JPWO2018211978A1

JPWO2018211978A1 - 電子デバイスの製造方法

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Publication number: JPWO2018211978A1
Application number: JP2019519168A
Authority: JP
Inventors: 森　弘樹; 弘樹森; 博司瀧本; 尚利稲山; 勝広谷口
Original assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date: 2017-05-16
Filing date: 2018-05-01
Publication date: 2020-05-14
Also published as: TW201908824A; WO2018211978A1

Abstract

本方法は、帯状のガラスフィルムＧ１を搬送しつつ、このガラスフィルムＧ１に第一製造関連処理を行う。その後、膜付ガラスフィルムＧ２を枚葉状に切断する。次に、枚葉状のガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２に支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）を積層してガラスフィルム積層体ＬＭ１，ＬＭ２を構成する。次に、ガラスフィルム積層体ＬＭ１，ＬＭ２に第二製造関連処理を行う。最後に、ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２から支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）を剥離させる。

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスを製造する方法に関する。

近年、省スペース化の観点から、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイや薄膜電池、タッチパネル、有機ＥＬ照明といった各種電子デバイスが普及している。これらの電子デバイスでは、さらなる薄型化が要請される。この薄型化を推進するためには、電子デバイスに使用される透明基板を一層薄型化する必要がある。例えば特許文献１では、フラットパネルディスプレイ用の基板として、厚さ２００μｍ以下のガラスフィルムが提案されている。

上述のような電子デバイスを作製するにあたり、液晶素子、有機ＥＬ素子等を構成する機能性膜をガラスフィルムに形成し、その組み立てを行う必要がある。この場合において、ガラスフィルム単体の状態では取り扱いが大変困難なものとなる。そこで、特許文献２では、支持ガラスの上にガラスフィルムを積層したガラスフィルム積層体の状態で、製造関連処理を行うことが提案されている。

特開２０１１−０４２５０９号公報特開２０１１−１８３７９２号公報

従来の電子デバイスの製造方法では、ガラスフィルム積層体毎に各種の製造関連処理を行う必要があり、間欠処理運転となっていた。また、ガラスフィルム積層体の状態でガラスフィルム側に加熱を伴う製造関連処理（例えば、成膜工程、アニール工程）を行うと、支持ガラスとガラスフィルムとが接着してしまい、組み立て後に素子付ガラスフィルムから支持ガラスを剥離させることが困難になるという問題があった。

本発明は、このような事情を考慮して成されたものであり、ガラスフィルムを用いて電子デバイスを製造する場合の歩留りの向上と製造コストの低減化を技術的課題とする。

本発明は上記の課題を解決するためのものであり、帯状のガラスフィルムを搬送しつつ、第一製造関連処理を行う工程と、前記第一製造関連処理後に前記帯状のガラスフィルムを枚葉状に切断する工程と、前記枚葉状のガラスフィルムに支持基板を積層してガラスフィルム積層体を構成する工程と、前記ガラスフィルム積層体に第二製造関連処理を行う工程と、前記第二製造関連処理後に前記枚葉状のガラスフィルムから前記支持基板を剥離させる工程と、を備えることを特徴とする。

本方法によれば、ガラスフィルム積層体を構成する前に、帯状のガラスフィルムに対して第一製造関連処理を連続的に行うことで、ガラスフィルム積層体にこの第一製造関連処理を個別に行う場合と比較して、処理の作業効率を大幅に向上させ、その製造コストを可及的に低減できる。

この場合において、前記支持基板は、支持ガラスであることが望ましい。これにより、ガラスフィルムを容易に支持ガラス上に積層することができる。

この場合において、前記第一製造関連処理は、加熱処理を含むことが望ましい。これにより、第二製造関連処理後に、電子デバイスから支持基板を容易に剥離させることができる。

前記第一製造関連処理は、パターニング処理を含むことが望ましい。第一製造関連処理においてパターニング処理を実行することで、その作業効率を向上させることができ、電子デバイスの製造コストを更に低減できる。これに限らず、前記第二製造関連処理がパターニング処理を含んでいてもよい。

上記の製造方法において、前記ガラスフィルム積層体を構成する前に前記ガラスフィルムを洗浄する工程をさらに備えることが望ましい。このように、ガラスフィルムを清浄化した上でガラスフィルム積層体を構成することで、ガラスフィルムと支持基板との間への異物の混入を防止するとともに、ガラスフィルムにおいて第一製造関連処理が施された面に異物が付着した状態で第二製造関連処理が実施されるという事態をも防止できる。

本発明によれば、ガラスフィルムを用いて電子デバイスを製造する場合の歩留りの向上と製造コストの低減化を実現できる。

図１は、第一実施形態に係る電子デバイスの例を示す断面図である。図２は、電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図３は、第一製造関連処理工程を示す断面図である。図４は、切断工程及び洗浄工程を示す側面図である。図５Ａは、積層工程を示す側面図である。図５Ｂは、積層工程を示す側面図である。図６Ａは、積層工程を示す側面図である。図６Ｂは、積層工程を示す側面図である。図７は、第二製造関連処理工程を示すフローチャートである。図８Ａは、第二製造関連処理工程におけるパターニング工程を示す断面図である。図８Ｂは、第二製造関連処理工程におけるパターニング工程を示す断面図である。図８Ｃは、第二製造関連処理工程におけるパターニング工程を示す断面図である。図８Ｄは、第二製造関連処理工程におけるパターニング工程を示す断面図である。図８Ｅは、第二製造関連処理工程におけるパターニング工程を示す断面図である。図９Ａは、第二製造関連処理工程における配向膜形成工程を示す側面図である。図９Ｂは、第二製造関連処理工程における配向膜形成工程を示す側面図である。図１０Ａは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１０Ｂは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１０Ｃは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１０Ｄは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１１は、第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法を示す側面図である。図１２は、第三実施形態に係る電子デバイスの例を示す断面図である。図１３は、電子デバイスの製造装置を示す側面図である。図１４は、電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図１５Ａは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１５Ｂは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。図１５Ｃは、第二製造関連処理工程における組立工程、及び剥離工程を示す断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図１０は、本発明に係る電子デバイスの製造方法の一実施形態を示す。

図１は、電子デバイスの一例として液晶素子１（液晶セル）を示す。液晶素子１は、第一ガラスフィルムＧＦ１（基板）と、第二ガラスフィルムＧＦ２（基板）と、スペーサＳＰと、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２の間に介在する液晶層２とを備える。

第一ガラスフィルムＧＦ１及び第二ガラスフィルムＧＦ２は、矩形状に構成されるが、この形状に限定されない。各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２の材質としては、ケイ酸塩ガラス、シリカガラスが用いられ、好ましくはホウ珪酸ガラス、ソーダライムガラス、アルミノ珪酸塩ガラス、化学強化ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２として無アルカリガラスを使用することで、化学的に安定なガラスとすることができる。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、具体的には、アルカリ成分の重量比が３０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。本発明におけるアルカリ成分の重量比は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、最も好ましくは３００ｐｐｍ以下である。

各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２は、公知のフロート法、ロールアウト法、スロットダウンドロー法、リドロー法等により成形できるが、オーバーフローダウンドロー法によって成形されていることが好ましい。

各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２の厚みは、５００μｍ以下とされ、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下とされ、最も好ましくは３０μｍ以上２００μｍ以下である。

第一ガラスフィルムＧＦ１は、透明導電膜ＴＣＦにより構成される第一電極層３（画素電極）と、第一電極層３に積層される第一配向膜４とを有する。

第一電極層３（透明導電膜ＴＣＦ）の材質としては、透光性及び導電性を有するものであれば、特に限定されない。第一電極層３は、例えば、インジウムドープスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープスズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウムドープ亜鉛酸化物（ＡＺＯ）などにより構成される。

第一電極層３の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下がより好ましく、最も好ましくは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。また、第一電極層３のシート抵抗は、２０Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは、１５Ω／□以下である。

第一配向膜４は、例えばラビング処理で微小な溝部が形成されたポリイミド膜その他の材料により構成される透明膜である。第一配向膜４の厚みは、１０ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上１μｍ以下がより好ましく、最も好ましくは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。液晶層２に含まれる液晶分子は、第一配向膜４の作用によりプレチルト角で配向され得る。

第二ガラスフィルムＧＦ２は、カラーフィルタ層５と、透明導電膜ＴＣＦにより構成される第二電極層６（対向電極）と、第二配向膜７とを有する。カラーフィルタ層５は、ブラックマトリクス及び複数の着色画素により構成される。第二電極層６の材質、厚み及びシート抵抗は、第一電極層３と同様である。第二配向膜７の構成、材質及び厚みは、第一配向膜４と同様である。

スペーサＳＰは、ガラス又は金属等により構成されるが、この材質に限定されない。スペーサＳＰは、液晶層２を囲繞するように枠形状に構成されるシール部材である。スペーサＳＰは、液晶を内側に注入するための注入口（図示せず）を有する。

液晶層２は、ネマティック液晶等により構成される。液晶層２は、第一ガラスフィルムＧＦ１、第二ガラスフィルムＧＦ２及びスペーサＳＰにより区画される空間に形成（封止）される。この液晶層２内には、複数のビーズスペーサＢＳＰが設けられている。

以下、上記構成の液晶素子１を製造する方法について説明する。図２に示すように、本方法は、第一製造関連処理工程Ｓ１、切断工程Ｓ２、洗浄工程Ｓ３、積層工程Ｓ４、第二製造関連処理工程Ｓ５、及び剥離工程Ｓ６を備える。

第一製造関連処理工程Ｓ１は、帯状の母材ガラスフィルムＧ１を所定の方向に搬送しつつ、当該母材ガラスフィルムＧ１の表面に透明導電膜ＴＣＦを成膜する工程（成膜工程）を有する。

図３は、第一製造関連処理工程Ｓ１に使用される成膜装置８を示す。成膜装置８は、真空チャンバ９と、母材ガラスフィルムＧ１を巻き取ってなる母材ガラスロールＧＲ１と、成膜部１０と、成膜後の膜付ガラスフィルムＧ２を巻き取ってなる膜付ガラスロールＧＲ２とを備える。母材ガラスロールＧＲ１、成膜部１０、及び膜付ガラスロールＧＲ２は、真空チャンバ９内に配置される。母材ガラスロールＧＲ１と膜付ガラスロールＧＲ２とは、ロールトゥロール（ＲｏｌｌｔｏＲｏｌｌ）方式により連結されている。

なお、以下の説明では、母材ガラスフィルムＧ１、膜付ガラスフィルムＧ２、及び枚葉状の各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２において、一方の面を第一の面Ｇａといい、他方の面を第二の面Ｇｂという。

母材ガラスロールＧＲ１は、帯状の母材ガラスフィルムＧ１を巻芯Ｃ１に巻き取ることにより構成される。母材ガラスロールＧＲ１は、第一ガラスフィルムＧＦ１用、第二ガラスフィルムＧＦ２用に、個別に用意される。母材ガラスロールＧＲ１では、母材ガラスフィルムＧ１に樹脂（ＰＥＴ等）からなる保護フィルムＦ１が重ねられている。保護フィルムＦ１は、母材ガラスフィルムＧ１が母材ガラスロールＧＲ１から引き出される際に、当該母材ガラスフィルムＧ１から分離される。

膜付ガラスロールＧＲ２は、膜付ガラスフィルムＧ２を巻芯Ｃ２に巻き取ることによって構成される。膜付ガラスロールＧＲ２は、第一ガラスフィルムＧＦ１用、第二ガラスフィルムＧＦ２用に、個別に用意される。

成膜部１０は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の各種成膜法により、母材ガラスフィルムＧ１に透明導電膜ＴＣＦを形成できる。本実施形態では、スパッタリング法により透明導電膜ＴＣＦとしてのＩＴＯ膜を形成する場合について説明する。成膜部１０は、イオンビームスパッタ装置やマグネトロンスパッタ装置などにより構成される。スパッタ装置としての成膜部１０は、ターゲットを含むスパッタ源１１と、母材ガラスフィルムＧ１を支持する加熱ローラ１２とを主に備える。

スパッタ源１１は、ターゲットから飛散するスパッタ粒子（ＩＴＯ粒子）が母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに付着するように、加熱ローラ１２から一定の間隔をおいて配置される。加熱ローラ１２は、母材ガラスフィルムＧ１を支持する円筒状のローラ本体１３と、このローラ本体１３を加熱するヒータ１４とを備える。ローラ本体１３は、ガラス又はセラミックスにより構成される。ローラ本体１３は、軸部１３ａにより回転自在に支持される。ヒータ１４は、ローラ本体１３を加熱すべく、当該ローラ本体１３の内側に配置される。ヒータ１４は、例えば赤外線ヒータ又は近赤外線ヒータにより構成されるが、これらに限定されるものではない。

第一製造関連処理工程Ｓ１では、母材ガラスロールＧＲ１から母材ガラスフィルムＧ１を連続的に引き出すとともに（母材ガラスフィルム供給工程）、成膜部１０を通過させて膜付ガラスフィルムＧ２を形成する。真空チャンバ９内では、図示しない真空ポンプによって所定の真空度に設定されるとともに、アルゴンガス等の不活性ガスが供給される。成膜部１０は、スパッタ源１１からスパッタ粒子（例えばＩＴＯ粒子）を飛散させ、母材ガラスフィルムＧ１の表面に順次付着させる。

加熱ローラ１２のローラ本体１３は、図示しない駆動源により軸部１３ａを駆動することで、母材ガラスフィルムＧ１の搬送方向に沿うように所定の方向（図３における矢印Ｒの方向）に回転する。ローラ本体１３の一部は、母材ガラスフィルムＧ１の第二の面Ｇｂに接触している。ローラ本体１３は、その回転により、母材ガラスフィルムＧ１を下流側に案内する。

ローラ本体１３は、ヒータ１４によって所定の温度に加熱されている。ローラ本体１３の温度は、例えば２００℃以上５００℃以下に設定されるが、この範囲に限定されない。これにより、ローラ本体１３は、母材ガラスフィルムＧ１を加熱しながら下流側に案内する。母材ガラスフィルムＧ１は、ローラ本体１３によって１５０℃以上に加熱される。スパッタ粒子がＩＴＯである場合、母材ガラスフィルムＧ１は、２００℃以上に加熱されることが望ましい。母材ガラスフィルムＧ１によって加熱されることで、当該母材ガラスフィルムＧ１に付着したＩＴＯ粒子が結晶化し、低抵抗（２０Ω／□以下）の透明導電膜ＴＣＦが形成される。以上により、帯状の膜付ガラスフィルムＧ２が形成される。

膜付ガラスフィルムＧ２は、巻芯Ｃ２によって巻き取られる。この膜付ガラスフィルムＧ２には、巻芯Ｃ２に巻き取られる際に保護フィルムＦ２が重ねられる。所定長さの膜付ガラスフィルムＧ２が巻芯Ｃ２に巻き取られることで、膜付ガラスロールＧＲ２が形成され、第一製造関連処理工程Ｓ１が終了する。その後、膜付ガラスロールＧＲ２は、真空チャンバ９から取り出される。

なお、第二ガラスフィルムＧＦ２用の膜付ガラスロールＧＲ２を形成する場合には、第一製造関連処理工程Ｓ１において、上記の成膜工程の前に、母材ガラスフィルムＧ１にカラーフィルタ層５が形成される（カラーフィルタ形成工程）。カラーフィルタ形成工程は、母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに、ブラックマトリクスを形成した後、カラーレジスト塗布工程、露光工程、現像・ベーキング工程を繰り返すことにより、複数色（ＲＧＢ）に対応するカラーフィルタ層５を形成する。カラーフィルタ形成工程は、大気中において、ロールトゥロール方式により実行される。これにより、カラーフィルタ層５を含む母材ガラスロールＧＲ１が構成される。第一製造関連処理工程Ｓ１では、この母材ガラスロールＧＲ１から母材ガラスフィルムＧ１が引き出され、当該母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに上記の成膜工程が行われる。これにより、カラーフィルタ層５及び透明導電膜ＴＣＦを有する膜付ガラスフィルムＧ２が形成される。この膜付ガラスフィルムＧ２を巻芯Ｃ２に巻き取ることで、第二ガラスフィルムＧＦ２用の膜付ガラスロールＧＲ２が形成される。

図４に示すように、切断工程Ｓ２では、真空チャンバ９から取り出された膜付ガラスロールＧＲ２から膜付ガラスフィルムＧ２を引き出すとともに、当該膜付ガラスフィルムＧ２をローラコンベア等からなる搬送装置１５によって搬送する（搬送工程）。膜付ガラスフィルムＧ２は、搬送中に切断装置１６によって枚葉状に切断される。切断装置１６は、レーザ光Ｌを照射して膜付ガラスフィルムＧ２を溶断又は割断する。これに限らず、切断装置１６は、スクライブカッタ等の切断具により膜付ガラスフィルムＧ２を切断できる。これにより、透明導電膜ＴＣＦを有する枚葉状の第一ガラスフィルムＧＦ１が形成される。

同様に、第二ガラスフィルムＧＦ２用の膜付ガラスロールＧＲ２から、膜付ガラスフィルムＧ２を引き出すとともに、上記の切断工程Ｓ２を実行することで、カラーフィルタ層５及び透明導電膜ＴＣＦを有する枚葉状の第二ガラスフィルムＧＦ２が形成される。各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２は、引き続き搬送装置１５によって連続的に搬送される。

なお、切断工程Ｓ２では、膜付ガラスロールＧＲ２から膜付ガラスフィルムＧ２が引き出される際に、当該膜付ガラスフィルムＧ２に重ねられていた保護フィルムＦ２が分離される。

洗浄工程Ｓ３は、例えば、切断装置１６の下流側に配置される洗浄装置１７から洗浄液（例えば水等）を各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２に噴射することにより洗浄を行う。これに限らず、洗浄工程Ｓ３は、ブラシ等で各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２をこするように洗浄しても良く、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２を洗浄液に浸漬することにより洗浄してもよい。洗浄工程Ｓ３後に、乾燥工程が実施されてもよい。乾燥工程は、自然乾燥、加熱乾燥を含む。

積層工程Ｓ４では、図５Ａに示すように、第一ガラスフィルムＧＦ１の第二の面Ｇｂを第一支持基板ＳＳ１（第一支持ガラスＳＧ１）に接触させる。これにより、図５Ｂに示す第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１が構成される。また、積層工程Ｓ４では、図６Ａに示すように、第二ガラスフィルムＧＦ２の第二の面Ｇｂを第二支持基板ＳＳ２（第二支持ガラスＳＧ２）に接触させる。これにより、図６Ｂに示す第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２が構成される。

各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）は、矩形状に構成されるが、この形状に限定されない。各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）は、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２よりも大きな面積を有することが望ましい。各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）の厚みは、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２の厚み以上であることが好ましい。各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２として各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２を使用する場合において、その厚みは、３００μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、５００μｍ以上７００μｍ以下であることが最も好ましい。

各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２としては、各種金属板、各種セラミック板、各種樹脂板、各種ガラス板を用いることができる。第二製造関連処理Ｓ５が加熱を伴わない場合においては、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２を樹脂板により構成することが好適であり、その場合、その材質としては、例えばアクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が好適に用いられる。各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２をガラス板（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）により構成する場合、その材質としては、ケイ酸塩ガラス、シリカガラスが用いられ、好ましくはホウ珪酸ガラス、ソーダライムガラス、アルミノ珪酸塩ガラス、化学強化ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。

各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２としての各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２は、ダウンドロー法、フロート法、スロットダウンドロー法、ロールアウト法、アップドロー法、リドロー法等によって成形されていることが好ましく、オーバーフローダウンドロー法によって成形されていることがより好ましい。各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２としての各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２は、帯状のガラス板を枚葉状に切断することにより構成される。

積層工程Ｓ４では、各ガラスフィルム積層体ＬＭ１，ＬＭ２において、第一ガラスフィルムＧＦ１と第一支持基板ＳＳ１（第一支持ガラスＳＧ１）との接着力と、第二ガラスフィルムＧＦ２と第二支持基板ＳＳ２（第二支持ガラスＳＧ２）との接着力とに差を設けてもよい。これにより、後述する剥離工程Ｓ６において、例えば、第一支持基板ＳＳ１（第一支持ガラスＳＧ１）を剥離させ、その後に第二支持基板ＳＳ２（第二支持ガラスＳＧ２）を剥離させるというように、剥離の順を制御できる。

接着力に差を付与する方法としては、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２として各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２を使用する場合において、積層工程Ｓ４後に、第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１又は第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２に対して、比較的低温（１００℃〜２００℃程度）の加熱処理を行うことが好ましい。また、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２として各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２を使用する場合において、各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２に粗面化処理を行い、第一支持基板ＳＳ１（第一支持ガラスＳＧ１）と第二支持基板ＳＳ２（第二支持ガラスＳＧ２）の表面粗さＲａに差を与えることで、接着力に差を生じさせてもよい。また、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）と各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２との間に接着力の異なる接着層を介在させることで、接着力に差を生じさせてもよい。

図７に示すように、第二製造関連処理工程Ｓ５は、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２の透明導電膜ＴＣＦに所定の電極パターンを形成する工程（パターニング工程Ｓ５１）と、第一配向膜４を形成する工程（配向膜形成工程Ｓ５２）と、液晶素子１を組み立てる工程（組立工程Ｓ５３）とを有する。

パターニング工程Ｓ５１は、第一ガラスフィルムＧＦ１の透明導電膜ＴＣＦに、所定のパターニング処理を施す。具体的には、まず、図８Ａに示すように、第一ガラスフィルムＧＦ１の透明導電膜ＴＣＦ上に、フォトレジスト（光感光性樹脂）を塗布してレジスト層１８を形成する（レジスト層形成工程）。フォトレジストの塗布は、例えばスピンコート法により行われるが、この方法に限定されない。

次に、図８Ｂに示すように、レジスト層１８にフォトマスク１９を被せて光（例えば紫外線）を照射する（露光工程）。これにより、フォトマスク１９に形成された所定形状のパターンがレジスト層１８に転写される。

その後、レジスト層１８にレジスト現像液を供給する（現像工程）。例えばポジ型レジスト層を用いた場合は、図８Ｃに示すように、レジスト層１８の露光部分が除去され、透明導電膜ＴＣＦ上にレジスト層１８によるレジストパターンが形成される。

そして、図８Ｄに示すように、透明導電膜ＴＣＦに対してエッチング処理を行い、当該透明導電膜ＴＣＦにおける不要部分を除去する（エッチング工程）。最後に、透明導電膜ＴＣＦ上に残存していたレジスト層１８を除去すること（剥離工程）により、第一ガラスフィルムＧＦ１上に、透明導電膜ＴＣＦによる電極パターンを有する第一電極層３が形成される（図８Ｅ参照）。

液晶素子１が単純マトリクス駆動型である場合、第二ガラスフィルムＧＦ２の透明導電膜ＴＣＦにも上記のパターニング工程Ｓ５１が実施されるが、アクティブマトリクス駆動型である場合には、第二ガラスフィルムＧＦ２にはパターニング工程Ｓ５１が実施されなくてもよい。これにより、第二ガラスフィルムＧＦ２にも透明導電膜ＴＣＦによる第二電極層６が構成される。なお、アクティブマトリクス駆動型の液晶素子１の場合には、第一電極層３とともにスイッチング素子（ＴＦＴ等）がフォトリソグラフィその他の方法により第一ガラスフィルムＧＦ１に形成される。

その後、配向膜形成工程Ｓ５２が実行される。各配向膜４，７は、スピンコート法等によって、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２の各電極層３，６を被覆するように形成される。その後、各配向膜４，７には、ラビング処理が行われる。ラビング処理は、図９Ａ，図９Ｂに示すように、各配向膜４，７の表面にラビングローラ２０を接触させる。ラビングローラ２０の回転により、各配向膜４，７の表面全体に無数の微小な溝部が形成される。

組立工程Ｓ５３では、まず図１０Ａに示すように、第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１と第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２とを対向させるとともに、その間にスペーサＳＰ、およびビーズスペーサＢＳＰを介在させる。スペーサＳＰは、樹脂製の接着剤により、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とを接合する。これにより、図１０Ｂに示すように、第一ガラスフィルムＧＦ１、スペーサＳＰおよび第二ガラスフィルムＧＦ２によって、液晶層２の収容空間Ｓが形成される。その後、図１０Ｃに示すように、スペーサＳＰの注入口を通じてこの収容空間Ｓに液晶が充填される。液晶の充填が終了すると、スペーサＳＰの注入口が閉塞され（封止工程）、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２の間に液晶層２が形成される。なお、ビーズスペーサＢＳＰは、球状の樹脂もしくはガラスからなり、液晶層２の厚みが均一になるように保っている。

その後、図１０Ｄに示すように、剥離工程Ｓ６が実施される。剥離工程Ｓ６は、吸盤等の保持具を有する公知の剥離装置により、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）を各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２から引き剥がす。以上により、液晶素子１が完成する。

以上説明した本実施形態による電子デバイスの製造方法によれば、積層工程Ｓ４を実行する前に第一製造関連処理工程Ｓ１の成膜工程を行うことで、積層工程Ｓ４後に各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２に加熱成膜を行う場合と比較して、膜付ガラスフィルムＧ２を効率良く形成でき、結果として、電子デバイスの製造効率を高め、製造コストを低減できる。また、成膜工程における加熱処理を積層工程Ｓ４前に行うことで、積層工程Ｓ４以降に加熱処理を行う必要が無くなり、各ガラスフィルム積層体ＬＭ１，ＬＭ２における各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２と各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）との過剰な接着を未然に防止できる。これにより、第二製造関連処理工程Ｓ５後に、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２から各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）を容易に剥離させることができる。また、成膜工程における加熱処理を積層工程Ｓ４前に行うことで、積層工程Ｓ４以降に加熱処理を行う必要が無くなり、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２として耐熱性の低い樹脂板を使用することが可能となる。

図１１は、本発明の第二実施形態を示す。本実施形態では、第一製造関連処理工程Ｓ１の態様が第一実施形態と異なる。上記の第一実施形態では、真空チャンバ９内でスパッタリング法により帯状の母材ガラスフィルムＧ１に透明導電膜ＴＣＦを形成していたが、本実施形態は、印刷法によって第一製造関連処理工程Ｓ１を実行する。

図１１は、本実施形態における第一製造関連処理工程Ｓ１、切断工程Ｓ２及び洗浄工程Ｓ３を示す。第一製造関連処理工程Ｓ１は、母材ガラスロールＧＲ１から母材ガラスフィルムＧ１を引き出して搬送装置１５により搬送しつつ、母材ガラスロールＧＲ１の下流側に配置される印刷装置２１により、母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに透明導電膜ＴＣＦを形成する。母材ガラスフィルムＧ１に形成される透明導電膜ＴＣＦは、例えば、銀、金等の金属やカーボンその他の材料により構成される多数のナノワイヤにより構成される。

印刷装置２１は、インクジェット印刷により、母材ガラスフィルムＧ１にナノワイヤを含む印刷液を噴射して透明導電膜ＴＣＦを形成する。これに限らず、印刷装置２１は、この構成に限らず、スクリーン印刷、凸版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、グラビアオフセット印刷を利用するものであってもよい。印刷装置２１は、所定の電極パターンを有する第一電極層３及び第二電極層６を形成できる。すなわち、第一実施形態では第二製造関連処理工程Ｓ５で実行されたパターニング工程Ｓ５１を、本実施形態では第一製造関連処理工程Ｓ１において実行する。

印刷装置２１によって透明導電膜ＴＣＦが形成されると、膜付ガラスフィルムＧ２は、当該印刷装置２１よりも搬送方向下流側に配置される切断装置１６によって枚葉状に切断される（切断工程Ｓ２）。その後、第一実施形態と同様に、洗浄工程Ｓ３、積層工程Ｓ４、第二製造関連処理工程Ｓ５（配向膜形成工程及び組立工程）、剥離工程Ｓ６を経て液晶素子１が製造される。

以上のように、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法では、印刷法によって透明導電膜ＴＣＦを形成することで、第一実施形態のような真空環境下での成膜工程を行う必要がない。これにより、電子デバイスの製造コストをより一層低減できる。

図１２乃至図１５は、本発明の第三実施形態を示す。図１２は、電子デバイスとしての有機ＥＬ素子２２（有機ＥＬ照明素子）を例示する。有機ＥＬ素子２２は、第一ガラスフィルムＧＦ１と、第二ガラスフィルムＧＦ２と、スペーサＳＰとを有する。第一ガラスフィルムＧＦ１は、透明導電膜ＴＣＦからなる第一電極層２３と、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｂ及び電子輸送層２４ｃを含む有機ＥＬ層２４と、この有機ＥＬ層２４に積層される第二電極層２５と、を有する。また、上記のほかに、有機ＥＬ素子２２は、正孔注入層、電子注入層を有しても良い。

第一電極層２３は、陽極として構成されており、正孔を正孔輸送層２４ａに注入する機能を有する。第一電極層２３は、例えば、銀、金等の金属やカーボンその他の材料により構成されるナノワイヤを含む透明導電膜ＴＣＦにより構成される。これに限らず、第一電極層２３は、インジウムドープスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープスズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウムドープ亜鉛酸化物（ＡＺＯ）などにより構成されてもよい。

正孔輸送層２４ａは、発光層２４ｂへの正孔移動を促進する機能を有する。正孔輸送層２４ａを形成する材料としては、例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン［１３］、ＴＰＤ［１１］、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１，１'−ビフェニル）−４，４'−ジアミン（ＮＰＢ）［１４］等のトリフェニルジアミン類をはじめとする芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが挙げられる。

発光層２４ｂは、発光材料を含む層であり、通常、主として蛍光またはりん光を発する有機化合物が発光材料として用いられる。具体的には、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料などを挙げることができる。なお、これら有機化合物で形成される発光層２４ｂには、ドーパント材料がさらに含まれていてもよい。

色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。また、金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを挙げることができる。さらに金属錯体系材料の他の例として、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、ＢｅなどまたはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。あるいは、高分子系材料としては、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料などを高分子化したもの、すなわちこれらの重合体などが挙げられる。

電子輸送層２４ｃは、発光層２４ｂへの電子移動を促進する機能を有する。電子輸送層２４ｃの材質としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）［１８］、ＯＸＤ−７［３］等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体（［１９］、［２０］等）、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が挙げられる。

第二電極層２５は、陰極として構成されており、電子輸送層２４ｃに電子を注入する機能を有する。第二電極層２５の材質としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫などのアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属、又はこれら金属を少なくとも一種類以上含む合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が挙げられる。合金の例としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、第二電極層２５は、インジウムドープスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープスズ酸化物（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウムドープ亜鉛酸化物（ＡＺＯ）などによる透明導電膜として構成されてもよい。

スペーサＳＰは、ガラス又は金属等により構成されるが、この材質に限定されない。第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とともに、第一電極層２３、有機ＥＬ層２４及び第二電極層２５を封止する枠形状のシール部材である。

図１３は、電子デバイスの製造装置２６を示す。この製造装置２６は、成形装置２７と、搬送装置１５と、印刷装置２１ａ〜２１ｅと、切断装置１６ａ，１６ｂと、洗浄装置１７とを備える。

成形装置２７は、オーバーフローダウンドロー法により帯状の母材ガラスフィルムＧ１を連続的に成形する。成形装置２７は、上端部にオーバーフロー溝２８ａが形成された断面視略楔形の成形体２８と、成形体２８の直下に配置されて、成形体２８から溢出した溶融ガラスを表裏両側から挟むエッジローラ２９と、このエッジローラ２９の直下に配備されるアニーラ３０とを備える。

成形装置２７は、成形体２８のオーバーフロー溝２８ａの上方から溢流した溶融ガラスを、両側面に沿ってそれぞれ流下させ、下端で合流させてフィルム状の溶融ガラスを成形する。エッジローラ２９は、溶融ガラスの幅方向収縮を規制して所定幅の母材ガラスフィルムＧ１とする。アニーラ３０は、母材ガラスフィルムＧ１に対して除歪処理を施すためのものである。このアニーラ３０は、上下方向複数段に配設されたアニーラローラ３１を有する。

アニーラ３０の下方には、母材ガラスフィルムＧ１を表裏両側から挟持する支持ローラ３２が配設されている。支持ローラ３２とエッジローラ２９との間、または支持ローラ３２と何れか一箇所のアニーラローラ３１との間では、母材ガラスフィルムＧ１を薄肉にすることを助長するための張力が付与されている。

支持ローラ３２の下方には、母材ガラスフィルムＧ１の搬送方向を変換する方向変換部３３が設けられる。方向変換部３３には、母材ガラスフィルムＧ１を案内する複数のガイドローラ３４が湾曲状に配列されている。これらのガイドローラ３４は、鉛直方向に搬送される母材ガラスフィルムＧ１を横方向へと案内する。

搬送装置１５は、方向変換部３３の進行方向前方（下流側）に配置される。搬送装置１５は、ローラコンベアにより構成されるが、この構成に限定されない。

印刷装置２１ａ〜２１ｅは、第一電極層２３を形成する第一印刷装置２１ａと、正孔輸送層２４ａを形成する第二印刷装置２１ｂと、発光層２４ｂを形成する第三印刷装置２１ｃと、電子輸送層２４ｃを形成する第四印刷装置２１ｄと、第二電極層２５を形成する第五印刷装置２１ｅとを含む。各印刷装置２１ａ〜２１ｅは、インクジェット印刷、スクリーン印刷、凸版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、グラビアオフセット印刷などにより、母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに各層２３〜２５を形成する。

切断装置１６ａ，１６ｂは、第一実施形態の切断装置１６と同様に、レーザ溶断又はレーザ割断により膜付ガラスフィルムＧ２を切断する。切断装置１６ａ，１６ｂは、母材ガラスフィルムＧ１の幅方向端部（耳部）を切断する第一切断装置１６ａと、膜付ガラスフィルムＧ２を枚葉状に切断する第二切断装置１６ｂとを含む。第一切断装置１６ａは、第五印刷装置２１ｅの下流側に配置されており、第二切断装置１６ｂは、第一切断装置１６ａの下流側に配置されている。

洗浄装置１７は、第二切断装置１６ｂの下流側に配置される。洗浄装置１７は、第一実施形態、第二実施形態と、同様に搬送装置１５により搬送される第一ガラスフィルムＧＦ１を洗浄液により洗浄する。

以下、本実施形態における電子デバイスの製造方法について説明する。図１４に示すように、本方法は、成形工程Ｓ０、第一製造関連処理工程Ｓ１、第一切断工程Ｓ２１、第二切断工程Ｓ２２、洗浄工程Ｓ３、積層工程Ｓ４、第二製造関連処理工程Ｓ５、及び剥離工程Ｓ６を備える。

成形工程Ｓ０では、成形装置２７における成形体２８のオーバーフロー溝２８ａの上方から溢流した溶融ガラスを、両側面に沿ってそれぞれ流下させ、下端で合流させてフィルム状の溶融ガラスとする。この際、溶融ガラスの幅方向収縮をエッジローラ２９により規制して所定幅の母材ガラスフィルムＧ１とする。その後、母材ガラスフィルムＧ１に対してアニーラ３０により除歪処理を施す（徐冷工程）。支持ローラ３２の張力により、母材ガラスフィルムＧ１は所定の厚みに形成される。

成形された母材ガラスフィルムＧ１は、方向変換部３３によってその搬送方向が横方向に変換される。さらに、帯状の母材ガラスフィルムＧ１は、搬送装置１５によって横方向に搬送される（搬送工程）。

その後、この母材ガラスフィルムＧ１に対して第一製造関連処理工程Ｓ１が実行される。各印刷装置２１ａ〜２１ｅは、搬送装置１５によって搬送される母材ガラスフィルムＧ１に、第一電極層２３、有機ＥＬ層２４（正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｂ、電子輸送層２４ｃ）、及び第二電極層２５をこの順に積層形成する。これにより、帯状の膜付ガラスフィルムＧ２が形成される。

第一切断工程Ｓ２１では、第一切断装置１６ａによって、膜付ガラスフィルムＧ２の幅方向端部（耳部）が切断除去される。その後、第二切断工程Ｓ２２において、第二切断装置１６ｂにより膜付ガラスフィルムＧ２を枚葉状に切断する。これにより、第一ガラスフィルムＧＦ１が形成される。尚、第一切断装置１６ａは、第一製造関連処理工程Ｓ１（印刷装置２１）よりも上流でも良い。

その後、洗浄工程Ｓ３を経て積層工程Ｓ４が実施される。積層工程Ｓ４では、第一支持基板ＳＳ１（第一支持ガラスＳＧ１）に第一ガラスフィルムＧＦ１が積層される。また、第二支持基板ＳＳ２（第二支持ガラスＳＧ２）に枚葉状の第二ガラスフィルムＧＦ２が積層される。これにより、第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１及び第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２が構成される（図１５Ａ参照）。

第二製造関連処理工程Ｓ５では、第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１、第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２及びスペーサＳＰによる組立工程を実行する。すなわち、図１５Ａに示すように、第一ガラスフィルム積層体ＬＭ１と第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２とを対向させ、その間にスペーサＳＰを介在させる。その後、図１５Ｂに示すように、スペーサＳＰを介して第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とを接合する。この際、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２との間に形成される空間Ｓに、不活性ガスや樹脂等の封止材が充填される。その後、図１５Ｃに示す剥離工程Ｓ６により、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２から各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）が取り除かれる。以上により、有機ＥＬ素子２２が完成する。

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

上記の実施形態では、積層工程Ｓ４において、各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２を各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）に直接接触させる例を示したが、この構成に限定されない。例えば、樹脂製の接着層（シリコーン樹脂やアクリル樹脂等）を支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）上に設けて、この接着層を介して各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２を各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）に積層させてもよい。樹脂製の接着層を使用する場合、第一実施形態における加熱工程（成膜工程）に起因する各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２（各支持ガラスＳＧ１，ＳＧ２）と各ガラスフィルムＧＦ１，ＧＦ２との過剰な接着の問題は生じ難いが、樹脂製の接着層では成膜工程等の高温工程を経ると劣化するおそれがある。したがって、接着層の劣化を防止するという観点から、上述の加熱工程を経た後に積層工程Ｓ４を行うことが好ましい。樹脂製の接着層を設けることで、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２として、ガラス板以外の金属板やセラミック板、樹脂板等を採用することができ、各支持基板ＳＳ１，ＳＳ２の選択の自由度が向上する。

上記の第一実施形態では、第一製造関連処理工程Ｓ１において、スパッタリング法により透明導電膜ＴＣＦを一様に形成し、第二製造関連処理工程Ｓ５において、パターニング工程Ｓ５１を実施する例を示したが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、蒸着法を利用して、蒸着源から離散した粒子を、シャドーマスクを介して母材ガラスフィルムＧ１の第一の面Ｇａに付着させてもよい。すなわち、第一実施形態の第一製造関連処理工程Ｓ１においてパターニング工程を実行できる。

上記の第二実施形態では、母材ガラスロールＧＲ１から引き出した母材ガラスフィルムＧ１に透明導電膜ＴＣＦを形成した後に、膜付ガラスフィルムＧ２を切断する例を示したが、本発明はこの態様に限定されない。例えば、ロールトゥロール方式を採用し、膜付ガラスフィルムＧ２を別途用意される巻芯により巻き取って膜付ガラスロールＧＲ２を構成してもよい。この場合、膜付ガラスロールＧＲ２から膜付ガラスフィルムＧ２を引き出しつつ、当該膜付ガラスフィルムＧ２にパターニング処理を実施し、その後に、当該膜付ガラスフィルムＧ２を枚葉状に切断してもよい。

上記の第三実施形態では、印刷法によって有機ＥＬ素子２２を形成する方法を例示したが、本発明はこれに限定されない。有機ＥＬ素子２２は、スパッタリング法、蒸着法等のドライプロセスにより形成されてもよい。

上記の実施形態では、電子デバイスとしては、液晶素子１、有機ＥＬ素子２２を製造する場合を例示したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、本発明に係る方法により、タッチパネルを製造してもよい。例えば、抵抗膜式のタッチパネルは、透明導電膜ＴＣＦによるセンサパターンを有する第一ガラスフィルムＧＦ１及び第二ガラスフィルムＧＦ２を対向させ、絶縁体及びスペーサを介して両ガラスフィルムＧＦ２，ＧＦ２を接合することにより構成される。

上記の実施形態では、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とをスペーサＳＰによって接合してなる電子デバイスを示したが、本発明はこの構成に限定されない。スペーサＳＰに替えて、ガラスフリットや接着剤により第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とを接合してもよく、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２とを直接溶着させてもよい。また、電子デバイスが有機ＥＬ素子２２である場合には、第一ガラスフィルムＧＦ１と第二ガラスフィルムＧＦ２との間に有機ＥＬ素子２２の収容空間を確保すべく、カバーガラスである第二ガラスフィルムＧＦ２の表面に、サンドブラスト等の加工によって凹部を形成してもよい。この処理は、第二ガラスフィルム積層体ＬＭ２の状態で行うことが望ましい。これにより、スペーサＳＰを省略できる。

上記の第二実施形態及び第三実施形態では、画素電極となる透明導電膜ＴＣＦ（各電極層３，２３）の形成後に、ランプアニール、レーザアニール等のアニール工程を実施してもよい。

１電子デバイス（液晶素子）
２２電子デバイス（有機ＥＬ素子）
Ｇ１帯状のガラスフィルム（母材ガラスフィルム）
Ｇ２膜付ガラスフィルム
ＧＦ１枚葉状のガラスフィルム（第一ガラスフィルム）
ＧＦ２枚葉状のガラスフィルム（第二ガラスフィルム）
ＬＭ１ガラスフィルム積層体（第一ガラスフィルム積層体）
ＬＭ２ガラスフィルム積層体（第二ガラスフィルム積層体）
Ｓ１第一製造関連処理工程
Ｓ２切断工程
Ｓ３洗浄工程
Ｓ４積層工程
Ｓ５第二製造関連処理工程
Ｓ６剥離工程
ＳＳ１支持基板（第一支持基板）
ＳＳ２支持基板（第二支持基板）

Claims

帯状のガラスフィルムを搬送しつつ、第一製造関連処理を行う工程と、前記第一製造関連処理後に前記帯状のガラスフィルムを枚葉状に切断する工程と、前記枚葉状のガラスフィルムに支持基板を積層してガラスフィルム積層体を構成する工程と、前記ガラスフィルム積層体に第二製造関連処理を行う工程と、前記第二製造関連処理後に前記枚葉状のガラスフィルムから前記支持基板を剥離させる工程と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
前記支持基板は、支持ガラスであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
前記第一製造関連処理は、加熱処理を含む請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
前記第一製造関連処理は、パターニング処理を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
前記第二製造関連処理は、パターニング処理を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
前記ガラスフィルム積層体を構成する前に前記枚葉状のガラスフィルムを洗浄する工程をさらに備える請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。