JPWO2020004291A1 - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池および太陽電池の製造方法 Download PDF

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Abstract

【目的】本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関し、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接にリボンを半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上に若干はみ出して半田付けし、変換効率を増大させると共に裏面のリボンの固定強度を向上させ、かつリボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止することを目的とする。【構成】基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に電極の一部に穴を形成し、あるいは基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、穴の内部の基板に直接に半田付けした後にリボンを半田付け、あるいはリボンを穴の内部の基板に直接に半田付けすると共に、併せて穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けするように構成する。

Description

本発明は、基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成してフィンガー電極を介して電子を外部に取り出すと共に、基板の裏面のアルミ電極に形成した穴の部分にリボンを半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、変換効率を増大させると共に裏面のリボンの固定強度を向上させ、かつリボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止する太陽電池および太陽電池の製造方法に関するものである。
従来、太陽電池セルの設計では、太陽電池セル内に生成した電子を効率よく接続された外部回路に流すということが肝要である。これを達成するためにセルから外部に連なる部分の抵抗成分を小さくすることと、生成した電子が消失しないようにすることと、表面および裏面の外部端子が強く固定されることが特に重要である。
例えば図１１の従来技術に示すように、シリコン基板３１の表面（上面）に窒化膜３２を生成し、この上にフィンガー電極（銀）３３のペースト（鉛ガラス入り）をスクリーン印刷し焼結し、図示のように窒化膜３２に穴を開けて高電子濃度領域から電子を外部に取り出すフィンガー電極３３を形成する。次に、フィンガー電極３３と直交する方向にバスバー電極（銀）３４をスクリーン印刷し焼結して生成する。このバスバー電極（銀）３４の上に半田３６でリボン（リード線）３５を半田付けして強固にシリコン基板３１に該リボン３５を固定していた。
また、シリコン基板３１の裏面（下面）にアルミ電極３７を形成してこれにリボン３９を半田付けして固定していた。
また、アルミ電極３７を全面に形成していたのではリボン３９の半田付け強度が弱い場合には、このアルミ電極３７の一部に穴（表面のバスバー電極３４に対応する部分に穴）を開けておき、ここに銀ペーストをスクリーン印刷して焼結して銀の部分３７１を形成し、これに半田３８でリボン３９を固定して必要な固定強度を得ていた。
しかし、上述した従来のシリコン基板３１の裏面にアルミ電極を全面に形成してその上にリボン３９を半田付けしたのではリボン３９をシリコン基板３１に充分な強度で固定できない場合があるという問題があった。
また、これを避けるために、上述した図１１に示すように、アルミ電極３７の一部に穴を開けておき、ここに銀ペーストを塗布して焼結し、この上にリボン３９を半田付けして充分な固定強度を得る必要が生じてしまうという問題があった。
また、前述ように、アルミ電極３７の一部に形成した穴に銀ペーストを塗布して焼結し、その上にリボン３９を半田付けしたのでは、基板の上に銀パターンが固着しておりこの上にリボン３９を半田つけして当該リボン３９−銀パターンー基板へのルートで電子を流入させることにより、太陽電池の変換効率を低下させたり、更にＴＣテストにより変換効率が低下してしまったりする現象が発生し、これを解決することが望まれている。
本発明者らは、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接に半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上に若干はみ出して半田付けし、変換効率を増大させると共に裏面のリボンの固定強度を向上させ、かつリボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止する構成および方法を実験により発見した。
そのため、本発明は、基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜の上に領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成してフィンガー電極を介して電子を外部に取り出すと共に、基板の裏面から電子を流入させて回路を形成する太陽電池において、基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に電極の一部に穴を形成し、あるいは基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、穴の内部の基板に直接に半田付けした後にリボンを半田付け、あるいはリボンを穴の内部の基板に直接に半田付けすると共に、併せて穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させて変換効率を増大し、かつリボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止する太陽電池を実現した。
この際、アルミ電極の穴を形成した部分は、表面の前記取出線に対応する部分するようにしている。
また、半田付けは、超音波半田付けするようにしている。
また、半田付けは、半田付けされる部分の温度を半田が溶融する温度以下で室温以上に予備加熱した状態で、半田付けするようにしている。
また、半田は、錫に亜鉛、アルミ、シリコンの１つ以上を含み、Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕを含まないようにしている。
また、穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けとして、アルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上から３．０ｍｍ以下だけはみだして半田付けするようにしている。
本発明は、上述したように、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接にリボンを半田付けすると共に穴の縁からアルミ電極の上に若干はみ出して半田付けし、変換効率を増大させると共に裏面のリボンの固定強度を向上させ、かつリボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止する構成および方法を実現した。
これらにより、本発明は、基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接にハンダ付けし、リボンの部分の抵抗値を小さくかつ充分な固定強度で基板に固定できる。
また、基板の穴の縁からアルミ電極の上に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、はみして半田付けしたアルミ電極とそれにつながったアルミ電極から電子を基板に供給して太陽電池の変換効率を向上させることが実験で確認できた（図９、図１０参照）。
また、リボンを基板の裏面のアルミ電極の穴の部分に直接に半田付けすることにより、リボンと基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止できた(図６参照）。
図１は本発明の１実施例構成図を示す。
図１の（ａ）は全体の側面図を示し、図１の（ｂ）は図１の（ａ）の要部拡大図を示す。
図１において、基板（シリコン基板）１は、太陽電池を形成しようとするシリコンの基板（単結晶、多結晶）である。
基板裏面（Ａｌ）２は、基板１の裏面であって、裏面の全面にアルミ電極を形成した後に一部に穴を開けたり、あるいは穴のあるアルミ電極を基板１の裏面の全面に形成したりしたものである。
基板加熱ヒータ３は、基板１を予備加熱する加熱体であって、基板１に半田付けする際に、半田が溶融する温度以下、室温以上に加熱するものであって、自動温度調整機構付きのものである。
ＡＢＳ半田１１は、基板裏面(アルミ電極）２に半田付けする糸、リボン状などの半田を供給するに都合のよい形状を持つ長い半田材料である。半田材料は、錫（Ｓｎ）に、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）の１つ以上を含み、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を含まない材料の合金（ＡＢＳ半田１１という）である。これら半田材料に依存するＡＢＳ半田１１の融点は、通常、１５０℃ないし３５０℃程度の範囲内にあり、材料の配合割合により決まるので、実験により溶融温度を算出し、この溶融温度に対して最適な予備加熱温度（ＡＢＳ半田１１が溶融しない室温以上の温度）を決定し、更に、コテ先２２を加熱して超音波を印加したときに溶融して基板裏面２の穴の内部の基板１の上に半田付けするに適切な温度を実験で決定する。これらにより、後述する図９の（ａ），（ｂ），（ｃ）の写真の通りの超音波半田付けが可能となり、リボンを半田付けしたときの引張強度が強く、かつ太陽電池の変換効率をより増大させることができた。尚、ＡＢＳ半田１１の半田材料の組成は、錫（Ｓｎ）が２０ないし９５ｗｔ％、亜鉛（Ｚｎ）が３ないし６０ｗｔ％、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）などの添加材は適量添加する。これら配合割合は、溶融温度、基板やリボンなどのＡＢＳ半田付けする対象に応じて実験により最適な配合割合を決める。
ＡＢＳ半田材料供給機構１２は、コテ先２２の基板１に対する移動速度に対応して、ＡＢＳ半田１１を所定速度（所定半田量、後述する）で該コテ先１２に供給する機構である。
リボン１３は、基板裏面（アルミ電極）２の穴を開けた基板１の部分あるいはプリ半田した部分に半田付けし、基板１から外部に電流を取り出したり、電子を流入させたりなどするものである。尚、図１の（ａ）のように、ＡＢＳ半田１１を供給したときは基板裏面２の穴の部分の基板１に予備半田付け（超音波半田付け）し、図１の（ｂ）のように，ＡＢＳ半田１１と重ねてリボン１３を供給したときは基板裏面２の穴の部分の基板１にリボン１３を半田付け（超音波半田付け）する。予備半田付けした場合には、後の工程で、予備半田付けした部分にリボンを通常の半田付け（超音波なし半田付け）する。また、ＡＢＳ半田１１とリボン１３とを重ねて供給する代わりに、リボン１３に予めＡＢＳ半田１１を半田付けした半田付きリボンにしてもよい。この場合には、半田付きリボンは、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ以上の半田がはみだすように半田を十分に厚くリボン１３に予め半田付けしておく必要がある。
半田コテ２１は、コテ先２２を所定温度に加熱すると共に超音波を供給するものである。
コテ先２２は、半田コテ２１の先端に取り付け、半田付けしようとする部分（基板裏面２の穴の部分等）に対して、超音波を印加すると共に、溶解させたＡＢＳ半田１１を供給し、半田付けするものである。
半田コテ加熱電源２３は、コテ先２２が所定温度になるように電源を供給するものであって、コテ先２２の部分の温度を検出して自動温度調整機構を有するものである。
半田コテ超音波パワー発生機構２４は、コテ先２２から半田付けしようとする部分（基板裏面２の穴の部分等）に超音波を供給するものである。超音波のパワー（電源パワー）は、１から１０Ｗ程度でよく、弱すぎると超音波半田付けが不良となり、強すぎると超音波により膜（アルミ電極など）を破壊したり、逆に半田付け不良となったりするので、実験により最適なパワーを決定する。通常は１ないし数Ｗで行う。
移動機構２５は、半田コテ２１を自動的に所定速度で移動、ここでは、右方向に所定速度で移動させる機構である。所定速度は、ＡＢＳ半田１１を自動供給するＡＢＳ半田材料供給機構１２と連動し、ＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の縁から約０．１ｍｍ以上で、通常３ｍｍ以内までの基板裏面２のアルミ電極の上にはみだす程度にＡＢＳ半田１１が半田付けされるように調整（実験により調整）する。
次に、図１の構成の動作を説明する。
（１）予備加熱ヒータ３を有する図示外の台の上に基板（１５０ｍｍ程度の矩形の基板）１を裁置し、ＡＢＳ半田１１が溶融するよりも少し低い温度に調整する（実験で温度を決める）。
（２）半田コテ加熱電源２３が電源を供給してコテ先２２を所定温度に加熱すると共に、半田コテ超音波パワー発生機構２４が超音波を発生させてコテ先２２に超音波を供給する（加熱温度、超音波パワーはＡＢＳ半田１１の材料により異なるので、材料毎に実験により決める）。
（３）図１の（ａ）のように、コテ先２２でＡＢＳ半田１１を溶解しつつ超音波を基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１に供給しつつ（軽く押し当てた状態で）、移動機構２５がコテ先２２を図では右方向に移動させる。同時に、ＡＢＳ半田材料供給機構１２がＡＢＳ半田１１を所定速度で供給し、溶融したＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上を約０．１ｍｍ以上にはみだして半田付けされるように、移動させる（これらの関係となるように実験でコテ先２２の移動速度、ＡＢＳ半田１１の供給量を決める。この際、更に加熱温度、超音波パワーも併せて調整する）。
（４）以上により、図１の（ａ）のように，ＡＢＳ半田１１のみを供給した場合には、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１と、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ以上から３ｍｍ程度にはみだしてＡＢＳ半田１１を半田付けする（図９参照）。
（５）（４）の予備半田付けした場合には、後の工程で予備半田した部分に、リボンを半田付け（通常の半田付けで、超音波なし半田付け）し、外部への取出線とする。
（６）また、（４）と（５）の代わりに、図１の（ｂ）のように、ＡＢＳ半田１１とリボン１３とを合わせて供給した場合あるいは半田付きリボンを供給した場合には、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１と、穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に０．１ｍｍ以上から３ｍｍ程度にはみだしてＡＢＳ半田１１を半田付けする。
以上によって、基板裏面（アルミ電極）２の穴の部分の基板１に直接にＡＢＳ半田１１を予備半田付けしたり、リボン１３をＡＢＳ半田１１で半田付けしたりすることにより、後述するように、太陽電池の効率を良好にすることが可能となると共に、ＡＢＳ半田１１で直接に裏面基板２の穴を介して基板１に半田付けして強固に該基板１にリボンを固定することが可能となる。
尚、実際に実施した１例では、基板加熱温度(予備加熱)を１８０℃を標準にして、少なくとも上限温度は２００℃以下（ＡＢＳ半田が溶融しない温度以下）です。これ以上にするとこの基板では損傷しました。この場合の半田コテ温度は４００℃としています。高くでも５００℃程度です。これは、コテ先の移動速度、半田材料供給速度で調整します。速度が速くなれば温度を上げます。超音波出力は、裏面に対しては６ワット以下、表面に対しては３ワット以下としています。以上の条件は、錫と亜鉛の合金を主材料としたもので融点が約２１７℃の半田材料の場合です。半田材料、基板の種類、コテ先の移動速度、半田供給量などに依存し、予備加熱温度、コテ先（半田コテ）温度、コテ先の移動速度、半田供給速度などを実験し、良好な超音波半田付けができるように最適な条件に調整する必要があります。
次に、図２のフローチャートの順番に従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。
図２は、本発明の動作説明フローチャート（全体）を示す。
図２において、Ｓ２１は、Ｓｉ基板を用意する。
Ｓ２２は、表面処理を行う。これは、Ｓ２１で用意したシリコン基板（例えばＮ型）上に、窒化膜を形成、更に、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成する。これは、例えば従来の図１１と同様に、シリコン基板３１の表側に、窒化膜３２を形成、フィンガー電極３３、バスバー電極３４などのパターンを形成する。
Ｓ２３は、裏面処理を行う。これは、シリコン基板の裏面にアルミパターンを形成、例えばシリコン基板の裏側の全面に穴の開いたアルミ電極をアルミペーストでスクリーン印刷して形成する。そして、本発明はＳ２５に進む。
Ｓ２５は、焼結する。これは、Ｓ２２の表面処理、Ｓ２３の裏面処理で形成したパターンを一括して焼結する。
以上により、本発明では、Ｓ２１からＳ２３、Ｓ２５で基板の表側にフィンガー電極、バスバー電極、裏側に穴の開いたアルミ電極を形成できたこととなる。
Ｓ２６は、ＡＢＳ半田でリボン付けを行う。これは、Ｓｉ基板１のアルミ電極の穴の開いた部分の該基板１に直接にリボン１３をＡＢＳ半田で半田付けすると共に、穴の縁からアルミ電極の上に約０．１ｍｍ以上はみだして半田付けする。
Ｓ２７は、測定（２）を行う。これは、Ｓ２６のリボン１３をＡＢＳ半田付け後に、太陽電池の電気的特性を測定する（図３を用いて後述する）。
一方、従来は、Ｓ２１からＳ２３に続いて、Ｓ２４で、さらに銀ペーストを基板上に塗布し、Ｓ２５で焼結し、Ｓ２７で銀の上に鉛半田（錫と鉛）でリボン付けし、該リボンを銀パターンを介して基板に強く固定すると共に、Ｓ２８で測定（２）を行い、太陽電池の電気的特性を測定する。
図３は、本発明の詳細動作説明フローチャートを示す。これは、図２のＳ２８の測定（２）の詳細フローチャートである。
図３において、Ｓ３１は、ＴＣ（サーモサイクル）テスト前の測定（２−１）を行う。これは、図１のＳ２６（本発明のＡＢＳ半田でリボン付け）、Ｓ２７（従来のＡｇの上にリボンを鉛半田付け、リボンなしの鉛半田付け）の基板のＴＣテスト前の測定（２−１）を行う。測定項目は、図４から図６、図１０に示すＩｓｃ，Ｖｏｃ，ＦＦ，ＥＦＦなどである。
Ｓ３２は、ＴＣ５００（５００時間／２４時間サイクル）を行う。これは、後述する図５に示すように、試験対象の基板１（図２のＳ２６、Ｓ２７）を高温／低温試験装置に入れて図示のように２４時間サイクルで温度／湿度を変化させて５００時間連続に試験を行う。本試験では、図５に示す
・温度：−２５．４℃から８６．６℃
・湿度：４．８から１００％
の範囲で図５のグラフに示すように試験を実施した。
Ｓ３３は、測定（２−２）を行う。これは、Ｓ３２のＴＣ５００の試験後の基板１について、太陽電池の電気的特性を測定する（図６参照）。
Ｓ３４は、ＴＣ１０００を行う。これは、Ｓ３２のＴＣ５００よりも更に長い１０００時間／２４時間サイクルの試験を行う（図５参照）。
Ｓ３５は、測定（２−３）を行う。これは、Ｓ３４のＴＣ１０００の試験後の基板１について、太陽電池の電気的特性を測定する（図６参照）。
以上によって、図２のフローチャートに従い作成した基板１（本発明、従来のリボン有と無）について図３のフローチャートに従いサーモサイクル試験の前の測定（２−１）、ＴＣ５００の試験した後の測定（２−２）、更に、ＴＣ１０００の試験した後の測定（２−３）を行った。その結果を模式的に示すと、図４、図６のようになった。
図４は本発明と従来のＩＶ曲線例を示す。横軸は太陽電池の出力電圧Ｖ．縦軸は大洋電池の出力電流Ｉを表す。ここで、図２のフローチャートに従い作成した本発明と従来の太陽電池について、ＩＶ特性を測定し、図示のような曲線が得られた。
ここで、ＡＢＳは、リボンをＡＢＳ半田付けした本発明に係る太陽電池であって、既述した図２のＳ２１からＳ２３，Ｓ２５，Ｓ２６で作成したものである。
Ｒｅｆは、リボンをＡｇの上に鉛半田付けした従来の太陽電池であって、既述した図２の図２のＳ２１からＳ２５，Ｓ２７で作成したものである。
本発明のＡＢＳと従来のＲｅｆのＩＶ曲線を比較すると、図４から明らかなように、本発明のＡＢＳの方が、Ａｇの上にリボンを鉛半田付けしたＲｅｆのよりも少し大きいことが判明した。
図５は、本発明のＴＣテスト例を示す。ここで、横軸は時間（ｈ）を表し、左端が０時間であり、右端が１，０００時間である。縦軸の左側は温度（℃）を表し、縦軸の右側は湿度（％ｒｈ）を表す。
図５において、ＴＣテストの環境は、右下に示すように、
ｍｉｎ ｍａｘ
・温度範囲（℃ ）：−２５．４ ８６．６
・湿度範囲（％ｒｈ）： ４．８ １００
である。
以上のように、左端の０時間が試験を開始した時点であり、図示のグラフのように温度変化、湿度変化が記録された。ここでは、既述したＴＣ５００、ＴＣ１０００について既述した図３のフローチャートに従い試験を行った。その試験された基板（太陽電池）の電気的特性を測定し、グラフに表すと図６に示すような結果が得られた。
図６は、本発明のＴＣテスト結果例を示す。これは、既述した図５の環境のもとで試験を行った基板（本発明のＡＢＳ半田-Ａｇ無、従来の鉛半田リボン有、従来の鉛半田リボン無）の３種類の電気的特性を模式的に表したものである。ＴＣ０は試験前の測定結果（２−１）である（図３のＳ３１）。ＴＣ５００はＴＣ５００の試験を行った後の測定結果（２−２）である（図３のＳ３３）。ＴＣ１０００はＴＣ１０００の試験を行った後の測定結果（２−３）である（図３のＳ３５）。
左側のＲｅｆ＿Ａは、リボン無（従来の鉛半田、Ａｇ有）であって、図示のように、基板１の裏面に形成されたアルミ電極（基板裏面）２の穴の部分に銀ペーストを塗布・焼結して銀パターンを形成し、リボンを半田付けしないものである。
中央のＲｅｆ＿Ｂは、リボン有（従来の鉛半田、Ａｇ有）であって、図示のように、基板１の裏面に形成されたアルミ電極（基板裏面）２の穴の部分に銀ペーストを塗布・焼結して銀パターンを形成し、リボンを半田付けしたものである。
右側のＡＢＳは、リボン有（本発明のＡＢＳ半田、Ａｇ無）であって、図示のように、基板１の裏面に形成されたアルミ電極（基板裏面）２の穴の部分に直接にリボンをＡＢＳ半田で半田付けし、従来のＡｇペーストを塗布・焼結して銀パターンを形成しないものである。
・ＴＣ１０００について：ＥＦＦ（変換効率）について３者（Ｒｅｆ＿Ａ、Ｒｅｆ＿Ｂ，ＡＢＳ）を比較すると、
・Ｒｅｆ＿Ａが−０．９４％，
・Ｒｅｆ＿Ｂが−１．１７％，
・ＡＢＳが−０．５８％，
と測定結果が図示のように得られた。即ち、ＥＦＦ（変換効率）について、本願発明のＡＢＳがＴＣ１０００の試験後においても変換効率の低下が一番小さく、かつ従来の基板に銀ペーストを塗布・焼結して銀パターンを形成し、この銀パターンにリボンを鉛半田付けした場合に比し、約２倍程度、変換効率の低下が少ないことが実験により確認できた。
次に、図１の構成のもとで、基板裏面（アルミ電極）２に形成した穴の内部の基板１にＡＢＳ半田１１を直接に半田付けすると共に該穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、変換効率を高めるときの手順などを、図７から図１０を用いて順次詳細に説明する。
図７のフローチャートの順番に従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。
図７は、本発明の動作説明フローチャート（全体、その２）を示す。
図７において、Ｓ１は、Ｓｉ基板を用意する。
Ｓ２は、表面処理を行う。これは、Ｓ１で用意したシリコン基板（例えばＮ型）上に、窒化膜を形成、更に、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成する。これは、例えば従来の図１１と同様に、シリコン基板３１の表側に、窒化膜３２を形成、フィンガー電極３３、バスバー電極３４などのパターンを形成する。
Ｓ３は、裏面処理を行う。これは、シリコン基板の裏面にアルミパターンを形成、例えばシリコン基板の裏側の全面に穴の開いたアルミ電極をアルミペーストでスクリーン印刷して形成する。そして、本発明はＳ５に進む。
Ｓ５は、焼結する。これは、Ｓ２の表面処理、Ｓ３の裏面処理で形成したパターンを一括して焼結する。
以上により、本発明では、Ｓ１からＳ３、Ｓ５で基板の表側にフィンガー電極、バスバー電極、裏側に穴の開いたアルミ電極を形成できたこととなる。
Ｓ６は、測定（１）を行う。これは、Ｓ７のＡＢＳ半田付け前に、探針を用いてＡＢＳ半田付けする前の太陽電池の電気的特性を測定する（図１０の半田前のデータを参照）。
Ｓ７は、ＡＢＳ半田付けを行う。これは、Ｓｉ基板のアルミ電極の穴の開いた部分の基板１に直接にＡＢＳ半田を半田付けすると共に、穴の縁からアルミ電極の上に約０．１ｍｍ以上はみだして半田付けする。尚、リボン１３を一緒に半田付けしてもよい（図１の（ｂ）参照）
Ｓ８は、測定（２）を行う。これは、Ｓ７のＡＢＳ半田付け後に、太陽電池の電気的特性を測定する（図１０の半田後のデータを参照）。
以上のように、Ｓｉ基板の表面に窒化膜を形成、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成、Ｓｉ基板の裏面に穴の開いたアルミ電極のパターンを形成した後、一括焼結してこれらパターンを形成することが可能となる。
一方、従来は、Ｓ１からＳ３に続いて、Ｓ４で、さらに銀ペーストをＳｉ基板上に塗布する。これは、Ｓ３の裏面処理で形成した穴の開いたアルミ電極の部分に、さらに銀ペーストをスクリーン印刷して当該アルミ電極の穴の内部のＳｉ基板の上に銀パターンを形成する。そして、本発明と同様に、Ｓ５からＳ８を行うことにより、Ｓｉ基板の表面に窒化膜を形成、フィンガー電極、バスバー電極などのパターンを形成、Ｓｉ基板の裏面に穴の開いたアルミ電極のパターンの内部に銀パターンが形成され、これにリボンを半田付けして外部取出線とし、該外部取出線を銀パターンを介して基板に強く固定することを実現している。
図８は、本発明の詳細動作説明フローチャート（その２）を示す。これは、図７のＳ７のＡＢＳ半田付けの詳細フローチャートである。
図８において、Ｓ１１は、基板を予備加熱する。これは、図１の基板１を図示外の台に裁置した状態で基板加熱ヒータ３で基板１を予備加熱し、ＡＢＳ半田１１が溶融する温度よりも若干低い温度に加熱する。
Ｓ１２は、コテ先を加熱、超音波を印加する。これは、図１の半田コテ加熱電源２３から電源を半田コテ２１に供給し、コテ先２２が所定温度になるように加熱すると共に、半田コテ超音波パワー発生機構２４が所定出力の超音波をコテ先２２に供給する。
Ｓ１３は、ＡＢＳ半田を供給する。これは、図１のＡＢＳ半田材料供給機構１２が糸あるいはリボン状のＡＢＳ半田１１を所定速度でコテ先２１と半田付けする部分との間に供給する。ＡＢＳ半田１１の供給量は、基板裏面２の穴の開いた部分と該穴の縁から基板裏面（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ以上はみだす程度に供給する（図９参照、実験で供給量は決める）。尚、図１の（ｂ）のように、リボン１３を半田付けする場合には、ＡＢＳ半田１１に重ねてリボン１３を供給すればよい。
Ｓ１４は、コテ先を移動する。これは、図１のコテ先２２を移動機構２５で移動、図１では右方向に移動する。
以上により、ＡＢＳ半田１１が基板裏面２の穴の開いた部分と、該穴の縁から基板裏面２の上に約０．１ｍｍ以上はみ出すように、コテ先２２を移動させ、超音波半田付けすることが可能となる。
図９は、本発明のサンプル写真例を示す。
図９の（ａ）は接触幅約０．１ｍｍのサンプル写真を示し、図９の（ｂ）は接触幅約０．５ｍｍのサンプル写真を示し、図９の（ｃ）は接触幅約１．０ｍｍのサンプル写真を示す。ここで、各写真中の横方向の帯状のものが、裏面基板２の帯状の穴の丁度真上に覆う（はみだし量約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍ）ように、ＡＢＳ半田１１を半田付けした写真例をそれぞれ示す。
図９の（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１）は、図９の（ａ），（ｂ），（ｃ）の側面模式図をそれぞれ示す。接触幅は、穴の縁から基板裏面（Ａｌ）２の上へのはみ出し量であって、約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍの例を示す。
以上のように、基板（Ｓｉ）１上に形成した裏面基板（アルミ電極）２に帯状の穴を設け、該帯状の穴の部分にＡＢＳ半田１１を超音波半田付けしたり（図１の（ａ）参照）、あるいはＡＢＳ半田１１にリボン１３を重ねて超音波半田付けしたり（図１の（ｂ）参照））すると共に、ＡＢＳ半田１１の供給量あるいはコテ先２２の移動量を調整して穴の縁から裏面基板（アルミ電極）２の上に約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍはみだすように超音波半田付けする。
図１０は、本発明の測定例を示す。これは、既述した図９の（ａ），（ｂ），（ｃ）のＡＢＳ半田付け前（半田前）と、半田付け後（半田後）との太陽電池の電気的特性の測定例を示す。各測定例は、１０個の測定例の平均値を示す。また、測定は、図９の基板裏面（アルミ電極）２の帯状の穴の中央部分（半田前は穴の中央部分の基板１の部分、半田後は半田付けした穴の中央部分の該半田の部分）に接触端子を接触させて電気的特性を測定した。
図１０において、測定例の１回、２回、３回は、図９の（ａ）接触幅約０．１ｍｍ，（ｂ）接触幅約０．５ｍｍ，（ｃ）接触幅約１．０ｍｍにそれぞれ対応する。ここで、Ｉｓｃは太陽電池の短絡電流を示し、Ｖｏｃは太陽電池の開放電圧を示し、ＥＦＦは太陽電池の最大効率を示し、ＦＦは太陽電池の最大効率／（ＶｏｃｘＩｓｃ）を示す。「半田前」はＡＢＳ半田を半田付けする前の値を示し、「半田後」はＡＢＳ半田を半田付けした後の値を示し、「変化量」は半田前から半田後の変化量を示す。
ここで、最大効率（ＥＦＦ）は、
・測定例の「１回」（接触幅約０．１ｍｍ）は変化量が-０．４０
「２回」（接触幅約０．５ｍｍ）は変化量が-０．１８
「３回」（接触幅約１．０ｍｍ）は変化量が-０．１３
と接触幅が増大するに従い、「半田前」から「半田後」の最大効率の変化量が小さく、つまり、ＡＢＳ半田１１を、アルミ電極（基板裏面）２の穴の縁から当該アルミ電極２の上のはみ出し量が約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍと増大するに伴い、最大効率の「半田前」から「半田後」の変化量が小さくなることが本実験で初めて判明した。
即ち、ＡＢＳ半田１１を、アルミ電極（基板裏面）２の穴の縁から当該アルミ電極２の上へのはみ出し量が約０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１．０ｍｍと増大させることで、はみだしたＡＢＳ半田１１の部分（０．１ｍｍ、０．５ｍｍ、１，０ｍｍ）からアルミ電極を介して基板１に電子が放出される経路が付加（増大）され、この分だけ最大効率が改善されたものである。
本発明の１実施例構成図である。 本発明の動作説明フローチャート（全体）である。 本発明の詳細動作説明フローチャートである。 本発明と従来のＩＶ曲線例である。 本発明のＴＣテスト例である。 本発明のＴＣテスト結果例である。 本発明の動作説明フローチャート（全体、その２）である。 本発明の詳細動作説明フローチャート（その２）である。 本発明のサンプル写真例である。 本発明の測定例である。 従来技術の説明図である。
１：基板（シリコン基板）
２：基板裏面（Ａｌ）
３：基板加熱ヒータ（予備加熱）
１１：ＡＢＳ半田
１２：ＡＢＳ半田材料供給機構
２１：半田コテ
２２：コテ先
２３：半田コテ加熱電源
２４：半田コテ超音波パワー発生機構
２５：移動機構

Claims (7)

  1. 基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に前記領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成して該フィンガー電極を介して前記電子を外部に取り出すと共に、前記基板の裏面から前記電子を流入させて回路を形成する太陽電池において、
    前記基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に該電極の一部に穴を形成し、あるいは前記基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、該穴の内部の前記基板に直接に半田付けした後にリボンを半田付け、あるいはリボンを該穴の内部の前記基板に直接に半田付けすると共に、併せて該穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、
    前記半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させて変換効率を増大し、かつ前記リボンと前記基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止することを特徴とする太陽電池。
  2. 前記アルミ電極の穴を形成した部分は、表面の前記取出線に対応する部分としたことを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
  3. 前記半田付けは、超音波半田付けであることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれかに記載の太陽電池。
  4. 前記半田付けは、半田付けされる部分の温度を半田が溶融する温度以下で室温以上に予備加熱した状態で、半田付けすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の太陽電池。
  5. 前記半田は、錫に亜鉛、アルミ、シリコンの１つ以上を含み、Ｐｂ，Ａｇ，Ｃｕを含まないことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の太陽電池。
  6. 前記穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けとして、アルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上から３．０ｍｍ以下だけはみだして半田付けしたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の太陽電池。
  7. 基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する領域を形成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に前記領域から電子を取り出す取出口であるフィンガー電極を形成して該フィンガー電極を介して前記電子を外部に取り出すと共に、前記基板の裏面から前記電子を流入させて回路を形成する太陽電池の製造方法において、
    前記基板の裏面の全面にアルミ電極を形成した後に該電極の一部に穴を形成し、あるいは前記基板の裏面の全面の一部分に穴を形成したアルミ電極を形成し、該穴の内部の前記基板に直接に半田付けした後にリボンを半田付け、あるいはリボンを該穴の内部の前記基板に直接に半田付けすると共に、併せて該穴の縁からアルミ電極の上側に０．１ｍｍ以上はみだして半田付けし、
    前記半田付けした穴の内部の基板の部分および穴の縁から０．１ｍｍ以上はみ出したアルミ電極の部分から電子をそれぞれ流入させて変換効率を増大し、かつ前記リボンと前記基板の間にＡｇパターンを無にして変換効率の低減を防止すると共に温度サイクルテストによる変換効率の低減を防止することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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