JPWO2019173170A5

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Publication number: JPWO2019173170A5
Application number: JP2020546171A
Authority: JP
Publication date: 2022-03-10
Anticipated expiration: 2039-03-04

Claims

半導体構造可視化方法であり、
半導体計量ツールにおいて、
半導体論理回路及び半導体記憶回路のうち少なくとも一方を備える半導体ウェハ上で、その半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数個のインスタンスが少なくとも一次元的に周期配列されているエリアを検査し、
１個又は複数個のプロセッサと、当該１個又は複数個のプロセッサにより実行される命令群が格納されたメモリと、を備えるコンピュータシステムにおいて、
前記検査を踏まえ、前記３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成し、
そのモデルの拡張現実又は仮想現実（ＡＲ／ＶＲ）画像であり、そのモデルの３Ｄ形状を示すＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングし、且つ
前記ＡＲ／ＶＲ画像を表示のためにＡＲ／ＶＲ表示装置に供給する、
方法。
請求項１に記載の方法であり、前記ＡＲ／ＶＲ画像が前記モデルを第１視角からレンダリングした第１ＡＲ／ＶＲ画像である方法であって、更に、その第１ＡＲ／ＶＲ画像を表示のため前記ＡＲ／ＶＲ看取表示装置に送った後に、
視角の変更を求めるユーザ入力を受け取り、
そのユーザ入力に応じ、前記モデルの第２ＡＲ／ＶＲ画像を第２視角からレンダリングし、且つ
その第２ＡＲ／ＶＲ画像を表示のため前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に送る、
方法。
請求項１に記載の方法であり、前記ＡＲ／ＶＲ画像が前記モデルの第１ＡＲ／ＶＲ画像であり、その外見が、前記検査中に収集された計測結果に基づき決定されるそのモデルのパラメタの値に対応し、前記方法が更に、その第１ＡＲ／ＶＲ画像を表示のため前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に送った後に、
前記パラメタの値に対する変更を求めるユーザ入力を受け取り、
そのユーザ入力に応じ前記モデルに係る前記パラメタの値を変更し、
その変更に対応する外見を有するそのモデルの第２ＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングし、且つ
その第２ＡＲ／ＶＲ画像を表示のため前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に送る、
方法。
請求項１に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記モデルにおける前記３Ｄ形状の不確定性を示す、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記３Ｄ形状又はその３Ｄ形状の断面の、公称形状からのずれを示す、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記３Ｄ形状の連続部分を相次いで示すアニメーションを含む、方法。
請求項６に記載の方法であって、前記アニメーションが前記３Ｄ形状の回転を示す、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記レンダリングが前記モデルに関するデータを前記ＡＲ／ＶＲ画像上に重ね合わせることを含む、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数個のインスタンスが、３Ｄメモリにおけるメモリホール群の周期配列を含み、且つ
その３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別メモリホールを含む、
方法。
請求項９に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が前記個別メモリホールの楕円形状を示す、方法。
請求項１０に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記個別メモリホールのヘリシティを示し、そのヘリシティが前記楕円形状の向きの変化を示す、方法。
請求項９に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記個別メモリホールに関し楕円形状からのずれを示す、方法。
請求項９に記載の方法であって、前記ＡＲ／ＶＲ画像が、前記個別メモリホールの傾斜を示す、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数個のインスタンスがｆｉｎＦＥＴ群の周期配列を含み、且つ
その３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別ｆｉｎＦＥＴ又は個別ｆｉｎＦＥＴの一部分を含む、
方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数個のインスタンスがＤＲＡＭセル群のアレイを含み、且つ
その３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別ＤＲＡＭセル又は個別ＤＲＡＭセルの一部分を含む、
方法。
請求項１に記載の方法であって、前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスのモデルを生成することが、
その３Ｄ半導体構造の幾何モデルでありパラメタ化寸法によるものを取得し、且つ
前記検査中に収集された計測結果を用い、それらパラメタ化寸法の値を決定すること、を含む、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスのモデルを生成することが、
その３Ｄ半導体構造の変動インスタンスに関し計測結果の集合を取得し、それら集合に個々の寸法値で以てラベル付けし、且つ
前記検査中に収集された計測結果及び前記集合を用い機械学習を実行することで、前記個別インスタンスに係る寸法の値を決定すること、を含み、
前記モデル生成を、前記３Ｄ半導体構造のパラメタ化幾何モデルを用いることなく実行する方法。
請求項１に記載の方法であって、前記半導体ウェハのエリアを検査することが、分光エリプソメトリ、単一波長エリプソメトリ、ビームプロファイルエリプソメトリ、ビームプロファイルリフレクトメトリ、単一波長リフレクトメトリ、角度分解リフレクトメトリ、分光リフレクトメトリ、スキャタロメトリ及びラマンスペクトロスコーピで構成される集合から選択された光学計量技術を実行すること、を含む方法。
請求項１に記載の方法であって、前記半導体ウェハのエリアを検査することが、小角Ｘ線散乱を実行すること、を含む方法。
半導体検査システムであって、
半導体計量ツールと、
１個又は複数個のプロセッサと、
前記１個又は複数個のプロセッサにより実行される１個又は複数個のプログラムが格納されたメモリと、
を備え、前記１個又は複数個のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数個のインスタンスが周期配列されているエリアの、前記半導体計量ツールによる検査を踏まえ、その３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成させる命令、
そのモデルの拡張現実又は仮想現実（ＡＲ／ＶＲ）画像であり、そのモデルの３Ｄ形状を示すＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングさせる命令、並びに
そのＡＲ／ＶＲ画像を表示のためにＡＲ／ＶＲ表示装置に供給させる命令、
を含む半導体検査システム。
コンピュータシステムに備わる１個又は複数個のプロセッサにより実行される１個又は複数個のプログラムが格納された非一時的コンピュータ可読格納媒体であり、当該１個又は複数個のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数個のインスタンスが周期配列されているエリアの、半導体計量ツールによる検査を踏まえ、その３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成させる命令、
そのモデルの拡張現実又は仮想現実（ＡＲ／ＶＲ）画像であり、そのモデルの３Ｄ形状を示すＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングさせる命令、並びに
そのＡＲ／ＶＲ画像を表示のためにＡＲ／ＶＲ表示装置に供給させる命令、
を含む非一時的コンピュータ可読格納媒体。
コンピュータシステムの１つまたは複数のプロセッサによって実行するための１つまたは複数のプログラムを格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
前記１つまたは複数のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであって、三次元（３Ｄ）半導体構造の複数のインスタンスが周期配列されているエリアの、半導体計量ツールによる検査にもとづき、前記３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成し、
前記モデルの３Ｄ形状を示す、そのモデルの画像であって、前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスの頂面及び底面のうち少なくとも一方と、その３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスのユーザ選択可能な半透明断面であり前記頂面及び底面間にあるユーザ選択可能な半透明断面とを備える画像をレンダリングし、
前記画像を表示用のための装置に供給する、ための命令を含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が２次元で表示される前記モデルの投影像を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記モデルにおける前記３Ｄ形状の不確定性を示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記３Ｄ形状又はその３Ｄ形状の断面の、公称形状からのずれを示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記３Ｄ形状の連続部分を相次いで示すアニメーションを含む、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記画像が３Ｄ立体画像であり、
前記画像を供給することがその画像を３Ｄ立体ビュワに送ることを含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数のインスタンスが、３Ｄメモリにおけるメモリホール群の周期配列を含み、
前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別メモリホールを含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２８に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記個別メモリホールの複数の断面に関し、前記個別メモリホールの楕円形状を示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２９に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記複数の断面に関し前記個別メモリホールのヘリシティを示すものであり、そのヘリシティが前記楕円形の向きの変化を示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２８に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記複数の断面に関し楕円形状からのずれを示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２８記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記画像が、前記個別メモリホールの傾斜を示す、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数のインスタンスがｆｉｎＦＥＴ群の周期配列を含み、
前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別ｆｉｎＦＥＴ又は個別ｆｉｎＦＥＴの一部分を含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記３Ｄ半導体構造の前記複数のインスタンスがＤＲＡＭセル群のアレイを含み、
前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスが個別ＤＲＡＭセル又は個別ＤＲＡＭセルの一部分を含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスのモデルを生成することが、
パラメタ化寸法を有する、前記３Ｄ半導体構造の幾何モデルを取得し、
前記検査中に収集された計測結果を用い、前記パラメタ化寸法の値を求めること、
を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記３Ｄ半導体構造の前記個別インスタンスのモデルを生成することが、
前記３Ｄ半導体構造の変動インスタンスに関し計測結果の集合を取得し、それら集合に個々の寸法値でラベル付けし、
前記検査中に収集された計測結果及び前記集合を用いて機械学習を実行することで、前記個別インスタンスに係る寸法の値を決定すること、を含み、
前記モデルの生成が、前記３Ｄ半導体構造のパラメタ化幾何モデルを用いずに実行される、コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体ウェハのエリアを検査することが、
分光エリプソメトリ、単一波長エリプソメトリ、ビームプロファイルエリプソメトリ、ビームプロファイルリフレクトメトリ、単一波長リフレクトメトリ、角度分解リフレクトメトリ、分光リフレクトメトリ、スキャタロメトリ及びラマンスペクトロスコーピで構成されるグループから選択された光学計量技術を実行することを含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体ウェハのエリアを検査することが、小角Ｘ線散乱を実行することを含む、コンピュータ可読記憶媒体。
コンピュータシステムの１つ又は複数のプロセッサにより実行される１つ又は複数のプログラムが格納された非一時的コンピュータ可読記憶媒体であり、前記１つ又は複数のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数個のインスタンスが周期配列されているエリアの、半導体計量ツールによる検査にもとづき、その３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成し、
前記モデルの第１拡張現実又は仮想現実（ＡＲ／ＶＲ）画像であり、そのモデルの３Ｄ形状を示す第１ＡＲ／ＶＲ画像を、第１視角からレンダリングし、
前記第1のＡＲ／ＶＲ画像を表示のためにＡＲ／ＶＲ表示装置に供給する、
ための命令を含み、
その第１ＡＲ／ＶＲ画像を表示のために前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に送った後に、
視角の変更を求めるユーザ入力を受け取り、
前記ユーザ入力に応じ、前記モデルの第２ＡＲ／ＶＲ画像を第２視角からレンダリングし、
前記第２ＡＲ／ＶＲ画像を表示のため前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に提供する、
非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
コンピュータシステムの１つ又は複数のプロセッサにより実行される１つ又は複数のプログラムが格納された非一時的コンピュータ可読記憶媒体であり、前記１つ又は複数のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数のインスタンスが周期配列されているエリアの、半導体計量ツールによる検査にもとづき、前記３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成し、
前記モデルの第１拡張現実又は仮想現実（ＡＲ／ＶＲ）画像であり、その外見が、前記検査中に収集された計測結果に基づき決定されるそのモデルのパラメタの値に対応する、第１ＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングし、
前記第１ＡＲ／ＶＲ画像を表示のためにＡＲ／ＶＲ表示装置に提供し、
前記第１ＡＲ／ＶＲ画像を表示のために前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に送った後に、前記パラメタの値に対する変更を求めるユーザ入力を受け取り、
前記ユーザ入力に応答して、前記モデルに係る前記パラメタの値を変更し、
前記変更された値に対応する外見を有する前記モデルの第２ＡＲ／ＶＲ画像をレンダリングし、
前記第２ＡＲ／ＶＲ画像を表示のために前記ＡＲ／ＶＲ表示装置に提供する、
ための命令を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
コンピュータシステムの１つ又は複数のプロセッサにより実行される１つ又は複数のプログラムが格納された非一時的コンピュータ可読記憶媒体であり、前記１つ又は複数のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり、三次元（３Ｄ）半導体メモリにおけるメモリホールの周期配列を含むエリアの、半導体計量ツールによる検査にもとづき、個別メモリホールのモデルを生成し、
前記モデルの３Ｄ形状を示す前記モデルの画像をレンダリングし、
前記画像を表示のための装置に提供する、ための命令を含み、
前記画像が、前記個別メモリホールの複数の断面に関し、前記個別メモリホールの楕円形状を示すとともに、前記複数の断面に対して前記個別メモリホールのヘリシティを示し、
前記ヘリシティが前記楕円形状の向きの変更を示す、コンピュータ可読記憶媒体。
コンピュータシステムの１つ又は複数のプロセッサにより実行される１つ又は複数のプログラムが格納された非一時的コンピュータ可読記憶媒体であり、前記１つ又は複数のプログラムが、
半導体ウェハのエリアであり三次元（３Ｄ）半導体構造の複数個のインスタンスが周期配列されているエリアの、半導体計量ツールによる検査にもとづき、その３Ｄ半導体構造の個別インスタンスのモデルを生成し、
前記モデルの３Ｄ形状を示す前記モデルの画像をレンダリングし、
前記画像を表示のための装置提供する、
ための命令を含み、
前記モデルを生成することが、
前記３Ｄ半導体構造の変動インスタンスに関し計測結果の集合を取得し、それら集合に個々の寸法値でラベル付けすること、および
前記検査中に収集された計測結果及び前記集合を用いて機械学習を実行することで、前記個別インスタンスに係る寸法の値を決定すること、を含み、
前記モデルの生成が、前記３Ｄ半導体構造のパラメタ化幾何モデルを用いずに実行される、コンピュータ可読記憶媒体。