JPWO2018150926A1

JPWO2018150926A1 - 多層基板

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Publication number: JPWO2018150926A1
Application number: JP2018568118A
Authority: JP
Inventors: 楚徐; 貴博馬場
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-02-16
Filing date: 2018-02-05
Publication date: 2019-11-07
Anticipated expiration: 2038-02-05
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Abstract

複数の信号伝送部を含む伝送線路として使用可能で、幅方向の長さを抑制可能な多層基板が提供される。多層基板は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って信号の伝送方向に延伸して配置される３以上の信号導体と、前記信号導体のそれぞれを積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体と、を備える。多層基板は、前記信号導体が併走して高周波信号を伝送する併走部を有し、前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される２以上の信号導体と、積層方向から平面視して前記信号導体と重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体とを含み、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される前記信号導体をそれぞれ含む第１領域および少なくとも１つの第２領域を有する。前記第１領域は、積層方向に重なって配置される前記信号導体の数が前記第２領域よりも多く、前記第１領域は、前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔が、前記第２領域における前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い部分を有する。

Description

本発明は、多層基板に関する。

電子機器において高周波信号等を伝送する伝送線路として、幅方向に複数の信号線が配置されたフラットケーブルが注目されている。例えば国際公開第２０１４／１１５６０７号には、平板状の誘電体素体、誘電体素体に内蔵され伝送方向に沿って延伸する信号導体、基準グランド導体、補助グランド導体および厚み方向接続導体を備える伝送線路が開示され、複数の高周波信号間のアイソレーションを高く確保して伝送可能で、小型且つ薄型に形成できるとされている。

使用される電子機器の小型化に伴って、より多くの信号線を含む低損失の伝送線路が求められている。しかしながら、信号導体がそれぞれグランド導体で挟み込まれてなる信号伝送部を伝送線路の幅方向に多数配置すると、伝送線路が幅広になり小型化の要請に充分に応えることが困難になる場合があった。本発明は、複数の信号伝送部を含む伝送線路として使用可能で、幅方向の長さを抑制可能な多層基板を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って信号の伝送方向に延伸して配置される３以上の信号導体と、前記信号導体のそれぞれを積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体と、を備える多層基板である。前記多層基板は、前記信号導体が併走して高周波信号を伝送する併走部を有する。前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される２以上の信号導体と、積層方向から平面視して前記信号導体と重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体と、を含む。また前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される前記信号導体をそれぞれ含む第１領域および少なくとも１つの第２領域を有する。前記第１領域は、積層方向に重なって配置される前記信号導体の数が前記第２領域よりも多くなっている。前記第１領域は、前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔が、前記第２領域における前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い部分を有する。

本発明によれば、複数の信号伝送部を含む伝送線路として使用可能で、幅方向の長さを抑制可能な多層基板を提供することができる。

第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ１の平面図である。第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ２の平面図である。第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ３の平面図である。第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ４の平面図である。第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ５の平面図である。第１実施形態に係る多層基板の構成を示す分解斜視図である。第１実施形態に係る多層基板の透過平面図である。第１実施形態に係る多層基板の併走部における断面図の一例である。第１実施形態に係る多層基板の併走部における断面図の別例である。併走部に補助グランド導体を有する多層基板の透過平面図の一例である。併走部に補助グランド導体を有する多層基板の透過平面図の別例である。実装面にレジストを有する多層基板を実装面側からみた部分透過平面図である。実装面にレジストを有する多層基板の断面図の一例である。実装面にレジストを有する多層基板の断面図の別例である。実装面にコネクタを有する多層基板の実装方法を説明する概略図である。実装面にレジストを有する多層基板の実装方法を説明する概略図である。多層基板が実装された実装基板の一例を示す平面図である。多層基板が実装された実装基板の別例を示す側面図である。第２実施形態に係る多層基板の透過平面図である。第２実施形態に係る多層基板の併走部における断面図の一例である。併走部に補助グランド導体を有する多層基板の透過平面図の一例である。第３実施形態に係る多層基板の透過平面図である。第３実施形態に係る多層基板の併走部における断面図の一例である。第３実施形態に係る多層基板の併走部の端部における断面図の一例である。

本実施形態の多層基板は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って信号の伝送方向に延伸して配置される３以上の信号導体と、前記信号導体のそれぞれを積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体とを備える多層基板である。前記多層基板は、前記信号導体が併走して高周波信号を伝送する併走部を有する。前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される２以上の信号導体と、積層方向から平面視して前記信号導体と重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体とを含む。前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される前記信号導体をそれぞれ含む第１領域および少なくとも１つの第２領域を有する。前記第１領域は、積層方向に重なって配置される前記信号導体の数が前記第２領域よりも多く、前記第１領域は、前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔が、前記第２領域における前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い部分を有する。

第１領域が第２領域よりも数多くの信号導体を含み、第１領域に信号導体を挟み込むグランド導体の間隔が、第２領域における前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い部分を有するように信号導体が配置されていることで、第１領域に含まれる信号導体と第２領域に含まれる信号導体との間のクロストークを抑制しながら、積層方向と伝送方向とに直交する多層基板の幅方向の長さを抑制することができる。

前記第２領域は、前記第１領域に含まれる前記信号導体よりも幅広の信号導体を含んでいてもよい。第２領域が幅広の信号導体を含むことで、第２領域におけるグランド導体間隔が広い場合でも、信号伝送部間のインピーダンス整合を容易にとることができ、また信号伝送部の伝送損失を低減することができる。

前記併走部は、積層方向と直交する面に沿って伝送方向が曲がっている湾曲部を有し、前記第１領域は、前記湾曲部において前記第２領域よりも内側の位置に配置されていてもよい。第１領域が湾曲部の内側の部分に配置されていることで、より多くの信号導体の線路長を短くすることができ、伝送線路全体としての伝送損失を低減することができる。

前記信号導体とそれぞれ接続し、積層方向の実装面側に引き出される引出導体を、伝送方向の端部に有し、前記積層方向に重なりを有して配置される信号導体は、積層方向に等間隔で配置される場合よりも、引出導体の長さの総計が短く配置されていてもよい。信号導体が、実装面側により多く配置されていることで、信号導体と接続する積層方向の引出導体に起因する伝送損失をより低減することができる。

多層基板は、前記第１領域に含まれる信号導体と前記第２領域に含まれる信号導体との間に、積層方向に前記グランド導体を接続する少なくとも１つの層間接続導体を更に備えていてもよい。これにより第１領域に含まれる信号導体と第２領域に含まれる信号導体間のアイソレーションを高めることができ、信号導体間のクロストークが抑制される。層間接続導体は伝送方向に沿って複数配置されていてもよい。層間接続導体は、絶縁基材層を貫通して配置される導電ペーストから形成されてもよいし、多層基板に配置されるスルーホールによって形成されていてもよい。

多層基板は、前記併走部の外縁部に、積層方向にグランド導体を接続する少なくとも１つの層間接続導体を更に備えていてもよい。これにより信号導体から外部への不要輻射を抑制することができる。層間接続導体は伝送方向に沿って複数配置されていてもよい。

多層基板は、前記第１領域に含まれる信号導体と前記第２領域に含まれる信号導体との間に、伝送方向に沿って配置され、前記グランド導体と接続される補助グランド導体を更に備えていてもよい。これにより第１領域に含まれる信号導体と第２領域に含まれる信号導体間のアイソレーションを高めることができ、信号導体間のクロストークがより効果的に抑制される。補助グランド導体は例えば、層間接続導体によってグランド導体と接続される。補助グランド導体は例えば、平板状導体であってよい。また、伝送方向に沿って連続する平板状導体として配置されてもよく、伝送方向に沿って離隔して配置される複数の平板状導体であってもよい。補助グランド導体は、積層方向において信号導体と略同一層に配置されてもよく、信号導体と異なる層に配置されてもよい。補助グランド導体は、積層方向において信号導体と異なる層に配置される場合、例えば、信号導体が配置される層を挟んで上下の層に複数配置されてもよい。

多層基板は、前記併走部の外縁部に、伝送方向に沿って配置され、前記グランド導体と接続される補助グランド導体を更に備えていてもよい。これにより信号導体から外部への不要輻射を抑制することができる。補助グランド導体は例えば、層間接続導体によってグランド導体と接続される。補助グランド導体は例えば、平板状導体であってよい。また、伝送方向に沿って連続する平板状導体として配置されてもよく、伝送方向に沿って離隔して配置される複数の平板状導体であってもよい。補助グランド導体は、積層方向において信号導体と略同一層に配置されてもよく、信号導体と異なる層に配置されてもよい。補助グランド導体は、積層方向において信号導体と異なる層に配置される場合、例えば、信号導体が配置される層を挟んで上下の層に複数配置されてもよい。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための、多層基板を例示するものであって、本発明は、多層基板を以下のものに限定しない。なお特許請求の範囲に示される部材を、実施形態の部材に限定するものでは決してない。特に実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する場合がある。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

第１実施形態
図１Ａから図１Ｅは、第１実施形態に係る多層基板を構成する層Ｌ１から層Ｌ５のそれぞれについて実装面となる面側からみた場合の平面図である。層Ｌ１を実装面側とし、層Ｌ１から層Ｌ５の順に積層されて多層基板が構成される。層Ｌ１から層Ｌ５はそれぞれ、グランド導体および／または信号導体が配置される併走部に対応する領域と、併走部に対応する領域から接続端子部１７まで延伸される引出部に対応する領域とを備える。

図１Ａの層Ｌ１では、絶縁基材層１１Ａ上にグランド導体１２Ａが配置され、接続端子部１７に端子電極１８が設けられる。端子電極１８には例えば、はんだ等を用いてコネクタが接続されてもよく、また端子電極１８が実装基板上の実装電極に直接はんだ等で接続されてもよい。層Ｌ１に配置されるグランド導体１２Ａは、併走部および引出部に対応する領域と、接続端子部１７の端子電極１８の周辺部を除く領域とを被覆している。端子電極１８には、併走部に内蔵される信号導体が層Ｌ２の伝送方向の引出導体と第１の層間接続導体１４を介して接続される。端子電極１８と信号導体とを接続する接続導体を多層基板の側面に形成すると、信号が通過する接続導体がむき出しになるため、不要輻射により周囲のデバイスに悪影響を及ぼす場合がある。多層基板では、端子電極１８と信号導体とを接続端子部１７に設けられる第１の層間接続導体１４を介して接続し、第１の層間接続導体の周囲をグランド導体およびグランド導体間を接続する第２の層間接続導体１５ｆで包囲する。このように信号導体と端子電極１８とを多層基板の内部に配置される第１の層間接続導体１４で接続することで不要輻射を抑制することができる。ここで第１の層間接続導体は、平面導体で形成される接続導体よりも導体としての断面積が小さくなる場合がある。さらに第１の層間接続導体がビア導体で形成される場合、例えば、ビア導体は絶縁基材層上に配置される平面導体と反応して接合できる材料で形成される。例えば平面導体が銅で形成される場合、ビア導体は、銅に比べて導体損失が大きい銅−スズ系の材料で形成される。以上のことから、第１の層間接続導体は、短い線路長で形成されることが好ましい。層Ｌ１では、グランド導体１２Ａは絶縁基材層１１Ａの端面部までは被覆していない。これにより多層基板を形成した場合に、グランド導体１２Ａが多層基板の側面に露出せず、積層絶縁体内に内蔵される。

図１Ｂの層Ｌ２では、絶縁基材層１１Ｂの併走部に対応する領域上に信号導体１３Ａと、引出部に対応する領域上に伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃとが配置されている。伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃの一方の端部は、絶縁基材層１１Ａを貫通して層Ｌ１に配置される第１の層間接続導体１４を介して端子電極１８と接続される。引出導体１６Ａは信号導体１３Ａと一体に形成されている。引出導体１６Ｂおよび１６Ｃの他方の端部には信号導体１３Ｂまたは１３Ｃとの接続部がそれぞれ設けられ、絶縁基材層１１Ｂを貫通する第１の層間接続導体１４が接続部と接続して配置される。

絶縁基材層１１Ｂの併走部に対応する領域には、絶縁基材層１１Ｂを貫通し、層Ｌ１と層Ｌ３のグランド導体どうしを接続する第２の層間接続導体１５ａ、１５ｂおよび１５ｄが配置される。第２の層間接続導体１５ａは、併走部に対応する領域の外縁部に、伝送方向に沿って複数配置される。第２の層間接続導体１５ｂは、併走部に対応する領域の信号導体１３Ａと信号導体１３Ｂに対応する領域との間に、伝送方向に沿って複数配置される。第２の層間接続導体１５ｄは、併走部に対応する領域の伝送方向の両端部に配置される。信号導体１３Ａを包囲して第２の層間接続導体１５ａ、１５ｂおよび１５ｄが配置されることで信号導体１３Ａのアイソレーションを高めることができる。また併走部に対応する領域の外縁部には、第２の層間接続導体１５ｃが伝送方向に沿って複数配置され、併走部に対応する領域の伝送方向の両端部に配置される第２の層間接続導体１５ｅと共に、層Ｌ１のグランド導体１２Ａと層Ｌ５のグランド導体１２Ｃとを層Ｌ３および層Ｌ４に配置される第２の層間接続導体１５ｃまたは１５ｅを介して接続する。このように複数の第２の層間接続導体１５ａから１５ｅでグランド導体間が接続されることで、多層基板のグランド状態がより安定し、信号導体のアイソレーションが向上する

層Ｌ２の接続端子部１７の外周部には、第２の層間接続導体１５ｆが配置され、伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃの一方の端部を包囲する。第２の層間接続導体１５ｆは、層Ｌ１のグランド導体１２Ａと層Ｌ５のグランド導体１２Ｃとを、層Ｌ３および層Ｌ４に配置される第２の層間接続導体１５ｆを介して接続する。伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃの一方の端部が、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃと接続する第２の層間接続導体１５ｆで包囲されることで端子電極１８と接続する第１の層間接続導体１４からの不要輻射が抑制される。また伝送方向の引出導体１６Ｂおよび１６Ｃの他方の端部は、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃと接続する第２の層間接続導体１５ｃ、１５ｄおよび１５ｅで挟まれている。これにより、信号導体１３Ｂと引出導体１６Ｂとを接続する第１の層間接続導体１４および信号導体１３Ｃと引出導体１６Ｃとを接続する第１の層間接続導体１４からの不要輻射が抑制される。

図１Ｃの層Ｌ３では、絶縁基材層１１Ｃの併走部に対応する領域上の層Ｌ２の信号導体１３Ａと積層方向で重ならない位置に信号導体１３Ｂが配置され、層Ｌ２の信号導体１３Ａと積層方向で重なる位置にグランド導体１２Ｂが配置されている。信号導体１３Ｂは、層Ｌ２の引出導体１６Ｂの他方の端部に絶縁基材層１１Ｂを貫通して配置される第１の層間接続導体１４を介して、引出導体１６Ｂと接続される。また層Ｌ２と同様に、グランド導体間を接続する複数の第２の層間接続導体１５ａから１５ｆが絶縁基材層１１Ｃを貫通して配置される。

図１Ｄの層Ｌ４では、絶縁基材層１１Ｄの併走部に対応する領域上の信号導体１３Ａに対応する位置に信号導体１３Ｃが配置されている。信号導体１３Ｃの端部は、層Ｌ３に絶縁基材層１１Ｃを貫通して配置される第１の層間接続導体１４と、層Ｌ２の引出導体１６Ｃの他方の端部に絶縁基材層１１Ｂを貫通して配置される第１の層間接続導体１４とを介して、引出導体１６Ｃと接続される。また層Ｌ２およびＬ３と同様に、グランド導体間を接続する複数の第２の層間接続導体１５ａから１５ｆが絶縁基材層１１Ｄを貫通して配置される。

図１Ｅの層Ｌ５では、絶縁基材層１１Ｅ上に併走部および引出部に対応する領域並びに接続端子部１７を被覆するグランド導体１２Ｃが配置されている。グランド導体１２Ｃは、層Ｌ２から層Ｌ４にそれぞれ配置される第２の層間接続導体１５ａから１５ｆを介して、層Ｌ１のグランド導体１２Ａと接続される。

絶縁基材層１１Ａから１１Ｅは、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂から形成される。グランド導体１２Ａから１２Ｃ、信号導体１３Ａ、信号導体１３Ｂおよび信号導体１３Ｃは、例えば、絶縁基材層の片方の全面に銅箔が貼り付けられた片面銅張基材の銅箔を所望の形状にパターニング処理して形成される。第１の層間接続導体１４および第２の層間接続導体１５ａから１５ｆは、例えば、片面銅張基材の銅箔が張られていない面側からレーザービームを照射する等の方法を用いて貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填し、加熱により固化させることで、絶縁基材層の厚み方向を貫通して形成することができる。

図２は、第１実施形態に係る多層基板における第１および第２の層間接続導体による各層間での接続状態を示す実装面となる面側からみた分解斜視図である。図２に示すように、各層間で対応する第１の層間接続導体どうしがそれぞれ接続し、且つ各層間で対応する第２の層間接続導体どうしがそれぞれ接続するように、層Ｌ１から層Ｌ５を積層し、積層方向に例えば加熱プレスで加熱加圧することで導体と一体化された積層絶縁体を備える多層基板が形成される。図２では、各層に配置される複数の第２の層間接続導体１５ａから１５ｅを介してグランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃが相互に接続される。層Ｌ１の接続端子部１７に配置される端子電極１８には、層Ｌ２の接続端子部１７に配置される引出導体１６Ａ、１６Ｂおよび１６Ｃの一方の端部が、第１の層間接続導体１４を介してそれぞれ接続される。層Ｌ２の引出導体１６Ｂの他方の端部には、層Ｌ２に配置される第１の層間接続導体１４を介して層Ｌ３の信号導体１３Ｂの端部が接続される。層Ｌ２の引出導体１６Ｃの他方の端部には、層Ｌ２に配置される第１の層間接続導体１４および層Ｌ３に配置される第１の層間接続導体１４を介して層Ｌ４の信号導体１３Ｃの端部が接続される。なお、図２では接続端子部１７における第２の層間接続導体１５ｆを介した接続状態については図示を省略している。図２では、実装面側にグランド導体１２Ａが露出しているが、グランド導体１２Ａを被覆するレジストを更に配置してもよい。多層基板がレジストを有することでグランド導体１２Ａが外部環境から保護され、実装基板と不要な接続が抑制される。レジストは例えば、絶縁性樹脂を含んで構成される。

図３は、第１実施形態に係る多層基板１０を実装面側からみた透過平面図である。図３では簡略化のため、グランド導体の図示は省略している。多層基板１０は、絶縁基材層が一体化されて形成される積層絶縁体１９を備え、積層絶縁体１９は内部に信号導体１３Ａ、１３Ｂおよび１３Ｃが配置される併走部と、引出導体１６Ａ、１６Ｂおよび１６Ｃをそれぞれ内蔵し併走部から接続端子部１７まで延伸される引出部とを有する。併走部では信号導体１３Ａ、１３Ｂおよび１３Ｃがそれぞれ信号の伝送方向に延伸して配置される。信号導体１３Ａと１３Ｂとは、積層方向から見て信号の伝送方向に直交する併走部の幅方向に離隔して配置される。信号導体１３Ｃは、信号導体１３Ａと積層方向から見て積層方向で重複し、積層方向に離隔して配置される。図３では信号導体１３Ｃの大部分が信号導体１３Ａの背後に隠れている。併走部では、信号導体１３Ａおよび１３Ｃを含む第１領域Ａと、信号導体１３Ｂを含む第２領域Ｂとが伝送方向に沿って併走部の幅方向に区画される。

信号導体１３Ａは、伝送方向の引出導体１６Ａと絶縁基材層の同一面上で一体化している。信号導体１３Ｂは、伝送方向のそれぞれの端部で第１の層間接続導体１４を介して引出導体１６Ｂの併走部における端部と接続される。信号導体１３Ｃは、伝送方向のそれぞれの端部に併走部の幅方向への引出部を有し、引出部において第１の層間接続導体１４を介して引出導体１６Ｃの併走部における端部と接続される。引出導体１６Ａ、１６Ｂおよび１６Ｃの接続端子部１７における端部は、第１の層間接続導体１４（図示せず）を介して端子電極１８とそれぞれ接続される。図示されていないグランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃは、第２の層間接続導体１５ａから１５ｆを介して相互に接続され、各層に配置される第２の層間接続導体１５ａから１５ｆは、隣接する層の対応する位置に配置される第２の層間接続導体１５ａから１５ｆと積層方向でそれぞれ接続されている。グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ａから１５ｆは、併走部の外縁部と、信号導体１３Ａおよび１３Ｂの間と、接続端子部１７の外周部とに複数配置され、高周波信号伝送路として使用される多層基板のグランド状態が安定化される。

多層基板１０では、併走部の第１領域Ａの外縁部に、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ａが伝送方向に沿って複数配置される。図３では４つの第２の層間接続導体１５ａが配置されるが５以上配置されてもよい。多層基板１０では、併走部の第２領域Ｂの外縁部に、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ｃが伝送方向に沿って複数配置される。図３では４つの第２の層間接続導体１５ｃが配置されるが５以上配置されてもよい。多層基板１０では、併走部の伝送方向の両端部に、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ｄ、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ｅが配置される。信号導体１３Ａがグランド導体１２Ａおよび１２Ｂ並びに第２の層間接続導体１５ａおよび１５ｂで包囲されることで信号導体１３Ａのアイソレーションをより高めることができる。また信号導体１３Ｂがグランド導体１２Ａおよび１２Ｃ並びに第２の層間接続導体１５ｂおよび１５ｃで包囲されることで信号導体１３Ｂのアイソレーションを高めることができる。さらに信号導体１３Ｃがグランド導体１２Ｂおよび１２Ｃ並びに第２の層間接続導体１５ａおよび１５ｂで包囲されることで信号導体１３Ｃのアイソレーションを高めることができる。

多層基板１０の、接続端子部１７の外周部には、第２の層間接続導体１５ｆが配置され、端子電極１８および伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃの一方の端部を包囲する。第２の層間接続導体１５ｆは、グランド導体１２Ａとグランド導体１２Ｃとを積層方向に接続する。伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃの一方の端部が、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃと接続する第２の層間接続導体１５ｆで包囲されることで端子電極１８と接続する第１の層間接続導体１４からの不要輻射が抑制される。また伝送方向の引出導体１６Ｂおよび１６Ｃの他方の端部は、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃと接続する第２の層間接続導体１５ｃ、１５ｄおよび１５ｅで挟まれている。これにより、信号導体１３Ｂと引出導体１６Ｂとを接続する第１の層間接続導体１４および信号導体１３Ｃと引出導体１６Ｃとを接続する第１の層間接続導体１４からの不要輻射が抑制される。

多層基板１０では、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを相互に接続する第２の層間接続導体１５ｂが、信号導体１３Ａおよび１３Ｃと、信号導体１３Ｂとの間に伝送方向に沿って複数配置される。図３では、第２の層間接続導体１５ｂが２つ配置されているが、伝送方向に沿って３つ以上の第２の層間接続導体１５ｂが配置されてもよい。また第２の層間接続導体１５ｂは、信号導体１３Ａおよび１３Ｃと、信号導体１３Ｂとの間に伝送方向と直交する方向に複数配置されてもよい。これにより信号導体１３Ａおよび信号導体１３Ｂの間のアイソレーションと、信号導体１３Ｃおよび信号導体１３Ｂの間のアイソレーションとをそれぞれより高めることができる。また、信号導体１３Ａおよび１３Ｃと、信号導体１３Ｂとの間には、第２の層間接続導体１５ｂに加えて、伝送方向に延伸して配置される補助グランド導体（図示せず）が配置されてもよい。補助グランド導体は、例えば、伝送方向に沿った平板状導体として配置される。補助グランド導体は、信号導体１３Ａまたは１３Ｃが配置される層Ｌ２またはＬ４上に配置されてもよく、積層方向の信号導体１３Ａと１３Ｃとの間および／または信号導体１３Ｂと１３Ｃとの間に配置されてもよい。また補助グランド導体は伝送方向に沿って離隔して複数配置されてもよい。

多層基板１０では、信号導体と引出部に内蔵される伝送方向の引出導体１６Ａから１６Ｃとが並走部の端部で接続される。引出導体１６Ａから１６Ｃの接続端子部１７側の端部は、第１の層間接続導体１４を介して端子電極１８と接続される。図１０および１１に示すように、端子電極１８には例えば、はんだ等の接続材料を用いてコネクタが接続され、実装基板上のコネクタと接続されてもよい。また端子電極１８は実装基板上の実装用電極に直接はんだ等の接続材料で接続されてもよい。

図４は、図３のａａ’切断線における併走部の断面について実装面を下側にした多層基板１０の断面図である。図４では、多層基板の実装面側にグランド導体１２Ａを被覆するレジスト１９ａが配置されている。多層基板１０では、実装面に近い側から信号導体１３Ａ（以下、第１信号導体ともいう）と、積層方向から見た場合に信号導体１３Ａから併走部の幅方向に離隔して配置される信号導体１３Ｂ（以下、第２信号導体ともいう）と、積層方向から見た場合に信号導体１３Ａと重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体１３Ｃ（以下、第３信号導体ともいう）とが積層絶縁体１９の内部に配置されている。多層基板１０では、信号導体１３Ａ、１３Ｂおよび１３Ｃはそれぞれ２つのグランド導体に絶縁基材層を介して挟み込まれている。すなわち、信号導体１３Ａはグランド導体１２Ａと１２Ｂとに絶縁基材層を介して挟み込まれ、信号導体１３Ｂはグランド導体１２Ａと１２Ｃとに絶縁基材層を介して挟み込まれ、信号導体１３Ｃはグランド導体１２Ｂと１２Ｃとに絶縁基材層を介して挟み込まれている。グランド導体１２Ｂおよび１２Ｃは積層絶縁体１９に内蔵されて配置される。グランド導体１２Ａは、積層絶縁体１９の実装面側に配置され、レジスト１９ａで被覆されている。

多層基板１０の併走部は、積層方向からみて重なりを有して積層される信号導体が多く配置される第１領域Ａと、第１領域Ａよりも積層される信号導体数が少ない第２領域Ｂとに伝送方向に沿って区画される。図４では併走部の幅方向に離隔して配置される信号導体数は２であるが、３以上の信号導体が幅方向に離隔して配置されてもよい。その場合、重なりを有して積層される信号導体数が最も多い領域が第１領域Ａであり、第１領域Ａに含まれる信号導体と幅方向に離隔して配置される信号導体を含む領域がそれぞれ第２領域Ｂである。図４では、第１信号導体１３Ａと第３信号導体１３Ｃとは、積層方向からみて重なり部分の幅とそれぞれの線幅とが一致して配置されているが、重なり部分の幅がいずれかの信号導体の線幅よりも狭く配置されていてもよい。

多層基板１０では、第１領域Ａに含まれる第１信号導体１３Ａを挟み込むグランド導体１２Ａおよび１２Ｂの間隔と、第３信号導体１３Ｃを挟み込むグランド導体１２Ｂおよび１２Ｃの間隔とが、第２領域Ｂにおいて第２信号導体１３Ｂを挟み込むグランド導体１２Ａと１２Ｃの間隔よりも狭くなっている。多層基板１０では、第２領域Ｂが積層方向からみて重なりを有して配置される複数の第２信号導体１３Ｂを含む場合、第２信号導体１３Ｂを挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い間隔でグランド導体に挟み込まれる信号導体が第１領域Ａに含まれる。

多層基板１０では、第２領域Ｂに含まれる信号導体１３Ｂの線幅が、第１領域Ａに含まれる第１信号導体１３Ａおよび第３信号導体１３Ｂのいずれかの線幅よりも広く形成される。挟み込まれるグランド導体間隔が広い信号導体１３Ｂの線幅を広く形成することで、グランド導体間隔が狭い信号伝送部とのインピーダンス整合を容易にとることができる。一般に、伝送線路として用いられる多層基板１０は特性インピーダンスが５０Ωで設計される。第１信号導体１３Ａとグランド導体１２Ａおよびグランド導体１２Ｂとで形成される第１信号伝送部並びに第３信号導体１３Ｃとグランド導体１２Ｂおよびグランド導体１２Ｃとで形成される第３信号伝送部と、第２信号導体１３Ｂとグランド導体１２Ａおよびグランド導体１２Ｃとで形成される第２信号伝送部との特性インピーダンスを、第２信号導体１３Ｂの線幅を広くすることで同じ５０Ωに揃えることができるようになる。線幅の広い第２信号導体１３Ｂを通過する信号では、第１信号導体１３Ａまたは第３信号導体１３Ｃを通過する信号よりも導体損が低減される。そのため、例えば、第１信号伝送部または第３信号伝送部にセルラーで用いられる６００ＭＨｚから９００ＭＨｚ帯や２ＧＨｚ帯の信号が割り当てられている場合、第２信号伝送部には、例えばＷｉＦｉで用いられる５ＧＨｚ帯の信号を割り当てることが望ましい。すなわち、伝送損失の影響が大きい高周波数帯の信号を信号導体の線幅が広い第２信号伝送部に割り当てる。なお、信号導体の線幅を広くすることに代えて信号導体を厚く形成することで特性インピーダンスを調整することもできる。例えば、第２信号導体１３Ｂを第１信号導体１３Ａまたは第３信号導体１３Ｃよりも肉厚に形成してインピーダンスの整合をとることも可能である。しかしながら、第２信号導体１３Ｂを幅広に形成してインピーダンス整合をとる方が、伝送線路として用いられる多層基板１０の製造工程を簡略化することができる。

多層基板１０では、信号導体の伝送方向に沿ってグランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃが配置される。グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃは、絶縁基材層を貫通して配置される第２の層間接続導体１５ａから１５ｆが積層方向に接続されることで互いに接続される。図４では、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃが、併走部の外縁部に配置される第２の層間接続導体１５ａおよび１５ｃと、第１信号導体および第３信号導体の間とに配置される第２の層間接続導体１５ｂとを介して相互に接続されている。またグランド導体１２Ｂは、併走部の外縁部に配置される第２の層間接続導体１５ａと、第１信号導体および第３信号導体の間とに配置される第２の層間接続導体１５ｂとを介して、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃと接続されている。

図５は、信号導体１３Ａおよび１３Ｃと、信号導体１３Ｂとの間に、伝送方向に延伸する補助グランド導体が配置される多層基板１０について、図３のａａ’切断線に相当する併走部の断面について実装面を下側にした断面図である。図５では、多層基板の実装面側にグランド導体１２Ａを被覆するレジスト１９ａが配置されている。図５では、第２の層間接続導体１５ｂと接続する補助グランド導体１２Ｄが、信号導体１３Ａおよび１３Ｂの間に、併走部の幅方向および積層方向に信号導体１３Ａおよび１３Ｂとそれぞれ離隔して配置される。また第２の層間接続導体１５ｂと接続する補助グランド導体１２Ｅが、信号導体１３Ｂおよび１３Ｃの間に、併走部の幅方向および積層方向に信号導体１３Ｂおよび１３Ｃと離隔して配置される。補助グランド導体１２Ｄが配置されることで、信号導体１３Ａと１３Ｂとの間のアイソレーションをより高めることができる。また補助グランド導体１２Ｅが配置されることで、信号導体１３Ｃと１３Ｂとの間のアイソレーションをより高めることができる。補助グランド導体１２Ｄおよび１２Ｅは、例えば、伝送方向に延伸する平板状に形成される。

図６は、第２の層間接続導体１５ｂと接続する補助グランド導体１２Ｄおよび１２Ｅを有する多層基板１０の併走部を実装面側からみた透過平面図の一例である。図６では簡略化のため、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃの図示は省略している。図６では、絶縁積層体１９の内部に、第２の層間接続導体１５ｂと接続する補助グランド導体１２Ｄが、信号導体１３Ｂおよび１３Ａの間に伝送方向に延伸して、連続する平板状の導体として配置されている。補助グランド導体１２Ｅは補助グランド導体１２Ｄの背後に隠れている。補助グランド導体１２Ｄは、図示しないグランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃを介して第２の層間接続導体１５ａと接続し、グランド導体１２Ａおよび１２Ｃを介して第２の層間接続導体１５ｃ、１５ｄおよび１５ｅと接続している。平面視において、信号導体１３Ａは、補助グランド導体１２Ｄ、第２の層間接続導体１５ａおよび１５ｂに包囲され、信号導体１３Ｂは、補助グランド導体１２Ｄ、第２の層間接続導体１５ｂおよび１５ｃに包囲されている。また補助グランド導体１２Ｄと１２Ｅとは、同一幅であってもよく、異なる幅であってもよい。

図７は、第２の層間接続導体１５ｂと接続する補助グランド導体１２Ｄおよび１２Ｅを有する多層基板１０の併走部を実装面側からみた透過平面図の他の例である。図７では簡略化のため、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃの図示は省略している。図７では、絶縁積層体１９の内部に、第２の層間接続導体１５ｂとそれぞれ接続する補助グランド導体１２Ｄが、信号導体１３Ｂおよび１３Ａの間に伝送方向に離隔して配置される矩形の平板状導体として配置されている。補助グランド導体１２Ｅは補助グランド導体１２Ｄの背後に隠れている。平面視において、信号導体１３Ａは、補助グランド導体１２Ｄ、第２の層間接続導体１５ａおよび１５ｂに包囲され、信号導体１３Ｂは、補助グランド導体１２Ｄ、第２の層間接続導体１５ｂおよび１５ｃに包囲されている。図７では、補助グランド導体１２Ｄは矩形状であるが、多角形状、円形状、楕円形状、長円形状等であってもよい。また補助グランド導体１２Ｄと１２Ｅは同一形状であってもよく、異なる形状であってもよい。

図８は、実装面側にグランド導体１２Ａを被覆するレジスト１９ａが配置された多層基板１０を実装面側からみた部分透過平面図である。透過部分ではグランド導体１２Ａおよび１２Ｃは図示を省略している。図８では接続端子部１７において、端子電極１８と、端子電極１８を包囲して配置されるグランド電極１８ａとがレジスト１９ａの開口部から露出している。グランド電極１８ａは例えば、グランド導体１２Ａのレジスト１９ａの開口部での露出面である。

図９は、実装面側にレジスト１９ａを有する多層基板１０について、図８のａａ’切断線における断面図であり、実装面を上側にした断面図である。図９では、積層絶縁体１９に内蔵されるグランド導体１２Ｃと積層絶縁体１９の実装面側の面上に配置されるグランド導体１２Ａとが、引出部と併走部とに連続して配置される。グランド導体１２Ａの実装面側の面には、レジスト１９ａが配置される。グランド導体１２Ａと１２Ｃとは、それらの間に配置されるグランド導体１２Ｂと共に第２の層間接続導体１５ｂを介して積層方向に接続される。グランド導体１２Ｂは、第２領域に含まれる信号導体１３Ｂ（図示せず）と同一層に配置される。グランド導体１２Ｂとグランド導体１２Ａは、第１領域において伝送方向の引出導体１６Ｃと同じ層に配置される信号導体１３Ａを挟んでいる。またグランド導体１２Ｂとグランド導体１２Ｃは、第１領域において信号導体１３Ｃを挟んでいる。これにより信号導体間のアイソレーションが向上し、クロストークが抑制される。

引出部に配置される伝送方向の引出導体１６Ｃは、グランド導体１２Ａと１２Ｃに挟まれており、外部への不要輻射が抑制される。引出導体１６Ｃの接続端子部１７側の端部は、絶縁基材層を貫通して配置される第１の層間接続導体１４を介して、実装面に配置される端子電極１８と接続される。端子電極１８の実装面側の面の一部にはレジスト１９ａが配置されず実装面側に露出する。端子電極１８の周囲にはグランド導体１２Ａのレジスト１９ａの開口部における露出部であるグランド電極１８ａが配置される。引出導体１６Ｃの接続端子部１７とは反対側の他方の端部は、絶縁基材層を貫通して積層方向に配置される第１の層間接続導体１４を介して、信号導体１２Ｃの端部と接続される。

図１０は、接続端子部１７にコネクタ１８ｂを有する多層基板１０について、図８のａａ’切断線に相当する断面図であり、実装面を上側にした断面図である。図１０では、実装面側にグランド導体１２Ａを被覆するレジスト１９ａが配置されている。接続端子部１７のレジスト１９ａ上には、コネクタ１８ｂが配置され、レジスト１９ａから露出する端子電極１８およびレジスト１９ａの開口部におけるグランド導体１２Ａの露出部が、それぞれ接続材料１８ｃを介してコネクタ１８ｂと接続される。接続材料１８ｃには例えば、はんだが用いられる。コネクタ１８ｂは、接続材料１８ｃ、端子電極１８、第１の層間接続導体１４および引出導体１６Ｃを介して信号導体１３Ｃが接続され、接続材料１８ｃを介してグランド導体１２Ａと接続される。

図１１は、接続端子部１７にコネクタ１８ｂを有する多層基板１０の、実装基板１００への実装方法を説明する概略断面図である。多層基板１０のコネクタ１８ｂは、接続材料１８ｃ、端子電極１８、第１の層間接続導体１４および引出導体１６Ｃを介して信号導体１３Ｃが接続される。またコネクタ１８ｂは、接続材料１８ｃを介してグランド導体１２Ａのレジスト１９ａの開口部における露出部が接続される。実装基板１００では、絶縁基材層１０１上に、端子部１０３ａおよび１０３ｂの一部を露出してレジスト１０２が配置される。端子部１０３ａおよび１０３ｂは、図示されない接続材料を介してコネクタ１０４ａおよび１０４ｂとそれぞれ接続される。端子部１０３ａおよび１０４ｂはそれぞれ例えば、信号端子とグランド端子とを含む。多層基板１０の２つのコネクタ１８ｂが、実装基板１００のコネクタ１０４ａおよび１０４ｂとそれぞれ接続されて、多層基板１０が実装基板１００に実装される。多層基板１０が実装基板１００に実装されると、実装基板１００の１０３ａの信号端子が、コネクタ１０４ａ、コネクタ１８ｂ、接続材料１８ｃ、端子電極１８、第１の層間接続導体１４、引出導体１６Ｃ、および第１の層間接続導体１４を順に介して信号導体１３Ｃの一方の端部と接続される。信号導体１３Ｃの他方の端部は、第１の層間接続導体１４、引出導体１６Ｃ、第１の層間接続導体１４、端子電極１８、接続材料１８ｃ、コネクタ１８ｂ、およびコネクタ１０４ｂを順に介して実装基板１００の１０３ｂの信号端子と接続される。これにより実装基板１００の端子部１０３ａの信号端子と端子部１０３ｂの信号端子とが、多層基板を介して接続される。また実装基板１００の１０３ａおよび１０３ｂのグランド端子は、コネクタ１０４ａ、コネクタ１８ｂおよび接続材料１８ｃを順に介して、グランド導体１２Ａと一体に形成されるグランド電極１８ａとそれぞれ接続される。すなわち、実装基板１００の端子部１０３ａと１０３ｂとの間で多層基板１０を介して信号が伝送される。

図１２は、多層基板１０の実装基板１００への実装方法の別例を説明する概略断面図である。実装基板１００では、絶縁基材層１０１上に、信号端子１０３ａ１および１０３ａ２、並びにグランド端子１０３ｂ１および１０３ｂ２の一部を露出してレジスト１０２が配置される。信号端子１０３ａ１および１０３ａ２、並びにグランド端子１０３ｂ１および１０３ｂ２上には、接続材料１０５がそれぞれ配置される。接続材料１０５には例えば、はんだが用いられる。多層基板１０は、接続端子部１７の端子電極１８およびグランド電極１８ａが、接続材料１０５を介して実装基板の信号端子およびグランド端子と接続されることで、実装基板に実装される。多層基板１０が実装基板１００に実装されると、実装基板１００の１０３ａ１の信号端子が、接続材料１０５、端子電極１８、第１の層間接続導体１４、引出導体１６Ｃ、および第１の層間接続導体１４を順に介して信号導体１３Ｃの一方の端部と接続される。信号導体１３Ｃの他方の端部は、第１の層間接続導体１４、引出導体１６Ｃ、第１の層間接続導体１４、端子電極１８、および接続材料１０５を順に介して、実装基板１００の信号端子１０３ａ２と接続される。これにより実装基板１００の信号端子１０３ａ１と信号端子１０３ａ２とが、多層基板を介して接続される。また実装基板１００のグランド端子１０３ｂ１および１０３ｂ２は、接続材料１０５を介して、多層基板１０のレジスト１９ａの開口部におけるグランド導体１２Ａの露出部であるグランド電極１８ａとそれぞれ接続される。

図１３は、多層基板１０の実装基板１００への実装状態を概略的に示す平面図である。実装基板１００上には、多層基板１０とその他の電子部品１１０とが配置される。電子部品１１０には、集積回路（ＩＣ）、抵抗、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品が含まれる。多層基板１０は、接続端子部１７ａ１、１７ｂ１、１７ｃ１、１７ａ２、１７ｂ２、および１７ｃ２が実装基板上の端子部にそれぞれ接続されて、実装基板に実装される。接続端子部は、コネクタまたははんだ等の接続材料で実装基板上の端子部に接続される。例えば、多層基板１０の端子部１７ａ１と接続する端子部は、多層基板１０を介して端子部１７ａ２と接続する端子部と接続され、多層基板１０の端子部１７ｂ１と接続する端子部は、多層基板１０を介して端子部１７ｂ２と接続する端子部と接続され、多層基板１０の端子部１７ｃ１と接続する端子部は、多層基板１０を介して端子部１７ｃ２と接続する端子部と接続される。

図１４は、筐体１２０内に収容される多層基板１０が実装された実装基板１００を模式的に示す平面図である。図１４では、実装基板１００に配置されるコネクタ１０４ａと１０４ｂとに、多層基板１０の接続端子部１７に配置されるコネクタ１８ｂがそれぞれ接続され、多層基板１０が電子部品１１０を跨いで実装基板１００に実装される。そして多層基板１００は筐体１２０に収容される。多層基板１０では、併走部の幅方向に区画される第１領域と第２領域とに信号導体が配置されている。これにより、全ての信号導体を積層方向に配置するよりも多層基板１０全体としての厚みを薄く形成できる。したがって多層基板１０を構成する絶縁基材層に液晶ポリマー（ＬＣＰ）の様な可撓性を有する基材を用いることで、電子部品１１０が配置される実装基板１００と筐体１２０との隙間形状に応じて多層基板１０を曲げて配置することができる。

第２実施形態
図１５は、第２実施形態に係る多層基板２０を実装面側からみた透過平面図である。図１５では簡略化のため、グランド導体の図示は省略している。第２実施形態の多層基板２０は、積層方向と直交する面に沿って伝送方向が曲がっている湾曲部Ｃを併走部に有し、第１領域が湾曲部Ｃにおいて内側の位置に配置されること以外は第１実施形態の多層基板と同様に構成される。併走部に湾曲部を有する多層基板は、例えば、図１３における電子部品１３を迂回するように実装される。

多層基板２０では、絶縁積層体２９の内部に信号導体２３Ａ、２３Ｂおよび２３Ｃが伝送方向に延伸して配置されている。信号導体２３Ａと２３Ｂとは信号の伝送方向に直交する併走部の幅方向に離隔して配置される。信号導体２３Ｃは、信号導体２３Ａと積層方向で重複し、積層方向に離隔して配置される。多層基板２０では、積層方向からみて重なりを有して積層される信号導体が多く配置される第１領域が、湾曲部Ｃにおいて第２領域よりも内側の位置に配置されている。図１５では第１領域が信号導体２３Ａと２３Ｃを含み、第２領域が信号導体２３Ｂを含んでいる。第１領域と第２領域とは伝送方向に沿って併走部の幅方向に区画される。

図１５では、図示されないグランド導体を相互に接続する第２の層間接続導体２５ｂが、信号導体２３Ａおよび２３Ｃと信号導体２３Ｂとの間に伝送方向に沿って複数配置される。またグランド導体を相互に接続する第２の層間接続導体２５ａおよび２５ｃが、併走部の外縁部に伝送方向に沿って複数配置される。第２の層間接続導体２５ａおよび２５ｃが併走部の外縁部に伝送方向に沿って複数配置されることで、信号導体から外部への不要輻射を効果的に抑制することができる。特に多層基板２０の湾曲部Ｃの内側において、第２の層間接続導体２５ａを併走部の外縁部に複数の配置することで、湾曲部Ｃの内側で近接する信号導体の異なる位置間での不要輻射に起因するクロストーク等の影響をより効果的に抑制することができる。図１５では第２の層間接続導体２５ａ、２５ｂおよび２５ｃが伝送方向に沿って同数配置されているが、第２の層間接続導体２５ａ、２５ｂおよび２５ｃはそれぞれ異なる数で配置されてもよい。例えば、湾曲部Ｃの内側に配置される第２の層間接続導体２５ａの数を、湾曲部Ｃの外側に配置される第２の層間接続導体２５ｃの数よりも多くしてもよく、少なくしてもよい。また第２の層間接続導体２５ａ、２５ｂおよび２５ｃのそれぞれが等間隔で配置されてもよい。

さらに多層基板２０は、グランド導体および第２の層間接続導体２５ａから２５ｃに加えて、伝送方向に延伸して配置される補助グランド導体（図示せず）が配置されていてもよい。補助グランド導体を備えることで、信号導体間のアイソレーションをより向上させることができる。補助グランド導体は、例えば、伝送方向に沿って配置される連続する平板状導体であってもよく、伝送方向に沿って離隔して配置される平板状導体であってもよい。

多層基板２０の図１５のｂｂ’切断線における併走部の断面について実装面を下側にした断面図は、図４と同様になる。多層基板２０では、第１領域Ａに含まれる信号導体を挟み込む２つのグランド導体間の間隔が、第２領域Ｂにおいて信号導体を挟み込む２つのグランド導体間の間隔よりも狭くなっている。湾曲部Ｃの内側に区画される第１領域Ａに含まれる信号導体が狭い間隔のグランド導体に挟まれていることで、湾曲部Ｃの内側において近接する信号導体の異なる位置間での不要輻射に起因するクロストーク等の影響を効果的に抑制することができる。

図１６は、信号導体２３Ａおよび２３Ｃと信号導体２３Ｂとの間と、併走部の外縁部とに、伝送方向に延伸する補助グランド導体が配置される多層基板２０について、図１５のｂｂ’切断線に相当する併走部の断面について実装面を下側にした断面図である。多層基板２０では、実装面に近い側から信号導体２３Ａと、積層方向から見た場合に信号導体２３Ａから併走部の幅方向に離隔して配置される信号導体２３Ｂと、積層方向から見た場合に信号導体２３Ａと重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体２３Ｃとが積層絶縁体２９の内部に配置されている。多層基板２０では、信号導体２３Ａはグランド導体２２Ａと２２Ｂとに絶縁基材層を介して挟み込まれ、信号導体２３Ｂはグランド導体２２Ａと２２Ｃとに絶縁基材層を介して挟み込まれ、信号導体２３Ｃはグランド導体２２Ｂと２２Ｃとに絶縁基材層を介して挟み込まれている。グランド導体２２Ｂおよび２２Ｃは積層絶縁体２９に内蔵され、グランド導体２２Ａは、積層絶縁体２９の実装面側の面上に配置されている。図１６では、積層絶縁体２９の実装面側に、グランド導体２２Ａを被覆するレジスト２９ａが配置されている。

図１６では、第２の層間接続導体２５ｂと接続する補助グランド導体２２Ｄ２が、信号導体２３Ａおよび２３Ｂの間に、併走部の幅方向および積層方向に信号導体２３Ａおよび２３Ｂと離隔して配置される。また第２の層間接続導体２５ａと接続する補助グランド導体２２Ｅ２が、信号導体２３Ｂおよび２３Ｃの間に、併走部の幅方向および積層方向に信号導体２３Ｂおよび２３Ｃと離隔して配置される。第１領域Ａの外縁部には、第２の層間接続導体２５ａと接続する補助グランド導体２２Ｄ１および２２Ｅ１が、信号導体２３Ａおよび２３Ｃの間にグランド導体２２Ｂを挟んで配置される。第２領域Ｂの外縁部には、第２の層間接続導体２５ｃと接続する補助グランド導体２２Ｄ３および２２Ｅ３が、積層方向に離隔して配置される。併走部の外縁部に補助グランド導体２２Ｄ１、２２Ｅ１、２２Ｄ３および２２Ｅ３２が配置されることで、信号導体２３Ａ、２３Ｂおよび２３Ｃから外部への不要輻射をより効果的に抑制することができる。特に湾曲部Ｃの内側に補助グランド導体２２Ｄ１および２２Ｅ１が配置されることで、湾曲部Ｃの内側で近接する信号導体の異なる位置間での不要輻射に起因するクロストーク等の影響をより効果的に抑制することができる。

図１７は、第２の層間接続導体２５ｂと接続する補助グランド導体２２Ｄ１から２２Ｄ３および２２Ｅ１から２２Ｅ３を有する多層基板２０の併走部を実装面側からみた透過平面図の一例である。図１７では簡略化のため、グランド導体１２Ａ、１２Ｂおよび１２Ｃの図示は省略している。図１７では、絶縁積層体２９の内部に、第２の層間接続導体２５ａと接続する補助グランド導体２２Ｄ１が、併走部の外縁部に伝送方向に沿って、長円形の平板状の導体として離隔して配置されている。補助グランド導体２２Ｅ１は補助グランド導体２２Ｄ２の背後に隠れている。また第２の層間接続導体２５ｂと接続する補助グランド導体２２Ｄ２が、信号導体２３Ｂおよび２３Ａの間に伝送方向に沿って、略矩形の平板状の導体として離隔して配置されている。補助グランド導体２２Ｅ２は補助グランド導体２２Ｄ２の背後に隠れている。さらに第２の層間接続導体２５ｃと接続する補助グランド導体２２Ｄ３が、併走部の外縁部に伝送方向に沿って、長円形の平板状の導体として離隔して配置されている。補助グランド導体２２Ｄ１、２２Ｄ２および２２Ｄ３は、図示しないグランド導体２２Ａ、２２Ｂおよび２２Ｃを介して相互に接続している。平面視において、信号導体２３Ａは、補助グランド導体２２Ｄ１および２２Ｄ２に包囲され、信号導体１３Ｂは、補助グランド導体２２Ｄ２および２２Ｄ３に包囲されている。また補助グランド導体２２Ｄ１と２２Ｄ３とは同一幅で形成され、補助グランド導体２２Ｄ２とは異なる幅で形成されている。

第３実施形態
図１８は、第３実施形態に係る多層基板３０を実装面側からみた透過平面図である。図１８では簡略化のため、グランド導体の図示は省略している。第３実施形態の多層基板３０は、第１領域が４つの信号導体を含み、第２領域が３つの信号導体を含むことと、積層方向に重なりを有して配置される信号導体が、積層方向に等間隔で配置される場合よりも、積層方向の引出導体の長さの総計が短く配置されていること以外は、第１実施形態の多層基板と同様に構成される。

多層基板３０の併走部は、信号導体３３Ａ、３３Ｃ１、３３Ｃ２および３３Ｃ３を含む第１領域と、信号導体３３Ｂ１、３３Ｂ２および３３Ｂ３を含む第２領域とに伝送方向に沿って併走部の幅方向に区画される。

信号導体３３Ａは、伝送方向の引出導体と絶縁基材層の同一面上に一体化して形成される。信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３は、伝送方向のそれぞれの端部で第１の層間接続導体３４を介して引出導体の併走部における端部とそれぞれ接続される。信号導体３３Ｃ１から３３Ｃ３は、伝送方向のそれぞれの端部に併走部の幅方向への引出部を有し、引出部において第１の層間接続導体３４を介して引出導体の併走部における端部と接続される。

図１９は、図１８のｃｃ’切断線における併走部の断面について実装面を下側にした多層基板３０の断面図である。図１９では、積層絶縁体の実装面側にグランド導体３２Ａを被覆するレジストを配置していない。多層基板３０では、第１領域Ａにおいて、実装面に近い側から信号導体３３Ａ（以下、第１信号導体ともいう）と、積層方向に互いに離隔して配置される信号導体３３Ｃ１から３３Ｃ３（以下、併せて第３信号導体ともいう）とが積層絶縁体３９の内部に配置されている。また第２領域Ｂにおいて、実装面に近い側から信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３（以下、併せて第２信号ともいう）が積層絶縁体３９の内部に配置されている。第２信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３は、積層方向から見た場合に信号導体３３Ａから併走部の幅方向に離隔して配置される。また第３信号導体３３Ｃ１から３３Ｃ３は、積層方向から見た場合に信号導体３３Ａと重なりを有して配置される。

図１９では、第１信号導体３３Ａを挟み込むグランド導体３２Ａと３２Ｂの間隔と、第３信号導体３３Ｃ１を挟み込むグランド導体３２Ｂと３２Ｃの間隔とが、第２信号導体３３Ｂ１を挟み込むグランド導体３２Ａと３２Ｃの間隔よりも狭くなっている。また第２領域Ｂに含まれる第２信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３の線幅は、第１領域Ａに含まれる第１信号導体３３Ａおよび第３信号導体３３Ｃ１から３３Ｃ３の線幅よりも幅広に形成されている。

多層基板３０の第１領域Ａでは、積層方向に沿って配置される信号導体が、実装面側で密度が高く配置される。すなわち、多層基板３０を、その厚みの中点を通り厚み方向に直交する面で２つの領域に分割する場合、実装面側の領域に含まれる信号導体数が、実装面側とは反対側の領域に含まれる信号導体数よりも大きくなっている。

図２０は、図１８のｄｄ’切断線における併走部の断面について実装面を下にした多層基板３０の断面図である。図２０では、積層絶縁体の実装面側にグランド導体３２Ａを被覆するレジストを配置していない。多層基板３０では、信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３および３３Ｃ１から３３Ｃ３の端部が、積層方向に沿って信号導体から実装面側に延伸して配置される第１の層間接続導体３４を介して、伝送方向の引出導体３６Ｂ１から３６Ｂ３および３６Ｃ１からＣ３の併走部における端部とそれぞれ接続される。第１の層間接続導体３４は、絶縁基材層を貫通して配置される第１の層間接続導体が、各層間で積層方向に接続されて形成される。

図２０の第２領域Ｂでは、信号導体３３Ｂ１から３３Ｂ３が積層方向に略等間隔に配置される。また第１領域Ａでは、信号導体３３Ａおよび３３Ｃ１から３３Ｃ３が積層方向に略等間隔で配置される場合よりも、第１の層間接続導体３４の長さの総計が短く配置されている。

上記の実施形態では、グランド導体間が絶縁基材層を貫通して配置される第２の層間接続導体で接続されているが、層間接続導体に代えてスルーホールで接続されてもよい。またグランド導体間は、併走部における幅方向の端部に積層方向に沿って配置される側面導体層によって接続されてもよい。側面導体層は、例えば、幅方向の両端部に配置される。グランド導体と側面導体層とは、グランド導体を幅方向の端部にまで延在させて接続してもよく、グランド導体から幅方向の端部にまで引出導体を設けて接続してもよい。側面導体層は、例えば、多層基板の側面にめっき処理して形成されてもよい。さらに側面導体層は、伝送方向に沿って併走部の側面全体に配置されてもよく、伝送方向に沿って離隔して配置され、積層方向に沿って延在する複数の側面導体層として配置されてもよい。

本実施形態に係る多層基板は、高周波信号の伝送線路として用いられる。多層基板に含まれる第１信号導体および第３信号導体並びに第２信号導体の用途は特に限定されないが、例えば、第２信号導体は第１信号導体および第３信号導体よりも幅広に形成できるため、より低損失を求められる信号伝送、例えばより高周波帯の信号伝送に好適である。一方、第１信号導体および第３信号導体は狭い間隔のグランド導体に挟まれているため、アイソレーションがより求められる信号伝送、例えばより低周波帯の信号伝送に好適である。

日本国特許出願２０１７−０２７０２６号（出願日：２０１７年２月１６日）の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。

Claims

複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って信号の伝送方向に延伸して配置される３以上の信号導体と、
前記信号導体のそれぞれを積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体と、
を備える多層基板であり、
前記多層基板は、前記信号導体が併走して高周波信号を伝送する併走部を有し、
前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される２以上の信号導体と、積層方向から平面視して前記信号導体と重なりを有し、積層方向に離隔して配置される信号導体とを含み、
前記併走部は、積層方向から平面視して伝送方向と直交する方向に離隔して配置される前記信号導体をそれぞれ含む第１領域および少なくとも１つの第２領域を有し、
前記第１領域は、積層方向に重なって配置される前記信号導体の数が前記第２領域よりも多く、
前記第１領域は、前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔が、前記第２領域における前記信号導体を挟み込むグランド導体の間隔の最小値よりも狭い部分を有する、多層基板。
前記第２領域は、前記第１領域に含まれる前記信号導体よりも幅広の信号導体を含む、請求項１に記載の多層基板。
前記併走部は、積層方向と直交する面に沿って伝送方向が曲がっている湾曲部を有し、
前記第１領域は、前記湾曲部において前記第２領域よりも内側の位置に配置される、請求項１または請求項２に記載の多層基板。
前記信号導体とそれぞれ接続し、積層方向の実装面側に引き出される引出導体が、伝送方向の端部に配置され、
前記積層方向に重なりを有して配置される信号導体は、積層方向に等間隔で配置される場合よりも、引出導体の長さの総計が短く配置される、請求項１から請求項３のいずれかに記載の多層基板。
前記第１領域に含まれる信号導体と前記第２領域に含まれる信号導体との間に、積層方向に前記グランド導体を接続する少なくとも１つの層間接続導体を更に備える、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
前記併走部の外縁部に、積層方向にグランド導体を接続する少なくとも１つの層間接続導体を更に備える、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
前記第１領域に含まれる信号導体と前記第２領域に含まれる信号導体との間に、伝送方向に沿って配置され、前記グランド導体と接続される補助グランド導体を更に備える、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
前記併走部の外縁部に、伝送方向に沿って配置され、前記グランド導体と接続される補助グランド導体を更に備える、請求項１から７のいずれかに記載の多層基板。