JPWO2019021598A1 - 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019021598A1
JPWO2019021598A1 JP2019532397A JP2019532397A JPWO2019021598A1 JP WO2019021598 A1 JPWO2019021598 A1 JP WO2019021598A1 JP 2019532397 A JP2019532397 A JP 2019532397A JP 2019532397 A JP2019532397 A JP 2019532397A JP WO2019021598 A1 JPWO2019021598 A1 JP WO2019021598A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring board
electronic device
wiring conductor
silicate phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019532397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6773910B2 (ja
Inventor
山本　誠
山本　　誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2019021598A1 publication Critical patent/JPWO2019021598A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6773910B2 publication Critical patent/JP6773910B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C04B2237/062—Oxidic interlayers based on silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/403—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/404—Manganese or rhenium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/86—Joining of two substrates at their largest surfaces, one surface being complete joined and covered, the other surface not, e.g. a small plate joined at it's largest surface on top of a larger plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

第１含有率で酸化アルミニウムを含有しているとともにムライトを含有しており、上面および下面を有する第１層と、第１含有率よりも大きい第２含有率で酸化アルミニウムを含有しており、第１層の上面および下面の少なくとも一方に接して第１層に積層されている第２層とを含む絶縁基板と、マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有しており、第１層内に位置している配線導体とを備えており、絶縁基板と配線導体との界面部分にマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している配線基板等である。

Description

本発明は、ムライトを含む絶縁基板と絶縁基板に配置された配線導体とを含む配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置に関する。
電子部品の搭載用等に用いられる基板として、酸化アルミニウム質焼結体等の絶縁材料からなる絶縁基板と、絶縁基板の表面に設けられたメタライズ層とを含むものが知られている。メタライズ層は、電子部品と外部電気回路都の電気的な接続のための導電路として機能する。配線基板または電子部品収納用パッケージに電子部品が実装されてなる電子装置において、信号の伝送特性等を考慮して、ムライトを含む絶縁材料、またはムライトおよびアルミナ（酸化アルミニウム）を含む絶縁材料を用いることが提案されている。
また、近年、光半導体素子等の電子部品から外部への放熱性の向上等のため、金属製の筐体に入出力部として上記の基板を接合した電子部品収納用パッケージが多用されるようになってきている。
本発明の１つの態様の配線基板は、第１含有率で酸化アルミニウムを含有しているとともにムライトを含有しており、上面および下面を有する第１層と、前記第１含有率よりも大きい第２含有率で酸化アルミニウムを含有しており、前記第１層の前記上面および前記下面の少なくとも一方に接して前記第１層に積層されている第２層とを含む絶縁基板と、マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有しており、前記第１層内に位置している配線導体とを備えている。また、前記絶縁基板と前記配線導体との界面部分にマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している。
本発明の１つの態様の電子装置用パッケージは、上記構成の配線基板と、凹部を有し、該凹部の側壁の一部に開口を有する金属筐体とを備えている。また、前記配線基板が前記開口を塞ぐように前記金属筐体に接合されている。
本発明の１つの態様の電子装置は、上記構成の電子装置用パッケージと、前記金属筐体の凹部内に収容された電子部品とを備えている。
本発明の実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。 図１のＡ部分を拡大して模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態の配線基板および電子装置用パッケージの一例を示す平面図である。 本発明の実施形態の電子装置の一例を示す断面図である。 図１に示す配線基板の変形例を示す断面図である。 図１のＢ部分を拡大して示す断面図である。 図３に示す電子装置の変形例における要部を拡大して示す断面図である。 図３に示す電子装置の変形例における要部を拡大して示す断面図である。
本発明の実施形態の配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置を、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は説明上の便宜的なものであり、実際に配線基板、電子装置用パッケージまたは電子装置が使用されるときの上下を限定するものではない。
図１（ａ）は本発明の実施形態の配線基板の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡ部分を拡大して模式的に示す断面図である。図３は、本発明の実施形態の配線基板および電子装置用パッケージの一例を示す平面図である。図４は、本発明の実施形態の電子装置の一例を示す断面図である。
互いに積層された第１層１および第２層２を含む絶縁基板３と、第１層１内に位置する配線導体４とによって、実施形態の配線基板10が基本的に構成されている。また、配線基板10と、凹部11ａを有しているとともに凹部11ａ内に配線基板10が接合されている金属筐体11とによって、実施形態の電子装置用パッケージ20が基本的に構成されている。また、電子装置用パッケージ20と、金属筐体11の凹部11ａ内に収容された電子部品21とによって、実施形態の電子装置30が基本的に構成されている。凹部11ａ内に収容された電子部品21は、配線基板10と電気的に接続され、配線基板10を介して外部電気回路と電気的に接続される。この電気的な接続によって電子部品21と外部電気回路都との間で信号の送受が可能になる。伝送される信号は、例えば約40ＧＨ以上であり、収容される電子部品21が光通信用のものであるときには、例えば約60ＧＨｚ（56〜64ＧＨｚ）程度である。
（配線基板）
配線基板10を構成している絶縁基板３は、例えば平面視で矩形状である。それぞれ矩形状の上面１ａおよび下面１ｂを有する第１層１と、第１層１の上面１ａおよび下面１ｂの少なくとも一方に接して第１層１に積層されている第２層２とを含んでいる。図１〜図４に示す例では、第１層１の上面１ａおよび下面１ｂの両方に第２層２が積層されている。なお、これらの図に示す例では、平面視において第２層２が第１層１の上面１ａおよび下面１ｂよりも小さい。すなわち、第１層１の上面１ａおよび下面１ｂそれぞれに部分的に第２層２が積層されている。また、第１層１の上面１ａは上下２段の段状の面であり、その上段部分に第２層２が積層されている。言い換えれば、第１層１は、部分的に厚み（上面１ａと下面１ｂとの間の距離）が異なっている。
絶縁基板３は、電子部品21と外部電気回路とを電気的に接続する導電路としての配線導体４を配置するための基体としての機能を有している。また、絶縁基板３は、複数（図３の例では２本）の配線導体４を互いに電気的に絶縁させて位置させる絶縁体としての機能を有する。図１等に示すように、第１層１内に配線導体４が位置している。なお、この実施形態の例では、上記のように第１層１の厚みが部分的に異なっていて、第１層１の厚みが比較的大きい（厚い）部分において配線導体４が第１層１内に位置している。また、第１層１の厚みが比較的小さい（薄い）部分では、配線導体４が第１層１の上面１ａに露出している。
絶縁基板３の第１層１は、第１含有率で酸化アルミニウムを含有しているとともに、ムライトを含有している。また、第２層２は、上記の第１含有率よりも大きい第２含有率で酸化アルミニウムを含有している。言い換えれば、それぞれ酸化アルミニウムを含有している第１層１および第２層２が互いに積層されて、酸化アルミニウムを主成分の一つとして含有する絶縁基板３が形成されている。
上記の第１含有率は、例えば酸化アルミニウム（以下、アルミナともいう）が約10〜90質量％である。第２含有率は例えば約40〜99.5質量％であって、上記第１含有率よりも小さい含有率である。この場合、第１層１におけるアルミナの含有率が90質量％以下であれば、第１層１の比誘電率を約９以下に小さくすることができる。これにより配線導体４における高周波信号の遅延時間を効果的に低減することができる。また、第２層２におけるアルミナの含有率が約40質量％以上であれば、第２層２の機械的強度（後述する３点曲げ試験）を約400ＭＰａ以上と大きく確保することができる。また、第１層１におけるアルミナの含有率が約10質量％以上である場合には、第１層１自体の機械的な強度および第１層１と第２層２との接合性の点で有利である。第２層２におけるアルミナの含有率が99.5質量％以下であれば、つまりアルミナ以外のシリカ等の助材が含有されていれば、第２層２としての焼結性を良好に確保することが容易である。
上記のとおり、第２層２は、アルミナおよびシリカ（酸化ケイ素）等の焼結助材（添加材）のみを含有する、酸化アルミニウム質焼結体であってもよい。ムライトの比誘電率が約6.5〜7.0であり、アルミナの比誘電率が約９〜10程度である。そのため、第１層１の比誘電率は、例えば約6.9〜8.8程度であり、第２層２の比誘電率は約7.4〜10程度である。
第１層１は、ムライトに加えてアルミナも含有している。アルミナはムライトに比べて機械的な強度が大きい。例えば、JIS R 1601-1995に従い、３点曲げ抗折強度試験においてアルミナの強度が約400〜620ＭＰａ程度であり、ムライトの強度が約200〜300ＭＰａ程度である。そのため、第１層１自体および第１層１を含む絶縁基板３としての機械的強度を、絶縁基板３の全体が第１層１と同様のムライト質焼結体からなる場合に比べて高くすることができる。
実施形態の配線基板10では、第１層１のうち、その上面１ａに配線導体４が位置している部分には第２層２が積層されていない。つまり、配線導体４は、第１層１内に位置している部分以外では、ムライトを含有しているセラミック材料と外部（空気）とに接していることになる。上記のように第１層１の比誘電率が比較的小さいため、第１層１内に位置している配線導体４は、高周波信号が伝送されるときの伝送の遅延時間の低減に適している。例えば、信号の周波数が約40ＧＨｚであるときには、単位長さ（例えば１ｍｍ）あたりの遅延時間を、配線導体４の上側または下側に酸化アルミニウム質焼結体からなる第２層２が位置しているときに比べて、約10％程度低減することができる。
また、第２層２は、上記のように機械的強度が大きいアルミナの含有率が比較的大きい。そのため、第２層２によって、絶縁基板３としての機械的強度を効果的に高めることができる。したがって、絶縁基板３は、高周波信号が伝送される配線導体４における地縁時間の低減と、機械的強度の確保とがともに容易なものになっている。これによって、高周波信号の伝送特性および機械的な強度が高い配線基板10とすることができる。
このような絶縁基板３の第１層１は、例えば次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよびムライトの原料粉末を適当な添加材、有機バインダおよび有機溶剤と混練してスラリーを作製する。このスラリーをドクターブレード法等の方法でシート状に成形するとともに所定の寸法に切断して四角シート状の複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、これらのセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を1350〜1450℃程度の温度で焼成することによって第１層１を製作することができる。また、第２層２についても、第１層１となるスラリーよりも酸化アルミニウムの含有率が大きいスラリーを作製すること以外は、第１層１の場合と同様にして製作することができる。
第１層１および第２層２を含む絶縁基板３は、上記のようにして製作した第１層１と第２層２とをガラス等の接合材で接合して製作することができる。また、絶縁基板３は、第１層１となるセラミックグリーンシートと第２層２となるセラミックグリーンシートとを積層して積層体とした後に、この積層体を一体焼成する方法で製作することもできる。この場合には、第１層１と第２層２とが互いに同時焼成されて、互いに強固に接合し合う。そのため、絶縁基板３としての機械的な強度を効果的に高めることができる。なお、上記一体焼成は、ムライトの含有率が０％の場合でも、85質量％の場合でも可能である。
実施形態の配線基板10における配線導体４は、マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有して、第１層１内に位置している。絶縁基板３と配線導体４との界面部分、実際には第１層１と配線導体４との界面部分には、マンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している。以下、マンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相を特に区別せず、シリケート相５という。
図２は、この絶縁基板３（第１層１）と配線導体４との界面部分を拡大して示す断面図である。シリケート相５は、不定形状等であり、その一例を図２において模式的に示している。例えば、図２における第１層１と配線導体４との境界線Ｋから上側および下側の仮想線（二点鎖線）の領域が界面部分である。この領域に複数のシリケート相５が分散して存在している。
シリケート相５は、例えば図２に示すような不定形状の粒子であり、マンガンシリケートまたはマグネシウムシリケートの多結晶体である。これらのシリケート相５の粒子は、複雑に曲がった凹凸を含む表面を有している。この場合には、第１層１および配線導体４とシリケート相５との接合面積が比較的大きい。また、第１層１とシリケート相５との接合界面が、第１層１と配線導体４との界面に平行な方向に対して斜め（直交を含む）になりやすい。そのため、第１層１と配線導体４との界面に平行な方向に作用する熱応力等の応力に対して、第１層１（絶縁基板３）と配線導体４との接合の強度を効果的に向上させることもできる。
第１層１と配線導体４との界面部分におけるシリケート相５の存在割合は、例えば図２に示すような断面の観察における面積の割合として、約10〜40％であればよい。この存在割合の測定の方法は、例えば次のとおりである。まず、第１層１と配線導体４との界面部分の断面試料を作製する。次に、この試料を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で観察するとともに、ＸＤＲ法によるシリケート相５の元素分析を行なう。このような方法で上記存在割合を測定することができる。
シリケート相５は、不定形状のものに限らず、球状、楕円球状または球状等であって表面の一部に凹凸を有するものでも構わない。また、複数種の形状のシリケート相５が含まれていてもよい。シリケート相５（粒子）の粒径についても、複数のもの同士で互いに異なる粒径でもよく、同じ程度に粒径が揃っていてもよい。不定形状のシリケート相５の粒径は、例えば、断面における最大の差し渡し距離として求めることができる。
上記のような界面部分を形成する配線導体４は、例えば次のようにして作製することができる。まず、マンガンおよびモリブデンの少なくとも一方を含む金属材料の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して金属ペーストを作製する。次に、この金属ペーストをスクリーン印刷法等の方法で、第１層１または第１層１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷する。その後、この金属ペーストを所定温度で焼成して、第１層１の表面に焼き付けるか、または同時焼成する。以上の工程によって、第１層１およびこれを含む絶縁基板３に配線導体４を形成することができる。
上記の焼成の際に、金属ペーストと第１層１またはセラミックグリーンシートとの界面部分において金属ペースト中のマンガンと第１層１またはセラミックグリーンシート中のシリカとの反応が生じ、マンガンシリケートシリケートが生成し、これが結晶化してシリケート相５（マンガンシリケートの結晶）を形成する。
また、この場合に、例えば金属ペーストにマグネシウムの粉末を添加しておけば、配線導体４と第１層１との界面部分にマグネシウムシリケートの結晶を生成させて、マグネシウムシリケート相であるシリケート相５を形成することもできる。この金属ペーストがマンガンおよびマグネシウムの両方を含有していれば、マンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の両方を含むシリケート相５を、第１層１と配線導体４との界面部分に生成させて配置することができる。
上記の工程において、金属ペースト中のモリブデンまたはマグネシウムの含有率、焼成温度および第１層１またはセラミックグリーンシートにおけるシリカの含有率等の条件を適宜調整することによって、第１層１と配線導体４との下面部分に存在するシリケート相５の比率を調整することができる。
（電子装置用パッケージ）
前述したように、上記構成の配線基板10と、凹部11ａを有し、凹部11ａの側壁の一部に開口11ｂを有する金属筐体11とによって電子装置用パッケージ20が基本的に構成されている。電子装置用パッケージ20において、配線基板11が開口11ｂを塞ぐように金属筐体11に接合されている。配線基板10は、凹部11ａ内に収容される電子部品21を外部電気回路に電気的に接続するための導電路の一部として機能する。また、配線基板10は、金属筐体11の開口11ｂを塞ぐ封止材としての機能も有している。すなわち、配線基板10は、光通信等に用いられる電子装置用パッケージ20における電気信号の入出力端子として機能することができる。なお、図１等では、開口11ｂが配線基板10で塞がれた状態を示している。
配線基板10と金属筐体11との接合は、例えば、スズ−銀はんだまたは金−スズろう材等のろう材を介した接合法で行なうことができる。この場合に、絶縁基板３のうち金属筐体11と接合される部分に金属層を設けても構わない。金属層は、例えば図１に示すメタライズ層６である。メタライズ層６の詳細については後述する。
なお、金属筐体11は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金またはステンレス鋼等の鉄系の合金材料、銅または銅を主成分とする合金材料等の金属材料によって形成されている。金属筐体11は、凹部11ａの底部と枠部とが一体的に形成されたものでもよく、別部品である底部と枠部とが互いに接合されたものでもよい。金属筐体11は、例えば、上記のような金属材料に切断、研削および研磨等の金属加工から適宜選択した加工を施すことによって製作することができる。別部品である底部と枠部とは、例えば銀ろう等のろう材を介して接合する方法で一体化することができる。
また、この実施形態の例では、金属筐体11の枠部分の一部に、枠の内外を（内側面から外側面にかけて）貫通する貫通孔11ｃが設けられている。貫通孔11ｃは、例えば、凹部11ａの内側と外側との間を光接続するための部材を通して配置するためのスペースとして機能する。貫通孔11ｃを通して光ファイバ（図示せず）を配置すれば、凹部11ａの内外で光信号の送受が可能になる。
この場合、例えば、光ファイバを介して電子部品21に光信号が伝送され、この光信号が電子部品21で電気信号に変換される。電気信号は、上記のように配線基板10を介して外部電気回路に伝送される。電気信号および光信号の伝送は、この逆の順序であってもよい。また、光ファイバを保持するフェルール等の保持部材が貫通孔11ｃを塞ぐことで、配線基板10および後述する蓋体23とともに凹部11ａの開口部分を塞ぎ、凹部11ａ内に電子部品21を気密封止することもできる。
このような電子装置用パッケージ20は、上記構成の配線基板10を含むことから、高周波信号の伝送に有利な電子装置30の製作が容易である。また、この電子装置用パッケージ20は、配線基板10におけるクラック等が抑制された、信頼性向上に関しても有利な電子装置30の製作が容易が容易である。
（電子装置）
前述したように、上記構成の電子装置用パッケージ20と、金属筐体11の凹部11ａ内に収容された電子部品21とによって、実施形態の電子装置30が基本的に構成されている。電子部品21は、例えば上記のように光電変換素子である。実施形態の電子装置30において、電子部品21は、ボンディングワイヤ22を介して配線導体４に電気的に接続されている。また、図４に示す例では、蓋体23が金属筐体11の上面に接合され、凹部11ａを塞いでいる。これによって、金属筐体11の凹部11ａ、蓋体23および配線基板10によって、電子部品21を気密封止する容器（符号なし）が構成されている。なお、図４に示す例では、電子部品21は、サブマウント24を介して筐体11の凹部11ａの底面に接合されている。サブマウント24は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなり、電子部品21を凹部11ａ底面に所定高さで固定する機能を有する。また、サブマント24は、電子部品21と筐体11との伝熱材としての機能も有する。
このような電子装置30によれば、上記構成の電子装置用パッケージ20を含んでいることから、高周波信号の伝送に有利であるとともに、信頼性向上に関しても有利な電子装置30を提供することができる。すなわち、例えば40ＧＨｚを超える高周波信号が伝送される配線導体４は、比誘電率が比較的小さい部分である第１層１または凹部１ａ内の空気等の気体のみに接している。そのため、配線導体４における信号の遅延を低減することができる。また、絶縁基板３と配線導体４との界面部分に存在しているマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方を介して絶縁基板３と配線導体４との接合の信頼性が高められているため、絶縁基板３のクラック等が効果的に抑制され、信頼性が向上している。
（他の構成および変形例）
配線基板10は、例えば図３に示すように、第１層１および第２層２が平面視で四角形状である。また、第２層２の互いに対向し合う２つの辺において第１層１が第２層２よりも外側に突出している突出部１ｃを有している。図３において仮想線（二点鎖線）Ｔよりも外側（第２層２と反対側の方向）に張り出している部分が突出部１ｃである。
この突出部１ｃにおいて第１層１の上面１ａに配線導体４の一部が延出されている。また、図３に示す例では、第１層１の厚み方向の一部において突出部１ｃが存在している。配線導体４は、前記突出部１ｃにおける第１層１の上面１ａから上下の第２層２の間における第１層１の内部にかけて同じ平面上に位置している。
つまり、配線導体４の一部が第１層１の内部から外側に露出するように配置され、配線導体４の露出部分は第１層１の突出部１ｃによって保持されている。言い換えれば、第１層１の端部分において厚みが比較的小さくなって、配線導体４の端部分を露出させている。突出部１ｃの突出長さ（配線導体４が伸びる方向における寸法）は、例えば、後述する配線導体４に対するボンディングワイヤ22のボンディング性、突出部１ｃの機械的強度および配線基板10に要求される外形寸法等の種々の条件に応じて適宜設定して構わない。
この例における突出部１ｃは、電子装置用パッケージ20の筐体11における凹部11ａを囲む枠部分を挟んで対向し合うように配置されている。すなわち、突出部１ｃは、凹部11ａの内側および外側に位置している。このような場合には、配線導体４のうち突出部１ｃにおいて外部に露出した端部分を、外部電気回路にはんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して電気的に接続すること、および電子部品21を配線導体４（上記露出した端部分）にボンディングワイヤ22等を介して電気的に接続することが容易である。したがって、配線基板10に対する電子部品21の電気的な接続信頼性向上および生産性の向上について有利な電子装置用パッケージ20とすることができる。
上記のような効果は、第２層２の互いに対向し合う２つの辺の両方（すなわち、凹部11の内側および外側の両方）のうち少なくとも一方の辺において第１層１が第２層２よりも外側に突出している突出部１ｃを有していれば、得ることはできる。この場合には、突出部１ｃにおいて第１層１の上面１ａおよび下面１ｂの少なくとも一方に配線導体４の一部が延出される。この配線導体４の延出部分に、電子部品21または外部電気回路をボンディングワイヤ22またははんだ等の導電性接続材を介して、容易に電気的に接続することができる。
また、図３に示す例のように、配線導体４の全体が同じ平面上に位置しているときには、配線導体４の折れ曲がり等がないので、反射損失等の損失の低減について有効である。したがって、伝送の遅延低減とあわせて、高周波信号の伝導特性を効果的に向上させることができる。
なお、配線導体４の外部接続および電子部品21との接続の容易さ等の観点では、必ずしも、配線導体４の全部が同じ平面上に位置しているものである必要はない。例えば、図５に示す例では、第１層１の厚みが全体において同じであり、その対向し合う２つの辺において第１層１が第２層２よりも外側に突出している。なお、図ｖは図１の変形例を示す断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
図５に示す例において、配線導体４は、第１層１の上面１ａに位置する端部と下面１ｂに位置する端部とを有し、それぞれの端部は第１層１の突出部１ｃに位置している。つまり、配線導体４のうち第１層１の上面１ａに位置する端部と下面に位置する端部とは第２層２で覆われずに露出している。そのため、これらの配線導体４の端部は、外部接続および電子部品21との接続が容易である。なお、配線導体４のうち第１層１の内部に位置している部分と上記の端部とは、第１層１内に設けられたビア導体４ａを介して互いに電気的に接続されている。
上記構成の配線基板10ならびにこれを含む電子装置用パッケージ20および電子装置30において、第２層２が酸化アルミニウム質焼結体であってもよい。すなわち、第２層２はムライトを含有していないものでもよい。この場合には、第２層２の機械的な強度を効果的に高めることができる。したがって、絶縁基板３としての機械的な強度を高めることができる。これによって、配線基板10、電子装置用パッケージ20および電子装置30の機械的な強度および信頼性を向上させることができる。
なお、第２層２が酸化アルミニウム質焼結体からなるときでも、第１層１となるセラミックグリーンシートとムライトを含有している第１層１となるセラミックグリーンシートとの一体焼成による絶縁基板３の製作は可能である。また、配線導体４と第１層１との同時焼成による形成も可能である。
また、実施形態の配線基板10、電子装置用パッケージ20および電子装置30は、前述したように、第２層２に金属層（メタライズ層６）が設けられている。メタライズ層６は、第２層２のうち第１層１に接している面と反対側の面に位置している。すなわち、上側の第２層２の上面および下側の第２層２の下面にメタライズ層６が位置している。メタライズ層６は、例えば、金属筐体11をろう材を介して接合するときの下地金属層としての機能を有する。
このメタライズ層６は、マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有している。また、例えば図６に示すように、絶縁基板３（第２層２）とメタライズ層６との界面部分にマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方（シリケート相５）が存在している。なお、図６は図１のＢ部分を拡大して示す断面図である。図６において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図６における境界線Ｋは第２層２とメタライズ層６との境界を示している。
このようなシリケート相５の存在によって、メタライズ層６と絶縁基板３とが互いに強固に接合されている。そのため、例えば絶縁基板３と金属筐体11との熱膨張率の差に起因した熱応力がメタライズ層６と絶縁基板３との間に生じたとしても、メタライズ層６と絶縁基板３との剥がれまたは絶縁基板３のクラック等の機械的な破壊の可能性を効果的に低減することができる。したがって、電子装置30としての信頼性を効果的に向上させることができる。また、そのような向上が容易な配線基板10および電子装置用パッケージ20を提供することができる。
このようなメタライズ層６は、例えば、前述した配線導体４と同様の金属材料を用い、同様の方法で形成することができる。この場合、メタライズ層６が配線導体４と同様にマンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有していることによって、上記のようなシリケート相５の生成を容易なものとすることができる。
また、実施形態の配線基板10、電子装置用パッケージ20および電子装置30において、第１層１のうち配線導体４が位置している部分および第２層２のうちメタライズ層６が位置している部分に、マンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方であるシリケート相５が存在していてもよい。すなわち、絶縁基板３のうち配線導体４およびメタライズ層６といった金属部分が配置されている部分にはシリケート相５が存在している配線基板10等であってもよい。これによって、絶縁基板３のクラック等の機械的な破壊を抑制する効果を高めることができる。
なお、本発明は以上の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変形は可能である。なお、以下で示す図７および図８は、図３に示す電子装置の変形例における要部を拡大して示す断面図である。図７および図８において図３と同様の部位には同様の符号を付している。
例えば、図７に示す例では、第１層１の対向し合う２辺に突出部１ｃがあり、それぞれ上下反対側の面において配線導体４が露出している。この場合には、第１層１の下側に露出した配線導体４を、はんだ（はんだボール等）を介して電子部品21に、容易に電気的に接続させることができる。また、第１層１の上側に露出した配線導体４を、リード端子等を介して外部電気回路に、容易に電気的に接続させることができる。
また、例えば図８に示す例のように、第１層１の上面１ａ側のみに第２層２が配置されていてもよい。この場合にも、第１層１の下面１ｂに露出した配線導体４を、はんだ25等を介して電子部品21（電子部品21と接続された接続端子24ａ等）（符号なし）に容易に電気的に接続させることができる。また、第１層１の上面１ａに露出した配線導体４をリード端子等を介して外部電気回路に、容易に電気的に接続させることができる。
１・・・第１層
１ａ・・・上面
１ｂ・・・下面
１ｃ・・・突出部
２・・・第２層
３・・・絶縁基板
４・・・配線導体
４ａ・・・ビア導体
５・・・シリケート相
６・・・メタライズ層（金属層）
10・・・配線基板
11・・・筐体
11ａ・・・凹部
11ｂ・・・開口
11ｃ・・・貫通孔
20・・・電子装置用パッケージ
21・・・電子部品
22・・・ボンディングワイヤ
23・・・蓋体
24・・・サブマウント
24ａ・・・接続端子
25・・・はんだ
30・・・電子装置
Ｋ・・・境界線
Ｔ・・・突出部

Claims (8)

  1. 第１含有率で酸化アルミニウムを含有しているとともにムライトを含有しており、上面および下面を有する第１層と、前記第１含有率よりも大きい第２含有率で酸化アルミニウムを含有しており、前記第１層の前記上面および前記下面の少なくとも一方に接して前記第１層に積層されている第２層とを含む絶縁基板と、
    マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有しており、前記第１層内に位置している配線導体とを備えており、
    前記絶縁基板と前記配線導体との界面部分にマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している配線基板。
  2. 前記第１層および前記第２層が平面視で四角形状であり、前記第２層の互いに対向し合う２つの辺の少なくとも一方の辺において前記第１層が前記第２層よりも外側に突出している突出部を有しており、該突出部において前記第１層の上面および下面の少なくとも一方に前記配線導体の一部が延出されている請求項１記載の配線基板。
  3. 前記第１層の厚み方向の一部において前記突出部が存在しており、
    前記配線導体が、前記突出部における前記第１層の上面または下面から前記第２層の間における前記第１層の内部にかけて同じ平面上に位置している請求項２記載の配線基板。
  4. 前記第２層が酸化アルミニウム質焼結体である請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の配線基板。
  5. マンガン化合物およびモリブデン化合物の少なくとも一方を含有しているとともに前記第２層のうち前記第１層に接している面と反対側の面に位置している金属層をさらに備えており、前記絶縁基板と前記金属層との界面部分にマンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している請求項１〜４のいずれか１項記載の配線基板。
  6. 前記第１層のうち前記配線導体が位置している部分および前記第２層のうち前記金属層が位置している部分に、マンガンシリケート相およびマグネシウムシリケート相の少なくとも一方が存在している請求項５記載の配線基板。
  7. 請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の配線基板と、
    凹部を有し、該凹部の側壁の一部に開口を有する金属筐体とを備えており、
    前記配線基板が前記開口を塞ぐように前記金属筐体に接合されている電子装置用パッケージ。
  8. 請求項７記載の電子装置用パッケージと、
    前記金属筐体の凹部内に収容された電子部品とを備える電子装置。
JP2019532397A 2017-07-24 2018-05-18 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置 Active JP6773910B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017142478 2017-07-24
JP2017142478 2017-07-24
PCT/JP2018/019377 WO2019021598A1 (ja) 2017-07-24 2018-05-18 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019021598A1 true JPWO2019021598A1 (ja) 2020-07-02
JP6773910B2 JP6773910B2 (ja) 2020-10-21

Family

ID=65041090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019532397A Active JP6773910B2 (ja) 2017-07-24 2018-05-18 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11264293B2 (ja)
EP (1) EP3660892A4 (ja)
JP (1) JP6773910B2 (ja)
CN (1) CN110945644B (ja)
WO (1) WO2019021598A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152463A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Shinko Electric Ind Co Ltd ムライト−アルミナ多層基板及びその製造方法並びにセラミツクパツケージ
JP2002299519A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 複合セラミック基板
JP2003174115A (ja) * 2001-09-26 2003-06-20 Kyocera Corp 複合セラミック部品及びその製造方法
WO2012029703A1 (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 京セラ株式会社 入出力部材、素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2017059680A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 京セラ株式会社 配線基板、半導体素子パッケージおよび半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5514451A (en) * 1995-01-27 1996-05-07 David Sarnoff Research Center, Inc. Conductive via fill inks for ceramic multilayer circuit boards on support substrates
US6759740B2 (en) * 2001-03-30 2004-07-06 Kyocera Corporation Composite ceramic board, method of producing the same, optical/electronic-mounted circuit substrate using said board, and mounted board equipped with said circuit substrate
US7276987B2 (en) * 2002-10-29 2007-10-02 Kyocera Corporation High frequency line-to-waveguide converter and high frequency package
US20070193026A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Chun Christine Dong Electron attachment assisted formation of electrical conductors
KR101238895B1 (ko) * 2010-12-28 2013-03-04 재단법인 포항산업과학연구원 표면 조직이 치밀한 마그네슘 합금 및 그 표면 처리 방법
US9596747B2 (en) * 2011-07-22 2017-03-14 Kyocera Corporation Wiring substrate and electronic device
JP5431433B2 (ja) * 2011-09-30 2014-03-05 株式会社東芝 高周波線路−導波管変換器
US9935025B2 (en) * 2014-03-13 2018-04-03 Kyocera Corporation Electronic component housing package and electronic device
CN107534200B (zh) * 2015-05-19 2019-11-08 三菱电机株式会社 同轴微带线路转换电路
CN108472831A (zh) * 2016-01-15 2018-08-31 日立化成株式会社 Frp前体、层叠板、覆金属层叠板、印刷布线板、半导体封装体及它们的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152463A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Shinko Electric Ind Co Ltd ムライト−アルミナ多層基板及びその製造方法並びにセラミツクパツケージ
JP2002299519A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 複合セラミック基板
JP2003174115A (ja) * 2001-09-26 2003-06-20 Kyocera Corp 複合セラミック部品及びその製造方法
WO2012029703A1 (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 京セラ株式会社 入出力部材、素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2017059680A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 京セラ株式会社 配線基板、半導体素子パッケージおよび半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3660892A1 (en) 2020-06-03
US20210090963A1 (en) 2021-03-25
CN110945644A (zh) 2020-03-31
CN110945644B (zh) 2023-10-31
WO2019021598A1 (ja) 2019-01-31
EP3660892A4 (en) 2021-03-31
JP6773910B2 (ja) 2020-10-21
US11264293B2 (en) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922925B2 (en) Electronic component housing package, and electronic device comprising same
WO2015129731A1 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP4822820B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
WO2017131092A1 (ja) 配線基板、光半導体素子パッケージおよび光半導体装置
US8847381B2 (en) Semiconductor element housing package and semiconductor device equipped with the same
CN106415821B (zh) 元件收纳用封装以及安装结构体
US12068420B2 (en) Wiring board, electronic component package, and electronic apparatus
CN110313063B (zh) 布线基板、电子装置用封装体以及电子装置
JP7350902B2 (ja) 絶縁基体、半導体パッケージおよび半導体装置
JP2007095956A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP6773910B2 (ja) 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置
US10943854B2 (en) Semiconductor package and semiconductor apparatus for use with high-frequency signals and improved heat dissipation
JP3771853B2 (ja) 入出力端子および半導体素子収納用パッケージ
JP6923474B2 (ja) 半導体素子用パッケージおよび半導体装置
JP5773851B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2004349568A (ja) 入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置
JP4000093B2 (ja) 入出力端子、入出力端子の製造方法、入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP6744103B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP4167576B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2005191108A (ja) 電子部品搭載用配線基板
JP2004172298A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200901

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6773910

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150