JPWO2016080324A1 - ダイシングフィルム - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2014年11月19日に、日本に出願された特願2014−234102号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
粘着層と基板間には、ダイシング時に個片化した基板を飛散させない(いわゆるチップ飛び)だけの密着性が必要である。
また、半導体基板のダイシング工程後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。
(1)基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
前記基材層は、低密度ポリエチレンを含有し、
前記表面層は、アイオノマー樹脂を含有し、
前記アイオノマー樹脂のMFR(測定方法:JIS K 7210準拠、測定条件:温度190℃、荷重21.18N)が3g/10min以下であることを特徴とすることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。
(2)前記アイオノマー樹脂は、エチレン、(メタ)アクリル酸、および、(メタ)アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を金属イオンで架橋したものであることを特徴とする(1)記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(3)前記金属イオンが、亜鉛イオンであることを特徴とする(2)記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(4)前記低密度ポリエチレンの融点が90℃以上140℃以下であることを特徴とする、(1)ないし(3)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(5)前記基材層は帯電防止剤を含有することを特徴とする、(1)ないし(4)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(6)前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、(1)ないし(5)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(7)(1)ないし(6)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。
(8)前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する(7)に記載のダイシングフィルム。
(9)前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である(7)または(8)に記載のダイシングフィルム。
(10)前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する(7)ないし(9)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム。
(11)(7)ないし(10)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム上に、半導体基板が積層された半導体基板付きダイシングフィルム。
(12)(7)ないし(11)のいずれかの1項に記載のダイシングフィルムを用いたブレードダイシング方法。
まず、基板の製造方法に用いられる本発明のダイシングフィルム100(以下、単に「粘着テープ100」ということもある)について説明する。
図3は、本発明の半導体基板加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、ダイシングフィルム100が有するダイシングフィルム用基材フィルム4および粘着層2について、詳述する。
このような粘着層2にエネルギーを付与する方法としては、粘着層2にエネルギー線を照射する方法および粘着層2を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ20が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層2にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層2として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。
基材4は、主として樹脂材料から成り、この基材4上に設けられた粘着層2を支持する機能を有している。基材4の厚さは、特に限定されないが、例えば、10μm以上300μm以下であるのが好ましく、30μm以上200μm以下であるのがより好ましく、80μm以上200μm以下であるのがさらに好ましい。基材4の厚さがこの範囲内であると、半導体基板7のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。
以下、基材4の表面層42と基材層41について順次説明する。
本発明のダイシングフィルム用基材フィルム4を構成する表面層42は、一又は複数の実施形態において、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である。表面層42はアイオノマー樹脂を含有する。これにより、ダイシングブレードを表面層42にのみ切り込ませ、切削屑を著しく低減できるとともに、エキスパンド装置で放射状にエキスパンドした際に、エキスパンド性が良好となる。
すなわち、ダイシング工程において、半導体基板等を切削する際、ダイシングブレードとダイシングフィルムとの間には摩擦熱が発生する。そのため、ダイシングブレードとの接触部は、高温に晒され、基材が溶融状態となる。そのため、溶融した樹脂がブレード表面にまとわりついて目つまりを起こし正常なダイシングが阻害されたり、溶融し軟らかくなった基材がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長したりすることがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
また、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である表面層42がアイオノマー樹脂を含有することで、表面層42が常温で比較的柔軟となり、エキスパンド装置で放射状にエキスパンドした際のエキスパンド性が良好となり好ましい。
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。
10〜140μm、好ましくは20〜120μmである。また、表面層の厚みは、ダイシングフィルム用基材フィルムの厚みに対し、10〜90%、好ましくは20〜80%である。
本発明のダイシングフィルム用基材フィルム4を構成する基材層41について説明する。
基材層41は低密度ポリエチレンを含有する。これにより、エキスパンド装置で放射状にエキスパンドした際に、エキスパンド性が良好となる。
また、低密度ポリエチレンは前記アイオノマー樹脂よりも融点が高く、耐熱性が高いため、ダイシング時に、摩擦熱で溶融することなく、ダイシング時にチャックテーブルに貼りつくことがなく、好ましい。
また、前記基材層41に含まれる低密度ポリエチレンは、モノマー成分がエチレンである。
表面層42、基材層41ともにエチレンをモノマー成分として含むため、ダイシングフィルム用基材フィルム4において、表面層42と基材層41との間での分子間相互作用の効果により、表面層42と基材層41との間で層間剥離を抑制することができる。
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。
この帯電防止剤としては、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。
永久帯電防止高分子(IDP)としては、例えば、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのIDPを用いることができる。
また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。
金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド(ITO)、インジウムオキサイド(IO)、アンチモンティンオキサイド(ATO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、酸化スズ(SnO2)等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。
さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、CNナノチューブ、CNナノファイバー、BCNナノチューブ、BCNナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。
これらの中でも、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも1種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることからダイシングする際に、基材4が加熱されたとしても、基材層41の表面抵抗値の変化量を小さくすることができる。
粘着層2は、半導体基板7をダイシングする際に、半導体基板7を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層2は、このものに対するエネルギーの付与により半導体基板7への粘着性が低下し、これにより、粘着層2と半導体基板7との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層2へのエネルギー線の照射前に、半導体基板7に対する粘着性を粘着層2に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層2の粘着力が低下する。
また、粘着層2は、エネルギー線の照射により半導体基板7に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、上述した各成分(1)〜(4)の他に他の成分として、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも1種が含まれていてもよい。
まず、ダイシングフィルム用基材フィルム4を用意し、このダイシングフィルム用基材フィルム4上に粘着層2を形成する。
図1は、本発明のダイシングフィルムを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
このリード40のダイパッド30と反対側の端部は、モールド部50から突出(露出)している。
図2は、図1に示す半導体装置を、本発明のダイシングフィルムを用い製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
これにより、粘着層2と半導体基板7との間で剥離が生じる状態とする。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
実施例及び比較例のダイシングフィルム用基材フィルムの作製に使用した原料は以下の通りである。
アイオノマー樹脂「ハイミラン1855」(三井デュポンポリケミカル製;金属原子Zn、MFR1.0 融点86℃)
アイオノマー樹脂「ハイミラン1554」(三井デュポンポリケミカル製;金属原子Zn、MFR1.3 融点97℃)
アイオノマー樹脂「ハイミラン1650」(三井デュポンポリケミカル製;金属原子Zn、MFR1.5 融点96℃)
アイオノマー樹脂「ハイミラン1652」(三井デュポンポリケミカル製;金属原子Zn、MFR5.5 融点98℃)
アイオノマー樹脂「ハイミラン1601」(三井デュポンポリケミカル製;金属原子Na、MFR1.3 融点97℃)
低密度ポリエチレンLDPE「L211」(住友化学製;融点113℃)
低密度ポリエチレンLDPE「1520F」(宇部丸善ポリエチレン製、114℃)
帯電防止剤「ペレスタット212」(三洋化成工業製;ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマー)
帯電防止剤「ペレスタット230」(三洋化成工業製;ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマー)
帯電防止剤「エレクトロストリッパー AC」(花王製;両性界面活性剤)
実施例および比較例の粘着剤層には下記原料を使用した。
<ベース樹脂>
下記アクリル共重合体は、ブチルアクリレート(BA)とアクリル酸(AA)を下記重量比率にて混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて得た。
アクリル共重合体1(BA/AA=90/10,重量平均分子量60万)
<UV硬化樹脂>
ウレタンアクリレート1(新中村化学工業株式会社、品名:UA−33H):20重量部
<架橋剤>
ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン工業株式会社製)
<光開始剤>
ベンゾフェノン系光開始剤(商品名「イルガキュア651」、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製)
<ダイシングフィルム用基材フィルムの作成>
表面層形成用樹脂として、アイオノマー樹脂「ハイミラン1855」を用いた。
また、低密度ポリエチレンLDPE「F222NH」80質量%と、帯電防止剤「ペレスタット212」20質量%をドライブレンドし、基材層形成用樹脂を得た。そして、得られた各層形成用樹脂を、200℃に調整されたそれぞれの押出機に供給し、表面層/基材層の順序になるように、200℃の2層ダイスから押出し、20℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取り、2層構造のダイシングフィルム用基材フィルムを得た。実施例1において、表面層の厚みは100μm、基材層の厚みは50μm、ダイシングフィルム用基材フィルム全体の厚みは150μmであった。
以上のようにして作製した実施例1のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層上に粘着剤層を設け、ダイシングフィルムを得た。具体的には、上記ベース樹脂49.8質量%、UV硬化樹脂39.8質量%、架橋剤6.5質量%および光開始剤3.9質量%を使用し、酢酸エチルに溶解混合した後、乾燥後の厚さが20μmになるようにダイシングフィルム用基材フィルムの表面層上にバーコート塗工した後、80℃で10分間乾燥してダイシングフィルムを得た。
表1に記載のように樹脂配合を変更した以外は、実施例1と同様にして、ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルムを作製した。
切削屑特性は、次のようにして評価した。まず、実施例1〜9、比較例1、2のダイシングフィルムに、ガラスエポキシ製ダミー基板(封止材:G760L、住友ベークライト株式会社製)(60mmx15mmx1.2mm厚)を貼り付け、下記条件でダイシングを実施し、カットラインの観察を行い、カットラインから出てくる長さ100μm以上の切削屑の数をカウントし、切削屑特性を評価し、評価結果を表1に示した。
判定結果は以下の通りである。
切削屑の数が0〜5本:◎
切削屑の数が6〜10本 :○
切削屑の数が11本以上 :×
[ダイシング条件]
ダイシング装置:「DAD―3350」(商品名、DISCO社製)
ダイシングブレード:「P08−SDC220」(商品名、DISCO社製)
ブレード回転数:30000rpm
カット速度:100mm/sec
切込み:ダイシングフィルム表面から100μm(表面層に対する切込み量は80μm)
カットサイズ:10mm×10mm
ブレードクーラー:2L/min
耐融着特性は、次のようにして評価した。まず、実施例1〜9、比較例1、2のダイシングフィルムに、ガラスエポキシ製ダミー基板(封止材:G760L、住友ベークライト株式会社製)(60mmx15mmx1.2mm厚)を貼り付け、下記条件でダイシングを実施した。この際、ダイサーテーブルへの基材フィルムの融着特性を評価した。ダイシング後、ダイサーテーブルへの融着が見られるかどうかを評価した。
ダイサーテーブルへの融着が見られない:○
ダイサーテーブルへの融着が見られる :×
[ダイシング条件]
ダイシング装置:「DAD―3350」(商品名、DISCO社製)
ダイシングブレード:「P08−SDC220」(商品名、DISCO社製)
ブレード回転数:30000rpm
カット速度:100mm/sec
切込み:ダイシングフィルム表面から100μm(表面層に対する切込み量は80μm)
カットサイズ:2mm×2mm
ブレードクーラー:0.5L/min
対して、比較例1のダイシングフィルムは、基材が、アイオノマー樹脂からのみなるため 耐融着特性が劣るものとなった。
また、比較例2のダイシングフィルムは、基材が、低密度ポリエチレンからのみなるため 切削屑特性が劣るものとなった。
41 基材層
42 表面層
7 半導体基板
9 ウエハリング
10 半導体装置
20 半導体チップ
21 電極パッド
22 ワイヤー
30 ダイパッド
40 リード
50 モールド部
60 接着層
100 ダイシングフィルム
121 外周部
122 中心部
(1)基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
前記基材層は、低密度ポリエチレンを含有し、
前記表面層は、アイオノマー樹脂を含有し、
前記アイオノマー樹脂は、エチレン、(メタ)アクリル酸、および、(メタ)アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を金属イオンで架橋したものであり、
前記アイオノマー樹脂のMFR(測定方法:JIS K 7210準拠、測定条件:温度190℃、荷重21.18N)が1.3〜3g/10minであることを特徴とすることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。
(2)前記金属イオンが、亜鉛イオンであることを特徴とする(1)記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(3)前記低密度ポリエチレンの融点が90℃以上140℃以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(4)前記基材層は帯電防止剤を含有することを特徴とする、(1)ないし(3)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(5)前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、(1)ないし(4)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(6)(1)ないし(5)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。
(7)前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する(6)に記載のダイシングフィルム。
(8)前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である(6)または(7)に記載のダイシングフィルム。
(9)前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する(6)ないし(8)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム。
(10)(6)ないし(9)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム上に、半導体基板が積層された半導体基板付きダイシングフィルム。
(11)(6)ないし(10)のいずれか1項に記載のダイシングフィルムを用いたブレードダイシング方法。
(1)基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
前記基材層は、低密度ポリエチレンのみからなり、
前記表面層は、アイオノマー樹脂を含有し、
前記基材層の厚みは、40〜95μmであり、
前記表面層の厚みは、100〜140μmであり、
前記アイオノマー樹脂は、エチレン、(メタ)アクリル酸、および、(メタ)アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を金属イオンで架橋したものであり、
前記アイオノマー樹脂のMFR(測定方法:JIS K 7210準拠、測定条件:温度190℃、荷重21.18N)が1.3〜3g/10minであることを特徴とすることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。
(2)前記金属イオンが、亜鉛イオンであることを特徴とする(1)記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(3)前記低密度ポリエチレンの融点が90℃以上140℃以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(4)前記基材層は帯電防止剤を含有することを特徴とする、(1)ないし(3)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(5)前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、(1)ないし(4)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
(6)(1)ないし(5)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。
(7)前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する(6)に記載のダイシングフィルム。
(8)前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である(6)または(7)に記載のダイシングフィルム。
(9)前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する(6)ないし(8)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム。
(10)(6)ないし(9)のいずれか1項に記載のダイシングフィルム上に、半導体基板が積層された半導体基板付きダイシングフィルム。
(11)(6)ないし(10)のいずれか1項に記載のダイシングフィルムを用いたブレードダイシング方法。
Claims (12)
- 基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含むダイシングフィルム用基材フィルムであって、
前記基材層は、低密度ポリエチレンを含有し、
前記表面層は、アイオノマー樹脂を含有し、
前記アイオノマー樹脂のMFR(測定方法:JIS K 7210準拠、測定条件:温度190℃、荷重21.18N)が3g/10min以下であることを特徴とすることを特徴とするダイシングフィルム用基材フィルム。 - 前記アイオノマー樹脂は、エチレン、(メタ)アクリル酸、および、(メタ)アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を金属イオンで架橋したものであることを特徴とする請求項1記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
- 前記金属イオンが、亜鉛イオンであることを特徴とする請求項2記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
- 前記低密度ポリエチレンの融点が90℃以上140℃以下であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
- 前記基材層は帯電防止剤を含有することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
- 前記表面層は、ダイシングブレードによって切り込まれる切込み層である、請求項1ないし5のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルム。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載のダイシングフィルム用基材フィルムの表面層側の主面上に、粘着層が設けられた、ダイシングフィルム。
- 前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項7に記載のダイシングフィルム。
- 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項7または8に記載のダイシングフィルム。
- 前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する請求項7ないし9のいずれか1項に記載のダイシングフィルム。
- 請求項7ないし10のいずれか1項に記載のダイシングフィルム上に、半導体基板が積層された半導体基板付きダイシングフィルム。
- 請求項7ないし11のいずれかの1項に記載のダイシングフィルムを用いたブレードダイシング方法。
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