JPWO2019039253A1 - Base film for dicing - Google Patents

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Abstract

本発明は、熱による復元性が高く、ラック回収性に優れたダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。本発明は、更に、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが均一に伸張するダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含むダイシング用基体フィルムであって、表層及び裏層はポリエチレン系樹脂を含む樹脂組成物からなり、中間層はポリウレタン系樹脂を含む樹脂組成物からなる、ダイシング用基体フィルム。An object of the present invention is to provide a base film for dicing, which has high heat recoverability and excellent rack recoverability. Another object of the present invention is to provide a base film for dicing, in which the dicing film uniformly extends even when expanded under low temperature conditions. A dicing substrate film having a structure in which a surface layer/intermediate layer/back layer are laminated in this order, wherein the surface layer and the back layer are made of a resin composition containing a polyethylene resin, and the intermediate layer is a resin composition containing a polyurethane resin. A substrate film for dicing, which comprises

Description

本発明は、半導体ウェハをチップ状にダイシングする際に、半導体ウェハに貼着して固定し使用される、ダイシング用基体フィルムに関する。 The present invention relates to a base film for dicing, which is used by being stuck and fixed to a semiconductor wafer when dicing the semiconductor wafer into chips.

半導体チップを製造する方法として、半導体ウェハを予め大面積で製造し、次いでその半導体ウェハをチップ状にダイシング(切断分離)し、最後にダイシングされたチップをピックアッップする方法がある。半導体ウェハの切断方法として、近年、レーザー加工装置を用い、半導体ウェハに接触することなく半導体ウェハを切断(分断)するステルスダイシングが知られている。 As a method of manufacturing a semiconductor chip, there is a method of manufacturing a semiconductor wafer in a large area in advance, then dicing (cutting and separating) the semiconductor wafer into chips, and finally picking up the diced chips. As a method of cutting a semiconductor wafer, stealth dicing is known in recent years, which uses a laser processing apparatus to cut (divide) the semiconductor wafer without contacting the semiconductor wafer.

ステルスダイシングによる半導体ウェハの切断性(分断性)を向上させる方法として、-15〜5℃の低温条件下でエキスパンドを実施することによって、ダイシングテープ上に設けたダイボンドフィルムの伸びを抑制し、且つ応力を増加させる方法で、半導体ウェハとダイボンドフィルムとが一括して良好に切断(分断)されるウェハ加工用テープが知られている(特許文献1及び2)。 As a method for improving the cuttability (separability) of a semiconductor wafer by stealth dicing, by expanding under a low temperature condition of -15 to 5°C, the elongation of the die bond film provided on the dicing tape is suppressed, and There is known a tape for wafer processing in which a semiconductor wafer and a die bond film are satisfactorily cut (separated) together by a method of increasing stress (Patent Documents 1 and 2).

特開2015-185584号公報JP 2015-185584 JP 特開2015-185591号公報JP 2015-185591 JP

本発明は、熱による復元性が高く、ラック回収性に優れたダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a dicing substrate film that has high heat recoverability and excellent rack recoverability.

本発明は、更に、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、均一に伸張するダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。 It is another object of the present invention to provide a dicing substrate film that stretches uniformly even when expanded under low temperature conditions.

本発明は、更に、ステルスダイシング(レーザーダイシング)後、半導体ウェハとダイボンド層を切断(分断)する場合に、低温条件(-15〜5℃)及び高速条件でエキスパンドを実施しても、良好に伸張するダイシング用基体フィルムを提供することを目的とする。 The present invention, even after performing the stealth dicing (laser dicing), when cutting (dividing) the semiconductor wafer and the die bond layer, even if expanded under low temperature conditions (-15 to 5°C) and high speed conditions, An object is to provide a base film for dicing which stretches.

半導体製造ラインでは、エキスパンド工程後に加工途中の製品が残ったシート(ダイシング用基体フィルムを含むダイシングフィルム)を、ラックにおいて一時的に保管することが望まれている。その際に、シートにたるみが残ったままであると、ラックに良好に収納できない、製品同士が衝突し欠陥が生じる等の問題に繋がる傾向があった。該ラックは、当業界で用いられる名称であり、他にジッパーやケース等とも呼ばれている。 In a semiconductor manufacturing line, it is desired to temporarily store a sheet (a dicing film including a dicing substrate film) in which a product in the middle of processing after the expanding step remains in a rack. At that time, if the slack remains on the sheet, it tends to lead to problems such as not being able to be properly stored in the rack, collision between products, and defects. The rack is a name used in the industry, and is also called a zipper, a case, or the like.

これを解決するためには、エキスパンド工程後にシートのたるみを解消する必要がある。その方法として、ヒートシュリンク技術(加熱収縮復元技術)が存在する。これは、エキスパンド工程によって生じたたるみ部を加熱することでその部分を収縮させ、たるみを解消するというもの(加熱収縮による復元率が高いということ)である。 In order to solve this, it is necessary to eliminate the slack of the sheet after the expanding process. As a method therefor, there is a heat shrink technology (heat shrinkage restoration technology). This is to heat the slack portion generated by the expanding step to shrink the slack portion and eliminate the slack (that is, the restoration rate by heat shrinkage is high).

例えば-15〜5℃の低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが均一に伸張し、半導体ウェハが良好に切断されることが求められている。 For example, even when the expanding is performed under a low temperature condition of −15 to 5° C., it is required that the dicing film uniformly stretches and the semiconductor wafer be cut well.

更に、例えばステルスダイシング後、前記低温条件に加えて、高速条件でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが良好に伸張し、半導体ウェハとダイボンド層が良好に切断(分断)されることが求められている。 Further, for example, after stealth dicing, in addition to the low temperature condition, even when the expansion is performed under high speed conditions, the dicing film is well stretched, and the semiconductor wafer and the die bond layer are well cut (divided). Is required.

本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った。 The present inventor has conducted earnest research to solve the above problems.

ダイシング用基体フィルムが、下記の表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含み、中間層にポリウレタン系樹脂を用いることで、エキスパンド工程後のシート(ダイシング用基体フィルムを含むダイシングフィルム)のたるみが、ヒートシュリンク技術(加熱収縮復元技術)により良好に解消されることを見出した。 The dicing substrate film includes a structure in which the following surface layer/intermediate layer/back layer are laminated in this order, and by using a polyurethane-based resin for the intermediate layer, a sheet after the expanding step (a dicing film including the dicing substrate film) It has been found that the slack of swelling is satisfactorily solved by the heat shrink technology (heat shrinkage restoration technology).

前記ダイシング用基体フィルムは、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが均一に伸張することを見出した。前記ダイシング用基体フィルムは、低温条件に加えて、高速条件でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが良好に伸張することを見出した。 It has been found that the dicing base film uniformly stretches even when expanded under low temperature conditions. It has been found that the base film for dicing expands well even when the dicing film is expanded under high-speed conditions in addition to low-temperature conditions.

項1.
表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含むダイシング用基体フィルムであって、 表層及び裏層はポリエチレン系樹脂を含む樹脂組成物からなり、
中間層はポリウレタン系樹脂を含む樹脂組成物からなる、
ダイシング用基体フィルム。
Item 1.
A substrate film for dicing, comprising a structure in which a surface layer/intermediate layer/back layer are laminated in this order, wherein the surface layer and the back layer are made of a resin composition containing a polyethylene resin,
The intermediate layer is made of a resin composition containing a polyurethane resin,
Base film for dicing.

項2.
前記表層及び/又は裏層が、単層又は複層である、前記項1記載のダイシング用基体フィルム。
Item 2.
Item 2. The dicing substrate film according to Item 1, wherein the surface layer and/or the back layer is a single layer or a multilayer.

項3.
前記ポリエチレン系樹脂が、分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルアクリレート共重合体(EMA)、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、前記項1又は2に記載のダイシング用基体フィルム。
Item 3.
The polyethylene resin is branched low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate copolymer (EMA), ethylene- At least one resin selected from the group consisting of ethyl acrylate copolymer, ethylene-butyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA), ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA), and ionomer resin. The base film for dicing according to item 1 or 2, which is

項4.
前記ポリウレタン系樹脂が、熱可塑性ポリウレタン樹脂(TPU)である、前記項1〜3のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。
Item 4.
Item 4. The dicing substrate film according to any one of Items 1 to 3, wherein the polyurethane resin is a thermoplastic polyurethane resin (TPU).

項5.
前記項1〜4のいずれか1項記載のダイシング用基体フィルムの表層側に、粘着剤層とダイボンド層とをこの順に設けたダイシングフィルム。
Item 5.
A dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer and a die bond layer provided in this order on the surface layer side of the dicing substrate film according to any one of Items 1 to 4.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、使用済みのダイシングフィルムのラックへの回収が、より迅速にかつ簡便に行える。つまり、本発明のダイシング用基体フィルムは、熱による復元性が高く、つまりヒートシュリンク性が良好に発揮され、ラック回収性に優れている。 By using the dicing substrate film of the present invention, the used dicing film can be collected in the rack more quickly and easily. That is, the dicing substrate film of the present invention has high heat-restorability, that is, excellent heat shrinkability, and excellent rack recoverability.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが均一に伸張する。 When the base film for dicing of the present invention is used, the dicing film is uniformly stretched even when expanding is performed under low temperature conditions.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、例えばステルスダイシング後、半導体ウェハとダイボンド層を切断(分断)する場合に、低温条件及び高速条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが良好に伸張する。 When the substrate film for dicing of the present invention is used, for example, after stealth dicing, when cutting (dividing) the semiconductor wafer and the die bond layer, even when the expanding is performed under low temperature conditions and high speed conditions, the dicing film is Stretches well.

本発明は、ダイシング用基体フィルムに関する。 The present invention relates to a dicing substrate film.

更に本発明は、ダイシング用基体フィルム上に粘着剤層とダイボンド層をこの順に設けたダイシングフィルムに関する。 Furthermore, the present invention relates to a dicing film in which a pressure-sensitive adhesive layer and a die bond layer are provided in this order on a dicing substrate film.

(1)ダイシング用基体フィルム
本発明のダイシング用基体フィルムは、
表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含むことを特徴とする。
(1) Dicing substrate film The dicing substrate film of the present invention comprises
It is characterized by including a structure in which the surface layer/intermediate layer/back layer are laminated in this order.

前記表層及び/又は裏層が、単層又は複層であることが好ましい。 It is preferable that the surface layer and/or the back layer is a single layer or multiple layers.

以下、本発明のダイシング用基体フィルムを構成する各層について詳細に説明する。 Hereinafter, each layer constituting the dicing substrate film of the present invention will be described in detail.

(1-1)表層
表層は、ポリエチレン系樹脂を含む樹脂組成物からなる。
(1-1) Surface layer The surface layer is made of a resin composition containing a polyethylene resin.

表層に含まれるポリエチレン系樹脂として、分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルアクリレート共重合体(EMA)、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の成分を用いることが好ましい。 As the polyethylene resin contained in the surface layer, branched low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate copolymer (EMA) At least one selected from the group consisting of an ethylene-ethyl acrylate copolymer, an ethylene-butyl acrylate copolymer, an ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA), an ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA), and an ionomer resin. Preference is given to using seed components.

表層は、これら少なくとも1種の成分を含む樹脂組成物からなることで、ダイシング用基体フィルムのエキスパンド性、即ち、基材の引張物性に優れる。 Since the surface layer is made of the resin composition containing at least one of these components, the expandability of the dicing substrate film, that is, the tensile properties of the substrate are excellent.

その他、本発明の効果を損なわない限りにおいて、ポリプロピレン系樹脂を配合しても良い。 In addition, a polypropylene resin may be blended as long as the effects of the present invention are not impaired.

エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)の190℃におけるメルトフローレート(MFR)は、30g/10分程度以下であれば良く、20g/10分程度以下が好ましく、15g/10分程度以下がより好ましく、10g/10分程度以下が更に好ましい。上記MFRを10g/10分以下に設定することにより、中間層との粘度差を抑制できるため、安定した製膜が可能となる。 The melt flow rate (MFR) of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) at 190° C. may be about 30 g/10 minutes or less, preferably about 20 g/10 minutes or less, more preferably about 15 g/10 minutes or less. It is preferably about 10 g/10 minutes or less. By setting the above MFR to 10 g/10 minutes or less, the viscosity difference with the intermediate layer can be suppressed, and stable film formation becomes possible.

また、EVAのMFRは、樹脂の押出しを容易にするため、0.1g/10分程度以上が好ましく、0.3g/10分程度以上がより好ましい。 Further, the MFR of EVA is preferably about 0.1 g/10 min or more, more preferably about 0.3 g/10 min or more in order to facilitate extrusion of the resin.

EVAの密度は、0.9〜0.96g/cm3程度が好ましく、0.92〜0.94g/cm3程度がより好ましい。The density of EVA is preferably about 0.9~0.96g / cm 3, about 0.92~0.94g / cm 3 is more preferable.

分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)の190℃におけるメルトフローレート(MFR)は、10g/10分程度以下が好ましく、6g/10分程度以下がより好ましい。上記MFRを10g/10分以下に設定することにより、中間層との粘度差を抑制できるため、安定した製膜が可能となる。 The melt flow rate (MFR) of branched low-density polyethylene (LDPE) at 190° C. is preferably about 10 g/10 minutes or less, more preferably about 6 g/10 minutes or less. By setting the above MFR to 10 g/10 minutes or less, the viscosity difference with the intermediate layer can be suppressed, and stable film formation becomes possible.

また、LDPEのMFRは、樹脂の押出しを容易にするため、0.1g/10分程度以上が好ましく、0.3g/10分程度以上がより好ましい。 Further, the MFR of LDPE is preferably about 0.1 g/10 minutes or more, more preferably about 0.3 g/10 minutes or more, in order to facilitate extrusion of the resin.

LDPEの密度は、0.9〜0.94g/cm3程度が好ましく、0.91〜0.93g/cm3程度がより好ましい。The density of LDPE is preferably about 0.9~0.94g / cm 3, about 0.91~0.93g / cm 3 is more preferable.

直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)の190℃におけるメルトフローレート(MFR)は、10g/10分程度以下が好ましく、6g/10分程度以下がより好ましい。上記MFRを10g/10分以下に設定することにより、中間層との粘度差を抑制できるため、安定した製膜が可能となる。 The melt flow rate (MFR) of linear low-density polyethylene (LLDPE) at 190° C. is preferably about 10 g/10 minutes or less, more preferably about 6 g/10 minutes or less. By setting the above MFR to 10 g/10 minutes or less, the viscosity difference with the intermediate layer can be suppressed, and stable film formation becomes possible.

また、LLDPEのMFRは、樹脂の押出しを容易にするため、0.1g/10分程度以上が好ましく、0.3g/10分程度以上がより好ましい。 Further, the MFR of LLDPE is preferably about 0.1 g/10 minutes or more, more preferably about 0.3 g/10 minutes or more in order to facilitate extrusion of the resin.

LLDPEの密度は、0.9〜0.94g/cm3程度が好ましく、0.91〜0.93g/cm3程度がより好ましい。The density of LLDPE is preferably about 0.9~0.94g / cm 3, about 0.91~0.93g / cm 3 is more preferable.

ここで、メルトフローレート(MFR)はISO 1133に準拠して求めたものであり、密度はISO 1183-1:2004に準拠して求めたものである。 Here, the melt flow rate (MFR) is obtained according to ISO 1133, and the density is obtained according to ISO 1183-1:2004.

表層には、必要に応じ、更に帯電防止剤を含んでいても良い。前記表層で使用できる帯電防止剤を、表層においても使用できる。表層で用いられる帯電防止剤としては、アニオン系,カチオン系、ノニオン系等の公知の界面活性剤を選択できるが、とりわけ持続性、耐久性の点から、PEEA樹脂、親水性PO樹脂等のノニオン系界面活性剤が好適である。 The surface layer may further contain an antistatic agent, if necessary. The antistatic agent that can be used in the surface layer can also be used in the surface layer. As the antistatic agent used in the surface layer, known surfactants such as anionic, cationic and nonionic surfactants can be selected, but especially from the standpoint of durability and durability, PEEA resin, hydrophilic PO resin and other nonionic surfactants can be selected. A system surfactant is suitable.

表層が帯電防止剤を含む場合、帯電防止剤の含有量は、表層の樹脂組成物中、帯電防止剤を5〜25重量%程度が好ましく、7〜22重量%程度がより好ましい。帯電防止剤を前記範囲で配合することにより、エキスパンドリングと接して一様にエキスパンドされる場合の表層の滑り性を損なうことがない。 When the surface layer contains an antistatic agent, the content of the antistatic agent in the resin composition of the surface layer is preferably about 5 to 25% by weight, more preferably about 7 to 22% by weight. By blending the antistatic agent in the above range, the slipperiness of the surface layer when contacting with the expanding ring and uniformly expanding is not impaired.

また、有効に半導電性が付与されるため、発生する静電気を素早く除電することが可能となる。例えば、上記した範囲で帯電防止剤を含有させた本発明のダイシング用基体フィルムは、その裏面の表面抵抗率が107〜1012Ω/□程度となるため好ましい。In addition, since semiconductivity is effectively imparted, it is possible to quickly eliminate static electricity generated. For example, the dicing substrate film of the present invention containing an antistatic agent in the above range is preferable because the back surface has a surface resistivity of about 10 7 to 10 12 Ω/□.

表層には、更にアンチブロッキング剤等を加えても良い。アンチブロッキング剤を添加することにより、ダイシング用基体フィルムをロール状に巻き取った場合等のブロッキングが抑えられ好ましい。アンチブロッキング剤としては、無機系又は有機系の微粒子を例示することができる。 An antiblocking agent or the like may be further added to the surface layer. Addition of an anti-blocking agent is preferable because it prevents blocking when the dicing substrate film is wound into a roll. Examples of the anti-blocking agent include inorganic or organic fine particles.

(1-2)裏層
裏層は、表層と同様に、ポリエチレン系樹脂を含む樹脂組成物からなる。
(1-2) Back Layer Like the surface layer, the back layer is made of a resin composition containing a polyethylene resin.

表層に用いられるポリエチレン系樹脂を使用してもよく、表層とは異なるポリエチレン系樹脂を使用してもよい。 A polyethylene resin used for the surface layer may be used, or a polyethylene resin different from the surface layer may be used.

また、必要に応じて、表層と同様、帯電防止剤やアンチブロッキング剤を含んでいても良い。 Further, if necessary, like the surface layer, an antistatic agent or an antiblocking agent may be included.

本発明のダイシング用基体フィルムは、前記表層及び/又は裏層が、単層であっても良いし、複層であっても良い。本発明のダイシング用基体フィルムは、必要に応じて、表層及び/又は裏層を複数層設けることができる。 In the base film for dicing of the present invention, the surface layer and/or the back layer may be a single layer or a multilayer. The dicing substrate film of the present invention may be provided with a plurality of surface layers and/or back layers, if necessary.

表層及び/又は裏層を複層とする場合、最表層側から順に表層-1、表層-2、表層-3、・・・と表し、また、最裏層側から順に裏層-1、裏層-2、裏層-3、・・・と表す。 When the front layer and/or the back layer is a multi-layer, it is expressed as surface layer-1, surface layer-2, surface layer-3,... in order from the outermost layer side, and back layer-1, back layer in order from the outermost layer side. Layer-2, back layer-3,...

(1-3)中間層
中間層は、ポリウレタン系樹脂(PU)を含む樹脂組成物からなる。
(1-3) Intermediate Layer The intermediate layer is made of a resin composition containing a polyurethane resin (PU).

前記PUは、熱可塑性ポリウレタン樹脂(TPU)であることが好ましい。 The PU is preferably a thermoplastic polyurethane resin (TPU).

ダイシング用基体フィルムが、ポリウレタン系樹脂(PU)を含む樹脂組成物からなる中間層を有することにより、エキスパンド性を向上させることが可能である。 When the base film for dicing has an intermediate layer made of a resin composition containing a polyurethane-based resin (PU), expandability can be improved.

ダイシング用基体フィルムが、ポリウレタン系樹脂(PU)を含む樹脂組成物からなる中間層を有することにより、例えばステルスダイシング後、半導体ウェハとダイボンド層を切断(分断)する場合に、低温条件及び高速条件でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが良好に伸張する。 Since the base film for dicing has an intermediate layer made of a resin composition containing a polyurethane-based resin (PU), for example, when stealth dicing and then cutting (dividing) the semiconductor wafer and the die bond layer, low-temperature conditions and high-speed conditions are used. Even when the expansion is carried out in step 1, the dicing film stretches well.

(i)ポリウレタン系樹脂(PU)
ポリウレタン系樹脂(PU)として、熱可塑性ポリウレタン樹脂(TPU)を用いることが好ましい。TPUとしては、ポリイソシアネート、ポリオール及び鎖伸長剤を反応させることにより得られるものであり、ポリオールとポリイソシアネートの反応によってできたソフトセグメントと鎖伸長剤とポリイソシアネートの反応によってできたハードセグメントとからなるブロックコポリマーである。
(I) Polyurethane resin (PU)
A thermoplastic polyurethane resin (TPU) is preferably used as the polyurethane resin (PU). TPU is obtained by reacting a polyisocyanate, a polyol and a chain extender, from a soft segment made by the reaction of the polyol and the polyisocyanate and a hard segment made by the reaction of the chain extender and the polyisocyanate. Is a block copolymer.

ポリイソシアネートとしては、例えばジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等が挙げられる。これらのうち、ジフェニルメタンジイソシアネート及び/又はヘキサメチレンジイソシアネートが、熱可塑性ポリウレタン樹脂の耐擦過傷性の点で好ましい。 Examples of the polyisocyanate include diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, isophorone diisocyanate and xylylene diisocyanate. Of these, diphenylmethane diisocyanate and/or hexamethylene diisocyanate are preferable in terms of scratch resistance of the thermoplastic polyurethane resin.

ポリオールとしては、例えばポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエステルポリオール、ラクトン系ポリエステルポリオール等が挙げられる。ポリエステルポリオールは、ジカルボン酸とジオールの重縮合反応により得られる。 Examples of the polyol include polytetramethylene ether glycol, polyester polyol, lactone polyester polyol, and the like. The polyester polyol is obtained by a polycondensation reaction of a dicarboxylic acid and a diol.

ポリエステルポリオールの製造に用いられるジオールは具体的には、エタンジオール、1,3-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘキサンジオール等が挙げられ、これらの単独、或いは併用したものである。 Specific examples of the diol used for producing the polyester polyol include ethanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, and the like. Or a combination of these.

また、本発明に用いられるジカルボン酸は、アジピン酸、セバシン酸等が挙げられ、これらの単独、或いは併用したものである。 Examples of the dicarboxylic acid used in the present invention include adipic acid and sebacic acid, which may be used alone or in combination.

これらのポリオールのうち、熱可塑性ポリウレタン樹脂が高い反発弾性が得られるという点で、ポリテトラメチレンエーテルグリコールであることが好ましい。また、かかるポリオールの数平均分子量は、1,000〜4,000であるのが好ましく、数平均分子量が2,000〜3,000であるものが特に好ましい。 Among these polyols, the polytetramethylene ether glycol is preferable because the thermoplastic polyurethane resin can obtain high impact resilience. The number average molecular weight of the polyol is preferably 1,000 to 4,000, and particularly preferably 2,000 to 3,000.

また、鎖伸長剤としては、例えばエタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール等の炭素原子数が2〜6の脂肪族直鎖ジオール、1,4-ビス(ヒドロキシエトキシ)ベンゼン等が挙げられる。ヘキサメチレンジアミン、イソホロンジアミン、トリレンジアミン、モノエタノールアミン等のようなアミン類も一部併用して用いることができる。これらのうち、熱可塑性ポリウレタン樹脂の耐擦過傷性の点で炭素原子数が2〜6の脂肪族直鎖ジオールが好ましい。 Examples of chain extenders include ethanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, and other straight-chain aliphatic diols having 2 to 6 carbon atoms, 1,4-bis(hydroxyethoxy). Examples include benzene. Some amines such as hexamethylenediamine, isophoronediamine, tolylenediamine, monoethanolamine and the like can be used in combination. Of these, aliphatic linear diols having 2 to 6 carbon atoms are preferable in terms of scratch resistance of the thermoplastic polyurethane resin.

熱可塑性ポリウレタン樹脂の密度は、1.1〜1.5g/cm3程度が好ましく、1.1〜1.3g/cm3程度がより好ましい。The density of the thermoplastic polyurethane resin is preferably about 1.1~1.5g / cm 3, about 1.1~1.3g / cm 3 is more preferable.

熱可塑性ポリウレタン樹脂は、上記の原料をワンショット法、プレポリマー法等の公知の方法を用いて製造できる。 The thermoplastic polyurethane resin can be produced from the above raw materials by a known method such as a one-shot method or a prepolymer method.

PUとしては、例えば、ディーアイシーコベストロポリマー(株)製のパンデックス、日本ミラクトラン(株)製のミラクトラン等が挙げられる。 Examples of PU include Pandex manufactured by DIC Covestropolymer Co., Ltd., Miractolan manufactured by Nippon Miractolane Co., Ltd., and the like.

中間層は、構成する樹脂組成物が、前記(i)PUに加えて、(ii)ポリエチレン系樹脂を含んでも良い。 The resin composition constituting the intermediate layer may include (ii) a polyethylene resin in addition to (i) PU.

(ii)ポリエチレン系樹脂
ポリエチレン系樹脂は、表層で使用可能な樹脂を用いることができる。
(Ii) Polyethylene resin
As the polyethylene-based resin, a resin that can be used in the surface layer can be used.

表層で使用されているポリエチレン系樹脂と同じ樹脂を中間層に用いてもよく、表層で使用されているポリエチレン系樹脂と異なる樹脂を用いてもよい。ポリエチレン系樹脂として、上記PUと共に、エチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)を用いることが好ましい。 The same resin as the polyethylene-based resin used for the surface layer may be used for the intermediate layer, or a resin different from the polyethylene-based resin used for the surface layer may be used. As the polyethylene resin, it is preferable to use ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA) together with the above PU.

中間層にポリエチレン系樹脂を含む場合の含有割合は、0〜80重量%が好ましく、0〜70重量%が好ましい。 When the intermediate layer contains a polyethylene resin, the content ratio is preferably 0 to 80% by weight, and more preferably 0 to 70% by weight.

ポリエチレン系樹脂が0〜80重量%の範囲であれば、ダイシング用基体フィルムのエキスパンド性、すなわち引張物性が良好である。 When the polyethylene resin is in the range of 0 to 80% by weight, the expandability of the dicing substrate film, that is, the tensile properties are good.

(1-4)ダイシング用基体フィルムの層構成
本発明のダイシング用基体フィルムは、表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含む。
(1-4) Layer Structure of Base Film for Dicing The base film for dicing of the present invention includes a structure in which a surface layer/intermediate layer/back layer are laminated in this order.

表層は、ウェハ接触側であり、粘着層と接する層である。 The surface layer is the wafer contact side and is the layer in contact with the adhesive layer.

中間層は、各樹脂単独で層(単層)を形成しても良いし、樹脂の混合物で層(単層)を形成しても良いし、樹脂毎に層(多層)を形成しても良い。 The intermediate layer may form a layer (single layer) of each resin alone, a layer (single layer) of a mixture of resins, or a layer (multilayer) of each resin. good.

本発明のダイシング用基体フィルムでは、前記表層及び/又は裏層が、単層又は複層であることが好ましい。表裏層は、LDPE、EVA等が、各樹脂で層(単層)を形成しても良いし、樹脂の混合物で層(単層)を形成しても良いし、樹脂毎に層(多層)を形成しても良い。 In the dicing substrate film of the present invention, it is preferable that the surface layer and/or the back layer is a single layer or a multilayer. For the front and back layers, LDPE, EVA, etc. may form a layer (single layer) with each resin, a layer (single layer) with a mixture of resins, or a layer (multilayer) for each resin. May be formed.

本発明のダイシング用基体フィルムの全体の厚さとしては、50〜300μm程度が好ましく、70〜200μm程度がより好ましく、80〜150μm程度が更に好ましい。ダイシング用基体フィルムの全体の厚さを50μm以上に設定することにより、半導体ウェハをダイシングする際に、半導体ウェハを衝撃から保護することが可能となる。 The total thickness of the dicing substrate film of the present invention is preferably about 50 to 300 μm, more preferably about 70 to 200 μm, and further preferably about 80 to 150 μm. By setting the total thickness of the dicing substrate film to 50 μm or more, it becomes possible to protect the semiconductor wafer from impact when dicing the semiconductor wafer.

ダイシング用基体フィルム全厚さに対し、表層及び裏層の厚さの割合は4〜80%程度が好ましく、10〜60%程度がより好ましい。 The ratio of the thickness of the front layer and the thickness of the back layer to the total thickness of the dicing substrate film is preferably about 4 to 80%, more preferably about 10 to 60%.

ダイシング用基体フィルム全厚さに対し、中間層の厚さの割合は20〜96%程度が好ましく、40〜90%程度がより好ましい。 The ratio of the thickness of the intermediate layer to the total thickness of the dicing substrate film is preferably about 20 to 96%, more preferably about 40 to 90%.

ダイシング用基体フィルムの具体例として、ダイシング用基体フィルムの全厚さが60〜100μm程度の場合を説明する。 As a specific example of the dicing substrate film, a case where the total thickness of the dicing substrate film is about 60 to 100 μm will be described.

表層及び裏層の厚さは、各2〜44μm程度が好ましく、各10〜38μm程度がより好ましい。表層及び裏層が複層である時は、総厚さとして、上記の厚み範囲内で各層を形成すればよい。 The thickness of the front layer and the back layer is preferably about 2 to 44 μm, and more preferably about 10 to 38 μm. When the front layer and the back layer are multi-layers, each layer may be formed within the above thickness range as a total thickness.

中間層の厚さは12〜96μm程度が好ましく、24〜80μm程度がより好ましい。中間層が複層である時は、総厚さとして、上記の厚み範囲内で各層を形成すればよい。 The thickness of the intermediate layer is preferably about 12 to 96 μm, more preferably about 24 to 80 μm. When the intermediate layer is a multilayer, each layer may be formed within the above thickness range as a total thickness.

3種5層とする例(表層-1/表層-2/中間層/裏層-2/裏層-1)
3種5層とする例では、上述したとおり、表層-1と表層-2の総厚さが上記表層の厚さの範囲となり、同様に、裏層-1と裏層-2の総厚さが上記裏層の厚さの範囲となる。
Example of 3 layers with 5 layers (surface layer-1/surface layer-2/intermediate layer/back layer-2/back layer-1)
In the example of 3 layers of 5 layers, as described above, the total thickness of the surface layer-1 and the surface layer-2 is in the range of the thickness of the surface layer, and similarly, the total thickness of the back layer-1 and the back layer-2. Is the range of the thickness of the back layer.

表層-1と表層-2は、同種のポリエチレン系樹脂を用いてもよく、異種のポリエチレン系樹脂を用いてもよい。 The surface layer-1 and the surface layer-2 may use the same type of polyethylene resin, or may use different types of polyethylene resin.

裏層-1と裏層-2は、同種のポリエチレン系樹脂を用いてもよく、異種のポリエチレン系樹脂を用いてもよい。 The back layer-1 and the back layer-2 may use the same type of polyethylene resin or different types of polyethylene resin.

同種のポリエチレン系樹脂を用いる場合として、例えば、EVAを用いる場合、表層-2及び裏層-2に用いるEVAは、表層-1及び裏層-1に用いるEVAに比べ、ビニル基の含有量(VA含有量)が高いEVAを用いることが好ましい。 When using the same type of polyethylene-based resin, for example, when using EVA, the EVA used in the surface layer-2 and the back layer-2 has a vinyl group content (compared to the EVA used in the surface layer-1 and the back layer-1 ( It is preferable to use EVA having a high VA content.

表層-1及び裏層-1では、VA含有量が5〜15重量%程度のEVAを用いることが好ましく、7〜13重量%程度のEVAを用いることがより好ましい。 For the surface layer-1 and the back layer-1, it is preferable to use EVA having a VA content of about 5 to 15% by weight, and more preferably 7 to 13% by weight.

表層-2及び裏層-2では、VA含有量が15〜33重量%程度のEVAを用いることが好ましく、28〜33重量%程度のEVAを用いることがより好ましい。 For the front layer-2 and the back layer-2, EVA having a VA content of about 15 to 33% by weight is preferably used, and more preferably 28 to 33% by weight of EVA is used.

また、MFRの観点では、表層-2及び裏層-2に用いるEVAは、表層-1及び裏層-1に比べて、メルトフローレート(MFR)が高いEVAを用いることが好ましい。 From the viewpoint of MFR, it is preferable to use EVA having a higher melt flow rate (MFR) than EVA used for the surface layer-2 and the back layer-2.

表層-1及び裏層-1では、EVAの190℃におけるMFRは0.1g/10分〜10g/10分程度が好ましく、5g/10分〜10g/10分程度がより好ましい。 In the front layer-1 and the back layer-1, the MFR at 190° C. of EVA is preferably about 0.1 g/10 minutes to 10 g/10 minutes, more preferably about 5 g/10 minutes to 10 g/10 minutes.

表層-2及び裏層-2では、EVAの190℃におけるMFRは、10g/10分〜40g/10分程度が好ましく、12g/10分〜35g/10分程度がより好ましい。 In the front layer-2 and the back layer-2, the MFR of EVA at 190° C. is preferably about 10 g/10 min to 40 g/10 min, more preferably about 12 g/10 min to 35 g/10 min.

(2)ダイシング用基体フィルムの製法
表層/中間層/裏層のダイシング用基体フィルムは、表層、中間層、及び裏層用の樹脂組成物を多層共押出成形して製造することができる。具体的には、前記表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物、及び裏層用樹脂組成物を、表層/中間層/裏層の順に積層されるよう共押出成形することにより製造することができる。
(2) Manufacturing Method of Dicing Substrate Film The front layer/intermediate layer/back layer dicing substrate film can be produced by multi-layer coextrusion molding of the resin composition for the surface layer, the intermediate layer and the back layer. Specifically, the resin composition for the surface layer, the resin composition for the intermediate layer, and the resin composition for the back layer are coextruded so as to be laminated in the order of surface layer/intermediate layer/back layer. You can

更に、表層及び裏層を複層構成にする場合には、各表層及び裏層用の樹脂組成物を夫々の押出機に投入し、例えば、表層-1/表層-2/中間層/裏層-2/裏層-1の順に積層されるように共押出成形することにより製造することができる。 Furthermore, when the surface layer and the back layer are formed into a multilayer structure, the resin composition for each surface layer and the back layer is put into each extruder, and, for example, surface layer-1/surface layer-2/intermediate layer/back layer It can be manufactured by coextrusion molding so that -2/back layer-1 is laminated in this order.

表層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて更に帯電防止剤を加えることができる。裏層も同様である。 If necessary, an antistatic agent can be added to the resin composition forming the surface layer. The same applies to the back layer.

上記した各層用樹脂を夫々この順でスクリュー式押出機に供給し、180〜240℃で多層Tダイからフィルム状に押出し、これを30〜70℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。或いは、各層用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。 The above-mentioned resin for each layer is supplied to the screw type extruder in this order, extruded into a film form from a multilayer T die at 180 to 240°C, and cooled while passing through a cooling roll at 30 to 70°C to be substantially cooled. Is drawn without stretching. Alternatively, the resin for each layer may be once obtained as pellets and then extruded as described above.

引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、ダイシング後に行うフィルムの拡張を有効に行うためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、ダイシングフィルムの拡張に悪影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであれば良い。 The reason why the film is substantially unstretched at the time of take-up is to effectively expand the film after dicing. The term "substantially non-stretching" includes non-stretching or a slight stretching that does not adversely affect the expansion of the dicing film. In general, when pulling the film, it is sufficient to pull the film so as not to cause slack.

(3)ダイシングフィルムの製造
本発明のダイシングフィルムは、周知の技術に沿って製造することができる。例えば、粘着剤層を構成する粘着剤を有機溶剤等の溶媒に溶解させ、これをダイシング用基体フィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより基体フィルム/粘着剤層の構成のフィルムを得ることができる。
(3) Production of dicing film The dicing film of the present invention can be produced according to a well-known technique. For example, a pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer is dissolved in a solvent such as an organic solvent, the solution is applied onto a dicing substrate film, and the solvent is removed to obtain a film having a substrate film/pressure-sensitive adhesive layer configuration. You can

ダイボンド層を構成する樹脂組成物を、有機溶剤等の溶媒に溶解させ、別のフィルム(剥離フィルム)上に塗布し、溶媒を除去することによって、ダイボンドフィルムを作製する。 The resin composition that constitutes the die bond layer is dissolved in a solvent such as an organic solvent, coated on another film (release film), and the solvent is removed to prepare a die bond film.

更に、前記粘着剤層とダイボンド層を対向するように重ね合わせることにより、ダイシングフィルムを作製する。これにより、基体フィルム/粘着剤層/ダイボンド層の構成のフィルムを得ることができる。この段階ではダイボンド層は、半導体ウェハと粘着層と弱く(擬似)接着した状態で、貼り合わされている。 Further, the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding layer are laminated so as to face each other, thereby producing a dicing film. As a result, a film having a structure of base film/adhesive layer/die bond layer can be obtained. At this stage, the die bond layer is bonded to the semiconductor wafer and the adhesive layer in a weakly (pseudo) bonded state.

エキスパンド後、分断された半導体チップとダイボンド層は、所定のパッケージ又は半導体チップを積層させて、ダイボンド層が強く接着する温度まで過熱し、接着させる。 After the expansion, the divided semiconductor chip and die bond layer are laminated with a predetermined package or semiconductor chip and heated to a temperature at which the die bond layer strongly adheres to each other.

以下に、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)ダイシング用基体フィルムの原料
表1にダイシング用基体フィルムの原料を示した。
(1) Raw Materials for Dicing Substrate Film Table 1 shows the raw materials for the dicing substrate film.

Figure 2019039253
Figure 2019039253

[略称の説明]
PE-1〜9:ポリエチレン系樹脂1〜9
SEBS:スチレン-ブタジエン共重合体水素添加物
(スチレン-エチレン-ブチレン-スチレン共重合体)
TPU:熱可塑性ポリウレタン(PU)
非晶性PO:非晶性ポリオレフィン
LDPE:分岐状低密度ポリエチレン
EVA:エチレン-酢酸ビニル共重合体
VA含量:酢酸ビニル含有割合
EMAA:エチレン-メタクリル酸共重合体
MAA含量:メタクリル酸含有量
St含量:スチレン含有割合
(ビニル芳香族炭化水素系樹脂中のビニル芳香族炭化水素(St)成分の含有量)
[Explanation of abbreviation]
PE-1-9: Polyethylene resin 1-9
SEBS: Styrene-butadiene copolymer hydrogenated product
(Styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer)
TPU: Thermoplastic polyurethane (PU)
Amorphous PO: Amorphous polyolefin
LDPE: Branched low density polyethylene
EVA: Ethylene-vinyl acetate copolymer
VA content: vinyl acetate content
EMAA: Ethylene-methacrylic acid copolymer
MAA content: Methacrylic acid content
St content: Styrene content ratio (content of vinyl aromatic hydrocarbon (St) component in vinyl aromatic hydrocarbon resin)

(2)表層/中間層/裏層のダイシング用基体フィルムの製造
表2に記載の表層/中間層/裏層(3層)となるように、各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、ダイシング用基体フィルムを作製した。
(2) Production of surface layer/intermediate layer/back layer dicing base film A resin composition is blended with each component and composition so that the surface layer/intermediate layer/back layer (3 layers) described in Table 2 is obtained. A base film for dicing was produced.

各層を構成する樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入し表層/中間層/裏層の順序になるように、220℃のTダイスにより押出し、積層し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の3層フィルムを得た。 The resin composition forming each layer is put into each extruder adjusted to 220° C., and extruded by a T die at 220° C. so as to be in the order of surface layer/intermediate layer/back layer, laminated, and dried at 30° C. It was coextruded on a chill roll in which cooling water circulates to obtain a flat three-layer film.

Figure 2019039253
Figure 2019039253

(3)表層-1/表層-2/中間層/裏層-2/裏層-1のダイシング用基体フィルムの製造
表3及び4に記載の表層-1/表層-2/中間層/裏層-2/裏層-1(5層)となるように、各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、ダイシング用基体フィルムを作製した。
(3) Production of dicing substrate film of surface layer-1/surface layer-2/intermediate layer/back layer-2/back layer-1 Surface layer-1/surface layer-2/intermediate layer/back layer described in Tables 3 and 4 The resin composition was blended with each component and composition so as to be -2/back layer-1 (5 layers) to prepare a base film for dicing.

各層を構成する樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入し表層-1/表層-2/中間層/裏層-2/裏層-1の順序になるように、220℃のTダイスにより押出し、積層し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の5層フィルムを得た。 The resin composition forming each layer is put into each extruder adjusted to 220° C., and the order of surface layer-1/surface layer-2/intermediate layer/back layer-2/back layer-1 is 220 The film was extruded with a T-die of ℃, laminated, and coextruded on a chill roll in which cooling water of 30 ℃ circulated to obtain a flat 5-layer film.

Figure 2019039253
Figure 2019039253

Figure 2019039253
Figure 2019039253

(4)ダイシング用基体フィルムの評価
(4-1)低温エキスパンド性(Ex性)
<評価方法>
(引張伸度の測定)
フィルムのMD方向(フィルム成形の押出方向)及びTD方向(フィルム成形により成形されたフィルムの幅方向)について、200mm/minの引張速度で、10mm幅でチャック間距離が40mmになるように加工したフィルムサンプルを用いて、フィルムの引張伸度測定を行った。
(4) Evaluation of base film for dicing
(4-1) Low temperature expandability (Ex property)
<Evaluation method>
(Measurement of tensile elongation)
In the MD direction (extrusion direction of film forming) and TD direction (width direction of the film formed by film forming) of the film, processing was performed at a pulling speed of 200 mm/min so that the chuck distance was 40 mm in 10 mm width. The tensile elongation of the film was measured using the film sample.

(25%モジュラスの測定)
フィルムのMD方向(フィルム成形の押出方向)及びTD方向(フィルム成形により成形されたフィルムの幅方向)について、200mm/minの引張速度で、10mm幅でチャック間距離が40mmになるように加工したフィルムサンプルを用いて、SSカーブ(応力-ひずみ曲線)を得た。
(25% modulus measurement)
In the MD direction (extrusion direction of film forming) and TD direction (width direction of the film formed by film forming) of the film, processing was performed at a pulling speed of 200 mm/min so that the chuck distance was 40 mm in 10 mm width. An SS curve (stress-strain curve) was obtained using the film sample.

得られたSSカーブの、伸び率25%における応力値を夫々読み取った。 The stress values at the elongation rate of 25% of the obtained SS curves were read respectively.

<評価基準>
(ア)低温エキスパンド性(低温Ex性)
○:引張試験を行った際に、伸び率が100%以上である。
×:引張試験を行った際に、フィルム伸び率が100%未満である。
<Evaluation criteria>
(A) Low temperature expandability (low temperature Ex property)
◯: The elongation is 100% or more when the tensile test is performed.
X: The film elongation is less than 100% when a tensile test is performed.

(イ)均一エキスパンド性(均一Ex性)
MD方向の伸び率25%における応力値と、TD方向の伸び率25%における応力値の比を求め、モジュラス比(MD/TD)とした。
○:モジュラス比(MD/TD)が1.5未満である。
×:モジュラス比(MD/TD)が1.5以上である。
(B) Uniform expandability (uniform Ex property)
The modulus ratio (MD/TD) was obtained by calculating the ratio of the stress value at 25% elongation in MD direction and the stress value at 25% elongation in TD direction.
◯: Modulus ratio (MD/TD) is less than 1.5.
X: The modulus ratio (MD/TD) is 1.5 or more.

モジュラス比(MD/TD)が、前記範囲にあることで、ダイシング用基体フィルムは、-15〜5℃の低温条件下で、良好な均一エキスパンド性(均一Ex性)を発揮する。 When the modulus ratio (MD/TD) is within the above range, the dicing substrate film exhibits good uniform expandability (uniform Ex property) under low temperature conditions of -15 to 5°C.

(4-2)低温高速エキスパンド性(低温高速Ex性)
<評価方法>
(破断伸び(最大伸び)(%)の測定)
引張試験:株式会社島津製作所製「HYDROSHOT・HITS-T10」を用いて、-15±2℃環境下で、250mm/secの引張速度で、25mm幅でチャック間距離が10mmになるように加工したフィルムサンプルを、MD方向及びTD方向に、破断するまで伸ばした。
(4-2) Low temperature and high speed expandability (low temperature and high speed Ex property)
<Evaluation method>
(Measurement of elongation at break (maximum elongation) (%))
Tensile test: "HYDROSHOT HITS-T10" made by Shimadzu Corporation was processed under a -15±2°C environment at a pulling speed of 250 mm/sec so that the chuck-to-chuck distance was 10 mm at a width of 25 mm. The film sample was stretched in MD and TD until it broke.

荷重と伸びのデータプロットより、SSカーブ(応力-ひずみ曲線)を作成し、破断伸び(最大伸び)を算出した。 An SS curve (stress-strain curve) was created from the load and elongation data plots, and the elongation at break (maximum elongation) was calculated.

<評価基準>
(高速引張試験評価(機械特性))
○:MD及びTD方向の破断引張伸びが120%以上である。
×:MD及びTD方向の破断引張伸びが120%未満である。
<Evaluation criteria>
(High-speed tensile test evaluation (mechanical properties))
◯: Breaking tensile elongation in the MD and TD directions is 120% or more.
X: Breaking tensile elongation in the MD and TD directions is less than 120%.

この評価方法では、引張速度を250mm/secに設定して、引張試験を行うことで、低温条件に加えて、高速条件でのエキスパンド性を評価している。そして、フィルムのMD及びTD方向の破断引張伸びが120%以上であることで、例えばステルスダイシング後、低温条件(-15〜5℃)及び高速条件でのエキスパンドを実施する際に、フィルムが良好に伸張する。 In this evaluation method, the tensile speed is set to 250 mm/sec and a tensile test is conducted to evaluate the expandability under high-speed conditions in addition to low-temperature conditions. And, when the tensile elongation at break in MD and TD of the film is 120% or more, for example, after stealth dicing, when the film is expanded under low temperature conditions (-15 to 5°C) and high speed conditions, the film is good. Extend to.

(4-3)ヒートシュリンク性(HS性)
条件1-引張試験:株式会社島津製作所製「オートグラフAG-500NX TRAPEZIUM X」を用いて、-15±2℃環境下で、200mm/minの引張速度で、10mm幅でチャック間距離が40mmになるように加工したフィルムサンプルを、MD方向及びTD方向に、夫々200%伸ばした。
(4-3) Heat shrinkability (HS property)
Condition 1-Tensile test: "Autograph AG-500NX TRAPEZIUM X" manufactured by Shimadzu Corporation was used, under a -15±2°C environment, at a pulling speed of 200 mm/min, a chuck distance of 40 mm at a width of 10 mm. The film sample processed so that it was stretched 200% in MD and TD, respectively.

条件2-収縮試験:三菱重工冷熱株式会社製「恒湿器TBP105DA」を用いて、設定温度80℃にて5秒間サンプルを加熱させた。 Condition 2-Shrinkage test: The sample was heated for 5 seconds at a set temperature of 80° C. using “Humidifier TBP105DA” manufactured by Mitsubishi Heavy Industries Cold & Heat Co., Ltd.

<評価方法>
長さ100mm(標線間隔40mm+つかみシロ(上下に30mmずつ))、幅10mmの大きさのフィルム短冊サンプルを作成し、上記条件1にて伸長させた。
<Evaluation method>
A film strip sample having a length of 100 mm (mark line interval 40 mm + gripping white (upper and lower 30 mm each)) and a width of 10 mm was prepared and stretched under the above condition 1.

200%伸長させた状態にて10秒間保持した後、チャックを元の位置に戻し、チャックを開放し、サンプルを上記条件2にて収縮させた。 After holding for 10 seconds in a state of being stretched by 200%, the chuck was returned to the original position, the chuck was opened, and the sample was contracted under the above condition 2.

収縮後の標線間隔L[mm]を測定し、下記計算式にて、回復率を算出した。 The marked line interval L [mm] after contraction was measured, and the recovery rate was calculated by the following formula.

回復率[%]={(120−L)/80}×100
MD方向及びTD方向共に、回復率を測定し、これをヒートシュリンク性(HS性)と表した。
Recovery rate [%]={(120-L)/80}×100
The recovery rate was measured in both MD and TD directions, and this was expressed as heat shrinkability (HS property).

<評価基準>
(ア)ヒートシュリンク性(HS性)
○:ヒートシュリンクにより、回復率が70%以上である。
回復率は、90〜110%であることがより好ましい。
×:ヒートシュリンクにより、回復率が70%未満である。
<Evaluation criteria>
(A) Heat shrinkability (HS property)
○: Recovery rate is 70% or more due to heat shrink.
The recovery rate is more preferably 90 to 110%.
X: The recovery rate is less than 70% due to heat shrink.

MD及びTD方向の回復率が、前記範囲にあることで、ダイシング用基体フィルムは、80℃環境下で、良好なヒートシュリンク性(HS性)を発揮する。 When the recovery rate in the MD and TD directions is within the above range, the base film for dicing exhibits good heat shrinkability (HS property) under an environment of 80°C.

(イ)均一ヒートシュリンク性(均一HS性)
○:MD方向の回復率とTD方向の回復率との比(MD/TD)が1.2未満である。
回復率の比(MD/TD)は、0.9〜1.15であることがより好ましい。
×:回復率の比(MD/TD)が1.2以上である。
(A) Uniform heat shrinkability (uniform HS property)
◯: The ratio (MD/TD) of the MD recovery rate and the TD recovery rate is less than 1.2.
The recovery ratio (MD/TD) is more preferably 0.9 to 1.15.
X: The ratio of recovery rates (MD/TD) is 1.2 or more.

回復率の比(MD/TD)が、前記範囲にあることで、ダイシング用基体フィルムは、80℃の条件下で、良好な均一ヒートシュリンク性(均一HS性)を発揮する。 When the recovery ratio (MD/TD) is within the above range, the dicing substrate film exhibits good uniform heat shrinkability (uniform HS property) under the condition of 80°C.

Figure 2019039253
Figure 2019039253

Figure 2019039253
Figure 2019039253

本発明のダイシング用基体フィルム(実施例1〜12)は、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングフィルムが均一に伸張した。 In the dicing substrate films of the present invention (Examples 1 to 12), the dicing films were uniformly stretched even when expanded under low temperature conditions.

Figure 2019039253
Figure 2019039253

本発明(実施例)のダイシング用基体フィルムは、比較例に比べて、ヒートシュリンク性(HS性)の数値が有意に大きな値となった。つまり、本発明のダイシング用基体フィルムは、ヒートシュリンク性がより良好であった。 The dicing substrate film of the present invention (Example) had a significantly higher heat shrinkability (HS property) value than the comparative example. That is, the heat-shrinkability of the dicing substrate film of the present invention was better.

低温エキスパンド性(Ex性)は、本発明(実施例)及び比較例のダイシング用基体フィルムで、どちらも許容範囲であった。 The low-temperature expandability (Ex property) was within the allowable range for both the dicing substrate films of the present invention (Example) and Comparative Example.

本発明(実施例)のダイシング用基体フィルムは、比較例に比べて、低温高速エキスパンド性(低温高速Ex性)が良好であった。 The dicing substrate film of the present invention (Example) had better low-temperature high-speed expanding property (low-temperature high-speed Ex property) than the comparative example.

(5)考察
ヒートシュリンク性
本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、ダイシングフィルム(シート)は、エキスパンド工程を経た後でも、生じたたるみ部を加熱することでその部分を収縮させ、たるみを解消することができる。
(5) Consideration
Heat Shrinkability By using the dicing substrate film of the present invention, the dicing film (sheet) can shrink the slack portion by heating the generated slack portion even after passing through the expanding step and eliminate the slack. ..

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、特にダイシングフィルム(シート)は、加熱収縮による復元率が高い。 When the dicing substrate film of the present invention is used, the dicing film (sheet) has a high restoration rate due to heat shrinkage.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、使用済みのダイシングフィルムのラックへの回収が、より迅速にかつ簡便に行える。つまり、本発明のダイシング用基体フィルムは、熱による復元性が高く、しかもダイシングフィルムが均一に回復する。つまりヒートシュリンク性が良好に発揮され、ラック回収性に優れている。また、本発明のダイシング用基体フィルムを用いた製品同士は衝突せず欠陥が生じない。 By using the dicing substrate film of the present invention, the used dicing film can be collected in the rack more quickly and easily. That is, the dicing substrate film of the present invention has high heat-restoring property and the dicing film is uniformly recovered. That is, the heat shrinkability is excellently exhibited, and the rack recoverability is excellent. Further, products using the dicing substrate film of the present invention do not collide with each other and no defect occurs.

エキスパンド性
本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、エキスパンド性は良好で、しかもダイシングフィルムが均一に伸張する。本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、低温条件下で実施されるエキスパンドにおいて、半導体ウェハとダイボンド層が一括して良好に切断(分断)される。
Expandability When the base film for dicing of the present invention is used, the expandability is good and the dicing film is uniformly stretched even when expanded under low temperature conditions. When the base film for dicing of the present invention is used, the semiconductor wafer and the die bond layer are satisfactorily cut (separated) together in the expansion performed under low temperature conditions.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、特に、ステルスダイシング後、半導体ウェハとダイボンド層を切断(分断)する場合に、低温条件及び高速条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、エキスパンド性が良好であり、ダイシングフィルムが良好に伸張する。本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、低温条件及び高速条件下で実施されるエキスパンドにおいて、半導体ウェハとダイボンド層が一括して良好に切断(分断)される。 When the substrate film for dicing of the present invention is used, particularly after stealth dicing, when the semiconductor wafer and the die bond layer are cut (divided), the expandability is improved even if the expansion is performed under low temperature conditions and high speed conditions. Is good, and the dicing film stretches well. When the base film for dicing of the present invention is used, the semiconductor wafer and the die bond layer are collectively cut (divided) favorably in the expansion performed under low temperature conditions and high speed conditions.

本発明のダイシング用基体フィルムを用いると、半導体製品の小型化が進み、シートにおいてより拡張すること(エキスパンド性)が求められる中で、より拡張性・収縮性が高いシートとなる。 When the dicing substrate film of the present invention is used, miniaturization of semiconductor products progresses and the sheet is required to be more expandable (expandability), so that the sheet has higher expandability and shrinkability.

Claims (5)

表層/中間層/裏層の順に積層された構成を含むダイシング用基体フィルムであって、
表層及び裏層はポリエチレン系樹脂を含む樹脂組成物からなり、
中間層はポリウレタン系樹脂を含む樹脂組成物からなる、
ダイシング用基体フィルム。
A dicing substrate film comprising a structure in which a surface layer/intermediate layer/back layer is laminated in this order,
The front layer and the back layer are made of a resin composition containing a polyethylene resin,
The intermediate layer is made of a resin composition containing a polyurethane resin,
Base film for dicing.
前記表層及び/又は裏層が、単層又は複層である、請求項1記載のダイシング用基体フィルム。 The dicing substrate film according to claim 1, wherein the surface layer and/or the back layer is a single layer or a multilayer. 前記ポリエチレン系樹脂が、分岐鎖状低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルアクリレート共重合体(EMA)、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン-メタクリル酸共重合体(EMAA)、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、請求項1又は2に記載のダイシング用基体フィルム。 The polyethylene resin is branched low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl acrylate copolymer (EMA), ethylene- At least one resin selected from the group consisting of ethyl acrylate copolymer, ethylene-butyl acrylate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA), ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA), and ionomer resin. The substrate film for dicing according to claim 1 or 2, which is 前記ポリウレタン系樹脂が、熱可塑性ポリウレタン樹脂(TPU)である、請求項1〜3のいずれかに記載のダイシング用基体フィルム。 The dicing substrate film according to claim 1, wherein the polyurethane resin is a thermoplastic polyurethane resin (TPU). 請求項1〜4のいずれか1項記載のダイシング用基体フィルムの表層側に、粘着剤層とダイボンド層とをこの順に設けたダイシングフィルム。 A dicing film in which an adhesive layer and a die bond layer are provided in this order on the surface layer side of the dicing substrate film according to any one of claims 1 to 4.
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