TWI668878B - 太陽能電池及太陽能電池的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於太陽能電池及太陽能電池的製造方法，其目的為：對矽基板之背面的鋁電極或鋁電極之孔的部分直接進行焊接以獲得充分的固定強度。該太陽能電池係構成為：於基板的背面以整面形成鋁電極或於鋁電極之一部分形成孔，於該所形成的鋁電極之整面的一部分或形成有孔的部分，以焊料焊接有取出線，使前述電子從該基板的背面流入並且將該取出線固定於前述基板。
Description
本發明有關一種太陽能電池及太陽能電池的製造方法，係在基板上形成照射光等時會產生高電子濃度的區域，並在該區域上形成光等會穿透的絕緣膜，且在絕緣膜上形成用以形成從該區域取出電子之取出口的指狀電極，進一步將複數個指狀電極電性連接以將電子取出至外部，將以往的匯流排電極設為玻璃或不需以往的匯流排電極，直接以焊料連接在指狀電極並從背面的基板直接以焊料連接。
以往，在太陽能電池的設計中，使太陽能電池內產生的電子高效率地流向所連接的外部電路是很重要的。為了達成上述目的，使從電池連接至外部之部分的電阻成分減少、避免所產生的電子消失、使表面及背面的外部端子牢固地固定特別重要。
例如第10圖所示的先前技術，在矽基板21的表面(上表面)生成氮化膜22，在該氮化膜22上進行使指狀電極(銀)23的膏(含鉛玻璃)之網版印刷並予以燒結，
以形成如圖示在氮化膜22開孔並將電子由高電子濃度區域取出至外部的指狀電極23。接著，在與指狀電極23垂直的方向進行匯流排電極(銀)24之網版印刷並予以燒結而生。於該匯流排電極(銀)24上以焊料26對帶狀導線(導線)25進行焊接，以使該帶狀導線25牢固地固定在矽基板21。
又，在矽基板21的背面(下表面)形成鋁電極27，將帶狀導線焊接並固定在鋁電極。
又，在整個表面形成鋁電極27之情形下帶狀導線29的焊接強度較弱時，預先在該鋁電極27的一部分開孔(在表面之與匯流排電極24對應之部分的開孔)，在此處進行銀膏之網版印刷並予以燒結以形成銀的部分271，以焊料28將帶狀導線29固定於銀的部分而獲得需要的固定強度。
但是，由於必須在上述之習知的矽基板21的表面形成匯流排電極(銀)24以匯集來自多數個指狀電極23的電子，或藉由該匯流排電極(銀)24使帶狀導線25牢固地焊接在矽基板21，而必須以銀或含大量的銀之膏製成該匯流排電極(銀)24，而且若該膏含有鉛玻璃，則會有以該匯流排電極24匯集的電子因燒結而朝向矽基板21洩漏的問題發生。
又，在矽基板21的背面使鋁電極27形成於整個表面並在該表面上焊接帶狀導線之情形下會有帶狀
導線無法以充分的強度固定在矽基板21的問題。
又，也有為了避免上述問題，如前述第10圖所示，必須先在鋁電極27的一部分開孔，且於該處塗覆銀膏並予以燒結，在其上焊接帶狀導線以獲得充分的固定強度之問題。
本發明人等係著眼於使矽基板1之表面的指狀電極的上部露出於絕緣膜上，而發現在該露出之指狀電極的上部直接焊接做為外部端子的帶狀導線以減少電阻成分且減少電子洩漏，並能夠使帶狀導線直接或經由玻璃牢固地焊接在氮化膜的構成及方法。
又，本發明人等係發現在矽基板之背面的鋁電極或鋁電極的一部分開孔，且在該鋁電極或該鋁電極之孔的部分直接焊接以獲得充分之固定強度的構成及方法。
因此，本發明係在基板上形成照射光等時會產生高電子濃度的區域，並在該區域上形成光等會穿透的絕緣膜，在絕緣膜上形成做為從該區域取出電子之取出口的指狀電極，經由指狀電極將電子取出至外部的太陽能電池，其中，在與從絕緣膜上所形成的區域取出電子的指狀電極垂直的方向以一定的寬度b遍及具有指狀電極的部分和未具有指狀電極之絕緣膜的部分使用焊料焊接取出線，藉由取出線將來自指狀電極的電子取出至外部，並使取出線固定在基板。
此時，在朝與指狀電極垂直的方向以一定的寬度b以焊料焊接取出線的情況時，係以使指狀電極之要焊接之部分的寬度c變寬，或預先形成為一定的寬度c的方式進行。
又，在朝與指狀電極垂直的方向以一定的寬度b使用焊料焊接取出線的情況時，係將指狀電極之擴大部分的寬度c與相鄰之擴大部分的寬度c的間隔a設為比烙鐵前端的長度小，以避免烙鐵前端直接接觸於絕緣膜而使絕緣膜劣化。
又，焊接係以超音波焊接的方式進行。
使用超音波焊接之超音波輸出強度係設為可焊接取出線之程度以上，且為比絕緣膜會被破壞而導致性能劣化之程度還小之輸出。
又，在取出線藉由要焊接而被焊接的部分預先進行無超音波預備焊接或依照需要進行超音波預備焊接。
又，在取出線要被焊接的部分進行預備焊接的情況，係以超音波方式焊接取出線。
又，要藉由焊接來進行焊接的取出線，預先進行預備焊接。
又，焊料係包含錫或在錫含有鋅、銅、銀之一種以上。
因此，本發明係在基板上形成照射光等時形成會產生高電子濃度的區域，並在該區域上形成光等會
穿透的絕緣膜，在絕緣膜上形成做為從該區域取出電子之取出口的指狀電極，經由指狀電極將電子取出至外部，並使電子從基板的背面流入而形成電路的太陽能電池，該太陽能電池係構成為：在基板的背面使鋁電極形成於整個表面或在鋁電極的一部分形成孔，在所形成之鋁電極的整個表面的一部分或形成孔的部分，以焊料焊接取出線，使電子從基板的背面流入並且使取出線固定於基板。
此時，鋁電極的整個表面的一部分或形成孔的部分，係設為對應於表面的取出線的部分。
又，焊接係以超音波焊接的方式進行。
又，在取出線要藉由焊接而被焊接的部分，預先進行無超音波預備焊接，或依照需要進行超音波預備焊接。
又，在取出線要被焊接的部分進行預備焊接的情況，係無超音波焊接取出線。
又，要藉由焊接來進行焊接的取出線，係預先進行預備焊接。
又，取出線的焊接係在使被焊接的部分的溫度成為焊料熔化的溫度以下且室溫以上而進行預備加熱的狀態下，進行焊接。
又，焊料係包含錫或在錫含有鋅、銅、銀之一種以上。
本發明係如上述，著眼於使矽基板之表面
的指狀電極的上部露出於絕緣膜上，藉由在該露出之指狀電極的上部直接焊接做為外部端子的帶狀導線以減少電阻成分且減少電子洩漏，並能夠使帶狀導線直接或經由玻璃牢固地焊接在氮化膜的構成，成為高效率且取出線可牢固地固定的太陽能電池。
又，不需要以往的銀匯流排電極，而可減少銀的使用量。
又，不需要以往的銀匯流排電極的形成步驟，而可減少步驟的數量。
又，將取出線(帶狀導線)直接焊接在指狀電極並且可降低電阻值，而可提高電子的取出效率。
本發明係如上述，在矽基板1之背面的鋁電極或鋁電極的一部分開孔，在鋁電極或鋁電極之孔的部分直接焊接，藉此使取出線的部分的電阻值降低，且能夠以充分之固定強度固定。
又，與以往在背面的鋁電極開孔以形成銀並在該處焊接取出線的情況相比較，可減少銀的使用量及銀的塗覆、燒結步驟，而使取出線牢固地固定。
又，將取出線(帶狀導線)直接焊接在鋁電極或鋁電極之孔下方的矽基板並降低電阻值，而可提高電子的流入效率，成為高效率的太陽能電池。
1‧‧‧基板(矽基板)
2‧‧‧氮化膜(絕緣膜)
3‧‧‧指狀電極
4‧‧‧匯流排電極
5‧‧‧帶狀導線(導線、取出線)
6‧‧‧焊料
7‧‧‧鋁電極
8‧‧‧焊料
9‧‧‧帶狀導線(導線、取出線)
21‧‧‧矽基板(氮化膜)
22‧‧‧氮化膜(孔部)
23‧‧‧指狀電極(鋁電極)
24‧‧‧匯流排電極(鋁‧矽合金層)
25‧‧‧帶狀導線(導線)(焊料)
26‧‧‧焊料
27‧‧‧鋁電極(焊料)
28‧‧‧焊料
29‧‧‧帶狀導線
30‧‧‧矽基板
31‧‧‧氮化膜(指狀電極)
32‧‧‧匯流排電極
33‧‧‧鋁電極
34‧‧‧鋁‧矽合金層(銀)
35‧‧‧帶狀導線(ABS焊料)
40‧‧‧矽基板
41‧‧‧匯流排區域、預焊
42‧‧‧帶狀導線(預焊)
271‧‧‧銀的部分
a‧‧‧間隔
b‧‧‧寬度
c‧‧‧寬度
第1圖係本發明之主要部分構成圖。
第2圖係本發明之製造方法說明流程圖(之1)。
第3圖係本發明之製造方法說明流程圖(之2)。
第4圖係本發明之說明圖(表面-1)。
第5圖係本發明之說明圖(表面-2)。
第6圖係本發明之說明圖(背面-1)。
第7圖係本發明之說明圖(之1)。
第8圖係本發明之說明圖(之4)。
第9圖係本發明之說明圖(之5)。
第10圖係先前技術之說明圖。
第11圖係顯示本發明之背面射極鈍化及背面電極(PERC/Passivated Emitter and Rear Cell)構造之工序流程圖。
第12圖係對本發明之太陽能電池單元之背面射極鈍化及背面電極構造之背面射極鈍化及背面電極構造的銲接說明圖。
第13圖係對本發明之太陽能電池單元之背面射極鈍化及背面電極構造的配置例。
第14圖係對本發明之太陽能電池單元之背面射極鈍化及背面電極構造之孔部的照片例。
第15圖係習知的太陽能電池單元之背面射極鈍化及背面電極構造例。
第16圖係本發明的詳細構成圖。
第17圖係本發明之電壓電流特性測定例。
第18圖係本發明之拉伸試驗說明圖。
第19圖係本發明之拉伸試驗實測例。
第1圖係顯示本發明之主要部分構成例。
第1圖(a)係顯示所謂ABS技術-0之主要部分構成的一例，第1圖(a-1)係顯示其表面、背面之主要部分構成的詳細例。
第1圖(b)係顯示所謂ABS技術-1之主要部分構成的一例，第1圖(b-1)係顯示其表面、背面之主要部分構成的詳細例。
第1圖(c)係顯示所謂ABS技術-2之主要部分構成的一例，第1圖(c-1)係顯示其表面、背面之主要部分構成的詳細例。
在第1圖中，矽基板1為要形成太陽能電池之矽的基板(單晶、多晶)。
氮化膜(絕緣膜)2係在矽基板1上例如形成高濃度電子區域(由上方照射太陽光等時，會產生高濃度電子區域的區域)(習知)且透明(太陽光等會穿透的透明)的膜，為在高濃度電子區域上牢固地形成的薄的透明絕緣膜(習知)。
指狀電極3係在氮化膜2上將包含銀及鉛玻璃的膏網版印刷，將溶劑加熱乾燥並予以燒結，藉由鉛玻璃的燒製現象在下層的氮化膜2形成與高濃度電子區域電性連接的路徑者，從該指狀電極3將高濃度電子區域所
產生的電子朝氮化膜(絕緣膜)2的上方取出(習知)。
匯流排電極4係如第1圖(a)所示，僅在與指狀電極3垂直的方向且未具有指狀電極3的部分塗覆一定寬度的玻璃，將溶劑加熱乾燥並予以燒結而牢固地固定在氮化膜2者。在此，該匯流排電極4不需要為導電性，只要能夠牢固地固定在氮化膜2且焊接取出線即可(如後所述)。例如在本實驗係使用非導電性的ABS膏(釩、鋇、(錫或鋅或兩者(或該等的氧化物))的玻璃膏)。
帶狀導線(ribbon；導線)5係直接焊接在指狀電極3的取出線，以直接焊接在指狀電極3的該帶狀導線5將高濃度電子區域所產生的電子取出至外部者。
焊料(焊錫)6係將帶狀導線5焊接在指狀電極3及匯流排電極4(第1圖(a))、氮化膜2(第1圖(b)、第1圖(c))的焊料。
鋁電極7係形成於矽基板1之背面的鋁電極。
焊料8係在第1圖(a)及第1圖(b)中，於形成在矽基板1的整個背面的鋁電極7上，在與以焊料6焊接表面的帶狀導線5之部分對應的背面部分焊接帶狀導線9者。在本發明所使用的焊料8係錫或在錫添加幾%至幾十%的鋅，亦可添加零點幾%至十幾%的銅或銀等。亦可依照需要添加更多比例或其他金屬等(以下亦同)。
又，焊料8係在第1圖(c)中，在於矽基板1背面的一部分形成孔之鋁電極7上的該孔部分及該孔以
外的鋁部分，在與以焊料6焊接表面的帶狀導線5之部分對應的背面部分焊接帶狀導線9者。
帶狀導線(導線)9係以焊料8將形成於矽基板1背面的鋁電極7、該鋁電極7之開孔部分焊接在其下方的矽基板1而使電子流入者。
依據第1圖(a-1)、(b-1)、(c-1)詳細說明以下各構成。
關於第1圖(a-1)的ABS技術-0：
‧表面：在表面(第1圖(a)之矽基板1上側的表面)係在圖示的匯流排電極4塗覆ABS膏，將溶劑加熱乾燥並予以燒結，使該ABS(以釩酸鹽為主成分的玻璃，且能夠焊接的玻璃)取代以往的匯流排電極(銀)。在此狀態下，矽基板1的高濃度電子區域所產生的電子係經由指狀電極3藉由以焊料6焊接的帶狀導線5直接取出至外部。因此，以往之光電子濃度區域-指狀電極3-銀匯流排電極-帶狀導線5的路徑中，省略銀匯流排電極的部分而可使電子直接由指狀電極3流到帶狀導線5並取出至外部，以降低電阻並減少損耗，進一步可消除以往的匯流排電極之電子洩漏。
‧背面：在背面(第1圖(a)之矽基板1下側的面)係如圖示在形成於矽基板1之整個表面的鋁電極7上，在與表面的匯流排電極(ABS膏)4對應的部分直接焊接帶狀導線9。
藉由以上的構成，能夠在表面將矽基板1的高濃度電子區域所產生的電子經由指狀電極3-帶狀導線5
直接取出至外部，而且帶狀導線5能夠在與匯流排電極(可為非導電性，例如ABS膏)4對應的部分以焊料6直接牢固地焊接在矽基板1並予以固定。在背面係省略在以往的鋁電極7上燒結銀膏並焊接帶狀導線的時間，藉由本發明可在鋁電極7上直接焊接帶狀導線並牢固地固定。
關於第1圖(b-1)的ABS技術-1：
‧表面：在表面(第1圖(b)之矽基板1上側的表面)係將圖示的帶狀導線5以焊料6直接以一定寬度b焊接在指狀電極3和氮化膜2的部分(參照第4圖等)。在此狀態下，矽基板1的高濃度電子區域所產生的電子係可經由指狀電極3藉由以焊料6焊接的帶狀導線5直接取出至外部，並經由氮化膜2將帶狀導線5牢固地固定在矽基板1。因此，不需要以往的匯流排電極，能夠以光電子濃度區域-指狀電極3-帶狀導線5的路徑將電子直接取出至外部，並經由氮化膜2將帶狀導線5牢固地固定在矽基板1。
‧背面：與第1圖(a-1)相同。
藉由以上的構成，能夠在表面將矽基板1的高濃度電子區域所產生的電子經由指狀電極3-帶狀導線5直接取出至外部，並經由氮化膜2將帶狀導線5牢固地固定在矽基板1。在背面與第1圖(a)同樣地，省略在以往的鋁電極7上燒結銀膏並焊接帶狀導線的時間，藉由本發明可在鋁電極7上直接焊接帶狀導線並牢固地固定。
關於第1圖(c-1)的ABS技術-2：
‧表面：與第1圖(b-1)相同。
‧背面：在背面(第1圖(c)之矽基板1下側的面)係在圖示之形成於矽基板1的鋁電極7設置孔，在與焊接表面的帶狀導線5之部分對應的該孔的部分及該孔的部分以外的部分焊接帶狀導線9。藉此，能夠使帶狀導線9在孔的部分以焊料8直接焊接於矽基板1且牢固地固定在矽基板1，並降低電阻成分。
藉由以上的構成，能夠在表面將矽基板1的高濃度電子區域所產生的電子經由指狀電極3-帶狀導線5直接取出至外部，並經由氮化膜2將帶狀導線5牢固地固定在矽基板1。藉由本發明可在背面經由鋁電極7的孔以焊料8直接將帶狀導線9焊接於矽基板1並牢固地固定。
接著，按照第2圖及第3圖之順序詳細說明第1圖之構成的製造方法。
第2圖及第3圖係顯示本發明之製造方法說明流程圖。
在第2圖中，S1係準備基板。此步驟係例如右側所記載，準備P型之單晶或多晶的矽基板1做為欲形成前述第1圖之太陽能電池的矽基板1。
S2係形成氮化膜。此步驟係在前述第1圖之矽基板1的表面形成氮化膜(絕緣膜)2。氮化膜2的厚度係例如可為60-90nm左右。
S3係在背面塗覆鋁膏。此步驟係如右側所記載，在第1圖之矽基板1的背面進行鋁膏之網版印刷及塗覆。該塗覆係在第1圖(a-1)、第1圖(b-1)的整個背面進
行塗覆。第1圖(c-1)係在與表面的指狀電極3的圖案垂直的方向，在背面具有空間或不具有空間的部分塗覆鋁膏，在背面的矽基板1上以帶狀的圖案或不連續的帶狀之鋁膏進行塗覆(未塗覆的部分係成為鋁電極7的無孔部分)。
S4係進行去除溶劑。此步驟係將在S3所塗覆的鋁膏進行加熱乾燥(例如在80℃至120℃進行30至60分鐘的加熱乾燥)，並去除溶劑。
S5係在表面印刷指狀電極。此步驟係在第1圖的氮化膜2上使用例如右側所記載之含有銀和鉛玻璃料的膏進行網版印刷。
S6係進行去除溶劑。此步驟係將在S5中所塗覆的膏進行加熱乾燥(例如在80℃至120℃進行30至60分鐘的加熱乾燥)，並去除溶劑。
第3圖中，在第1圖(a)的情況係進行S7、S8。S7、S8亦可與S5、S6的指狀電極的印刷、去除溶劑同時進行。
S7係印刷匯流排電極。此步驟係將第1圖的匯流排電極4以ABS膏進行網版印刷。
S8係進行去除溶劑。該等S7、S8係使用ABS膏(釩、鋇(錫或鋅或兩者(或該等的氧化物))如第1圖(a)將匯流排電極進行網版印刷、去除溶劑。
S9係進行燒結。此步驟係將已在S3和S4、S5和S6、還有S7和S8進行印刷、去除溶劑之背面的鋁電極7、指狀電極3進行燒結，依照需要進一步將匯流排
電極4一併進行燒結。又，亦可個別進行燒結。燒結係如右側所記載，例如在750至820℃、1秒至60秒的範圍內進行紅外線照射較為理想。
S10係在表面進行超音波焊接。此步驟係如在第1圖所述，將表面的取出線(帶狀導線5)直接地焊接在指狀電極3。又，如上所述，在被焊接的部分預先進行預備焊接(超音波預備焊接或無超音波預備焊接)的情況時，無超音波的焊接亦可。另外，超音波焊接(無超音波的焊接亦同)係在將被焊接的部分(可能的話進行焊接的部分亦同)的溫度預先加熱至焊料會熔解的溫度以下(熔解的溫度以下且室溫以上)的狀態下進行焊接，藉此能夠確實地焊接本發明的焊料(其他部分的超音波焊接(無超音波焊接)亦同)。
S11係在背面進行超音波焊接。此步驟係如在第1圖所述，將取出線(帶狀導線9)直接焊接在鋁電極7，或直接焊接在鋁電極7之孔內部的矽基板1。又，如上所述，在被焊接的部分預先進行預備焊接(超音波預備焊接或無超音波預備焊接)的情況時，無超音波的焊接亦可。
如上所述，在第1圖之矽基板1的表面形成氮化膜(絕緣膜)2之後，在背面塗覆形成鋁電極7的鋁膏並去除溶劑，在表面塗覆形成指狀電極3的銀、鉛玻璃填料並去除溶劑，依照需要塗覆形成匯流排電極4的ABS膏並去除溶劑，並依照需要將該等鋁電極7、指狀電極3、匯流排電極4一併燒結，可依照需要形成背面的鋁電極7、
表面的指狀電極3、ABS的匯流排電極4。此外，在表面的指狀電極3和露出的氮化膜2兩者直接以焊料6焊接帶狀導線5(第1圖(b)、第1圖(c))，或在指狀電極3和匯流排電極4兩者直接以焊料6焊接帶狀導線5(第1圖(a))，進一步以焊料8直接焊接背面的鋁電極7和帶狀導線5(第1圖(a)、第1圖(b))，或經由鋁電極7的孔將帶狀導線9以焊料8直接焊接在矽基板1，並且在鋁電極7之無孔部分以焊料8直接焊接帶狀導線9(第1圖(c))，藉此能夠使帶狀導線9牢固地固定在矽基板1而且減少由帶狀導線9到矽基板1的電阻。
第4圖係顯示本發明之說明圖(表面-1)。
第4圖(a)係顯示指狀電極3的圖案例，第4圖(b)係顯示第4圖(a)的放大圖。
第4圖中，指狀電極3的圖案例係顯示在要朝與第1圖的指狀電極3垂直的方向以焊料6焊接寬度b的帶狀導線5的區域(與圖示之匯流排區域41相同的區域)之寬度擴大為寬度c之例。藉由將指狀電極3的寬度擴大為該寬度c，即能夠使帶狀導線5與指狀電極3之間的焊接面積(接觸面積)增加以降低接觸電阻。另一方面，若使寬度c過於擴大，電子從擴大部分的洩漏(再結合)會增加而有漏電流增加的傾向，因此必須以實驗決定最適值。
又，如第4圖(b)所示，在將匯流排區域41的寬度b(帶狀導線5的寬度)擴大的狀態下進行焊接的情況時，匯流排區域41與相鄰區域的間隔a必須比超音波
烙鐵前端的長度小，以避免烙鐵前端直接接觸於下方的氮化膜2而破壞該氮化膜2。例如烙鐵前端的長度為2mm時，間隔a約1mm左右進行實驗的結果，並不會對氮化膜2產生不良影響。
又，直接進行焊接時，基底的氮化膜2的焊接材料之錫、鋅會緊密地貼附，且可獲得通常的焊接材料(錫、鉛)所無法得到的5N以上的密接力。
第5圖係顯示本發明之說明圖(表面-2)。此圖係顯示上述第1圖(b)、(c)的表面之放大詳細圖。
第5圖中，在矽基板1的表面形成氮化膜(絕緣膜)2，於其上在指狀電極3的圖案塗覆銀和鉛玻璃的膏並予以燒結，以形成圖示的指狀電極3(在氮化膜2開孔形成內部為銀的指狀電極3)。
本發明中，以焊料6直接將帶狀導線5焊接在氮化膜2上突出的指狀電極3的同時，以焊料6將帶狀導線5焊接在氮化膜2的部分。此時，如上述第4圖所示，先使指狀電極3的寬度變寬(使相當於帶狀導線5之寬度的部分變寬)，藉此能夠增加指狀電極3與焊料6之間的接觸面積以降低接觸電阻，並且使間隔小於烙鐵前端的長度，使烙鐵前端不會直接接觸於基底的氮化膜2而使該氮化膜2不會受到破壞等不良影響(參照第4圖的說明)。
藉此，可經由指狀電極3將來自高濃度電子區域的電子直接取出至帶狀導線5以及使指狀電極3與帶狀導線5的接觸電阻降低以提高效率，並且能夠使帶狀導
線5以焊料6直接焊接在氮化膜2且牢固地固定。
第6圖係顯示本發明之說明圖(背面-1)。
第6圖(a)係顯示以往之背面的構成例。以往係在矽基板的背面形成在一部分形成有孔的鋁電極，在該孔的部分塗覆銀膏並予以燒結而形成銀電極，在該銀電極以焊料(鉛焊料)焊接帶狀導線，以超過規定的力量將帶狀導線固定在矽基板。
第6圖(b)係顯示本發明之直接焊接的一例。
第6圖(b-1)係顯示在矽基板1的整個背面形成鋁電極7，以焊料8將帶狀導線9焊接在鋁電極7之例(與第1圖(a)、第1圖(b)相同)。在本發明中，可使用焊料(錫、鋅)8以超音波烙鐵將帶狀導線9直接超音波焊接在鋁電極7。又，在鋁電極7進行預備焊接時，可進行無超音波焊接。
第6圖(b-2)係顯示在矽基板1的背面形成在一部分開孔的鋁電極7，在該孔的部分及其以外的兩者的部分以焊料8焊接帶狀導線9之例(與第1圖(c)相同)。在本發明中，可使用焊料(錫、鋅)8以超音波烙鐵將帶狀導線9直接超音波焊接在鋁電極7之孔的部分的矽基板1及孔以外的鋁電極7。又，在進行預備焊接時，可進行無超音波焊接。
第7圖係顯示本發明之說明圖(之1)。此圖係顯示超音波焊接條件之一例。
在第7圖中，在上述之第1圖等將帶狀導
線5、9以焊料6、8進行施加超音波的超音波焊接時，若超音波的輸出過強，會導致第1圖的氮化膜2受到破壞等不良影響，若超音波的輸出過弱，則會發生無法焊接帶狀導線5、9的情況。為了進行超音波焊接具有最佳的超音波輸出，尤其取決於指狀電極3進行超音波焊接之部分(區域)的尺寸。在本實驗中，3W以上的超音波輸出會使元件劣化(氮化膜2受到破壞等產生不良影響)，0.5W以下會導致焊接不良。在該實驗中，3W以下0.5W以上的範圍為可進行超音波焊接之較理想的範圍。
表1係顯示本發明之說明(之2)。此表係顯示上述第1圖(b)之ABS技術-1、第1圖(c)之ABS技術-2、第10圖之先前技術的比較例。
‧ABS技術-1(第1圖(b))：在背面的話係在鋁電極7直接焊接帶狀導線9。在表面的話係在指狀電極3直接焊接帶狀導線5以及在氮化膜2直接焊接帶狀導線5。因此：1.背面的貼附力雖然比ABS技術-2稍差，但符合規格；2.可減少以往的銀；3.電性特性良好。
‧ABS技術-2(第1圖(c))：在背面的話係在鋁電極7的孔下方的矽基板1直接焊接帶狀導線9以及在孔以外的部分的鋁電極7直接焊接。在表面的話係與ABS技術-1相同。因此：1.背面的帶狀導線的密接力強；2.可減少以往的銀；3.電性特性良好。
先前技術(第10圖)：在背面的話係在鋁電極7上燒結銀並於其上以鉛焊接帶狀導線9，或者在鋁電
極7的孔部分燒結銀，與矽基板1連接並在該銀上以鉛焊接帶狀導線9。在表面的話係經由指狀電極3、銀匯流排電極鉛焊接帶狀導線。因此：1.需要表面的銀匯流排電極；2.在背面需要銀電極。
表2係顯示本發明之說明(之3)。
在表2中，ABS技術-0、ABS技術-1、ABS技術-2係分別對應於第1圖的ABS技術-0、ABS技術-1、ABS技術-2。
結晶係多晶、單晶之矽基板1的種類。
電性特性中的V(v)係後述第8圖的開放電壓。
電性特性中的I(mA/cm2)係後述第8圖的短路電流。
電性特性中的FF係後述第8圖的最佳動作點(可獲得最大電力的點)。
電性特性中的EFF係下述的(式1)所表示的轉換效率。
EFF=Jsc×Voc×FF……(式1)
Ref係用來進行相對比較的標準值(習知例的標準值)，在此係設定100(電性特性)、1(密接力、銀)、0(製造步驟數)。
由以上表2所示的實驗結果得知：
‧電性特性中的V(v)(開放電壓)在本發明中皆在100.7
至101.7，為稍大的電壓值。
‧短路電流I係在100.0至101.5的範圍，與Ref相比具有充分的性能。
‧最佳動作點FF、ABS技術與Ref相比皆顯示優越性。
‧在ABS技術中，轉換效率EFF與Ref相比較顯示優越性。
‧帶狀導線對於矽基板1的密接力係在表面成為2，為標準值的兩倍，顯示非常牢固地固定，背面亦大致相同，在ABS技術-2之中直接焊接在矽基板1的情況為兩倍，顯示牢固地固定。
‧表面的銀的使用量在本發明中係在0.1~0.5的範圍內，可減少一半以下。關於背面，本發明可將銀的使用量減少100%。
‧製造步驟數係在ABS技術-1、ABS技術-2(第1圖(b)、第1圖(c))可分別減少兩個步驟(不需要在表面形成銀的匯流排電極(步驟數-1)，以及不需要在背面形成銀電極(步驟數-1)，共計減少兩個步驟)。
第8圖係顯示本發明之說明圖(之4)。此圖係為使表2的太陽能電池的電性特性易於了解而進行說明。橫軸表示係從太陽能電池取出的電壓，縱軸表示係當時的電流。
在第8圖中，將開放電壓稱為Voc(表2的V)。
將短路電流稱為Jsc(表2的I)，最佳動作點FF係從太陽能電池取出之電壓、電流的特性曲線中乘積最大之圖示位置的值。
轉換效率係以式Jsc×Voc×FF所求得的值。
第9圖係顯示本發明之說明圖(之5)。
第9圖(a)係顯示在第1圖(a)的ABS技術-0的匯流排電極使用ABS玻璃之太陽能電池的表面、背面的照片之一例。
第9圖(a-1)係顯示在表面的橫向形成指狀電極3，於其上形成使用ABS玻璃之匯流排電極的太陽能電池的照片之例。ABS玻璃係僅形成在無指狀電極3的部分，並顯示在該指狀電極3和以ABS玻璃所形成之匯流排電極的部分(為非導電性，可使用本發明的焊料對帶狀導線進行超音波焊接)焊接帶狀導線之狀態的照片。
第9圖(a-2)係顯示在第9圖(a-1)的整個背面形成鋁電極之狀態的照片的一例。
第9圖(b)係顯示第1圖(c)的ABS技術-2的太陽能電池的表面、背面的照片之一例。
第9圖(b-1)係顯示在表面的橫向將焊接帶狀導線之部分的寬度擴大以做為指狀電極3並形成該指狀電極3(參照第4圖)之狀態的照片之一例。在此明顯看出焊接縱向帶狀導線之部分的指狀電極3的寬度變寬。
第9圖(b-2)係顯示在背面的縱向，在將帶狀導線直接焊接至基底的矽基板1之縱向形成開孔的鋁電
極7之一例。
第9圖(b-3)係顯示從第9圖(b-1)及第9圖(b-2)之上方焊接帶狀導線之後的照片之一例。
第9圖(b-3)的左側係顯示在第9圖(b-1)表面的指狀電極的寬度變寬的部分縱向焊接帶狀導線之後的照片之一例。
第9圖(b-3)的右側係顯示在第9圖(b-2)背面的鋁電極的縱向，在未具有鋁的孔(長孔)縱向焊接帶狀導線之後的照片之一例。
接著，使用第11圖至第15圖來詳細說明本發明之其他的實施例。在此顯示：在矽基板30之背面之形成有鋁電極23的區域與矽基板30之間設置絕緣膜(氮化膜)21，藉由該氮化膜21使鋁電極23分離，例如於表面的指狀電極平行地形成矩形形狀而分離，以降低電荷的再結合，結果可使太陽能電池的效率提升之其他的實施例(所謂的背面射極鈍化及背面電極構造)。以下依序詳細說明。
第11圖係顯示本發明之背面射極鈍化及背面電極構造的步驟流程圖。
於第11圖中，S21係整面形成氮化膜等絕緣膜。此乃如後述的第12圖(b)所示，於矽基板30的背面整面形成氮化膜21。
S22係以雷射在絕緣膜的部分開孔。此乃於矽基板30的背面整面形成氮化膜21，並針對該背面的整面所形成的氮化膜21，僅在要進行鋁燒結而在其與矽基板
30的背面之間作成鋁‧矽合金層(P+)24的區域以雷射對氮化膜21開孔。藉此形成：(1)要形成鋁電極23的部分(鋁電極23直接接觸於矽基板30的部分)的孔；(2)要將帶狀導線(導線)予以焊接的部分(用以直接將帶狀導線焊接於矽基板30的部分)的孔部22；針對上述(1)的孔與(2)的孔部22，形成為矽基30露出的狀態。
S23係於上述的開孔以外的部分進行鋁膏印刷‧去除溶劑。然後，在接續於此的圖式以外的表面步驟中進行燒結(指狀電極等之燒結)之同時，將背面的鋁電極23予以燒結。
S34係對孔部的矽、氮化膜、鋁進行焊接(soldering)。此乃如下列者：
(A)如後述之第12圖(a)所示，藉由本發明之焊接，將於圖示之橫向(與表面的指狀電極呈直角之方向)設置的矩形形狀的孔部22予以封蓋住的形狀之橫寬的預焊過的帶狀導線直接焊接於矽基板30。
(B)進一步與(A)的焊接一併地進行本發明的焊接而將帶狀導線對氮化膜進行焊接。
(C)進一步與(A)的焊接一併地對鋁電極23進行本發明的焊接。
藉由以上的方式，能夠對露出於例如第12圖(a)之橫寬的孔部22的矽基板30直接焊接帶狀導線並且
一併進行對該帶狀導線之左右部分的氮化膜21、鋁電極23直接焊接。此外，焊接係以超音波焊接來進行。預焊(預先以超音波焊接或無超音波(一般)之焊接來將鋁電極23、氮化膜、帶狀導線予以預焊)時，也可為無超音波(一般)的焊接。
第12圖係顯示對本發明之太陽能電池之背面的射極鈍化及背面電極構造焊接的說明圖。
第12圖(a)係顯示重要部分(參照第13圖)，第12圖(b)係顯示剖面示意圖。
於第12圖(a)中，孔部22為將圖示以外的帶狀導線(導線)予以焊接之矽基板30所露出的孔。
氮化膜21係在圖示的背面形成於縱向的氮化膜(絕緣膜)，且將形成於背面的鋁電極23分離(分割)成細長狀，用以降低整面地形成該鋁電極23時所產生的電荷的再結合，以提升太陽能電池之效率者(射極鈍化及背面電極構造)。
鋁電極23為形成在縱向的氮化膜21之間且形成在與矽基板30接觸的部分的鋁電極。
依據以上的構成，將圖式之外的帶狀導線直接焊接到露出於孔部22之矽基板30，更將該帶狀導線朝孔部22之長的方向之圖示的橫向直接焊接於氮化膜21、鋁電極23的部分。藉此，能夠將帶狀導線極牢固地固定於孔部22所露出的矽基板30，進而將帶狀導線固定且電性連接於鋁電極23，而且將帶狀導線固定於氮化膜21的部
分，整體上係牢固地固定於矽基板23、氮化膜21、鋁電極23，且電性連接於鋁電極23。如此一來，能夠將鋁電極23分離成細長狀而使其接觸於矽基板30以形成鋁‧矽合金層24，降低電荷的再結合，以提升太陽能電池的效率(射極鈍化及背面電極構造)。
於第12圖(b)中，
‧焊料(1)係顯示將帶狀導線焊接於鋁電極23上的狀態。此狀態下，於矽基板30上形成氮化膜21且更形成鋁電極23，並將焊料(1)焊接於該最上層的鋁電極23上。以往如第15圖所示，係於鋁電極23上形成銀34並於其上將帶狀導線予以焊接。
‧焊料(2)係顯示將帶狀導線焊接於氮化膜21上的狀態。在此狀態下，於矽基板30上形成氮化膜21，並將焊料(2)焊接於該最上層的氮化膜21上。以往如第15圖所示，係於氮化膜上形成銀並於其上將帶狀導線予以焊接，或以雷射來去除氮化膜之一部分之後，形成銀並於其上將帶狀導線予以焊接。
‧焊料(3)係顯示直接焊接於矽基板30上的狀態。此狀態係將焊料(3)直接焊接於矽基板30。此焊料(3)係能夠將帶狀導線牢固地固定於矽基板30(例如在實驗下獲得2倍以上的拉伸強度)。以往並未進行此焊料(3)。
鋁‧矽合金層(P+)24係以於無氮化膜21之孔的部分將鋁電極23直接接觸於矽基板30的方式對鋁膏進行印刷‧去除溶劑‧燒結而形成，且形成鋁‧矽合金層
(P+)者。由於此鋁‧矽合金層(P+)24係藉由氮化膜21而如第12圖之(a)所示分離(分割)成細長狀，所以與以往在背面整面形成的情形相比較，能夠降低電荷的再結合，以提升太陽能電池的效率(射極鈍化及背面電極構造)。
第13圖係顯示相對於本發明之太陽能電池之背面之射極鈍化及背面電極構造的配置例。
於第13圖中，在實驗下如圖式所示，孔部22係例如2.5m×25mm之橫寬的矩形區域如圖式所示的方式合計設置9個，將預焊的帶狀導線朝橫向焊接，能夠獲得比以往如後述第15圖的帶狀導線之焊接達2倍以上的拉伸強度。特別是拉伸強度係依據已說明的第12圖(b)的焊料(3)者，亦即將帶狀導線直接焊接於露出在孔部32之矽基板30的部分較大。
第14圖係顯示關於本發明之太陽能電池之背面的射極鈍化及背面電極構造之孔部的照片例。此乃已說明的形成有第14圖之孔部之太陽能電池單元的照片例，且為橫向顯示2.5mm×25mm之孔部的照片例。
第15圖係顯示以往之太陽能電池單元之背面的射極鈍化及背面電極構造例。此乃為了參考而記載者，以往於矽基板30上整面形成氮化膜31，而僅在要形成鋁電極33的部分以雷射開孔。如此一來，對孔的部分進行鋁印刷‧燒結而形成鋁電極33。帶狀導線35係焊接於氮化膜31上形成銀34(印刷銀膏並燒結而形成)上。因此，由於帶狀導線35係在銀34-氮化膜31-矽基板30的路徑固定
者，所以該帶狀導線35的拉伸強度極弱，一旦人去拉時就簡單容易剝落，因此，存在有處理性極困難的缺點，並且需要有銀34。
相對於此，本發明係以已說明的第12圖(b)的焊料(3)直接將帶狀導線焊接於矽基板30，因此，能夠極牢固地固定並且不需要以往的第15圖的銀34，而能夠減少銀的使用量。
第16圖係顯示本發明的詳細構成。
第16圖的(a)及(b)係示意地顯示太陽能電池之基板的表面及背面，第16圖的(c)及(d)係從直角方向觀看到第16圖的(a)及(b)的(a-1)之橫向的部分(匯流排電極32之方向的部分)的剖面圖。
於第16圖的(a)、(b)、(c)、(d)中，指狀電極31係藉由發射對將形成在矽基板1之高濃度電子區域的電子整面地形成在該濃度電子區域上的氮化膜2進行開孔而形成銀之公知的電極。
匯流排電極32係於複數個指狀電極31之上側朝直角方向設置的電極，且將藉由指狀電極31而取出的電子予以集中，並藉由圖示以外的帶狀導線5(參照第5圖)往外部取出者。
鋁電極33係形成在矽基板1之背面的鋁電極。
銀電極34係以直接接觸於矽基板1的方式將銀膏塗覆‧燒結於形成在矽基板1上的鋁電極33之孔
的部分而形成之牢固地固著於矽基板1之銀的電極。
ABS焊料(電極)35係將ABS焊料(由Sn+Zn所構成的焊料)直接焊接於鋁電極331孔的部分而成者，且牢固地直接預焊於(或與導線一起焊接)基板1而成者。
第16圖的(a)係示意地顯示本發明之太陽能電池之矽基板1之表面。於橫向斷續之線狀的部分係匯流排電極32，且示意地顯示將膏予以塗覆‧乾燥‧燒結而形成之斷續的直線上的部分。在此圖示之斷續的匯流排電極32之情形時，該匯流排電極32可為導電性也可為非導電性之其中任一者。於該匯流排電極32之下側朝直角方向形成的指狀電極31的部分不設置匯流排電極32，僅在未具有指狀電極31的部分形成匯流排電極32。如此一來，從此匯流排電極32上將導線焊接於具有匯流排電極32的部分，並且直接焊接(超音波焊接)在無匯流排電極32之部分突出的指狀電極31。另一方面，並非第16圖(a)之斷續的匯流排電極32，而在連續的匯流排電極32時，則於其上僅將導線整面地焊接即可。
第16圖的(b)係示意地顯示太陽能電池之基板1的背面。圖示的情形係於背面的整面形成有鋁電極。
第16圖的(c)係示意地顯示以往手法的改善例。於太陽能電池之矽基板1的表面，在與指狀電極31呈直角方向，如圖所示地橫向形成有匯流排電極32。
另一方面，將圖示以外的導線直接焊接至背面整面所形成的鋁電極33的情形時，當引拉該導線時，
就簡單容易地從矽基板1剝落，經常產生製品不良的情形。因此，為了將導線牢固地固著於矽基板1的背側，則如第16圖之(c)所示，於形成在矽基板1之背面的整面的鋁電極開孔而將銀膏對該部分進行塗覆‧乾燥‧燒結而如圖式所示使之牢固地固著於矽基板1，並將圖示以外的導線焊接於該牢固地固著的銀電極，以將該導線牢固地固定於矽基板1的方式謀求改善者。
第16圖的(d)係示意地顯示本發明的ABS手法。於太陽能電池之矽基板1的表面，以圖示的方式朝向與指狀電極31呈直角之方向橫向地形成有匯流排電極32。匯流排電極32係如以上所述可為斷續的線狀者或線狀者之其中任一者。為斷續的線狀者時，導電性或非導電性之其中任一者皆可，惟必須使用強力固著於底層(氮化膜2)的膏進行塗覆‧乾燥‧燒結。
另一方面，將圖示以外的導線直接焊接至背面整面所形成的鋁電極33的情形時，當引拉該導線時，就簡單容易地從矽基板1剝落，為了解決該以往的缺點，乃對形成於矽基板11背面整面的鋁電極所形成之孔的部分直接進行ABS焊接(超音波焊接)。此ABS焊料35係可預先以ABS焊料進行預備焊接，也可在將導線焊接時對鋁電極33及該鋁電極33之孔之已開孔的部分的矽基板1的雙方直接焊接(超音波焊接)。
如以上所述，在矽基板1的表面將匯流排電極32形成斷續的線狀而將導線直接予以ABS焊接在(使用
Sn+Zn焊料的焊接)該斷續的鋁電極33及露出於無該匯流排電極32的指狀電極31之兩者，藉此即能夠使導線牢固地固著於基板1的表面且減少電阻值，以提高效率。
另一方面，將導線焊接在矽基板1之背面整面所形成的鋁電極時，藉由對鋁電極33及開有該鋁電極33之孔的部分的矽基板1直接予以ABS焊接(或對已預焊後的ABS焊料35焊接)，能夠使導線牢固地固著於基板1的背面且減少電阻值而提高效率。
第17圖顯示本發明之電流特性測定例。橫軸係表示太陽能電池的輸出電壓，縱軸係表示電流，實線係表示第16圖(c)之習知方法(使用銀電極34的方法)的測定例，虛線係表示第16圖(d)之本發明之ABS手法(不使用銀電極34而使用ABS焊料的手法)的測定例。
第17圖中，本發明之虛線之ABS手法的測定例，其值(V與I)係從電壓較小的部分至較大的部分整體性地變大，而獲得太陽能電池的效率高約0.2至1%的值。
第18圖係顯示本發明的拉伸試驗說明圖。
第18圖(a)係顯示預焊(預焊面積(2mm×25mm))之例。如圖式所示，使用ABS焊接(Sn+Zn焊料)對矽基板40進行預焊(超音波焊接)。此時，預焊的面積係如圖式所示設成2mm×25mm之橫寬的矩形。
第18圖(b)係顯示帶狀導線之焊接的例子。如圖式所示，如第18圖(a)所示，在矽基板40上將帶狀導線重疊於已預焊的部分，而從其上方壓上烙鐵的狀態下，
使帶狀導線(預先形成有ABS焊料之具有預焊的帶狀導線)往帶狀導線的長度方向移動，並進行兩者的焊接(亦可為超音波焊接或無超音波焊接之其中任一者)。
第18圖(c)係顯示拉伸方向(與帶狀導線方向呈180度反向)的例子。如圖式所示，將帶狀導線往與已焊接之帶狀導線方向呈180度相反之將帶狀導線剝離的方向拉伸，而測定此時的拉伸強度。
第18圖(d)係顯示拉伸試驗裝置例。如圖式所示，在將帶狀導線往右方向焊接的狀態下，將帶狀導線往與帶狀導線方向呈相反的左方向彎折並以鉤來拉伸。於鉤的前端設置有圖示以外的拉伸強度測定器，將拉伸強度慢慢地增大，而實測導線被剝離時的強度(拉伸強度)。
藉由以上方式，將ABS焊料對矽基板40進行超音波焊接，並於該部分將附有ABS焊料的帶狀導線予以焊接(超音波或無超音波焊接)，將導線往180度相反方向的剝離方向拉伸，並測定導線剝離時的拉伸強度，藉此能夠實測直接將導線焊接於矽基板40時的拉伸強度。
第19圖係顯示本發明的拉伸試驗實測例。圖中的橫軸係表示矽基板40之以下記載的類別，縱軸係表示拉伸強度(N/0.5cm2)。此外，圖中的條件(1)、(2)、(3)係表示表3的以下記載。各圖表係分別試驗5個而求取其平均值並予以繪圖。
類別：類別(a)：POLY-SI(A)：多晶矽基板(A)
類別(b)：MONO-SI(A)：單晶矽基板(A)
類別(c)：POLY-SI(B)：多晶矽基板(B)
此外，條件(1)、(2)、(3)係分別表示第2圖之以下記載。
條件：
於第19圖中，類別(a)係顯示於多晶質矽基板(A)40上，以條件(1)、(2)、(3)將帶狀導線分別如第18圖所示進行焊接，而測定往180度相反方向進行拉伸試驗時的拉伸強度測定例。條件(3)的「習知之焊接(Sn+Pb)」的拉伸強度較小，條件(1)、(2)的「ABS焊接(Sn+Zn)」的拉伸強度較高。特別是條件(1)的「ABS焊接」且帶狀導線往基板焊接時為「有超音波」時，高約2倍的拉伸強度。此外，以往之容
許的拉伸強度係在第19圖之左側的刻度為2.0，因此條件(1)、(2)也可獲得約2倍的拉伸強度。此乃對基板的預焊係由於「有超音波」所造成者。無超音波之預焊則為2以下，無法被使用。
同樣地，類別(b)係顯示於單晶質矽基板(A)40上，以條件(1)、(2)、(3)將帶狀導線分別如第18圖所示進行焊接，而測定往180度相反方向進行拉伸試驗時的拉伸強度測定例。條件(3)、(2)的「習知之焊接(Sn+Pb)」、「ABS焊接(Sn+Zn)」的拉伸強度較小。條件(1)的「ABS焊接)」且帶狀導線之對基板焊接時，「有超音波」時拉伸強度高約2倍。
同樣地，類別(c)係顯示於多晶矽基板(A)40上，以條件(1)、(2)、(3)將帶狀導線分別如第18圖所示進行焊接，而測定往180度相反方向進行拉伸試驗時的拉伸強度測定例。條件(3)的「習知之焊接(Sn+Pb)」的拉伸強度較小，「ABS焊接(Sn+Zn)」的拉伸強度稍高一些。而且，條件(1)的「ABS焊接」且帶狀導線對基板焊接時為「有超音波」時，拉伸強度高約2倍。
如以上所述，由實驗確認在「對基板的焊接使用超音波」、「帶狀導線之表面的材料為ABS焊接(Sn+Zn)」且「帶狀導線對基板的焊接使用超音波」的情形下，拉伸強度為最高，可獲得以往所容許的拉伸強度2.0之約7.5倍的拉伸強度(參照第19圖之類別(c)的條件(1))。
表3係顯示本發明之拉伸試驗實測例(第19圖的說明)。此乃分別顯示既述的第21圖的條件(1)、(2)、
(3)的具體條件例。
Claims (15)
- 一種太陽能電池，係於基板上形成照射光等時會產生高電子濃度之區域，並在該區域上形成光會穿透的絕緣膜，該絕緣膜之上形成有屬於用以從前述區域取出電子之取出口的指狀電極，並形成有電路而透過該指狀電極將前述電子取出至外部並且使前述電子從前述基板的背面流入，該太陽能電池包括：於前述基板之背面以整面形成鋁電極或於鋁電極的一部分形成孔，於該所形成的鋁電極之整面的一部分的鋁電極之部分或形成有孔而於內部露出基板之部分，以焊料直接焊接取出線，使前述電子從該基板的背面流入，並且將該取出線固定於前述基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，前述鋁電極之整面的一部分或形成有孔的部分係作為與表面的前述取出線對應的部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，前述焊接係為超音波焊接。
- 如申請專利範圍第2項所述之太陽能電池，其中，前述焊接係為超音波焊接。
- 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中，要藉由前述焊接而焊接前述取出線的部分，係預先進行了無超音波預備焊接者或依據需要進行了超音波預備焊接者。
- 如申請專利範圍第2項所述之太陽能電池，其中，要藉 由前述焊接而焊接前述取出線的部分，係預先進行了無超音波預備焊接者或依據需要進行了超音波預備焊接者。
- 如申請專利範圍第5項所述之太陽能電池，其中，在對要焊接前述取出線的部分進行了前述預備焊接時，前述取出線係以無超音波方式經焊接者。
- 如申請專利範圍第6項所述之太陽能電池，其中，在對要焊接前述取出線的部分進行了前述預備焊接時，前述取出線係以無超音波方式經焊接者。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之太陽能電池，其中，要藉由前述焊接而焊接的前述取出線，係預先進行了預備焊接者。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之太陽能電池，其中，前述取出線的焊接係在將要被焊接的部分之溫度預備加熱至焊料會熔融的溫度以下且為室溫以上的狀態下，進行了焊接者。
- 如申請專利範圍第9項所述之太陽能電池，其中，前述取出線的焊接係在將要被焊接的部分之溫度預備加熱至焊料會熔融的溫度以下且為室溫以上的狀態下，進行了焊接者。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之太陽能電池，其中，前述焊料係錫或在錫包含鋅、銅、銀之其中一種以上。
- 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之太陽能電 池，其中，於前述基板的背面形成鋁電極之區域下方的基板上的任意部分係預先形成有絕緣膜，而降低了形成在該基板之背面之鋁電極所導致的電荷的再結合。
- 如申請專利範圍第13項所述之太陽能電池，其中，於前述任意部分預先形成之絕緣膜，係以與表面的指狀電極的方向平行地將該鋁電極分離成細長狀的方式所形成者。
- 一種太陽能電池的製造方法，該太陽能電池係於基板上形成照射光等時會產生高電子濃度之區域，並且在該區域之上形成光等會穿透的絕緣膜，於該絕緣膜上形成屬於用以從前述區域取出電子之取出口的指狀電極，並形成電路而透過該指狀電極將前述電子取出至外部，並且使前述電子從前述基板的背面流入，該太陽能電池之製造方法係於前述基板之背面以整面形成鋁電極或於鋁電極的一部分形成孔，於該所形成的鋁電極之整面的一部分的鋁電極之部分或形成有孔而於內部露出基板之部分，以焊料直接焊接取出線，使前述電子從該基板的背面流入並且將該取出線固定於前述基板。
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