JPWO2016111361A1 - アレイ型波長変換レーザ装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 137
- LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H lead(2+);trioxido(oxo)-$l^{5}-arsane Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-][As]([O-])([O-])=O.[O-][As]([O-])([O-])=O LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1307—Stabilisation of the phase
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
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- H01S3/0632—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
- H01S3/08077—Pump induced waveguiding, i.e. the pump induces refractive index change in the laser medium to guide the amplified light, e.g. gain- or loss- guiding or thermally induced refractive index change
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- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
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- H01S3/094049—Guiding of the pump light
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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- H01S3/10053—Phase control
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- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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Abstract
Description
図1はこの発明の実施の形態1に係るアレイ型波長変換レーザ装置の構成を模式的に示す上面図である。
アレイ型波長変換レーザ装置は、図1に示すように、レーザ素子1、波長変換素子2及び出力鏡3を備えている。また、アレイ型波長変換レーザ装置の出力鏡3の後段には、集光用のレンズ10が配置されている。なお以下では、図1に示すようにxyz座標系を定めている。そして、z軸方向を、レーザ光の伝播方向である、後述する基本波の共振器(タルボット共振器)の光軸R方向としている。
また、レーザ素子1の端面101には、基本波を反射する反射膜が施されている。また、レーザ素子1の端面102には、基本波を透過する反射防止膜が施されている。この反射膜及び反射防止膜は、例えば誘電体薄膜を積層することで構成される。
また、波長変換素子2の端面201には、基本波を透過し、波長変換光を反射する光学膜が施されている。また、波長変換素子2の端面202には、基本波を透過し、波長変換光を透過する光学膜が施されている。これらの光学膜は、例えば誘電体薄膜を積層することで構成される。
また、出力鏡3は、アレイ状のレーザ素子1により出力されるレーザ光(基本波)のウェスト103の位置と出力鏡3との間の距離をLとするとき、距離Lが一定の条件を満たすように配置される。このとき、周期的に配置された複数の隣接する発光点同士で、距離Lが一定の条件(タルボット条件)を満たすときに、位相同期が発生する。この現象をタルボット位相ロックとよぶ。なお、ウェスト103とは、アレイの各レーザ光の波面が平面波となる位置であり、レーザ素子1にレンズ効果がない場合は端面101となるが、レンズ効果が発生した場合や光学部品を配置した場合は共振器の中のいずれかの位置となる。
例えば、距離Lの光学長が、タルボット長の1/4となる場合にタルボット位相ロックが得られる。光学長は、距離Lを、レーザ光の伝播領域の屈折率で割った値である。また、タルボット長は、レーザ素子1の発光点の間隔をdとし、レーザ光の波長をλとした場合に、2d2/λで表される。
ここで、非特許文献1では、15個の発光点を有する装置において、タルボット共振器として構成できる距離Lの範囲を理論検討した結果が述べられている。そして、この非特許文献1では、タルボット長の1/4となる19mmの光学長に対し、当該光学長を±6mm変化させた場合であってもタルボット位相ロックが得られることが述べられている。すなわち、タルボット長の1/4である光学長に対し、±30%の誤差を許して距離Lの光学長を設定してもタルボット位相ロックを得ることができる。
Kenichi Hirosawa, Seiichi Kittaka, Yu Oishi, Fumihiko Kannari, and Takayuki Yanagisawa, "Phase locking in a Nd:YVO4 waveguide laser array using Talbot cavity," Opt. Express 21, 24952-24961 (2013)
しかしながら、タルボット位相ロックが得られる距離Lの光学長をタルボット長の1/4又はその前後の誤差内に設定した場合に限るものではない。タルボット長の1/4+n/2(nは正の整数)又はその前後の誤差内に設定した場合にもタルボット位相ロックが得られる。
まず、レーザ素子1は、各発光点により一次元アレイ状に基本波を出力する。図2は、タルボット共振器におけるレーザ光の電界位相成分と、電界強度成分の近視野及び遠視野とを示す図である。この図2に示すように、距離Lは、タルボット位相ロックが得られ、レーザ光の干渉パターンが現れるように設定されている。
また、各発光点の位相制御により、アレイ方向の実効的な広がり角が小さくなるため、高効率な波長変換が可能である。さらに、基本波は交代位相になるため、安定した第m高調波の発振が可能である。
実施の形態1では、レーザ素子1として例えば半導体レーザを用いた構成について示した。それに対し、実施の形態2では、レーザ素子1を、固体レーザ素子5と、これを励起するための半導体レーザ4とから成る固体レーザアレイで構成した場合について示す。
図3はこの発明の実施の形態2に係るアレイ型波長変換レーザ装置の構成を模式的に示す上面図である。この図3に示す実施の形態2に係るアレイ型波長変換レーザ装置は、図1に示す実施の形態1に係るアレイ型波長変換レーザ装置のレーザ素子1を、半導体レーザ4及び固体レーザ素子5に変更したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付して異なる部分についてのみ説明を行う。
また、固体レーザ素子5の端面501には、基本波を反射する反射膜が施されている。また、固体レーザ素子5の端面502には、基本波を透過する反射防止膜が施されている。端面501の反射膜は、励起光を透過し、基本波を反射する光学膜となる。この反射膜(光学膜)及び反射防止膜は、例えば誘電体薄膜を積層することで構成される。
まず、半導体レーザ4は、各発光点により一次元アレイ状に励起光を出力する。そして、この励起光は固体レーザ素子5の端面501に入射され、固体レーザ素子5が励起する。この際、レーザ媒質503では、励起光によって反転分布状態を形成し、光軸R方向に放出されるレーザ光(自然放出光)が共振するモードに入り、このレーザ光を誘導放出により増幅する。その後、このレーザ光は固体レーザ素子5の端面501と出力鏡3との間(共振器)で往復するが、共振器を1周する際の増幅による利得が、共振器を1周する際に受ける損失と釣り合うことで、基本波が発振する。
基本波の発振後の動作は、実施の形態1と同様であり、波長変換素子2によって基本波が波長変換光に変換され、出力鏡3より外部に出力される。
実施の形態1,2の構成では、空間モードで発振するため、共振器の光軸R方向且つアレイ方向に垂直な方向である高さ方向(y軸方向)に対しても、共振器でモードを調整する必要がある。それに対し、実施の形態3では、レーザ素子1(固体レーザ素子5)及び波長変換素子2の高さ方向に平面導波路構造を設けることで、高さ方向に対して導波モードでの制御を可能とし、高いビーム品質を実現する場合について示す。
また、クラッド504の接合剤505に対向する面は、接合剤505との接合の強度を上げるため、金属膜を付着するメタライズを行ってもよい。また、ヒートシンク506を光学材料で構成した場合には、クラッド504及びヒートシンク506を、例えばオプティカルコンタクト又は拡散接合等によって直接接合してもよい。
レーザ媒質503では、吸収した励起光のパワーの一部が熱に変換されて熱が発生する。そして、図6に示すように、レーザ媒質503で発生した熱は、クラッド504及び接合剤505を介してヒートシンク506に排熱される。
なお、周期的に発生する熱レンズ効果の強さ及び周期は、ヒートシンク506の櫛歯の間隔、櫛歯の太さ、櫛歯の長さ、熱伝導度、接合剤505の熱伝導度、厚さ、クラッド504の材料、厚さにより、任意に調整可能である。
このように、熱絶縁材料を用いることで、熱レンズ効果の強さ及び分布をさらに微調整することが可能である。また、熱絶縁材料で櫛歯間を埋めることにより、ヒートシンク506の剛性を高めることもできる。
また、波長変換素子2と出力鏡3との間に、高さ方向に対してレーザ光をコリメートするレンズ6を設けたので、このレンズ6により空間伝播領域の調整が可能となる。その結果、光軸R方向についてはタルボット条件を満たすように共振器長Lを調整し、高さ方向については、レンズ6の焦点距離と位置でモード調整することができるため、両軸をそれぞれ独立にモード調整することが可能となる。
なお、櫛状のヒートシンク506を用いることは、共振器を安定させ、高いビーム品質のレーザ光を得るのに寄与するが、本実施の形態3において必ずしも必要なものではない。例えば、ヒートシンクとレーザ素子1とを全面で接合するようにしてもよいし、排熱の必要がなければヒートシンクを用いなくてもよい。この場合でも、アレイ方向についてはタルボット位相ロックにより集光性の高いレーザ光が得られ、高さ方向についてはレーザ素子1(固体レーザ素子5)及び波長変換素子2に平面導波路構造を用いているために、集光性の高いレーザ光が得られる。
図4に示す実施の形態3の構成では、共振器長Lを得るために、共振器内に導波路構造を有さない空間伝播領域が存在している。しかしながら、この空間伝播領域では、のレーザ光が高さ方向(y軸方向)に対して導波モードによる制御がされず、回折損失が大きくなる。また、レーザ光の高さ方向を安定させるためには、共振器長Lを制御する必要があるが、共振器長Lは光軸R方向に対するタルボット条件で制限されるため、任意の共振器長Lに変更できないという課題がある。そこで、実施の形態4では、上記空間伝播領域をなくすことで、高さ方向に対して損失が小さく、効率的に波長変換光を出力する方法を示す。
なお、伝播媒質507と上下面のクラッド504との間に導波路を構成することができるように、伝播媒質507として、クラッド504より屈折率の大きな媒質を選択する。これにより、伝播部509においても、利得発生部508とほぼ同等の導波モードでレーザ光が伝播する。
することができる。
実施の形態4では、固体レーザ素子5に伝播部509を設けた構成について示した。それに対し、実施の形態5では、波長変換素子2に伝播部207を設けることで、空間伝播領域をなくし、高さ方向に対して損失が小さく、効率的に波長変換光を出力する構成について示す。
図8はこの発明の実施の形態5に係るアレイ型波長変換レーザ装置の構成を模式的に示す上面図及び側面図である。なお図8Bでは出力鏡3から出力されたレーザ光及びレンズ10の図示を省略している。この図8に示す実施の形態5に係るアレイ型波長変換レーザ装置は、図4に示す実施の形態3に係るアレイ型波長変換レーザ装置の波長変換素子2に伝播部207を追加したものである。なお、実施の形態3における波長変換素子2の構成を波長変換部206と称す。その他の構成は同様であり、同一の符号を付して異なる部分についてのみ説明を行う。
なお、伝播媒質205と上下面のクラッド204との間に導波路を構成することができるように、伝播媒質205として、クラッド204より屈折率の大きな媒質を選択する。これにより、伝播部207においても、波長変換部206とほぼ同等の導波モードでレーザ光が伝播する。
実施の形態1〜5では、タルボット条件を満たすようにして波長変換可能な共振器を構成し、波長変換された波長変換光(第m高調波)はアレイ方向の集光性の向上が可能であることを述べてきた。ここで、本構成でレーザ出力として得られる遠視野で生じるピーク(図2E参照)については、発光点の個数によってビーム幅が決まり、よりビーム幅が細く、ビーム品質の良い出力を得るためには、発光点の個数を増やす必要がある。
そこで、実施の形態6では、こうした課題を解決するための方法を述べ、ビーム品質の良いアレイ型波長変換レーザ装置の実現方法を述べる。具体的な方法としては、出力鏡3に隣接する素子の側面部を光学研磨し、アレイ方向(x軸方向)に疑似的に無限個のアレイが存在するに等しい状態をつくることで、ビーム品質の良い波長変換光出力を実現する。
ここで、側面部208,209を光学研磨すると、側面部208,209に入射される一部のレーザ光によって、アレイ型波長変換レーザ装置の本来のレーザ発振とは異なるパスでレーザ発振(寄生発振)が生じることがある。したがって、波長変換素子2の側面部208,209を光学研磨する際には、本来のレーザ発振の効率低下を招く寄生発振が生じないように、光学研磨される光軸(z軸)方向の寸法が決定されることが望ましい。
Claims (12)
- 発光点を有し、一次元アレイ状に基本波を出力する単一又は複数のレーザ素子と、
入射された前記基本波に対して波長変換を行い、波長変換光を出力する波長変換素子と、
前記基本波を反射し、前記波長変換素子により波長変換された波長変換光を透過する出力鏡とを備え、
前記波長変換素子は、前記レーザ素子と前記出力鏡との間に配置され、
前記レーザ素子により出力される基本波のウェストの位置と前記出力鏡との間の距離は、隣接する前記発光点同士で位相同期が発生するタルボット条件により設定された
ことを特徴とするアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記距離は、タルボット長の1/4である
ことを特徴とする請求項1記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子は、前記波長変換光として、前記基本波に対して偶数倍の周波数を有する高調波を出力する
ことを特徴とする請求項1記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記レーザ素子及び前記波長変換素子は、前記基本波の共振器の光軸方向且つ前記アレイ方向に垂直な方向に平面導波路構造を有する
ことを特徴とする請求項1記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子と前記出力鏡との間に配置され、前記共振器の光軸方向且つ前記アレイ方向に垂直な方向に対して、レーザ光をコリメートするレンズを設けた
ことを特徴とする請求項4記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記レーザ素子は、前記距離を得る平面導波路構造の伝播部を有する
ことを特徴とする請求項4記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子は、前記距離を得る平面導波路構造の伝播部を有する
ことを特徴とする請求項4記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記アレイ方向に櫛状に構成され、櫛歯の先端が前記レーザ素子に接合されたヒートシンクを備え、
前記レーザ素子は、前記ヒートシンクへの排熱により温度分布を発生し、当該温度分布により屈折率分布を発生するレーザ媒質を有する
ことを特徴とする請求項5記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子は、側面部が光学研磨されている
ことを特徴とする請求項6記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子は、側面部が光学研磨されている
ことを特徴とする請求項7記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子の側面部に成膜され、前記基本波及び前記波長変換光を反射する特性を有する光学膜を備えた
ことを特徴とする請求項6記載のアレイ型波長変換レーザ装置。 - 前記波長変換素子の側面部に成膜され、前記基本波及び前記波長変換光を反射する特性を有する光学膜を備えた
ことを特徴とする請求項7記載のアレイ型波長変換レーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015003243 | 2015-01-09 | ||
JP2015003243 | 2015-01-09 | ||
PCT/JP2016/050538 WO2016111361A1 (ja) | 2015-01-09 | 2016-01-08 | アレイ型波長変換レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016111361A1 true JPWO2016111361A1 (ja) | 2017-04-27 |
JP6257807B2 JP6257807B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=56356046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568760A Active JP6257807B2 (ja) | 2015-01-09 | 2016-01-08 | アレイ型波長変換レーザ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9923332B2 (ja) |
EP (1) | EP3244498B1 (ja) |
JP (1) | JP6257807B2 (ja) |
CN (1) | CN107112723B (ja) |
WO (1) | WO2016111361A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1176393C (zh) * | 2002-07-26 | 2004-11-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 泰伯效应的分波分束器 |
CN104838549A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-12 | 三菱电机株式会社 | 平面波导型激光装置 |
-
2016
- 2016-01-08 WO PCT/JP2016/050538 patent/WO2016111361A1/ja active Application Filing
- 2016-01-08 EP EP16735100.6A patent/EP3244498B1/en active Active
- 2016-01-08 CN CN201680004857.8A patent/CN107112723B/zh active Active
- 2016-01-08 US US15/526,631 patent/US9923332B2/en active Active
- 2016-01-08 JP JP2016568760A patent/JP6257807B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170324209A1 (en) | 2017-11-09 |
EP3244498A4 (en) | 2018-03-07 |
CN107112723A (zh) | 2017-08-29 |
EP3244498A1 (en) | 2017-11-15 |
WO2016111361A1 (ja) | 2016-07-14 |
US9923332B2 (en) | 2018-03-20 |
JP6257807B2 (ja) | 2018-01-10 |
EP3244498B1 (en) | 2019-12-25 |
CN107112723B (zh) | 2018-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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