JPWO2016114205A1 - 銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタ - Google Patents
銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタ Download PDFInfo
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Abstract
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散してなる銀微粒子分散物；この銀微粒子分散物を用いたインク組成物；このインク組成物を用いた銀電極；及びこの銀電極を有する薄膜トランジスタ。
Description
本発明は、銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタに関する。
導体配線や電極（以下「導体配線等」という）を形成する材料として銀微粒子が広く用いられている。銀微粒子を水性媒体中に分散させた状態で基材上に塗布し、これを焼き付け（焼結）、必要によりエッチング処理を施すことにより、所望の形状の導体配線等を形成することができる。
上記銀微粒子分散物を基材上に塗布する方法として、各種印刷方法による塗布、スピンコートによる塗布、ディスペンサーによる塗布等が知られている。銀微粒子分散物を印刷により塗布する場合には、銀微粒子分散物をインクとして用い、このインクが各種印刷方法により基板等に塗布される。なかでも、微細なパターンを精度良く形成することができ、工程が簡素でインクを無駄なく使用できることから、インクジェット印刷の利用が広がっている。
上記銀微粒子分散物を基材上に塗布する方法として、各種印刷方法による塗布、スピンコートによる塗布、ディスペンサーによる塗布等が知られている。銀微粒子分散物を印刷により塗布する場合には、銀微粒子分散物をインクとして用い、このインクが各種印刷方法により基板等に塗布される。なかでも、微細なパターンを精度良く形成することができ、工程が簡素でインクを無駄なく使用できることから、インクジェット印刷の利用が広がっている。
インクジェット印刷に用いる銀微粒子分散物からなるインクには、吐出安定性を高めるために、銀微粒子の良好な分散性（銀微粒子を媒体中に微粒子状態で均一分散できる特性）と共に、良好な分散安定性（上記の銀微粒子の分散状態が、経時的に、ないしは外部の刺激（熱や振動など）に対して安定的に維持できる特性）が求められる。
例えば特許文献１には、フェノール化合物の酸化重合物及び／又はその酸化体を表面に少なくとも有した銀微粒子が溶媒に分散した銀コロイド溶液が記載され、この銀コロイド溶液が銀微粒子の分散性ないし分散安定性に優れ、インクジェット印刷による電極や回路配線パターンの形成に使用できることが記載されている。
例えば特許文献１には、フェノール化合物の酸化重合物及び／又はその酸化体を表面に少なくとも有した銀微粒子が溶媒に分散した銀コロイド溶液が記載され、この銀コロイド溶液が銀微粒子の分散性ないし分散安定性に優れ、インクジェット印刷による電極や回路配線パターンの形成に使用できることが記載されている。
近年、電子部品の小型化により、導体配線等の微細化が進んでいる。例えば薄膜トランジスタにおいては、小型化に伴いソース電極とドレイン電極の距離が狭小化しており、電極の一部がイオン化して両電極間を移動し、両電極間が導通してしまうイオンマイグレーション（以下、単に「マイグレーション」ともいう。）が生じやすくなっている。かかる状況下、インクジェット印刷に用いる銀微粒子分散物には、良好な分散性と分散安定性に加え、形成した導体配線等のマイグレーションも抑えることが求められる。
本発明は、水性媒体中に銀微粒子が分散してなる銀微粒子分散物であって、銀微粒子の分散性及び分散安定性に優れ、さらにこの分散物を用いて形成した導体配線等の導電性にも優れ、且つこの分散物を用いて形成した導体配線等のマイグレーションをも効果的に抑えることができる銀微粒子分散物を提供することを課題とする。また本発明は、この銀微粒子分散物を用いたインク組成物、このインク組成物を用いた銀電極、及びこの銀電極を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
本発明は、水性媒体中に銀微粒子が分散してなる銀微粒子分散物であって、銀微粒子の分散性及び分散安定性に優れ、さらにこの分散物を用いて形成した導体配線等の導電性にも優れ、且つこの分散物を用いて形成した導体配線等のマイグレーションをも効果的に抑えることができる銀微粒子分散物を提供することを課題とする。また本発明は、この銀微粒子分散物を用いたインク組成物、このインク組成物を用いた銀電極、及びこの銀電極を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
本発明者らは、特定の酸化防止剤を溶解した疎水性有機溶剤溶液を、ノニオン性界面活性剤を用いて水性媒体中に乳化分散してなる乳化物と、銀微粒子を水性媒体中に分散してなる分散物とを混合して銀微粒子分散物を調製したところ、この銀微粒子分散物は銀微粒子の分散性と分散安定性に優れ、さらにこの銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等は優れた導電性を示し、且つマイグレーションも生じにくいことを見い出した。さらに、この銀微粒子分散物を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極を形成した際には良好なキャリア移動度を示し、ＴＦＴの電極として良好に機能することを見い出した。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。
本発明の上記課題は以下の手段により解決された。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔７〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
〔８〕
インクジェット印刷に用いる、〔７〕に記載のインク組成物。
〔９〕
銀電極の形成に用いる、〔７〕又は〔８〕に記載のインク組成物。
〔１０〕
〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔７〕〜〔９〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔１１〕
〔１０〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔７〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
〔８〕
インクジェット印刷に用いる、〔７〕に記載のインク組成物。
〔９〕
銀電極の形成に用いる、〔７〕又は〔８〕に記載のインク組成物。
〔１０〕
〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔７〕〜〔９〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔１１〕
〔１０〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物は、分散性及び分散安定性のいずれにも優れる。また、この銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等は導電性に優れ、マイグレーションの発生も効果的に抑えられる。
本発明の銀電極は、マイグレーションの発生が効果的に抑えられ、例えばＴＦＴの電極として好適に用いることができる。さらに本発明の薄膜トランジスタは本発明の電極を有してなり、電極のマイグレーションが抑えられて電極間の絶縁信頼性に優れると共に優れたキャリア移動度を示す。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明の銀電極は、マイグレーションの発生が効果的に抑えられ、例えばＴＦＴの電極として好適に用いることができる。さらに本発明の薄膜トランジスタは本発明の電極を有してなり、電極のマイグレーションが抑えられて電極間の絶縁信頼性に優れると共に優れたキャリア移動度を示す。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
［銀微粒子分散物］
本発明の銀微粒子分散物の好ましい実施形態について説明する。
本発明の銀微粒子分散物は、銀微粒子が水性媒体中に分散してなり、且つ、この水性媒体中にはさらに、ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により乳化分散している。すなわち、上記酸化防止剤は銀微粒子分散物中において、水性媒体中に分散してなる油滴中に存在する。本明細書において、水性媒体中に「分散」しているとは、微粒子状となって水性媒体中に一様に（均質に）散在している状態をいう。
本発明の銀微粒子分散物は、上記酸化防止剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。また、本発明の銀微粒子分散物は、上記ノニオン性界面活性剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。また、本発明の銀微粒子分散物は、上記疎水性有機溶剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、さらに、乾燥防止剤、浸透促進剤、防腐剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調製剤、キレート剤、銀以外の金属粒子等を含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、イオン性の成分を含まないことが好ましい。イオン性の成分とは、銀微粒子分散物中において、イオン化して帯電した基を有する成分を意味する。
本発明の銀微粒子分散物がイオン性の成分を含まないことにより、銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等の導電性をより高めることができ、さらに、マイグレーションの発生もより抑えて絶縁信頼性を高めることができる。
本発明の銀微粒子分散物の好ましい実施形態について説明する。
本発明の銀微粒子分散物は、銀微粒子が水性媒体中に分散してなり、且つ、この水性媒体中にはさらに、ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により乳化分散している。すなわち、上記酸化防止剤は銀微粒子分散物中において、水性媒体中に分散してなる油滴中に存在する。本明細書において、水性媒体中に「分散」しているとは、微粒子状となって水性媒体中に一様に（均質に）散在している状態をいう。
本発明の銀微粒子分散物は、上記酸化防止剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。また、本発明の銀微粒子分散物は、上記ノニオン性界面活性剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。また、本発明の銀微粒子分散物は、上記疎水性有機溶剤を１種含有しても２種以上含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、さらに、乾燥防止剤、浸透促進剤、防腐剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調製剤、キレート剤、銀以外の金属粒子等を含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、イオン性の成分を含まないことが好ましい。イオン性の成分とは、銀微粒子分散物中において、イオン化して帯電した基を有する成分を意味する。
本発明の銀微粒子分散物がイオン性の成分を含まないことにより、銀微粒子分散物を用いて形成した導体配線等の導電性をより高めることができ、さらに、マイグレーションの発生もより抑えて絶縁信頼性を高めることができる。
＜水性媒体＞
本発明の銀微粒子分散物に用いる水性媒体（以下、水性媒体（ａ）ということもある）は、水、又は、水と水溶性有機溶媒との混合液である。銀微粒子分散物に含まれる水性媒体中、水の含有量は３０質量％以上が好ましく、４０〜１００質量％がより好ましく、５０〜１００質量％がさらに好ましく、６０〜１００質量％がより好ましい。
本発明の銀微粒子分散物に用いる水性媒体（以下、水性媒体（ａ）ということもある）は、水、又は、水と水溶性有機溶媒との混合液である。銀微粒子分散物に含まれる水性媒体中、水の含有量は３０質量％以上が好ましく、４０〜１００質量％がより好ましく、５０〜１００質量％がさらに好ましく、６０〜１００質量％がより好ましい。
水としては、例えば蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。
水性媒体に含有されうる上記水溶性有機溶媒は、２０℃において水に対する溶解度が１０質量％以上であるものが好ましい。この水溶性有機溶媒として、例えば、アルコール、ケトン、エーテル化合物、アミド化合物、ニトリル化合物、スルホン化合物が挙げられる。
水性媒体に含有されうる上記水溶性有機溶媒は、２０℃において水に対する溶解度が１０質量％以上であるものが好ましい。この水溶性有機溶媒として、例えば、アルコール、ケトン、エーテル化合物、アミド化合物、ニトリル化合物、スルホン化合物が挙げられる。
これらのうちアルコールとしては、例えば、エタノール、イソプロパノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、イソブタノール、ジアセトンアルコール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンが挙げられる。
また、ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル化合物としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンが挙げられる。
アミド化合物としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドが挙げられる。
ニトリル化合物としては、例えば、アセトニトリルが挙げられる。
スルホン化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホランが挙げられる。
また、ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル化合物としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンが挙げられる。
アミド化合物としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミドが挙げられる。
ニトリル化合物としては、例えば、アセトニトリルが挙げられる。
スルホン化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホランが挙げられる。
本発明の銀微粒子分散物中の水性媒体の含有量は、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８５質量％がより好ましく、３０〜７０質量％がさらに好ましい。
＜銀微粒子＞
本発明の銀微粒子分散物に含有される銀微粒子は、常法により調製することができる。
例えば、硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）やメタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等の銀化合物と、分散剤とを水中に溶解し、還元剤を添加し、撹拌しながら一定時間、銀イオンを還元することにより、銀微粒子を分散物として得ることができる。
本発明の銀微粒子分散物に含有される銀微粒子は、常法により調製することができる。
例えば、硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）やメタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等の銀化合物と、分散剤とを水中に溶解し、還元剤を添加し、撹拌しながら一定時間、銀イオンを還元することにより、銀微粒子を分散物として得ることができる。
上記還元剤に特に制限はなく、銀化合物を還元して銀微粒子を得るために用いられる従来公知の還元剤を用いることができる。なかでも、粒径が小さく且つ粒径の揃った銀微粒子を得る観点から、還元剤として、アルコール（好ましくはメタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレングリコール、トリメチロールプロパン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、又は３−アミノ−１−プロパノール）、ヒドロキシ基を有しないアミン（好ましくは、ヒドラジン、又はフェニルヒドラジン）、アスコルビン酸、ホルムアルデヒド、糖類等を用いることが好ましい。
上記銀微粒子の分散剤としては、銀微粒子の分散剤として用いられる従来公知の分散剤を広く用いることができる。上記分散剤は親水性基としてイオン性基を有する分散剤でもよいが、導体配線等の導電性をより高め、且つマイグレーションの発生をより抑制する観点から、親水性基としてノニオン性基を有する分散剤が好ましい。親水性基としてノニオン性基を有する分散剤は高分子化合物であることが好ましく、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体、ポリビニルアルコール、ポリアリルアミン、ポリビニルアルコール-ポリ酢酸ビニル共重合体を挙げることができる。
本発明に用いうるノニオン性分散剤が高分子化合物である場合、その重量平均分子量は、２０００〜５００００であることが好ましく、３０００〜３００００であることがより好ましい。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）で測定される。ＧＰＣは、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）の３本を直列に接続し、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる。また、条件としては、試料濃度を０．３５質量％、流速を０．３５ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μｌ、測定温度を４０℃とし、ＩＲ検出器を用いて行なう。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「ｎ−プロピルベンゼン」の８サンプルから作製する。
本発明に用いうるノニオン性分散剤が高分子化合物である場合、その重量平均分子量は、２０００〜５００００であることが好ましく、３０００〜３００００であることがより好ましい。
本明細書において、重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）で測定される。ＧＰＣは、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅＬ Ｓｕｐｅｒ ＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）の３本を直列に接続し、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる。また、条件としては、試料濃度を０．３５質量％、流速を０．３５ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μｌ、測定温度を４０℃とし、ＩＲ検出器を用いて行なう。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「ｎ−プロピルベンゼン」の８サンプルから作製する。
銀微粒子の一次粒径は、使用する銀化合物、分散剤、還元剤の種類と配合比を適宜に調整し、さらに撹拌速度、温度、時間等を適宜に調整することにより調節することができる。
本発明の銀微粒子分散物中において、銀微粒子の平均粒径は、水性媒体中に安定的に分散できれば特に制限はないが、塗布適性、および保存安定性の観点から１０〜２００ｎｍであることが好ましく、２０〜１５０ｎｍであることがより好ましく、３０〜１２０ｎｍであることがさらに好ましく、４０〜１００ｎｍであることがさらに好ましく、５０〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。銀微粒子の平均粒径を上記好ましい範囲内とすることにより、膜、配線、電極等を形成した際に、十分に低い体積抵抗値とすることができる。
本明細書における銀微粒子の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（製品名、大塚電子（株）製）を用いて測定される。具体的には、上記装置（ＦＰＡＲ−１０００）を用いて標準測定条件で測定し、キュムラント解析により平均粒径を求める。
また、銀微粒子分散物中の銀微粒子の粒径分布に関しては、特に制限はなく、広い粒径分布又は単分散性の粒径分布のいずれであってもよい。
本明細書における銀微粒子の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（製品名、大塚電子（株）製）を用いて測定される。具体的には、上記装置（ＦＰＡＲ−１０００）を用いて標準測定条件で測定し、キュムラント解析により平均粒径を求める。
また、銀微粒子分散物中の銀微粒子の粒径分布に関しては、特に制限はなく、広い粒径分布又は単分散性の粒径分布のいずれであってもよい。
本発明の銀微粒子分散物中の銀微粒子の含有量は、５〜９０質量％であるのが好ましく、１０〜８０質量％であるのがより好ましく、２０〜７０質量％であるのがさらに好ましく、２０〜５０質量％であるのがさらに好ましく、２０〜４０質量％であるのがさらに好ましい。上記の範囲内であれば、十分な厚みと導電性とを有する導体配線や導電膜を形成でき、また、各種の印刷方法に適した流動性の銀微粒子分散物を得ることができる。
＜酸化防止剤＞
本発明において酸化防止剤は、共存する物質に対して酸化抑制作用を示す化合物である。本発明の銀微粒子分散物には１種又は２種以上の酸化防止剤を用いることができる。
本発明に用いる酸化防止剤は、そのＳＰ値（溶解性パラメータ、単位：ＭＰａ１／２）が３０以下である。マイグレーションをより効果的に抑える観点から、本発明に用いる酸化防止剤のＳＰ値は好ましくは１５〜２２であり、より好ましくは１５〜２０である。
本明細書においてＳＰ値は、ハンセンの方法によって求めることができる。ハンセンの方法は当業界で周知のＳＰ値を算出する方法の一つであり、分散項、極性項、水素結合項からなる多次元ベクトルでＳＰ値を表記する。ハンセンのＳＰ値は、Ｉｎｔ．Ｊ．Ｔｈｅｒｍｏｐｈｙｓ，２００８，２９，５６８−５８５頁に記載の方法で予測でき、本明細書中に記載のＳＰ値はこの文献の方法により予測した値である。
本発明において酸化防止剤は、共存する物質に対して酸化抑制作用を示す化合物である。本発明の銀微粒子分散物には１種又は２種以上の酸化防止剤を用いることができる。
本発明に用いる酸化防止剤は、そのＳＰ値（溶解性パラメータ、単位：ＭＰａ１／２）が３０以下である。マイグレーションをより効果的に抑える観点から、本発明に用いる酸化防止剤のＳＰ値は好ましくは１５〜２２であり、より好ましくは１５〜２０である。
本明細書においてＳＰ値は、ハンセンの方法によって求めることができる。ハンセンの方法は当業界で周知のＳＰ値を算出する方法の一つであり、分散項、極性項、水素結合項からなる多次元ベクトルでＳＰ値を表記する。ハンセンのＳＰ値は、Ｉｎｔ．Ｊ．Ｔｈｅｒｍｏｐｈｙｓ，２００８，２９，５６８−５８５頁に記載の方法で予測でき、本明細書中に記載のＳＰ値はこの文献の方法により予測した値である。
本発明に用いる酸化防止剤は、２０℃において、水（純水）１００ｇに対する溶解度が０．５ｇ以下であり、０．２ｇ以下であることがより好ましい。本発明に用いる酸化防止剤は、２０℃において、水（純水）１００ｇに対する溶解度が、通常は０．００１ｇ以上である。
本発明に用いる上記酸化防止剤は、本発明の銀微粒子分散物中において、後述する疎水性有機溶剤と共に油滴を構成する。すなわち、本発明において上記酸化防止剤は、水性媒体中に分散してなる油滴中に存在する。
本発明に用いる酸化防止剤は、その構造中に芳香族環を有する化合物であることが好ましい。酸化防止剤が芳香族環を有する化合物であることにより、良好な分散安定性を維持することができる。
酸化防止剤が有する芳香族環に特に制限はなく、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、上記芳香族環は単環でも縮合多環構造であってもよい。酸化防止剤の酸化電位の観点から上記芳香族環は芳香族炭化水素環が好ましく、なかでもベンゼン環が好ましい。酸化防止剤１分子中のベンゼン環の数は、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜２である。
酸化防止剤が有する芳香族環に特に制限はなく、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、上記芳香族環は単環でも縮合多環構造であってもよい。酸化防止剤の酸化電位の観点から上記芳香族環は芳香族炭化水素環が好ましく、なかでもベンゼン環が好ましい。酸化防止剤１分子中のベンゼン環の数は、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜２である。
本発明に用いる酸化防止剤の分子量に特に制限はないが、通常は１００００以下であり、５０００以下がより好ましく、２０００以下がさらに好ましく、１５００以下がさらに好ましい。また、酸化防止剤の分子量は２００以上が好ましく、３００以上がより好ましい。酸化防止剤の分子量を上記好ましい範囲内とすることにより、焼結時の揮発を抑え、マイグレーションを効果的に抑制することができる。
本発明に用いる酸化防止剤の好ましい例としては、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる酸化防止剤が挙げられ、なかでもヒンダードフェノール化合物、及びベンゾトリアゾール化合物から選ばれる酸化防止剤が好ましい。
本明細書においてヒンダードフェノール化合物とは、下記構造式（Ａ）で表される骨格を有する化合物を意味する。本明細書において「骨格を有する」とは、下記構造式（Ａ）中の水素原子の一部又は全部が置換された構造を有するものも包含することを意味する。
上記ヒンダードフェノール化合物の好ましい具体例として、例えば、ブチルヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシメチルフェノール、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、１，３，５−トリス｛［４−（１，１−ジメチルエチル）−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルフェニル］メチル｝−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス［６−（１−メチルシクロヘキシル）−ｐ−クレゾール］、２−（５−クロロベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ステアリル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル、１，３，５−トリス｛［３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル］メチル｝−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、｛３−［３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）プロパノイルオキシ］−２，２−ビス［３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）プロパノイルオキシ］プロピル｝３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチル−フェニル）プロパノエート、２，４，６−トリス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンジル）メシチレン、亜リン酸トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）を挙げることができる。
なお、下記（Ｂ）〜（Ｅ）で表される骨格を有する化合物であっても、上記（Ａ）で表される骨格を有する化合物は、本明細書においてはヒンダードフェノール化合物に含まれる（すなわちベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、又はベンゾオキサゾール化合物には含まれない）ものとする。ここで、「骨格を有する」とは、一般式（Ａ）について説明したのと同様に、各構造式中の水素原子の一部又は全部が置換された構造を有するものも包含することを意味する。
なお、下記（Ｂ）〜（Ｅ）で表される骨格を有する化合物であっても、上記（Ａ）で表される骨格を有する化合物は、本明細書においてはヒンダードフェノール化合物に含まれる（すなわちベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、又はベンゾオキサゾール化合物には含まれない）ものとする。ここで、「骨格を有する」とは、一般式（Ａ）について説明したのと同様に、各構造式中の水素原子の一部又は全部が置換された構造を有するものも包含することを意味する。
本明細書においてベンゾフェノン化合物とは、下記構造（Ｂ）で表される骨格を有する化合物を意味する。
上記ベンゾフェノン化合物の好ましい具体例として、例えば、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクチルオキシベンゾフェノンを挙げることができる。
本明細書においてベンゾトリアゾール化合物とは、下記構造（Ｃ）で表される骨格を有する化合物を意味する。
上記ベンゾトリアゾール化合物の好ましい具体例として、例えば、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールを挙げることができる。
本明細書においてサリチル酸化合物とは、下記構造（Ｄ）で表される骨格を有する化合物を意味する。
上記サリチル酸化合物の好ましい具体例として、例えば、サリチル酸４−ｔ−ブチルフェニルを挙げることができる。
本明細書においてベンゾオキサゾール化合物とは、下記構造（Ｅ）で表される骨格を有する化合物を意味する。
上記ベンゾオキサゾール化合物の好ましい具体例として、例えば、２，５−ビス（５−ｔ−ブチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェンを挙げることができる。
本発明の銀微粒子分散物中、ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤の含有量は、０．１〜２０質量％であるのが好ましく、１〜１０質量％であるのがより好ましい。
＜疎水性有機溶剤＞
本発明に用いる疎水性有機溶剤は、上述した酸化防止剤を溶解し、本発明の銀微粒子分散物中において油滴を構成する。
本発明に用いる疎水性有機溶剤は、２０℃において、水（純水）１００ｇに対する溶解度が１０ｇ以下である有機溶剤を意味し、２０℃における水（純水）１００ｇに対する溶解度が１ｇ以下であることがより好ましい。本発明に用いる疎水性有機溶剤は、２０℃における水（純水）１００ｇに対する溶解度が、通常は０．００１ｇ以上である。
本発明に用いる疎水性有機溶剤は、上述した酸化防止剤を溶解し、本発明の銀微粒子分散物中において油滴を構成する。
本発明に用いる疎水性有機溶剤は、２０℃において、水（純水）１００ｇに対する溶解度が１０ｇ以下である有機溶剤を意味し、２０℃における水（純水）１００ｇに対する溶解度が１ｇ以下であることがより好ましい。本発明に用いる疎水性有機溶剤は、２０℃における水（純水）１００ｇに対する溶解度が、通常は０．００１ｇ以上である。
本発明に用いる疎水性有機溶剤の好ましい例として、トルエン、キシレン、炭素数９〜１８のアルキルベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサン、２−ブタノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、アニソール、メチルシクロヘキサン、イソプロピルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジターシャリーブチルエーテルを挙げることができる。
本発明の銀微粒子分散物中、疎水性有機溶剤の含有量は、０．０００１〜２０質量％であるのが好ましく、０．００１〜１０質量％であるのがより好ましく、０．０１〜１質量％であるのがより好ましく、０．１〜１質量％であるのがさらに好ましい。
＜ノニオン性界面活性剤＞
本発明の銀微粒子分散物は、界面活性剤としてノニオン性界面活性剤を含有する。
本発明に用いるノニオン性界面活性剤は、酸化防止剤を溶解してなる疎水性有機溶剤溶液を水性媒体中に乳化分散するための乳化剤として用いられる。
ノニオン性界面活性剤は、銀微粒子分散物ないしインク組成物を塗布し、焼結した際にノニオン性基が揮発しやすいため、その分、銀濃度が高まり、形成した導体配線等の体積抵抗値を抑えることができる。また、イオン性界面活性剤を使用した場合に比べ、マイグレーションも効果的に抑えられる。さらに、イオン性界面活性剤を使用した場合に比べて、分散物中の銀微粒子の分散安定性も向上しうる。
本発明の銀微粒子分散物は、界面活性剤としてノニオン性界面活性剤を含有する。
本発明に用いるノニオン性界面活性剤は、酸化防止剤を溶解してなる疎水性有機溶剤溶液を水性媒体中に乳化分散するための乳化剤として用いられる。
ノニオン性界面活性剤は、銀微粒子分散物ないしインク組成物を塗布し、焼結した際にノニオン性基が揮発しやすいため、その分、銀濃度が高まり、形成した導体配線等の体積抵抗値を抑えることができる。また、イオン性界面活性剤を使用した場合に比べ、マイグレーションも効果的に抑えられる。さらに、イオン性界面活性剤を使用した場合に比べて、分散物中の銀微粒子の分散安定性も向上しうる。
本発明に用いるノニオン性界面活性剤は、酸化防止剤の分散安定性の観点から、ＨＬＢが９〜１５であることが好ましく、１０〜１４であることがより好ましい。ＨＬＢはＧｒｉｆｆｉｎ法（Ｗ．Ｃ．Ｇｒｉｆｆｉｎ，Ｊ．Ｓｏｃ．Ｃｏｓｍｅｔｉｃ．Ｃｈｅｍｉｓｔｓ．，１，３１１（１９４９））により計算される値である。
また、上記ノニオン性界面活性剤の分子量は５００〜２００００が好ましく、１０００〜１００００がより好ましい。
また、上記ノニオン性界面活性剤の分子量は５００〜２００００が好ましく、１０００〜１００００がより好ましい。
上記ノニオン性界面活性剤は、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−（ｎは３以上の整数であり、３〜５０であることが好ましく、５〜２５であることがより好ましい）を有することが好ましい。
また、上記ノニオン性界面活性剤は、その構造中に芳香族環（好ましくはベンゼン環）を有することも好ましい。芳香族環を有することにより、分散安定性を向上させることができる。
また、上記ノニオン性界面活性剤は、その構造中に芳香族環（好ましくはベンゼン環）を有することも好ましい。芳香族環を有することにより、分散安定性を向上させることができる。
上記ノニオン性界面活性剤の好ましい例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン多環アリールエーテル、ポリオキシエチレンソルビタンアルキレートを挙げることができる。
上記ノニオン性界面活性剤の好ましい具体例として、例えば、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル、ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテルを挙げることができる。
上記ノニオン性界面活性剤の好ましい具体例として、例えば、ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル、ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテルを挙げることができる。
本発明の銀微粒子分散物中、上記ノニオン性界面活性剤の含有量は１〜２０質量％が好ましく、２〜１５質量％がより好ましい。
＜銀微粒子分散物の調製＞
本発明の銀微粒子分散物は、疎水性有機溶剤と酸化防止剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤の作用で水性媒体中に乳化分散してなる水中油型乳化物と、上述したように銀化合物を還元して得られた銀微粒子の水性分散物とを混合して得ることができる。
上記水中油型乳化物の調製には、一般的な乳化分散方法を採用することができる。上記水中油型乳化物の調製の一例について以下に説明する。
本発明の銀微粒子分散物は、疎水性有機溶剤と酸化防止剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤の作用で水性媒体中に乳化分散してなる水中油型乳化物と、上述したように銀化合物を還元して得られた銀微粒子の水性分散物とを混合して得ることができる。
上記水中油型乳化物の調製には、一般的な乳化分散方法を採用することができる。上記水中油型乳化物の調製の一例について以下に説明する。
上記水中油型乳化物の一調製例では、上記酸化防止剤と、上記疎水性有機溶剤と、上記ノニオン性界面活性剤とを混合した溶液（以下、「酸化防止剤溶液」という）を調製する。酸化防止剤溶液を調製する際の溶液温度は１０〜４０℃とすることが好ましい。
この酸化防止剤溶液中の酸化防止剤濃度は、５〜５０質量％とすることが好ましい。また、酸化防止剤溶液中のノニオン性界面活性剤濃度は５〜５０質量％とすることが好ましい。
また、酸化防止剤溶液中の酸化防止剤とノニオン性界面活性剤の量比は、酸化防止剤／ノニオン性界面活性剤＝１／９〜９／１（質量比）が好ましく、酸化防止剤／ノニオン性界面活性剤＝２／８〜８／２（質量比）がより好ましい。
次いで、上記酸化防止剤溶液を水中に滴下し、超音波ホモジェナイザー等を用いて酸化防止剤溶液を水中に乳化分散することにより、上記水中油型乳化物を得ることができる。酸化防止剤溶液の量と、この溶液が滴下される水の量の比は、酸化防止剤溶液／水＝１／１００〜５０／５０（質量比）が好ましく、酸化防止剤溶液／水＝１０／１００〜３０／１００（質量比）がより好ましい。
この酸化防止剤溶液中の酸化防止剤濃度は、５〜５０質量％とすることが好ましい。また、酸化防止剤溶液中のノニオン性界面活性剤濃度は５〜５０質量％とすることが好ましい。
また、酸化防止剤溶液中の酸化防止剤とノニオン性界面活性剤の量比は、酸化防止剤／ノニオン性界面活性剤＝１／９〜９／１（質量比）が好ましく、酸化防止剤／ノニオン性界面活性剤＝２／８〜８／２（質量比）がより好ましい。
次いで、上記酸化防止剤溶液を水中に滴下し、超音波ホモジェナイザー等を用いて酸化防止剤溶液を水中に乳化分散することにより、上記水中油型乳化物を得ることができる。酸化防止剤溶液の量と、この溶液が滴下される水の量の比は、酸化防止剤溶液／水＝１／１００〜５０／５０（質量比）が好ましく、酸化防止剤溶液／水＝１０／１００〜３０／１００（質量比）がより好ましい。
上記水中油型乳化物ないし本発明の銀微粒子分散物において、油滴の粒径は２０〜２００ｎｍであることが好ましく、３０〜１５０ｎｍであることがより好ましく、４０〜１２０ｎｍであることがさらに好ましい。上記油滴の粒径は、平均粒径を意味し、動的光散乱光度計により測定することができる。
本発明の銀微粒子分散物において、酸化防止剤が、水性媒体中に分散した状態で存在することにより、酸化防止剤を銀微粒子分散物中に安定的且つ均質に存在させることができ、この乳化した銀微粒子分散物を用いることにより導体配線等のマイグレーションをより効果的に抑制することが可能となる。単に酸化防止剤の粉砕物等を銀微粒子分散物中に含有させた場合には、酸化防止剤を安定的に分散させることができず、印刷特性等に劣る。
＜銀微粒子分散物の物性＞
本発明の銀微粒子分散物の粘度は、銀微粒子等の含有量にもよるが、通常は３〜１０００ｍＰａ・ｓであり、５〜５００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、５〜１００ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましい。銀微粒子分散物の粘度はＴＶ−２５型粘度計（東機産業（株）社製）を用い、２５℃で測定したものである。
本発明の銀微粒子分散物の粘度は、銀微粒子等の含有量にもよるが、通常は３〜１０００ｍＰａ・ｓであり、５〜５００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、５〜１００ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓであることがさらに好ましい。銀微粒子分散物の粘度はＴＶ−２５型粘度計（東機産業（株）社製）を用い、２５℃で測定したものである。
本発明の銀微粒子分散物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ３〜１０が好ましく、ｐＨ４〜８がより好ましく、ｐＨ５〜７がさらに好ましい。
［インク組成物］
本発明のインク組成物は、本発明の銀微粒子分散物そのものでもよい。また、本発明の銀微粒子分散物を原料として用いて調製されるものであってもよい。より詳細には、少なくとも本発明の銀微粒子分散物と、水性媒体（以下、水性媒体（ｂ）という。）とを混合することにより、本発明のインク組成物を調製してもよい。また、場合によっては本発明の銀微粒子分散物を濃縮して本発明のインク組成物とすることもできる。本発明のインク組成物には、必要に応じて、表面張力調整剤、乾燥防止剤（膨潤剤）、着色防止剤、浸透促進剤、紫外線吸収剤、防腐剤、防錆剤、消泡剤、粘土調整剤、ｐＨ調製剤、キレート剤等の添加剤を混合してもよい。混合方法に特に制限はなく、通常用いられる混合方法を適宜に選択し、本発明のインク組成物を得ることができる。
本発明のインク組成物は、本発明の銀微粒子分散物そのものでもよい。また、本発明の銀微粒子分散物を原料として用いて調製されるものであってもよい。より詳細には、少なくとも本発明の銀微粒子分散物と、水性媒体（以下、水性媒体（ｂ）という。）とを混合することにより、本発明のインク組成物を調製してもよい。また、場合によっては本発明の銀微粒子分散物を濃縮して本発明のインク組成物とすることもできる。本発明のインク組成物には、必要に応じて、表面張力調整剤、乾燥防止剤（膨潤剤）、着色防止剤、浸透促進剤、紫外線吸収剤、防腐剤、防錆剤、消泡剤、粘土調整剤、ｐＨ調製剤、キレート剤等の添加剤を混合してもよい。混合方法に特に制限はなく、通常用いられる混合方法を適宜に選択し、本発明のインク組成物を得ることができる。
水性媒体（ｂ）は水性媒体（ａ）と同義であり、好ましい範囲も同じである。本発明のインク組成物中、水性媒体の含有量（水性媒体（ａ）と（ｂ）の含有量の合計）は、銀微粒子の保存安定性の観点から、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８５質量％がより好ましく、３０〜７０質量％がさらに好ましい。
本発明のインク組成物中、銀微粒子の含有量は、塗布膜により高い導電性を発現させる観点から、５〜８０質量％であることが好ましく、１０〜７０質量％であることがより好ましく、２０〜７０質量％であるのがさらに好ましく、２０〜５０質量％であるのがさらに好ましく、２０〜４０質量％であるのがさらに好ましい。
本発明のインク組成物中に分散している銀微粒子の平均粒径及び油滴の平均粒径の好ましい範囲は、上述した本発明の銀微粒子分散物における銀微粒子の平均粒径及び油滴の平均粒径と同じである。
本発明のインク組成物中に分散している銀微粒子の平均粒径及び油滴の平均粒径の好ましい範囲は、上述した本発明の銀微粒子分散物における銀微粒子の平均粒径及び油滴の平均粒径と同じである。
本発明のインク組成物は、インクジェット方式によりインク組成物の吐出を良好に行う観点から、インク組成物の表面張力を２０〜６０ｍＮ／ｍとすること好ましく、より好ましくはインク組成物の表面張力を２０〜４５ｍＮ／ｍ、更に好ましくは２５〜４０ｍＮ／ｍとする。
表面張力は、Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｎｓｉｏｍｅｔｅｒ ＣＢＶＰ−Ｚ（協和界面科学株式会社製）を用いて２５℃の条件下で測定される。表面張力は界面活性剤の添加等により適宜に調整できる。
表面張力は、Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｎｓｉｏｍｅｔｅｒ ＣＢＶＰ−Ｚ（協和界面科学株式会社製）を用いて２５℃の条件下で測定される。表面張力は界面活性剤の添加等により適宜に調整できる。
本発明のインク組成物の粘度は特に限定されないが、２５℃での粘度が、１ｍＰａ・ｓ以上５００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは２ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ未満であり、更に好ましくは２．５ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ未満であり、さらに好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ未満である。インク組成物の粘度は、上述した、銀微粒子分散物の粘度の測定方法と同じ方法で得られる値とする。
本発明のインク組成物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ６〜１１が好ましく、ｐＨ７〜１０がより好ましく、ｐＨ７〜９がさらに好ましい。
本発明のインク組成物は、これを基材上に塗布し、大気中、通常は１００〜２５０℃、好ましくは１２０〜２００℃で焼結することにより、導体配線、導電膜、銀電極などを形成することができる。本発明のインク組成物の塗布方法に特に制限はなく、公知のインク付与方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。中でも、インクの効率的な使用、記録装置のコンパクト化、高速記録性等の観点から、インク組成物をインクジェット方式によって付与することが好ましい。
インクジェット方式には、特に制限はなく、公知の方式、例えば、静電誘引力を利用してインクを吐出させる電荷制御方式、ピエゾ素子の振動圧力を利用するドロップオンデマンド方式（圧力パルス方式）、電気信号を音響ビームに変えインクに照射して放射圧を利用してインクを吐出させる音響インクジェット方式、インクを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット方式等のいずれであってもよい。
また、インクジェット方式で用いるインクジェットヘッドは、オンデマンド方式でもコンティニュアス方式でも構わない。さらに上記インクジェット方式により記録を行う際に使用するインクノズル等についても特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択することができる。
また、インクジェット方式で用いるインクジェットヘッドは、オンデマンド方式でもコンティニュアス方式でも構わない。さらに上記インクジェット方式により記録を行う際に使用するインクノズル等についても特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択することができる。
インクの塗布をインクジェット方式で実施する場合、高精細なパターンを形成する観点から、インクジェット方式により吐出されるインク組成物の液滴量が１．５〜２０ｐＬであることが好ましく、１．５〜１０ｐＬであることより好ましい。吐出されるインク組成物の液滴量は、吐出条件を適宜に調整して調節することができる。
［銀電極］
本発明の銀電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成される。より詳細には、上述した銀微粒子分散物ないしインク組成物を基板上に塗布して、必要に応じて、加熱処理を施す（焼結する）ことにより本発明の銀電極を形成することができる。上記加熱処理を施すことにより、銀微粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して銀層を形成する。
上記加熱処理の温度は、１００℃〜２５０℃が好ましく、１２０℃〜２００℃がより好ましい。
上記加熱時間は、５分〜４時間が好ましく、１５分〜２時間がより好ましい。
加熱処理の温度と時間を上記好ましい範囲内とすることにより、銀微粒子が十分に焼結され、所望の導電性（体積抵抗値）が得られやすい。
本発明の銀電極の体積抵抗値は、好ましくは２×１０−６〜１×１０−４Ωｃｍ、より好ましくは２×１０−６〜５×１０−５Ωｃｍである。体積抵抗値は後述する実施例に記載の方法で測定することができる。
本発明の銀電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成される。より詳細には、上述した銀微粒子分散物ないしインク組成物を基板上に塗布して、必要に応じて、加熱処理を施す（焼結する）ことにより本発明の銀電極を形成することができる。上記加熱処理を施すことにより、銀微粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して銀層を形成する。
上記加熱処理の温度は、１００℃〜２５０℃が好ましく、１２０℃〜２００℃がより好ましい。
上記加熱時間は、５分〜４時間が好ましく、１５分〜２時間がより好ましい。
加熱処理の温度と時間を上記好ましい範囲内とすることにより、銀微粒子が十分に焼結され、所望の導電性（体積抵抗値）が得られやすい。
本発明の銀電極の体積抵抗値は、好ましくは２×１０−６〜１×１０−４Ωｃｍ、より好ましくは２×１０−６〜５×１０−５Ωｃｍである。体積抵抗値は後述する実施例に記載の方法で測定することができる。
［薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）］
本発明のＴＦＴは、本発明の銀電極を有する。本発明のＴＦＴにおいて、本発明の銀電極は、ゲート電極、ソース電極及び／又はドレイン電極として用いられ、少なくともソース電極及びドレイン電極として用いられることが好ましい。
本発明のＴＦＴの好ましい実施形態を以下に説明するが、本発明のＴＦＴはこれらの態様に限定されるものではなく、少なくとも１つの電極が、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていれば特に制限はない。
本発明のＴＦＴは、本発明の銀電極を有する。本発明のＴＦＴにおいて、本発明の銀電極は、ゲート電極、ソース電極及び／又はドレイン電極として用いられ、少なくともソース電極及びドレイン電極として用いられることが好ましい。
本発明のＴＦＴの好ましい実施形態を以下に説明するが、本発明のＴＦＴはこれらの態様に限定されるものではなく、少なくとも１つの電極が、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていれば特に制限はない。
本発明のＴＦＴは、基板上に、ゲート電極と、半導体層と、上記ゲート電極と上記半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、上記半導体層に接して設けられ、上記半導体を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する。ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極−ドレイン電極間の半導体層と隣接する層との界面に電流の流路（チャネル）が形成される。すなわち、ゲート電極に印加される入力電圧に応じて、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。
本発明のＴＦＴの好ましい構造を図面に基づいて説明する。各図面に示されるＴＦＴは、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズないし相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。例えば、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート電極は必ずしも基板のすべてを覆っている必要はなく、基板の中央部分に設けられた形態も、本発明のＴＦＴの形態として好ましい。
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、各々、本発明のＴＦＴの代表的な好ましい構造を模式的に表わす縦断面図である。図１（Ａ）〜（Ｄ）において、１は半導体層、２はゲート絶縁層、３はソース電極、４はドレイン電極、５はゲート電極、６は基板を示す。
また、図１（Ａ）は、ボトムゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｂ）は、ボトムゲート・トップコンタクト型、図１（Ｃ）はトップゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｄ）はトップゲート・トップコンタクト型のＴＦＴを示している。本発明のＴＦＴには上記４つの形態のすべてが包含される。図示を省略するが、各ＴＦＴの図面最上部（基板６に対して反対側）には、オーバーコート層が形成されている場合もある。
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、各々、本発明のＴＦＴの代表的な好ましい構造を模式的に表わす縦断面図である。図１（Ａ）〜（Ｄ）において、１は半導体層、２はゲート絶縁層、３はソース電極、４はドレイン電極、５はゲート電極、６は基板を示す。
また、図１（Ａ）は、ボトムゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｂ）は、ボトムゲート・トップコンタクト型、図１（Ｃ）はトップゲート・ボトムコンタクト型、図１（Ｄ）はトップゲート・トップコンタクト型のＴＦＴを示している。本発明のＴＦＴには上記４つの形態のすべてが包含される。図示を省略するが、各ＴＦＴの図面最上部（基板６に対して反対側）には、オーバーコート層が形成されている場合もある。
＜基板＞
基板は、ＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。
基板は、ＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。
基板の材料として、無機材料を用いてもよい。無機材料からなる基板として、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属からなる金属基板、金属箔、紙等を挙げることができる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。
また、基板の材料として、有機材料を用いてもよい。例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル、ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック基板（プラスチックフィルム、プラスチックシートともいう）を挙げることができる。また雲母で形成したものも挙げることができる。
基板の厚みは、１０ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以下であるのがさらに好ましく、１ｍｍ以下であるのが特に好ましい。また、一方で、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。
＜ゲート電極＞
ゲート電極は、ＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。また本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成することもできる。
ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
ゲート電極は、ＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。また本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成することもできる。
ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
ゲート電極の形成方法に制限は無い。例えば、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、印刷法（塗布法）、転写法、ゾルゲル法、メッキ法等により形成された膜を、必要に応じて所望の形状にパターンニングする方法が挙げられる。
また、ゲート電極を塗布法により形成することもできる。塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
また、ゲート電極を塗布法により形成することもできる。塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
ゲート電極の厚みは、任意であるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましい。
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層は、絶縁性を有する層であれば特に限定されず、単層であってもよいし、多層であってもよい。
ゲート絶縁層は、絶縁性の材料で形成されるのが好ましく、絶縁性の材料として、例えば、有機高分子、無機酸化物等が好ましく挙げられる。
有機高分子及び無機酸化物等は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、薄膜、例えば厚み１μｍ以下の薄膜を形成できるものが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物は、ぞれぞれ、１種を用いても、２種以上を併用してもよく、また、有機高分子と無機酸化物を併用してもよい。
ゲート絶縁層は、絶縁性の材料で形成されるのが好ましく、絶縁性の材料として、例えば、有機高分子、無機酸化物等が好ましく挙げられる。
有機高分子及び無機酸化物等は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、薄膜、例えば厚み１μｍ以下の薄膜を形成できるものが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物は、ぞれぞれ、１種を用いても、２種以上を併用してもよく、また、有機高分子と無機酸化物を併用してもよい。
有機高分子としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルフェノール、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレートに代表されるポリ（メタ）アクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＣＹＴＯＰに代表される環状フルオロアルキルポリマー、ポリシクロオレフィン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に代表されるポリオルガノシロキサン、ポリシルセスキオキサン又はブタジエンゴム等が挙げられる。また、上記の他にも、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン樹脂等の熱硬化性樹脂も挙げられる。
上記無機酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮＹ）、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化ニッケル等の酸化物、また、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６のようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物又は混合物等が挙げられる。ここで、酸化ケイ素としては、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）の他に、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ２系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を含む。
ゲート絶縁層を無機酸化物で形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング又はＣＶＤ法等の真空成膜法を用いることができ、また成膜中に任意のガスを用いたプラズマやイオン銃、ラジカル銃等でアシストを行ってもよい。
＜半導体層＞
半導体層は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。半導体層には従来公知の有機又は無機の半導体化合物を広く用いることができる。
半導体層は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。半導体層には従来公知の有機又は無機の半導体化合物を広く用いることができる。
有機半導体としては、特に限定されず、有機ポリマー及びその誘導体、低分子化合物等が挙げられる。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。
低分子化合物としては、例えば、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。例えば、ナフタセン、ペンタセン（２，３，６，７−ジベンゾアントラセン）、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン等のアセン、アントラジチオフェン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、及び、これらの炭素原子の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子で置換した誘導体又は上記炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子をカルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン等）、並びに、上記水素原子を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。
また、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン、テトラチアペンタレン及びその誘導体、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン及びこれらの誘導体、ＳＷＮＴ等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素、ヘミシアニン色素等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。
さらに、ポリアントラセン、トリフェニレン、キナクリドンを挙げることができる。
また、低分子化合物としては、例えば、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
半導体層を形成する無機半導体材料としては、特に限定されないが、その好ましい例として酸化物半導体が挙げられる。
酸化物半導体としては、金属酸化物からなるものであれば特に限定されない。酸化物半導体からなる半導体層は、酸化物半導体前駆体、すなわち熱酸化等の変換処理によって金属酸化物からなる半導体材料に変換される材料を用いて形成するのが好ましい。
酸化物半導体は特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム、酸化インジウムスズ亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、例えば、ＩｎＧａＺｎＯｘ、ＩｎＧａＯｘ、ＩｎＳｎＺｎＯｘ、ＧａＺｎＯｘ、ＩｎＳｎＯｘ、ＩｎＺｎＯｘ、ＳｎＺｎＯｘ（いずれもｘ＞０）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２が挙げられる。
酸化物半導体としては、金属酸化物からなるものであれば特に限定されない。酸化物半導体からなる半導体層は、酸化物半導体前駆体、すなわち熱酸化等の変換処理によって金属酸化物からなる半導体材料に変換される材料を用いて形成するのが好ましい。
酸化物半導体は特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム、酸化インジウムスズ亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、例えば、ＩｎＧａＺｎＯｘ、ＩｎＧａＯｘ、ＩｎＳｎＺｎＯｘ、ＧａＺｎＯｘ、ＩｎＳｎＯｘ、ＩｎＺｎＯｘ、ＳｎＺｎＯｘ（いずれもｘ＞０）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２が挙げられる。
上記酸化物半導体前駆体としては、例えば、金属の硝酸塩、金属のハロゲン化物、アルコキシドが挙げられる。上記酸化物半導体前駆体が含有する金属は、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
酸化物半導体前駆体の具体例としては、例えば、硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム、硝酸スズ、硝酸アルミニウム、塩化インジウム、塩化亜鉛、塩化スズ（２価）、塩化スズ（４価）、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、トリ−ｉ−プロポキシインジウム、ジエトキシ亜鉛、ビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛、テトラエトキシスズ、テトラ−ｉ−プロポキシスズ、トリ−ｉ−プロポキシガリウム、トリ−ｉ−プロポキシアルミニウムが挙げられる。
酸化物半導体前駆体の具体例としては、例えば、硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム、硝酸スズ、硝酸アルミニウム、塩化インジウム、塩化亜鉛、塩化スズ（２価）、塩化スズ（４価）、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、トリ−ｉ−プロポキシインジウム、ジエトキシ亜鉛、ビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛、テトラエトキシスズ、テトラ−ｉ−プロポキシスズ、トリ−ｉ−プロポキシガリウム、トリ−ｉ−プロポキシアルミニウムが挙げられる。
＜ソース電極、ドレイン電極＞
本発明のＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレイン電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていることが好ましい。ソース電極及びドレイン電極が本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていない場合は、従来公知のソース電極、ドレイン電極を採用することできる。例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等を用いることができる。
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。
本発明のＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレイン電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていることが好ましい。ソース電極及びドレイン電極が本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていない場合は、従来公知のソース電極、ドレイン電極を採用することできる。例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等を用いることができる。
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。
以下に実施例に基づき、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。
［参考例１］ 銀微粒子の調製（ノニオン性分散剤による分散）
分散剤としてポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００、シグマアルドリッチ社製）（７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた溶液ａを調製した。また、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた溶液ｂを調製した。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン濃度が８５質量％の水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下し、さらに、ポリビニルピロリドン（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、３０ｇの銀微粒子の分散液を得た。この分散液中の固形分の含有量は５０質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、モデル：ＳＴＡ７０００）にて測定したところ、９６．０質量％であった。
分散剤としてポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００、シグマアルドリッチ社製）（７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた溶液ａを調製した。また、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた溶液ｂを調製した。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン濃度が８５質量％の水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下し、さらに、ポリビニルピロリドン（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、３０ｇの銀微粒子の分散液を得た。この分散液中の固形分の含有量は５０質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡ（示差熱熱重量同時測定）（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、モデル：ＳＴＡ７０００）にて測定したところ、９６．０質量％であった。
［参考例２］ 水中油型乳化物の調製
下記表１に示す酸化防止剤５ｇ、トルエン５ｇ、下記表１に示すノニオン性界面活性剤５ｇあるいはイオン性界面活性剤５ｇを混合した溶液を調製し、水５０ｇ中に滴下した。超音波ホモジェナイザー（５００Ｗ）により、２０℃に冷却しながら、５分間分散し、油滴の平均粒径が５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内にある３２種類の水中油型乳化物を得た。その後、トルエンを減圧留去により１％以下まで除き、純水を添加して固形分を２０％に調整した。油滴の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子社製、ＦＰＡＲ−１０００）により測定した。また高速液体クロマトグラフィーにより、トルエンの含率を測定した結果、溶液中０．２％含まれていた。
下記表１に示す酸化防止剤５ｇ、トルエン５ｇ、下記表１に示すノニオン性界面活性剤５ｇあるいはイオン性界面活性剤５ｇを混合した溶液を調製し、水５０ｇ中に滴下した。超音波ホモジェナイザー（５００Ｗ）により、２０℃に冷却しながら、５分間分散し、油滴の平均粒径が５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内にある３２種類の水中油型乳化物を得た。その後、トルエンを減圧留去により１％以下まで除き、純水を添加して固形分を２０％に調整した。油滴の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子社製、ＦＰＡＲ−１０００）により測定した。また高速液体クロマトグラフィーにより、トルエンの含率を測定した結果、溶液中０．２％含まれていた。
［調製例］ 銀微粒子分散物（インク組成物）の調製
上記参考例１で得られた銀微粒子の分散液１ｇと、上記参考例２で調製した水中油型乳化物０．３ｇと、１−メトキシ２−プロパノール０．２ｇを添加し、撹拌して銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。この銀微粒子分散物の表面張力は３６ｍＮ／ｍ、２５℃における粘度は８．０Ｐａ・ｓであった。また、この銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量は３２質量％、酸化防止剤の含有量は４質量％、ノニオン性界面活性剤の含有量は４質量％である。
上記参考例１で得られた銀微粒子の分散液１ｇと、上記参考例２で調製した水中油型乳化物０．３ｇと、１−メトキシ２−プロパノール０．２ｇを添加し、撹拌して銀微粒子分散物（インク組成物）を得た。この銀微粒子分散物の表面張力は３６ｍＮ／ｍ、２５℃における粘度は８．０Ｐａ・ｓであった。また、この銀微粒子分散物中、銀微粒子の含有量は３２質量％、酸化防止剤の含有量は４質量％、ノニオン性界面活性剤の含有量は４質量％である。
＜銀微粒子の平均粒径の測定＞
上記調製例で調製した銀微粒子分散物を、イオン交換水を用いて２０倍に希釈し、粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子）を用いて測定を行い、銀微粒子のキュムラント平均粒子径を求めた。
上記調製例で調製した銀微粒子分散物を、イオン交換水を用いて２０倍に希釈し、粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子）を用いて測定を行い、銀微粒子のキュムラント平均粒子径を求めた。
［試験例１］ 銀微粒子の分散性の評価
銀微粒子の分散性は、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製直後における銀微粒子の平均粒径を測定し、下記評価基準により評価した。
Ａ：平均粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満
Ｂ：平均粒径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満
Ｃ：平均粒径が２００ｎｍ以上
銀微粒子の分散性は、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製直後における銀微粒子の平均粒径を測定し、下記評価基準により評価した。
Ａ：平均粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満
Ｂ：平均粒径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満
Ｃ：平均粒径が２００ｎｍ以上
［試験例２］ 銀微粒子の分散安定性の評価
銀微粒子の分散安定性は、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製直後における銀微粒子の平均粒径ｄ１と、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製後、４０℃で３０日間保管した後のにおける銀微粒子の平均粒径ｄ２から、下記式に基づき粒径変化率（％）を算出し、下記評価基準に基づき評価した。
粒径変化率（％）＝１００×（ｄ２−ｄ１）／ｄ１
Ａ：粒径変化率が５％未満
Ｂ：粒径変化率が５％以上１０％未満
Ｃ：粒径変化率が１０％以上
銀微粒子の分散安定性は、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製直後における銀微粒子の平均粒径ｄ１と、銀微粒子分散物（インク組成物）の調製後、４０℃で３０日間保管した後のにおける銀微粒子の平均粒径ｄ２から、下記式に基づき粒径変化率（％）を算出し、下記評価基準に基づき評価した。
粒径変化率（％）＝１００×（ｄ２−ｄ１）／ｄ１
Ａ：粒径変化率が５％未満
Ｂ：粒径変化率が５％以上１０％未満
Ｃ：粒径変化率が１０％以上
［試験例３］ 体積抵抗値の評価
導電性の指標として、体積抵抗値を測定した。
清浄な５０ｍｍ角のガラス基板に、上記調製例で調製した各銀微粒子分散物をスピンコート法により塗布し（５００ｒｐｍ、３０秒）、オーブンにて２００℃、２時間加熱した。得られた各塗布膜について、触針式膜厚計により求めた平均膜厚は３２０ｎｍであった。放冷した後、ロレスタＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６１０型（商品名、三菱マテリアル製）にて体積抵抗値を測定し、下記評価基準により評価した。
− 評価基準 −
Ａ：２×１０−５Ωｃｍ未満
Ｂ：２×１０−５Ωｃｍ以上１×１０−４Ωｃｍ未満
Ｃ：１×１０−４Ωｃｍ以上１×１０−３Ωｃｍ未満
Ｄ：１×１０−３Ωｃｍ以上
導電性の指標として、体積抵抗値を測定した。
清浄な５０ｍｍ角のガラス基板に、上記調製例で調製した各銀微粒子分散物をスピンコート法により塗布し（５００ｒｐｍ、３０秒）、オーブンにて２００℃、２時間加熱した。得られた各塗布膜について、触針式膜厚計により求めた平均膜厚は３２０ｎｍであった。放冷した後、ロレスタＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６１０型（商品名、三菱マテリアル製）にて体積抵抗値を測定し、下記評価基準により評価した。
− 評価基準 −
Ａ：２×１０−５Ωｃｍ未満
Ｂ：２×１０−５Ωｃｍ以上１×１０−４Ωｃｍ未満
Ｃ：１×１０−４Ωｃｍ以上１×１０−３Ωｃｍ未満
Ｄ：１×１０−３Ωｃｍ以上
［試験例４］ 絶縁信頼性の評価
ＦＲ４ＦＲ−４グレードのガラスエポキシ基板ＮＩＫＡＰＬＥＸ（商品名、ニッカン工業社製）にＡＢＦ−ＧＸ１３（商品名、味の素ファインテクノ社製、層間絶縁材料）をラミネートした基板上に、上記調製例で調製した各銀微粒子分散物を、焼結後の膜厚が２００ｎｍになるようにＳＴＳ−２００（商品名、ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（２１０℃、１時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝５０／５０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀膜（銀配線）を形成した。この時ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（商品名、日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（商品名、メルテックス社製）を用いた。さらに、銀配線上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ１０７ＭＫ（商品名、ＡＧＣ社製）を乾燥後の膜厚が１μｍになる様にスピンコートし、その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価用の各配線基板を作製した。
ＦＲ４ＦＲ−４グレードのガラスエポキシ基板ＮＩＫＡＰＬＥＸ（商品名、ニッカン工業社製）にＡＢＦ−ＧＸ１３（商品名、味の素ファインテクノ社製、層間絶縁材料）をラミネートした基板上に、上記調製例で調製した各銀微粒子分散物を、焼結後の膜厚が２００ｎｍになるようにＳＴＳ−２００（商品名、ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（２１０℃、１時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝５０／５０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀膜（銀配線）を形成した。この時ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（商品名、日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（商品名、メルテックス社製）を用いた。さらに、銀配線上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ１０７ＭＫ（商品名、ＡＧＣ社製）を乾燥後の膜厚が１μｍになる様にスピンコートし、その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価用の各配線基板を作製した。
得られた各配線基板について、湿度８５％、温度８５℃、圧力１．０ａｔｍ、電圧６０Ｖの条件で寿命試験（使用装置：エスペック社製、ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を行った。具体的には、上記環境下で、隣り合った銀配線に上記電圧を印加した。そして、マイグレーションによって銀配線間が短絡するまでの時間（銀配線間の抵抗値が１×１０５Ωになるまでの時間Ｔ）を測定した。酸化防止剤を添加していない銀微粒子分散物を用いた場合の時間ＴをＴ１（基準）とし、下記評価基準により絶縁信頼性を相対評価した。
− 評価基準 −
Ａ：時間ＴがＴ１の５倍以上
Ｂ：時間ＴがＴ１の２倍以上５倍未満
Ｃ：時間ＴがＴ１より長くＴ１の２倍未満
Ｄ：時間ＴがＴ１以下
結果を下記表１に示す。なお、下記表１に記載のノニオン性界面活性剤は下記の通りである。
エマルゲンＡ６０：ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル 花王社製
エマルゲン１０４Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲン１０６Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲン１０９Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲンＢ−６６：ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル 花王社製
ニューコール７０７：ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル 日本乳化剤社製
ニューコール３−８５：ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート 日本乳化剤社製
ニューコールＣＭＰ−８：ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテル 日本乳化剤社製
ニューコール７１９：ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル 日本乳化剤社製
Ａ：時間ＴがＴ１の５倍以上
Ｂ：時間ＴがＴ１の２倍以上５倍未満
Ｃ：時間ＴがＴ１より長くＴ１の２倍未満
Ｄ：時間ＴがＴ１以下
結果を下記表１に示す。なお、下記表１に記載のノニオン性界面活性剤は下記の通りである。
エマルゲンＡ６０：ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル 花王社製
エマルゲン１０４Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲン１０６Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲン１０９Ｐ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル 花王社製
エマルゲンＢ−６６：ポリオキシエチレントリベンジルフェニルエーテル 花王社製
ニューコール７０７：ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル 日本乳化剤社製
ニューコール３−８５：ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート 日本乳化剤社製
ニューコールＣＭＰ−８：ポリオキシエチレンクミルフェニルエーテル 日本乳化剤社製
ニューコール７１９：ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル 日本乳化剤社製
［試験例４］ ＴＦＴの製造
図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を製造し、移動度を評価した。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）６上に、ゲート電極となるアルミニウムを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークし、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜２を形成した。その上に、上記各調製例で調製した銀微粒子分散物（実施例１〜２５で用いた銀微粒子分散物）を、インクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いてソース電極及びドレイン電極のパターン（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークして焼結し、ソース電極３及びドレイン電極４を形成した。その上に２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層１を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークし、厚み２μｍの封止層（最上層、図１において図示していない。）を形成して、２５種類のＴＦＴ（ボトムゲートボトムコンタクト型）を作製した。
図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を製造し、移動度を評価した。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）６上に、ゲート電極となるアルミニウムを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークし、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜２を形成した。その上に、上記各調製例で調製した銀微粒子分散物（実施例１〜２５で用いた銀微粒子分散物）を、インクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いてソース電極及びドレイン電極のパターン（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークして焼結し、ソース電極３及びドレイン電極４を形成した。その上に２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層１を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークし、厚み２μｍの封止層（最上層、図１において図示していない。）を形成して、２５種類のＴＦＴ（ボトムゲートボトムコンタクト型）を作製した。
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ）を算出した。その結果、すべてのＴＦＴにおいて電界効果移動度が０．１〜０．３の範囲内となり、ＴＦＴとして良好に機能することがわかった。
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
本願は、２０１５年１月１３日に日本国で特許出願された特願２０１５−００４５３８に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【０００３】
粒子分散物を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極を形成した際には良好なキャリア移動度を示し、ＴＦＴの電極として良好に機能することを見い出した。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。
［０００７］
本発明の上記課題は以下の手段により解決された。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散され、
上記酸化防止剤が上記水性媒体中に分散してなる油滴中に存在してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
粒子分散物を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極を形成した際には良好なキャリア移動度を示し、ＴＦＴの電極として良好に機能することを見い出した。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。
［０００７］
本発明の上記課題は以下の手段により解決された。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散され、
上記酸化防止剤が上記水性媒体中に分散してなる油滴中に存在してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
本発明の上記課題は以下の手段により解決された。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散され、
上記酸化防止剤が上記水性媒体中に分散してなる油滴中に存在してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔７〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
〔８〕
インクジェット印刷に用いる、〔７〕に記載のインク組成物。
〔９〕
銀電極の形成に用いる、〔７〕又は〔８〕に記載のインク組成物。
〔１０〕
〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔７〕〜〔９〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔１１〕
〔１０〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
〔１〕
銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と疎水性有機溶剤との混合溶液がノニオン性界面活性剤により上記水性媒体中に乳化分散され、
上記酸化防止剤が上記水性媒体中に分散してなる油滴中に存在してなる、銀微粒子分散物。
〔２〕
上記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、〔１〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
上記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
上記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
上記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。
〔６〕
上記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔７〕
〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
〔８〕
インクジェット印刷に用いる、〔７〕に記載のインク組成物。
〔９〕
銀電極の形成に用いる、〔７〕又は〔８〕に記載のインク組成物。
〔１０〕
〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔７〕〜〔９〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔１１〕
〔１０〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
Claims (11)
- 銀微粒子を水性媒体中に分散してなる銀微粒子分散物であって、
ＳＰ値が３０以下の酸化防止剤と、疎水性有機溶剤との混合溶液が、ノニオン性界面活性剤により前記水性媒体中に乳化分散してなる、銀微粒子分散物。 - 前記酸化防止剤が芳香族環を有する化合物である、請求項１に記載の銀微粒子分散物。
- 前記酸化防止剤が分子量２００〜３０００の化合物である、請求項１又は２に記載の銀微粒子分散物。
- 前記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、及びベンゾオキサゾール化合物から選ばれる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
- 前記ノニオン性界面活性剤が、親水性部位中に−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｎ−を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
但し、ｎは３以上の整数である。 - 前記ノニオン性界面活性剤が芳香族環を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
- 請求項１〜６のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
- インクジェット印刷に用いる、請求項７に記載のインク組成物。
- 銀電極の形成に用いる、請求項７又は８に記載のインク組成物。
- 請求項１〜６のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物又は請求項７〜９のいずれか１項に記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
- 請求項１０に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
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