
７０ 第１端子
８０ 第２端子
２１０、２１１、２２０、２２１、２３０、２３１ 電流制限抵抗素子

Claims (4)

1. 第１端子と第２端子とを有する発光素子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に、前記発光素子に並列接続された第１分流抵抗素子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間の電位差が第１閾値よりも大きい場合に、前記第１端子と前記第２端子との間の、前記第１分流抵抗素子を経由する第１電流経路を導通状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１電流経路を非導通状態とする制御回路と、
   を備える点灯制御回路。
2. 前記制御回路は、前記電位差を検出する検出回路と、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わる、前記第１電流経路上において前記第１分流抵抗素子と直列接続された第１スイッチと、を含み、
   前記検出回路は、前記電位差が前記第１閾値よりも大きい場合に、前記第１スイッチを前記第１状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１スイッチを前記第２状態とする
   請求項１に記載の点灯制御回路。
3. さらに、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記発光素子及び前記第１分流抵抗素子に並列接続された第２分流抵抗素子を備え、
   前記制御回路は、前記第１端子と前記第２端子との間の電位差が、前記第１閾値と異なる第２閾値よりも大きい場合に、前記第１端子と前記第２端子との間の、前記第２分流抵抗を経由する第２電流経路を導通状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも小さい場合に、前記第２電流経路を非導通状態とする
   請求項１に記載の点灯制御回路。
4. 前記制御回路は、前記電位差を検出する検出回路と、導通する第１状態と導通しない第２状態とに切り替わる、前記第１電流経路上において前記第１分流抵抗素子と直列接続された第１スイッチと、導通する第３状態と導通しない第４状態とに切り替わる、前記第２電流経路上において前記第２分流抵抗素子と直列接続された第２スイッチと、を含み、
   前記検出回路は、前記電位差が前記第１閾値よりも大きい場合に、前記第１スイッチを前記第１状態とし、前記電位差が前記第１閾値よりも小さい場合に、前記第１スイッチを前記第２状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも大きい場合に、前記第２スイッチを前記第３状態とし、前記電位差が前記第２閾値よりも小さい場合に、前記第２スイッチを前記第４状態とする
   請求項３に記載の点灯制御回路。

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