JPWO2019171544A1 - Manufacturing method of semiconductor devices and film-like adhesives - Google Patents
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Abstract
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子を電気的に接続する第1のワイヤボンディング工程と、第2の半導体素子を熱硬化性を有する接着剤を介して上記基板に圧着する圧着工程と、上記圧着工程後の接着剤を加圧雰囲気下で加熱することによって上記接着剤を硬化処理する加熱加圧工程と、を備える。加熱加圧工程を経ることにより、上記第1のワイヤの少なくとも一部及び上記第1の半導体素子の少なくとも一方が硬化処理後の接着剤に埋め込まれる。硬化処理前の上記接着剤の120℃における溶融粘度は1000〜3000Pa・sである。The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a first wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a thermocurable second semiconductor element. The present invention includes a crimping step of crimping the substrate via the adhesive having the adhesive, and a heating and pressurizing step of curing the adhesive by heating the adhesive after the crimping step in a pressurized atmosphere. By going through the heating and pressurizing step, at least a part of the first wire and at least one of the first semiconductor elements are embedded in the adhesive after the curing treatment. The melt viscosity of the adhesive before the curing treatment at 120 ° C. is 1000 to 3000 Pa · s.
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及びそれに用いられるフィルム状接着剤に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a film-like adhesive used therein.
携帯電話等の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層し、高容量化したスタックドMCP(Multi Chip Package)が普及している。半導体素子の実装には、フィルム状接着剤がダイボンディング用の接着剤として広く用いられている。フィルム状接着剤を使用した多段積層パッケージの一例としてワイヤ埋込型のパッケージが挙げられる。これは、高流動なフィルム状接着剤を使用して圧着することで、圧着される側の半導体素子に接続しているワイヤを接着剤で覆いながら圧着するパッケージのことであり、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリパッケージなどに搭載されている。 With the increasing number of functions of mobile phones and the like, stacked MCPs (Multi Chip Package) in which semiconductor elements are stacked in multiple stages to increase the capacity have become widespread. Film-like adhesives are widely used as adhesives for die bonding in mounting semiconductor devices. An example of a multi-stage laminated package using a film-like adhesive is a wire-embedded package. This is a package in which the wire connected to the semiconductor element to be crimped is crimped while being covered with the adhesive by crimping using a high-fluidity film-like adhesive. It is installed in memory packages for audio equipment.
上記スタックドMCPなどの半導体装置に求められる重要な特性の一つとして接続信頼性が挙げられる。接続信頼性を向上させるために、耐熱性、耐湿性、及び耐リフロー性などの特性を考慮したフィルム状接着剤の開発が行われている。このようなフィルム状接着剤として、例えば、特許文献1には、高分子量成分と、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分と、を含む樹脂及びフィラーを含有する、厚さ10〜250μmの接着シートが提案されている。また、特許文献2には、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む混合物及びアクリル共重合体を含む接着剤組成物が提案されている。 Connection reliability is one of the important characteristics required for semiconductor devices such as the stacked MCP. In order to improve connection reliability, film-like adhesives have been developed in consideration of properties such as heat resistance, moisture resistance, and reflow resistance. As such a film-like adhesive, for example, Patent Document 1 contains a resin and a filler containing a high molecular weight component and a thermosetting component containing an epoxy resin as a main component, and has a thickness of 10 to 250 μm. Adhesive sheets have been proposed. Further, Patent Document 2 proposes an adhesive composition containing a mixture containing an epoxy resin and a phenol resin and an acrylic copolymer.
半導体装置の接続信頼性は、接着面に空隙を発生させることなく半導体素子を実装できているか否かによっても大きく左右される。このため、空隙を発生させずに半導体素子を圧着できるように高流動なフィルム状接着剤を使用する、又は発生した空隙を半導体素子の封止工程で消失させることができるように溶融粘度の低いフィルム状接着剤を使用するなどの工夫がなされている。例えば特許文献3には低粘度且つ低タック強度の接着シートが提案されている。 The connection reliability of the semiconductor device is greatly affected by whether or not the semiconductor element can be mounted without generating voids on the adhesive surface. Therefore, a high-fluidity film-like adhesive is used so that the semiconductor element can be crimped without generating voids, or the melt viscosity is low so that the generated voids can be eliminated in the sealing step of the semiconductor element. Ingenuity has been made such as using a film-like adhesive. For example, Patent Document 3 proposes an adhesive sheet having low viscosity and low tack strength.
ところで、最近、スタックドMCPの製造において、半導体素子を熱硬化性を有する接着剤を介して基板に圧着後、接着剤の硬化処理が加圧オーブン等を使用した加圧雰囲気下で加熱することにより実施されることがある。加圧オーブンは内部の雰囲気を加熱及び加圧することができる装置であり、加圧オーブン中では接着剤が周囲の気体から圧力を受けながら加熱されることになる。これにより、半導体素子の接着面の空隙をより効果的に低減又は消失させることができる。 By the way, recently, in the production of stacked MCP, a semiconductor element is pressure-bonded to a substrate via a thermosetting adhesive, and then the adhesive is cured by heating in a pressurized atmosphere using a pressure oven or the like. May be implemented. The pressure oven is a device that can heat and pressurize the internal atmosphere, and in the pressure oven, the adhesive is heated while receiving pressure from the surrounding gas. Thereby, the voids on the adhesive surface of the semiconductor element can be reduced or eliminated more effectively.
しかしながら、従来の接着フィルムは加圧オーブン中で使用されることが想定されたものではないため、半導体素子の位置ずれが発生する、又は、ワイヤ等の埋込性が不十分となる等の点で改善の余地があった。 However, since the conventional adhesive film is not supposed to be used in a pressure oven, the semiconductor element may be misaligned, or the embedding property of the wire or the like may be insufficient. There was room for improvement.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、接着剤の硬化処理が加圧雰囲気下での加熱によって実施される場合でも、ワイヤ等の埋込性に優れ、且つ、半導体素子の位置ずれの発生を抑制することが可能な、半導体装置の製造方法及びそれに用いられる接着剤を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and even when the adhesive is cured by heating in a pressurized atmosphere, the embedding property of wires and the like is excellent, and the position of the semiconductor element is displaced. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive used for the method, which can suppress the occurrence of.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第1のワイヤを介して第1の半導体素子を電気的に接続する第1のワイヤボンディング工程と、第2の半導体素子を熱硬化性を有する接着剤を介して上記基板に圧着する圧着工程と、上記圧着工程後の接着剤を加圧雰囲気下で加熱することによって上記接着剤を硬化処理する加熱加圧工程と、を備える。上記加熱加圧工程を経ることにより、上記第1のワイヤの少なくとも一部及び上記第1の半導体素子の少なくとも一方が硬化処理後の接着剤に埋め込まれる。上記半導体装置の製造方法において、硬化処理前の上記接着剤の120℃における溶融粘度は1000〜3000Pa・sである。 The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a first wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a thermocurable second semiconductor element. The present invention includes a crimping step of crimping the substrate via the adhesive having the adhesive, and a heating and pressurizing step of curing the adhesive by heating the adhesive after the crimping step in a pressurized atmosphere. By going through the heating and pressurizing step, at least a part of the first wire and at least one of the first semiconductor elements are embedded in the adhesive after the curing treatment. In the method for manufacturing a semiconductor device, the melt viscosity of the adhesive before the curing treatment at 120 ° C. is 1000 to 3000 Pa · s.
本発明者らは、加圧雰囲気下で加熱される熱硬化性接着剤による優れた埋込性を達成するとともに、この接着剤を介して積層される半導体素子の位置ずれを高度に抑制するには、加圧雰囲気下で加熱される過程において接着剤が硬すぎず、また軟らかすぎないことが有用であるとの知見を得た。そして、種々の温度条件及び接着剤の組成で評価試験を繰り返した結果、接着剤の120℃における溶融粘度が加圧雰囲気下で加熱した際の接着剤の流動性を反映しており、更に、その特定の範囲(1000〜3000Pa・s)において、優れた埋込性を達成でき、且つ、半導体素子の位置ずれを高度に抑制できることを見出し、上記発明を完成するに至った。したがって、良好な接続信頼性を示す半導体装置を得ることができる。 The present inventors have achieved excellent embedding property by a thermosetting adhesive heated in a pressurized atmosphere, and highly suppress the misalignment of semiconductor elements laminated via this adhesive. Found that it is useful that the adhesive is not too hard and not too soft in the process of being heated in a pressurized atmosphere. As a result of repeating the evaluation test under various temperature conditions and the composition of the adhesive, the melt viscosity of the adhesive at 120 ° C. reflects the fluidity of the adhesive when heated in a pressurized atmosphere. It has been found that excellent embedding property can be achieved and the misalignment of the semiconductor element can be highly suppressed in the specific range (1000 to 3000 Pa · s), and the above invention has been completed. Therefore, a semiconductor device showing good connection reliability can be obtained.
上記半導体装置の製造方法の上記加熱加圧工程において、上記接着剤を0.1〜1.0MPaの加圧雰囲気下で、60〜175℃で、5分間以上加熱することが好ましい。上記条件にて加熱加圧を行うことにより、埋込性がさらに得られやすくなる。 In the heating and pressurizing step of the method for manufacturing a semiconductor device, it is preferable to heat the adhesive in a pressurized atmosphere of 0.1 to 1.0 MPa at 60 to 175 ° C. for 5 minutes or more. By heating and pressurizing under the above conditions, embedding property can be further easily obtained.
上記半導体装置の製造方法は、上記加熱加圧工程後に、上記第2の半導体素子の上に第3の半導体素子を更に積層する工程を備えていてもよい。この場合、得られる半導体装置の容量を増やすことができる。 The method for manufacturing a semiconductor device may include a step of further laminating a third semiconductor element on the second semiconductor element after the heating and pressurizing step. In this case, the capacity of the obtained semiconductor device can be increased.
上記半導体装置の製造方法は、上記基板と上記第2の半導体素子とを第2のワイヤを介して電気的に接続する第2のワイヤボンディング工程と、上記第2の半導体素子を樹脂で封止する工程と、を更に備えていてもよい。この場合、得られる半導体装置の信頼性が更に高まる。 The method for manufacturing the semiconductor device includes a second wire bonding step of electrically connecting the substrate and the second semiconductor element via a second wire, and sealing the second semiconductor element with a resin. It may further include a step of performing. In this case, the reliability of the obtained semiconductor device is further enhanced.
また、本発明に係る接着剤は、半導体装置の製造プロセスにおいて使用される。上記製造プロセスは、上記接着剤を加圧雰囲気下で加熱する硬化処理を経て、基板上のワイヤの少なくとも一部及び半導体素子の少なくとも一方が硬化処理後の上記接着剤に埋め込まれた状態とする工程を含む。上記接着剤の120℃における溶融粘度が1000〜3000Pa・sである。 Further, the adhesive according to the present invention is used in the manufacturing process of a semiconductor device. In the manufacturing process, the adhesive is cured by heating it in a pressurized atmosphere, and at least a part of the wires on the substrate and at least one of the semiconductor elements are embedded in the adhesive after the curing treatment. Includes steps. The melt viscosity of the adhesive at 120 ° C. is 1000 to 3000 Pa · s.
上記接着剤は、加圧雰囲気下で加熱される過程において硬すぎず、また軟らかすぎないことから、半導体装置の製造における加熱加圧工程において、良好な埋込性を発現しつつ半導体素子が位置ずれの発生を抑制することができる。したがって、良好な接続信頼性を示す半導体装置を得ることができる。 Since the adhesive is neither too hard nor too soft in the process of being heated in a pressurized atmosphere, the semiconductor element is positioned while exhibiting good embedding property in the heating and pressing process in the manufacture of semiconductor devices. The occurrence of deviation can be suppressed. Therefore, a semiconductor device showing good connection reliability can be obtained.
上記接着剤の、ソルダーレジストインキを塗布した上記基板との硬化後の接着力は1.0MPa以上であることが好ましい。この場合、得られる半導体装置の接続信頼性がより良好になる。 The adhesive strength of the adhesive after curing with the substrate coated with the solder resist ink is preferably 1.0 MPa or more. In this case, the connection reliability of the obtained semiconductor device becomes better.
本発明によれば、接着剤の硬化処理が加圧雰囲気下での加熱によって実施される場合でも、ワイヤ等の埋込性に優れ、且つ、半導体素子の位置ずれの発生を抑制することが可能な、半導体装置の製造方法及びそれに用いられる接着剤を提供することができる。 According to the present invention, even when the curing treatment of the adhesive is carried out by heating in a pressurized atmosphere, it is possible to have excellent embedding property of wires and the like and to suppress the occurrence of misalignment of semiconductor elements. A method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive used for the method can be provided.
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。なお、本明細書における「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及びそれに対応する「メタクリル」を意味する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts will be designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. Further, unless otherwise specified, the positional relationship such as up, down, left, and right shall be based on the positional relationship shown in the drawings. Furthermore, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the ratios shown. In addition, "(meth) acrylic" in this specification means "acrylic" and "methacryl" corresponding thereto.
(半導体装置の製造方法)
本実施形態に係る半導体装置の製造方法について以下に説明する。まず、図1に示すように、基板14上の回路パターン94上に、接着剤41付き第1の半導体素子Waを圧着し、第1のワイヤ88を介して基板14上の回路パターン84と第1の半導体素子Waとを電気的にボンディング接続する(第1のワイヤボンディング工程)。(Manufacturing method of semiconductor device)
The method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described below. First, as shown in FIG. 1, the first semiconductor element Wa with the adhesive 41 is crimped onto the
次に、図2に示すフィルム状接着剤付き半導体素子を得る。まず、基材フィルム上に熱硬化性を有するフィルム状接着剤10が積層された接着シートを準備する。フィルム状接着剤10及び接着シートの製造方法については後述する。半導体ウェハの片面に、接着シートをラミネートし、基材フィルムを剥がすことで、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤10を貼り付ける。半導体ウェハの厚さは例えば50μmであり、サイズは例えば8インチであり、フィルム状接着剤10の厚さは例えば135μmである。そして、フィルム状接着剤10にダイシングテープ60を貼り合わせた後、7.5mm角にダイシングすることにより、図2に示すように、第2の半導体素子Waaと、この上に貼付されたフィルム状接着剤10とを備えるフィルム状接着剤付き半導体素子102が得られる(ラミネート工程)。
Next, the semiconductor device with a film-like adhesive shown in FIG. 2 is obtained. First, an adhesive sheet in which a thermosetting film-
ラミネート工程は、50〜100℃で行うことが好ましく、60〜80℃で行うことがより好ましい。ラミネート工程の温度が50℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が100℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤10が過度に流動することが抑えられるため、厚みの変化等を引き起こすことを防止できる。
The laminating step is preferably performed at 50 to 100 ° C., more preferably 60 to 80 ° C. When the temperature of the laminating step is 50 ° C. or higher, good adhesion to the semiconductor wafer can be obtained. When the temperature of the laminating step is 100 ° C. or lower, the film-
ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いる方法(ブレードダイシング)、レーザーによりフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤との両方を切断する方法、及び、常温又は冷却条件下での伸張など汎用の方法等が挙げられる。 The dicing method includes, for example, a method using a rotary blade (blade dicing), a method of cutting both a film-like adhesive or a wafer and a film-like adhesive with a laser, and general-purpose stretching under normal temperature or cooling conditions. The method and the like can be mentioned.
そして、フィルム状接着剤付き半導体素子102を、フィルム状接着剤10側が基板15に向くように、第1の半導体素子Waが第1のワイヤ88を介してボンディング接続された基板14に圧着する。具体的には、図3に示すように、フィルム状接着剤付き半導体素子102を、フィルム状接着剤10が第1の半導体素子Waを覆うように載置し、次いで、図4に示すように、第2の半導体素子Waaをフィルム状接着剤10と共に基板14に圧着させることで基板14に第2の半導体素子Waaを固定する(圧着工程)。圧着工程では、フィルム状接着剤10を80〜180℃、0.01〜0.50MPaの条件で0.5〜3.0秒間圧着することが好ましい。
Then, the
圧着工程の後、フィルム状接着剤10は加圧雰囲気下で加熱される(加熱加圧工程)。図4に示すように、第2の半導体素子Waaは、第1の半導体素子Waよりも大きい面積を有しており、フィルム状接着剤10は基板14上の第1のワイヤ88のみならず、第1の半導体素子Waをも埋め込んでいる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法が上記加熱加圧工程を備えることで、一般的にワイヤよりも厚く、埋込が困難である半導体素子をも埋め込むことが可能となる。圧着工程で仮に半導体素子と基板との接着面の空隙が残っている場合であっても、加熱加圧工程を経ることにより空隙をより確実に消失又は低減させることができるからである。更に、本実施形態において用いられるフィルム状接着剤10は、120℃において、3000Pa・s以下、好ましくは2500Pa・s以下の溶融粘度を有する。これにより、上記圧着工程において良好な埋込性が得られ、仮に空隙が残っている場合にも、加熱加圧工程において良好に消失又は低減しやすくなる。一方、本実施形態において用いられるフィルム状接着剤10は、120℃において、1000Pa・s以上の溶融粘度を有する。これにより、加熱加圧工程おいて、半導体素子の位置ずれの発生を抑制することができる。
After the crimping step, the film-
加熱加圧工程において、加圧雰囲気下での加熱は、例えば、製造中の半導体装置を加圧オーブン中に投入することにより行われる。加圧オーブン中の加熱温度は例えば60〜175℃であり、80〜160℃、又は100〜150℃であることが好ましい。加圧雰囲気における圧力は例えば0.1〜1.0MPaであり、0.2〜1.0MPa、0.3〜1.0MPa、又は0.5〜1.0MPaであることが好ましい。加圧雰囲気下での加熱は例えば5分間以上行われる。上記条件にて加熱加圧を行うことにより、埋込性がさらに得られやすくなる。 In the heating and pressurizing step, heating in a pressurized atmosphere is performed, for example, by putting the semiconductor device being manufactured into a pressurizing oven. The heating temperature in the pressure oven is, for example, 60 to 175 ° C, preferably 80 to 160 ° C, or 100 to 150 ° C. The pressure in the pressurized atmosphere is, for example, 0.1 to 1.0 MPa, preferably 0.2 to 1.0 MPa, 0.3 to 1.0 MPa, or 0.5 to 1.0 MPa. Heating in a pressurized atmosphere is performed for, for example, 5 minutes or more. By heating and pressurizing under the above conditions, embedding property can be further easily obtained.
次いで、図5に示すように、基板14と第2の半導体素子Waaとを第2のワイヤ98を介して電気的に接続した後(第2のワイヤボンディング工程)、図6に示すように、回路パターン84、第2のワイヤ98及び第2の半導体素子Waaを封止材42で封止する。このような工程を経ることで半導体装置200を製造することができる。
Then, as shown in FIG. 5, after the
本実施形態に係る製造方法によって得られた半導体装置200では、基板14上に第1のワイヤ88を介して第1の半導体素子Waがワイヤボンディング接続されると共に、第1の半導体素子Wa上に、第1の半導体素子Waの面積よりも大きい第2の半導体素子Waaがフィルム状接着剤10を介して圧着されている。また、半導体装置200では、第1のワイヤ88及び第1の半導体素子Waがフィルム状接着剤10に埋め込まれている。すなわち、本実施形態に係る製造方法によって得られた半導体装置200はワイヤ及び半導体素子埋込型の半導体装置である。また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、フィルム状接着剤10による埋込性が良好であり、半導体素子の位置ずれがないことから、良好な接続信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
In the
また、半導体装置200では、基板14と第2の半導体素子Waaとが更に第2のワイヤ98を介して電気的に接続されると共に、第2の半導体素子Waaが封止材42により封止されている。これにより、得られる半導体装置の信頼性が更に高まる。
Further, in the
第1の半導体素子Waの厚みは例えば10〜170μmであり、第2の半導体素子Waaの厚みは例えば20〜400μmである。フィルム状接着剤10の厚みは例えば20〜200μmであり、好ましくは30〜200μmであり、より好ましくは40〜150μmである。フィルム状接着剤10内部に埋め込まれている第1の半導体素子Waは、半導体装置200を駆動するためのコントローラチップである。
The thickness of the first semiconductor element Wa is, for example, 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor element Wa is, for example, 20 to 400 μm. The thickness of the film-
基板14は、表面に回路パターン84,94がそれぞれ二箇所ずつ形成された有機基板90からなる。第1の半導体素子Waは、回路パターン94上に接着剤41を介して圧着されており、第2の半導体素子Waaは、第1の半導体素子Waが圧着されていない回路パターン94、第1の半導体素子Wa、及び回路パターン84の一部を覆うようにフィルム状接着剤10を介して基板14に圧着されている。基板14上の回路パターン84,94に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤10が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材42により、第2の半導体素子Waa、回路パターン84及び第2のワイヤ98が封止されている。
The
(フィルム状接着剤)
次に、本実施形態に係る接着剤について、フィルム状接着剤を例に挙げて説明する。フィルム状接着剤は上記半導体装置の製造方法に使用される。図7は、フィルム状接着剤10を模式的に示す断面図である。フィルム状接着剤10は、熱硬化性であり、半硬化(Bステージ)状態を経て、硬化処理後に完全硬化物(Cステージ)状態となり得る接着剤組成物をフィルム状に成形することにより作製できる。(Film-like adhesive)
Next, the adhesive according to the present embodiment will be described by taking a film-like adhesive as an example. The film-like adhesive is used in the method for manufacturing a semiconductor device. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the film-
フィルム状接着剤10は、120℃において、3000Pa・s以下の溶融粘度を有する。これにより、半導体素子を圧着時に良好な埋込性が得られ、加圧オーブン中で良好にボイドを消失又は低減することができる。一方で、フィルム状接着剤10は、120℃において、1000Pa・s以上の溶融粘度を有する。これにより、加圧加熱工程における半導体素子の位置ずれの発生を抑制することができる。上記溶融粘度の上限値は、2800Pa・s、2500Pa・s、又は2200Pa・sであってもよい。上記溶融粘度の下限値は、1200Pa・s、1500Pa・s、又は2000Pa・sであってもよい。
The film-
なお、溶融粘度は、ARES(TA Instruments社製)を用い、フィルム状接着剤10に5%の歪みを与えながら5℃/分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
The melt viscosity means a measured value when measured using ARES (manufactured by TA Instruments) while giving a strain of 5% to the film-
また、フィルム状接着剤10は、ソルダーレジストインキ(例えば、商品名:AUS308、太陽インキ製造(株)製)を塗布した基板への硬化後の接着力が1.0MPa以上であることが好ましい。この場合、得られる半導体装置の接続信頼性がより良好になる。
Further, the film-
フィルム状接着剤10は、例えば、(a)熱硬化性成分、(b)高分子量成分、及び、(c)フィラー、並びに、必要に応じて、(d)硬化促進剤、及び、(e)カップリング剤を含有することができる。上記溶融粘度の範囲は、例えば、(a)熱硬化性成分、(b)高分子量成分、(c)フィラーの種類及び含有量等を調整することで実現できる。
The film-
フィルム状接着剤10は、フィルム状接着剤10の全量を基準として、(a)熱硬化性成分を20〜60質量%含有することができる。
The film-
(a)熱硬化性成分は熱硬化性樹脂であることができ、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するエポキシ樹脂及びフェノール樹脂等であることができる。 (A) The thermosetting component can be a thermosetting resin, and can be an epoxy resin, a phenol resin, or the like having heat resistance and moisture resistance required when mounting a semiconductor element.
(a)成分のエポキシ樹脂としては、芳香環含有エポキシ樹脂、脂肪族環含有エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、及び脂肪族線状エポキシ樹脂等が挙げられる。(a)成分のエポキシ樹脂は、芳香環含有エポキシ樹脂であることが好ましい。また、(a)成分のエポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂であってもよく、二官能エポキシ樹脂であってもよい。 Examples of the epoxy resin of the component (a) include an aromatic ring-containing epoxy resin, an aliphatic ring-containing epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, and an aliphatic linear epoxy resin. The epoxy resin of the component (a) is preferably an aromatic ring-containing epoxy resin. Further, the epoxy resin of the component (a) may be a polyfunctional epoxy resin or a bifunctional epoxy resin.
芳香環含有エポキシ樹脂としては、下記一般式(1)で表されるエポキシ樹脂が挙げられる。式(1)中、nは0〜5の整数を示す。
上記一般式(1)以外の(a)成分の芳香環含有エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、及びビスフェノールE型エポキシ樹脂等、並びにこれらを変性させた二官能エポキシ樹脂などを使用することができる。 Examples of the aromatic ring-containing epoxy resin of the component (a) other than the general formula (1) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, and the like, and bifunctional epoxy obtained by modifying them. Resin or the like can be used.
さらに、上記に挙げたエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を(a)熱硬化性成分として併用してもよい。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂若しくはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、又はグリシジルアミン型エポキシ樹脂などを使用することができる。 Further, an epoxy resin other than the epoxy resin mentioned above may be used in combination as (a) a thermosetting component. For example, a novolac type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin, or a glycidylamine type epoxy resin can be used.
(a)成分のフェノール樹脂としては、脂肪族環含有フェノール樹脂、複素環含有フェノール樹脂、及び脂肪族線状フェノール樹脂等を使用することができる。 As the component phenol resin (a), an aliphatic ring-containing phenol resin, a heterocyclic ring-containing phenol resin, an aliphatic linear phenol resin, or the like can be used.
具体的なフェノール樹脂としては、DIC(株)製のフェノライトKA、TDシリーズ、三井化学株式会社製のミレックスXLC−シリーズとXLシリーズ(例えば、ミレックスXLC−LL)等が挙げられる。フェノール樹脂は、耐熱性の観点から、85℃、85%RHの恒温恒湿槽に48時間投入後の吸水率が2質量%以下で、熱重量分析計(TGA)で測定した350℃での加熱質量減少率(昇温速度:5℃/分、雰囲気:窒素)が5質量%未満のものであることができる。 Specific examples of the phenol resin include Phenolite KA and TD series manufactured by DIC Corporation, and Millex XLC-series and XL series manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. (for example, Millex XLC-LL). From the viewpoint of heat resistance, the phenolic resin has a water absorption rate of 2% by mass or less after being put into a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and 85% RH for 48 hours, and is measured at 350 ° C. by a thermogravimetric analyzer (TGA). The heating mass reduction rate (heating rate: 5 ° C./min, atmosphere: nitrogen) can be less than 5% by mass.
(a)熱硬化性成分は、(a1)軟化点が室温以下又は室温で液体であるエポキシ樹脂及び軟化点が室温以下又は室温で液体であるフェノール樹脂の少なくとも一方(以下、(a1)成分という)と、(a2)軟化点が室温より高いエポキシ樹脂及び軟化点が室温より高いフェノール樹脂の少なくとも一方(以下、(a2)成分という)とを含むことができる。なお、本明細書において室温は23℃を指す。 The thermosetting component is at least one of (a1) an epoxy resin having a softening point of room temperature or less or liquid at room temperature and a phenol resin having a softening point of room temperature or less or liquid at room temperature (hereinafter referred to as (a1) component. ), And (a2) at least one of an epoxy resin having a softening point higher than room temperature and a phenol resin having a softening point higher than room temperature (hereinafter referred to as the component (a2)) can be contained. In this specification, room temperature refers to 23 ° C.
(a1)成分及び(a2)成分のエポキシ樹脂としては、軟化点及び室温での状態に応じて、上記エポキシ樹脂から選択することができる。また、(a1)成分及び(a2)成分のフェノール樹脂としては、軟化点及び室温での状態に応じて、上記フェノール樹脂から選択することができる。 The epoxy resin of the component (a1) and the component (a2) can be selected from the above epoxy resins depending on the softening point and the state at room temperature. The phenolic resin of the component (a1) and the component (a2) can be selected from the above-mentioned phenolic resins according to the softening point and the state at room temperature.
フィルム状接着剤10の120℃における溶融粘度が1000〜3000Pa・sとなるようにするには、例えば、(a1)成分及び(a2)成分の含有量を調整することでも実現できる。
In order to make the melt viscosity of the film-
フィルム状接着剤10が、(a)熱硬化性成分として、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の両方を含む場合、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂は、エポキシ基の数の水酸基の数に対する比が、0.70/0.30〜0.30/0.70となるように配合されることが好ましく、0.65/0.35〜0.35/0.65となるように配合されることがより好ましく、0.60/0.40〜0.40/0.60となるように配合されることが更に好ましく、0.60/0.40〜0.50/0.50となるように配合されることが特に好ましい。フィルム状接着剤10中のエポキシ基の数は、使用したエポキシ樹脂をエポキシ当量で割ったものであり、水酸基の数は、使用したフェノール樹脂を水酸基当量で割ったものとして求めることができる。上記範囲となるように配合することにより、作製したフィルム状接着剤が硬化性を有しやすくなり、未硬化の状態でのフィルム状接着剤の粘度が高くなることを抑制し、流動性を向上させやすくなる。
When the film-
また、ソルダーレジストインキを塗布した基板との硬化後の接着力を1.0MPa以上とするためには、例えば、(a2)成分の含有量を減らす、(c)フィラーの含有量を増やす、(d)硬化促進剤を増やすことで調整することができる。 Further, in order to increase the adhesive strength after curing to the substrate coated with the solder resist ink to 1.0 MPa or more, for example, the content of the component (a2) is reduced, the content of the filler is increased, (c). d) It can be adjusted by increasing the curing accelerator.
フィルム状接着剤10は、フィルム状接着剤10の全量を基準として、(b)高分子量成分を、10〜40質量%含有することができる。(b)高分子量成分の含有量が40質量%以下であると、ダイアッタチ時の溶融性が向上し、埋込性が向上する傾向がある。一方で、(b)高分子量成分の含有量が10質量%以上であると、成膜性が得られやすくなる。
The film-
(b)高分子量成分はアクリル系樹脂であることができ、更に、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得た、−50℃〜50℃のガラス転移温度(Tg)を有する、エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体等のアクリル系樹脂であってもよい。 (B) The high molecular weight component can be an acrylic resin, and further obtained by polymerizing a functional monomer having an epoxy group such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate or a glycidyl group as a crosslinkable functional group, −50 ° C. It may be an acrylic resin such as an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer having a glass transition temperature (Tg) of about 50 ° C.
このような樹脂として、エポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体、及び、エポキシ基含有アクリルゴム等を使用することができ、(b)成分はエポキシ基含有アクリルゴムであってもよい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等との共重合体、及び、エチルアクリレートとアクリロニトリル等との共重合体などからなる、エポキシ基を有しているゴムである。 As such a resin, an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer, an epoxy group-containing acrylic rubber, or the like can be used, and the component (b) may be an epoxy group-containing acrylic rubber. The epoxy group-containing acrylic rubber has an epoxy group containing an acrylic acid ester as a main component and mainly composed of a copolymer of butyl acrylate and acrylonitrile, etc., and a copolymer of ethyl acrylate and acrylonitrile, etc. It is a rubber.
(b)高分子量成分の重量平均分子量は、30万以上であることができ、50万以上であってもよい。また、(b)高分子量成分の重量平均分子量は100万以下であることができ、80万以下であってもよい。(b)高分子量成分の重量平均分子量が30万以上であると、成膜性が向上する傾向がある。(b)高分子量成分の重量平均分子量が100万以下であると未硬化フィルム状接着剤のずり粘度を低減できるため、埋込性がより良好になる。また、未硬化フィルム状接着剤の切削性が改善し、ダイシングの品質が良好になる場合がある。 (B) The weight average molecular weight of the high molecular weight component can be 300,000 or more, and may be 500,000 or more. Further, (b) the weight average molecular weight of the high molecular weight component can be 1 million or less, and may be 800,000 or less. (B) When the weight average molecular weight of the high molecular weight component is 300,000 or more, the film forming property tends to be improved. (B) When the weight average molecular weight of the high molecular weight component is 1 million or less, the shear viscosity of the uncured film-like adhesive can be reduced, so that the embedding property becomes better. In addition, the machinability of the uncured film-like adhesive may be improved, and the quality of dicing may be improved.
(b)高分子量成分のガラス転移温度(Tg)は、−50〜50℃であることができる。(b)高分子量成分のガラス転移温度(Tg)が50℃以下であると、フィルム状接着剤10の柔軟性が良好になる。一方、ガラス転移温度(Tg)が−50℃以上であると、フィルム状接着剤の柔軟性が高くなり過ぎないため、半導体ウェハをダイシングする際にフィルム状接着剤10を切断しやすい。このため、バリの発生によりダイシング性が悪化することを抑えられる。
(B) The glass transition temperature (Tg) of the high molecular weight component can be −50 to 50 ° C. (B) When the glass transition temperature (Tg) of the high molecular weight component is 50 ° C. or lower, the flexibility of the film-
(b)高分子量成分のガラス転移温度(Tg)は−20℃〜40℃であってもよく、−10℃〜30℃であってもよい。この場合、ダイシング時にフィルム状接着剤を切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、接着力と耐熱性が高い点、また未硬化フィルム状接着剤の高い流動性を発現させることができる。 (B) The glass transition temperature (Tg) of the high molecular weight component may be −20 ° C. to 40 ° C., or −10 ° C. to 30 ° C. In this case, it is possible to exhibit a point that the film-like adhesive is easily cut at the time of dicing and resin waste is less likely to be generated, a point that the adhesive strength and heat resistance are high, and a high fluidity of the uncured film-like adhesive.
(b)高分子量成分は、高い接着力を発現させるため、全構造単位数を基準として、架橋性官能基を有する構造単位を1〜15%有することができる。架橋性官能基を有する構造単位は、(b)高分子量成分の合成時に用いた全材料モノマー数(モル数)中の官能性モノマーの数であるともいえる。官能性モノマーとしてはグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等が挙げられ、(b)高分子量成分が有する架橋性官能基は官能性モノマーの官能基に由来する。官能性モノマーがグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートである場合、架橋性官能基はエポキシ基である。 (B) Since the high molecular weight component exhibits high adhesive strength, it can have 1 to 15% of structural units having a crosslinkable functional group based on the total number of structural units. It can be said that the structural unit having a crosslinkable functional group is (b) the number of functional monomers in the total number of material monomers (number of moles) used in the synthesis of the high molecular weight component. Examples of the functional monomer include glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, and (b) the crosslinkable functional group contained in the high molecular weight component is derived from the functional group of the functional monomer. When the functional monomer is glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, the crosslinkable functional group is an epoxy group.
なお、(b)高分子量成分の架橋性官能基としては、エポキシ基だけでなく、アルコール性若しくはフェノール性水酸基、又は、カルボキシル基等の架橋性官能基が挙げられる。 Examples of the crosslinkable functional group (b) of the high molecular weight component include not only an epoxy group but also a crosslinkable functional group such as an alcoholic or phenolic hydroxyl group or a carboxyl group.
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。ガラス転移温度(Tg)は、DSC(示差走査熱量計)(例えば、(株)リガク製「Thermo Plus 2」)を用いて測定したものをいう。 The weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC). The glass transition temperature (Tg) is measured using a DSC (Differential Scanning Calorimetry) (for example, "Thermo Plus 2" manufactured by Rigaku Co., Ltd.).
本発明で使用する(b)高分子量成分は、市販品として入手することも可能である。例えば、ナガセケムテックス(株)製の商品名「アクリルゴムHTR−860P−3CSP」等が挙げられる。 The high molecular weight component (b) used in the present invention can also be obtained as a commercially available product. For example, the trade name "acrylic rubber HTR-860P-3CSP" manufactured by Nagase ChemteX Corporation can be mentioned.
フィルム状接着剤10は、未硬化のフィルム状接着剤の流動性と破断性、硬化後のフィルム状接着剤の引張り弾性率と接着力を制御する観点から、フィルム状接着剤10の全量を基準として、(c)フィラーを、20〜50質量%含有することができる。(c)フィラーの含有量が20質量%以上であると、未硬化フィルム状接着剤のダイシング性が改善し、硬化後の接着力が向上する傾向がある。一方、(c)フィラーの含有量が50質量%以下であると、未硬化フィルム状接着剤の流動性が向上し、ダイアタッチ時の埋込性が改善する傾向がある。
The film-
(c)フィラーの平均粒径は、フィルム状接着剤10の流動性の観点から、0.1μm以上であることができ、0.1〜5.0μmであってもよい。ここで、「平均粒径」とはレーザー回折式粒度分布測定装置でアセトンを溶媒として分析した場合に得られる値とする。
(C) The average particle size of the filler can be 0.1 μm or more, and may be 0.1 to 5.0 μm, from the viewpoint of the fluidity of the film-
(c)フィラーは、Bステージ状態におけるフィルム状接着剤のダイシング性の向上、フィルム状接着剤の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、及び接着力の向上等の観点から、無機フィラーであることができ、シリカフィラーであってもよい。 (C) The filler improves the dicing property of the film-like adhesive in the B stage state, improves the handleability of the film-like adhesive, improves the thermal conductivity, adjusts the melt viscosity, imparts thixotropic property, and has adhesive strength. From the viewpoint of improving the above, it can be an inorganic filler and may be a silica filler.
また、フィルム状接着剤10は、良好な硬化性を得る目的で、(d)硬化促進剤を含有していてもよい。フィルム状接着剤10が、(d)硬化促進剤を含有する場合の(d)硬化促進剤の含有量は、フィルム状接着剤10の全量を基準として、0.01〜0.2質量%であることができる。
Further, the film-
なお、反応性の観点から、(d)硬化促進剤はイミダゾール系の化合物が好ましい。反応性が高すぎる硬化促進剤は、フィルム状接着剤の製造工程中の加熱によりずり粘度を上昇させるだけではなく、経時による劣化を顕著に引き起こす傾向がある。一方、反応性が低すぎる硬化促進剤は、半導体装置の製造工程内の熱履歴ではフィルム状接着剤が完全には硬化することが困難となり、未硬化のまま製品内に搭載されることとなり、十分な接着性が得られず、半導体装置の接続信頼性を悪化させる可能性がある。 From the viewpoint of reactivity, (d) the curing accelerator is preferably an imidazole-based compound. Curing accelerators that are too reactive tend not only to increase the shear viscosity due to heating during the manufacturing process of the film-like adhesive, but also to cause significant deterioration over time. On the other hand, a curing accelerator having too low reactivity is difficult to completely cure the film-like adhesive in the thermal history in the manufacturing process of the semiconductor device, and is mounted in the product without being cured. Sufficient adhesiveness may not be obtained, and the connection reliability of the semiconductor device may be deteriorated.
本実施形態の接着剤組成物は、上記(a)〜(d)成分の以外に、接着性向上の観点から、(e)カップリング剤を含有することができる。カップリング剤としては、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、及び3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。 In addition to the above components (a) to (d), the adhesive composition of the present embodiment may contain (e) a coupling agent from the viewpoint of improving adhesiveness. Examples of the coupling agent include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, and the like.
(フィルム状接着剤及び接着シート)
フィルム状接着剤10は、基材フィルム上に上述した接着剤組成物のワニスを塗布して乾燥した接着剤組成物を接着シートとして用いることができる。具体的には、まず、(a)〜(c)成分と必要に応じて上記(d)硬化促進剤又は(e)カップリング剤等の他の添加成分を、有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。(Film-like adhesive and adhesive sheet)
As the film-
上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、及びボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常60℃〜200℃で、0.1〜90分間加熱して行うことができる。 The above mixing and kneading can be carried out by using an ordinary stirrer, a raker, a triple roll, and a disperser such as a ball mill, and combining these as appropriate. The above drying is not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but it can be usually carried out by heating at 60 ° C. to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.
上記ワニスを作製するための有機溶媒は、上記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、トルエン、並びにキシレンなどが挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。 The organic solvent for producing the varnish is not limited as long as each component can be uniformly dissolved, kneaded or dispersed, and conventionally known ones can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. because the drying speed is fast and the price is low.
上記基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム(OPPフィルム等)、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、及びメチルペンテンフィルムなどが挙げられる。 The base film is not particularly limited, and examples thereof include polyester film, polypropylene film (OPP film, etc.), polyethylene terephthalate film, polyimide film, polyetherimide film, polyethernaphthalate film, and methylpentene film. Be done.
次に、得られたワニスを基材フィルム上に塗布することによりワニスの層を形成する。次に、加熱乾燥によりワニス層から溶媒を除去して接着シートを得る。その後、接着シートから基材フィルムを除去することにより、フィルム状接着剤10が得られる。
Next, the obtained varnish is applied onto the base film to form a varnish layer. Next, the solvent is removed from the varnish layer by heat drying to obtain an adhesive sheet. Then, the base film is removed from the adhesive sheet to obtain the film-
厚膜のフィルム状接着剤10を製造する方法の一つとして、予め得られたフィルム状接着剤10と基材フィルム上に形成されたフィルム状接着剤10(接着シート)とを貼り合わせて製造する方法が挙げられる。
As one of the methods for producing the thick film-
フィルム状接着剤10の膜厚は、第1の半導体素子及び半導体素子接続用のワイヤ、並びに基板の配線回路等の凹凸を十分に充填可能とするため、20〜200μmであることが好ましい。膜厚が20μm以上であると、接着力の低下が抑制される傾向があり、200μm以下であると、経済的である上に、半導体装置の小型化の要求に応えることができる。本実施形態では、フィルム状接着剤10で半導体素子が埋め込まれることから、フィルム状接着剤10の膜厚は50〜200μmであることがより好ましく、80〜200μmであることが更に好ましく、100〜200μmであることが特に好ましい。
The film thickness of the film-
フィルム状接着剤10は、図8に示すように、ワニスを塗布した基材フィルムを除去しないまま、基材フィルム20上にフィルム状接着剤10を積層した接着シート100として用いることができる。
As shown in FIG. 8, the film-
また、図9に示すように、フィルム状接着剤10は、基材フィルム20が設けられた面とは反対側面にカバーフィルム30を設けた、接着シート110としても用いることもできる。カバーフィルム30としては、例えば、PETフィルム、PEフィルム、及びOPPフィルム等が挙げられる。
Further, as shown in FIG. 9, the film-
また、フィルム状接着剤は、フィルム状接着剤10をダイシングテープ上に積層したダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、半導体ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。
Further, the film-like adhesive can also be used as a dicing-die bonding integrated adhesive sheet in which the film-
ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、及びポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、ダイシングテープには、必要に応じて、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、及びエッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。 Examples of the dicing tape include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Further, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, if necessary.
更に、ダイシングテープは粘着性を有するものであることができ、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよい。また、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層が設けられていてもよい。 Further, the dicing tape can be sticky, and may be the plastic film described above with stickiness. Further, an adhesive layer may be provided on one side of the above-mentioned plastic film.
このようなダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとしては、図10に示される接着シート120及び図11に示される接着シート130等が挙げられる。接着シート120は、図10に示すように、引張テンションを加えたときの伸びを確保できる基材フィルム40上に粘着剤層50が設けられたダイシングテープ60を支持基材とし、ダイシングテープ60の粘着剤層50上に、フィルム状接着剤10が設けられた構造を有している。接着シート130は、図11に示すように、接着シート120においてフィルム状接着剤10の表面に基材フィルム20が設けられている。
Examples of such a dicing / die bonding integrated adhesive sheet include the
基材フィルム40としては、ダイシングテープについて記載した上述のプラスチックフィルムが挙げられる。また、粘着剤層50としては、例えば、液状成分及び高分子量成分を含み適度なタック強度を有する樹脂組成物が挙げられる。粘着剤層50を基材フィルム40上に塗布し乾燥する、又は、PETフィルム等の基材フィルムに塗布・乾燥させた粘着剤層を基材フィルム40と貼り合せることでダイシングテープは形成可能である。タック強度は、例えば、液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することにより、所望の値に設定される。
Examples of the
接着シート120及び接着シート130等のダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを半導体装置の製造に用いる場合、ダイシング時に半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後のピックアップ時にはダイシングテープから容易に剥離できることが必要である。
When a dicing / die bonding integrated adhesive sheet such as the
かかる特性は、上述したように粘着剤層のタック強度の調整、又は、光反応等によるタック強度を変化させることによって得ることができるが、フィルム状接着剤の粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、フィルム状接着剤10のタック強度を適宜調節することが好ましい。その方法としては、例えば、フィルム状接着剤10の室温(25℃)におけるフローを上昇させると粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させると粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを、利用することが挙げられる。
Such characteristics can be obtained by adjusting the tack strength of the pressure-sensitive adhesive layer or changing the tack strength by a photoreaction or the like as described above, but it is difficult to pick up if the adhesiveness of the film-like adhesive is too high. May become. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the tack strength of the film-
フローを上昇させる方法としては、例えば、可塑剤として機能する化合物の含有量を増加させる方法等が挙げられる。フローを低下させる方法としては、例えば、可塑剤として機能する化合物の含有量を減らす方法等が挙げられる。上記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、及びアクリル系樹脂等が挙げられる。 Examples of the method for increasing the flow include a method for increasing the content of a compound that functions as a plasticizer. Examples of the method for reducing the flow include a method for reducing the content of a compound that functions as a plasticizer. Examples of the plasticizer include monofunctional acrylic monomers, monofunctional epoxy resins, liquid epoxy resins, and acrylic resins.
ダイシングテープ60上にフィルム状接着剤10を積層する方法としては、上述した接着剤組成物のワニスを全面に塗布し乾燥する、又は印刷により部分的に塗工する方法のほか、予め作製したフィルム状接着剤10をダイシングテープ60上に、プレス又はホットロールラミネートにより積層する方法が挙げられる。本実施形態においては、連続的に製造でき、効率がよい点で、ホットロールラミネートによる方法が好ましい。
As a method of laminating the film-
ダイシングテープ60の膜厚は、特に制限はなく、フィルム状接着剤10の膜厚又はダイシング・ダイボンディング一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定めることができる。ダイシングテープ60の厚みが60μm以上であると、取扱い性がよくなり、またダイシングにより個片化された半導体素子をダイシングテープ60から剥離する工程でのエキスパンドによりダイシングテープ60が破れることを抑制できる。一方、経済性と取扱い性の良さという観点から、ダイシングテープ60の厚みは、180μm以下であることが好ましい。以上より、ダイシングテープ60の膜厚は60〜180μmであることが好ましい。
The film thickness of the dicing
以上、本発明に係る半導体装置の製造方法及びこれに用いる接着剤の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。 Although the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention and the preferred embodiment of the adhesive used therein have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiment and does not deviate from the gist thereof. Changes may be made as appropriate.
上記実施形態ではフィルム状接着剤について説明し、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法について説明をしたが、フィルム状接着剤は必ずしもフィルム状である必要はなく、接着剤であればよい。すなわち、フィルム状接着剤は液状又はペースト状等の接着剤であってもよい。 In the above embodiment, the film-like adhesive has been described, and the method for manufacturing a semiconductor device using the film-like adhesive has been described. However, the film-like adhesive does not necessarily have to be in the form of a film, and may be an adhesive. .. That is, the film-like adhesive may be a liquid or paste-like adhesive.
図6の半導体装置200は、第1のワイヤ88及び第1の半導体素子Waがともにフィルム状接着剤10に埋め込まれている、ワイヤ及び半導体埋込型の半導体装置であったが、必ずしも第1の半導体素子Waが埋め込まれていなくてもよい。すなわち、半導体装置200は、第1のワイヤ88がフィルム状接着剤10に埋め込まれている、ワイヤ埋込型の半導体装置であってもよい。また、第1のワイヤはそのすべてが埋め込まれていなくてもよく、その少なくとも一部が埋め込まれていればよい。
The
第1の半導体素子Waがフィルム状接着剤10に埋め込まれていない場合には、接着性が高く、また、半導体装置200を薄型化できる点で、フィルム状接着剤10の膜厚は30〜200μmであることができ、40〜150μmであってもよく、40〜100μmであってもよく、40〜80μmであってもよい。
When the first semiconductor element Wa is not embedded in the film-
半導体装置200において、基板14は、表面に回路パターン84,94がそれぞれ二箇所ずつ形成された有機基板90であったが、基板14としてはこれに限られず、リードフレームなどの金属基板を用いてもよい。
In the
半導体装置200は、第1の半導体素子Wa上に第2の半導体素子Waaが積層されており、二段に半導体素子が積層された構成を有していたが、半導体装置の構成はこれに限られない。第2の半導体素子Waaの上に第3の半導体素子を更に積層されていても構わないし、第2の半導体素子Waaの上に複数の半導体素子が更に積層されていても構わない。積層される半導体素子の数が増加するにつれて、得られる半導体装置の容量を増やすことができる。
The
上記実施形態に係る半導体装置の製造方法では、圧着工程前に、第2の半導体素子Waa上にフィルム状接着剤10が貼付されたフィルム状接着剤付き半導体素子102を準備していたが、第2の半導体素子Waaがフィルム状接着剤10を介して基板14に圧着されれば、上記のようなフィルム状接着剤付き半導体素子を準備しなくてもよい。
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the above embodiment, the
また、上記実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ラミネート工程において、半導体ウェハの片面に、図8に示す接着シート100をラミネートし、基材フィルム20を剥がすことで、フィルム状接着剤10を貼り付けていたが、ラミネート時に用いる接着シートはこれに限られない。接着シート100の代わりに、図10及び11に示すダイシング・ダイボンディング一体型接着シート120,130を用いることができる。この場合、半導体ウェハをダイシングする際にダイシングテープ60を別途貼り付ける必要がない。
Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the above embodiment, in the laminating step, the
また、ラミネート工程において、半導体ウェハではなく、半導体ウェハを個片化して得られた半導体素子を、接着シート100にラミネートしても構わない。この場合、ダイシング工程を省略することができる。
Further, in the laminating step, a semiconductor element obtained by fragmenting the semiconductor wafer instead of the semiconductor wafer may be laminated on the
以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
<フィルム状接着シートの作製>
(実施例1〜4及び比較例1〜3)
表1に示す品名及び組成比(単位:質量部)の(a)熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂、(c)フィラーとしての無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1に示す、(b)高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表1に同様に示す(e)カップリング剤及び(d)硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌してワニスを得た。<Making a film-like adhesive sheet>
(Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3)
Cyclohexanone was added to a composition consisting of (a) an epoxy resin and a phenol resin as a thermosetting resin and (c) an inorganic filler as a filler in the product name and composition ratio (unit: parts by mass) shown in Table 1, and the mixture was stirred and mixed. .. To this, (b) acrylic rubber as a high molecular weight component shown in Table 1 is added and stirred, and further (e) a coupling agent and (d) a curing accelerator shown in Table 1 are added to each component. A varnish was obtained by stirring until uniform.
なお、表1中の各成分の記号は下記のものを意味する。 The symbols of each component in Table 1 mean the following.
(エポキシ樹脂)
YDF−8170C:(商品名、東都化成(株)製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量159、室温で液体)。
VG−3101L:(商品名、(株)プリンテック製、多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点39〜46℃)。
YDCN−700−10:(商品名、東都化成(株)製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点75〜85℃)。
HP−7200:(商品名、DIC(株)製、ジシクロペンタジエン含有エポキシ樹脂、エポキシ当量247、軟化点55〜65℃)。(Epoxy resin)
YDF-8170C: (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 159, liquid at room temperature).
VG-3101L: (trade name, manufactured by Printec Co., Ltd., polyfunctional epoxy resin, epoxy equivalent 210, softening point 39 to 46 ° C.).
YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210, softening point 75 to 85 ° C.).
HP-7200: (trade name, manufactured by DIC Corporation, dicyclopentadiene-containing epoxy resin, epoxy equivalent 247, softening point 55 to 65 ° C.).
(フェノール樹脂)
PSM−4326:(商品名、群栄化学工業(株)製、水酸基当量105、軟化点118〜122℃)。
ミレックスXLC−LL:(商品名、三井化学(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量175、軟化点77℃、吸水率1質量%、加熱質量減少率4質量%)。(Phenol resin)
PSM-4326: (trade name, manufactured by Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd., hydroxyl group equivalent 105, softening point 118 to 122 ° C.).
Millex XLC-LL: (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol resin, hydroxyl group equivalent 175, softening point 77 ° C., water absorption rate 1% by mass, heating
(アクリルゴム)
アクリルゴムHTR−860P−3CSP:(商品名、ナガセケムテックス(株)製、重量平均分子量80万、グリシジル官能基を有する構造単位の比率3%、Tg:−7℃)。
アクリルゴムHTR−860P−30B−CHN:(商品名、ナガセケムテックス(株)製、重量平均分子量23万、グリシジル官能基を有する構造単位の比率8%、Tg:−7℃)。(Acrylic rubber)
Acrylic rubber HTR-860P-3CSP: (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 800,000, ratio of structural unit having glycidyl functional group 3%, Tg: -7 ° C.).
Acrylic rubber HTR-860P-30B-CHN: (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight 230,000, ratio of structural unit having glycidyl functional group 8%, Tg: -7 ° C.).
(無機フィラー)
SC2050−HLG:(商品名、アドマテックス(株)製、シリカフィラー分散液、平均粒径0.50μm)。
アエロジルR972:(商品名、日本アエロジル(株)製、シリカ、平均粒径0.016μm)。(Inorganic filler)
SC2050-HLG: (trade name, manufactured by Admatex Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size 0.50 μm).
Aerosil R972: (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica, average particle size 0.016 μm).
(硬化促進剤)
キュアゾール2PZ−CN:(商品名、四国化成工業(株)製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)。(Curing accelerator)
Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole).
(カップリング剤)
A−1160:(商品名、GE東芝(株)製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)。
A−189:(商品名、GE東芝(株)製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)。(Coupling agent)
A-1160: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-ureidopropyltriethoxysilane).
A-189: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane).
次に、得られたワニスを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、基材フィルムとしての、離型処理を施した、厚さ38μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に塗布した。塗布したワニスを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の2段階で加熱乾燥した。こうして、基材フィルムとしてのPETフィルム上に、Bステージ状態にある厚み60μmのフィルム状接着剤を備えた接着シートを得た。この接着シートを60℃にてラミネートすることで厚さ120μmのフィルム状接着剤を備えた、接着シートを得た。 Next, the obtained varnish was filtered through a 100 mesh filter and vacuum defoamed. The vacuum-defoamed varnish was applied onto a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 38 μm as a base film. The applied varnish was heated and dried in two steps at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes. In this way, an adhesive sheet having a film-like adhesive having a thickness of 60 μm in the B stage state was obtained on the PET film as the base film. By laminating this adhesive sheet at 60 ° C., an adhesive sheet having a film-like adhesive having a thickness of 120 μm was obtained.
<各種物性の評価>
得られた接着シートのフィルム状接着剤について、下記方法に従って、溶融粘度、加圧オーブンによる加熱及び加圧後の埋込性及び半導体素子の位置ずれ、接着強度、並びに、耐リフロー性の評価を行った。<Evaluation of various physical properties>
The film-like adhesive of the obtained adhesive sheet was evaluated for melt viscosity, embedding property after heating and pressurization by a pressure oven, misalignment of semiconductor elements, adhesive strength, and reflow resistance according to the following method. went.
[溶融粘度]
フィルム状接着剤の溶融粘度は、下記の方法によりずり粘度を測定することにより評価した。上記接着シートを複数枚数準備し、これらを60℃にてラミネートして、基材フィルム上に厚さが約300μmとなるようにフィルム状接着剤を積層させた。積層されたフィルム状接着剤から基材フィルムを剥離除去し、これを厚み方向に10mm角に打ち抜くことで、10mm角、厚さ300μmの四角形の積層体を得た。動的粘弾性測定装置ARES(TA Instruments社製)に直径8mmの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに打ち抜いたフィルム状接着剤の積層体をセットした。その後、35℃で5%の歪みを与えながら5℃/分の昇温速度で150℃まで昇温させながら測定し、120℃の溶融粘度の値を記録した。測定結果を表2に示す。[Melting viscosity]
The melt viscosity of the film-like adhesive was evaluated by measuring the shear viscosity by the following method. A plurality of the above adhesive sheets were prepared, these were laminated at 60 ° C., and a film-like adhesive was laminated on the base film so as to have a thickness of about 300 μm. The base film was peeled off from the laminated film-like adhesive and punched into a 10 mm square in the thickness direction to obtain a 10 mm square, 300 μm thick quadrangular laminate. A circular aluminum plate jig having a diameter of 8 mm was set in the dynamic viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by TA Instruments), and a laminated body of a punched film-like adhesive was further set therein. Then, the measurement was carried out while applying a strain of 5% at 35 ° C. and raising the temperature to 150 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min, and the value of the melt viscosity at 120 ° C. was recorded. The measurement results are shown in Table 2.
[加圧オーブンによる加熱及び加圧後の埋込性]
フィルム状接着剤の加圧オーブンによる加熱及び加圧後の埋込性を下記の方法により評価した。上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤(厚み120μm)を、厚み50μmの半導体ウェハ(8インチ)に70℃で貼り付けた。次に、それらを7.5mm角にダイシングしてフィルム状接着剤付き半導体素子(第2の半導体素子)を得た。また、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム(商品名:HR−9004−10、日立化成(株)製、厚み10μm)を厚み50μmの半導体ウェハ(8インチ)に70℃で貼り付けた。次に、それらを3.0mm角にダイシングしてチップを得た。個片化したHR−9004−10付きのチップ(第1の半導体素子)を、表面凹凸が最大6μmである評価用基板に130℃、0.20MPa、2秒間の条件で圧着し、120℃、2時間加熱し、半硬化させた。[Embedability after heating and pressurization with a pressurized oven]
The embedding property of the film-like adhesive after heating with a pressure oven and pressurization was evaluated by the following method. The film-like adhesive (
次に、このようにして得られた第1の半導体素子上に、上記フィルム状接着剤付き半導体素子を配置し、これを120℃、0.20MPa、2秒間の条件で圧着した。この際、上記フィルム状接着剤付き半導体素子の中央に、先に圧着しているHR−9004−10付きチップが配置されるように位置合わせをした。得られたサンプルを加圧オーブンに投入し、加圧オーブン中の圧力を0.7MPaに設定し、35℃から3℃/分の昇温速度で140℃まで昇温させ、140℃で30分加熱した。このようにして得られた評価サンプルを超音波映像装置SAT(日立建機製、品番FS200II、プローブ:25MHz)にて分析し、埋込性を確認した。埋込性の評価基準は以下の通りである。評価結果を表2に示す。
A:ボイドの割合が5%未満である。
B:ボイドの割合が5%以上である。Next, the semiconductor element with a film-like adhesive was placed on the first semiconductor element thus obtained, and the semiconductor element was pressure-bonded under the conditions of 120 ° C., 0.20 MPa, and 2 seconds. At this time, the alignment was made so that the chip with HR-9004-10 that had been crimped earlier was arranged in the center of the semiconductor element with the film-like adhesive. The obtained sample is put into a pressure oven, the pressure in the pressure oven is set to 0.7 MPa, the temperature is raised from 35 ° C. to 140 ° C. at a heating rate of 3 ° C./min, and the temperature is raised to 140 ° C. for 30 minutes at 140 ° C. It was heated. The evaluation sample thus obtained was analyzed by an ultrasonic imaging device SAT (manufactured by Hitachi Construction Machinery, product number FS200II, probe: 25 MHz), and the implantability was confirmed. The evaluation criteria for embedding property are as follows. The evaluation results are shown in Table 2.
A: The percentage of voids is less than 5%.
B: The ratio of voids is 5% or more.
[加圧オーブンによる加熱及び加圧後の半導体素子の位置ずれ]
上記加圧オーブンによる加熱及び加圧後の埋込性評価と同じ評価サンプルを作製するに際し、加圧オーブンによる加熱及び加圧前後のチップ全体の画像を取得し、顕微鏡解析により加圧オーブンによる加熱及び加圧前後の位置ずれを測長した。評価基準は以下の通りである。評価結果を表2に示す。
A:加圧オーブンによる加熱及び加圧後の位置ずれが10μm未満である。
B:加圧オーブンによる加熱及び加圧後の位置ずれが10μm以上である。[Positioning of semiconductor elements after heating and pressurization by a pressure oven]
When preparing the same evaluation sample as the evaluation of embedding property after heating and pressurization by the above-mentioned pressure oven, images of the entire chip before and after heating by the pressurization oven and pressurization were acquired, and heating by the pressurization oven was performed by microscopic analysis. And the position shift before and after pressurization was measured. The evaluation criteria are as follows. The evaluation results are shown in Table 2.
A: The misalignment after heating with a pressure oven and pressurization is less than 10 μm.
B: The misalignment after heating by the pressure oven and pressurization is 10 μm or more.
[接着強度]
フィルム状接着剤のダイシェア強度(接着強度)を下記の方法により測定した。まず、上記で得られた接着シートのフィルム状接着剤(厚み120μm)を厚み400μmの半導体ウェハに70℃で貼り付けた。次に、それらを5.0mm角にダイシングしてフィルム状接着剤付き半導体素子を得た。個片化したフィルム状接着剤付き半導体素子のフィルム状接着剤側を、ソルダーレジストインキ(商品名:AUS308、太陽インキ製造(株)製)を塗布した基板上に120℃、0.1MPa、5秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着剤を120℃で2時間、170℃で3時間加熱し、硬化させた。更に、接着剤硬化後のサンプルを85℃、60%RH条件の下、168時間放置した。その後、サンプルを25℃、50%RH条件下で30分間放置し、250℃でダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。測定結果を表2に示す。[Adhesive strength]
The die shear strength (adhesive strength) of the film-like adhesive was measured by the following method. First, the film-like adhesive (
[耐リフロー性]
フィルム状接着剤の耐リフロー性を下記の方法により評価した。上記加圧オーブンによる加熱及び加圧後の埋込性の評価で得た評価サンプルと同様にして評価サンプルを作製した。得られた評価サンプルはモールド用封止材(日立化成(株)製、商品名:CEL−9750ZHF10)を用いて、175℃、6.7MPa、90秒の条件で樹脂封止し、175℃、5時間の条件で封止材を硬化させてパッケージを得た。[Reflow resistance]
The reflow resistance of the film-like adhesive was evaluated by the following method. An evaluation sample was prepared in the same manner as the evaluation sample obtained in the evaluation of the embedding property after heating and pressurization by the pressure oven. The obtained evaluation sample was resin-sealed at 175 ° C., 6.7 MPa, 90 seconds using a mold encapsulant (manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd., trade name: CEL-9750ZHF10), and at 175 ° C. The encapsulant was cured under the condition of 5 hours to obtain a package.
上記のパッケージを24個準備し、これらをJEDECで定められた環境下(レベル3、30℃、60%RH、192時間)に曝して吸湿させた。続いて、IRリフロー炉(260℃、最高温度265℃)に吸湿後のパッケージを3回通過させた。評価基準は以下の通りである。評価結果を表2に示す。
A:パッケージの破損若しくは厚みの変化、又はフィルム状接着剤と半導体素子との界面での剥離等が1個も観察されない。
B:パッケージの破損若しくは厚みの変化、又はフィルム状接着剤と半導体素子との界面での剥離等が1個以上観察される。Twenty-four of the above packages were prepared and exposed to the environment specified by JEDEC (
A: No damage or change in thickness of the package, peeling at the interface between the film-like adhesive and the semiconductor element, etc. is observed.
B: One or more packages are observed to be damaged or changed in thickness, or peeled off at the interface between the film-like adhesive and the semiconductor element.
表2に示した結果から明らかなように、実施例1〜4の接着シートは、比較例1〜3の接着シートと比較して、埋込性に優れる且つ半導体素子の位置ずれが無く、耐リフロー性にも優れることが確認された。 As is clear from the results shown in Table 2, the adhesive sheets of Examples 1 to 4 are superior in embedding property and have no misalignment of semiconductor elements as compared with the adhesive sheets of Comparative Examples 1 to 3, and are resistant to misalignment. It was confirmed that it was also excellent in reflowability.
10…フィルム状接着剤、14…基板、42…樹脂(封止材)、88…第1のワイヤ、98…第2のワイヤ、200…半導体装置、Wa…第1の半導体素子、Waa…第2の半導体素子。 10 ... film-like adhesive, 14 ... substrate, 42 ... resin (encapsulant), 88 ... first wire, 98 ... second wire, 200 ... semiconductor device, Wa ... first semiconductor element, Wa ... first 2 semiconductor elements.
Claims (6)
第2の半導体素子を熱硬化性を有する接着剤を介して前記基板に圧着する圧着工程と、
前記圧着工程後の接着剤を加圧雰囲気下で加熱することによって前記接着剤を硬化処理する加熱加圧工程と、
を備え、
前記硬化処理前の接着剤の120℃における溶融粘度が1000〜3000Pa・sであるとともに、前記加熱加圧工程を経ることにより、前記第1のワイヤの少なくとも一部及び前記第1の半導体素子の少なくとも一方が硬化処理後の接着剤に埋め込まれる、半導体装置の製造方法。A first wire bonding step of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire,
A crimping step of crimping the second semiconductor element to the substrate via a thermosetting adhesive, and
A heating and pressurizing step of curing the adhesive by heating the adhesive after the crimping step in a pressurized atmosphere.
With
The melt viscosity of the adhesive before the curing treatment at 120 ° C. is 1000 to 3000 Pa · s, and at least a part of the first wire and the first semiconductor element are subjected to the heating and pressurizing step. A method of manufacturing a semiconductor device, in which at least one is embedded in a cured adhesive.
前記第2の半導体素子を樹脂で封止する工程と、
を更に備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。A second wire bonding step of electrically connecting the substrate and the second semiconductor element via a second wire,
The step of sealing the second semiconductor element with a resin and
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, further comprising.
前記製造プロセスが、前記接着剤を加圧雰囲気下で加熱する硬化処理を経て、基板上のワイヤの少なくとも一部及び半導体素子の少なくとも一方が硬化処理後の前記接着剤に埋め込まれた状態とする工程を含み、
120℃における溶融粘度が1000〜3000Pa・sである、フィルム状接着剤。An adhesive used in the manufacturing process of semiconductor devices.
The manufacturing process undergoes a curing process in which the adhesive is heated under a pressurized atmosphere, so that at least a part of the wires on the substrate and at least one of the semiconductor elements are embedded in the adhesive after the curing process. Including the process
A film-like adhesive having a melt viscosity at 120 ° C. of 1000 to 3000 Pa · s.
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