JPWO2016043123A1 - 有機発光素子とその陽極材料 - Google Patents
有機発光素子とその陽極材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016043123A1 JPWO2016043123A1 JP2016548861A JP2016548861A JPWO2016043123A1 JP WO2016043123 A1 JPWO2016043123 A1 JP WO2016043123A1 JP 2016548861 A JP2016548861 A JP 2016548861A JP 2016548861 A JP2016548861 A JP 2016548861A JP WO2016043123 A1 JPWO2016043123 A1 JP WO2016043123A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphene film
- organic light
- light emitting
- anode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010405 anode material Substances 0.000 title claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 188
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims description 21
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- NNEUCPRHEGXIDG-UHFFFAOYSA-N helium;methane Chemical compound [He].C NNEUCPRHEGXIDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
[1]透明基材と、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とを有する有機発光素子であって、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とが、透明基材上にこの順で積層されており、陽極がグラフェン膜からなり、グラフェン膜が、第1のグラフェン膜と、第1のグラフェン膜の上に形成された第2のグラフェン膜とを備え、第2のグラフェン膜のシートキャリア密度が、第1のグラフェン膜のシートキャリア密度より大きい有機発光素子。
まず、厚さ10μm程度の銅箔を触媒金属として準備し、表面波プラズマCVDチャンバー中にセットした。つぎに、通電加熱で銅箔の温度を約900℃に維持しながら、水素(200sccm) 雰囲気でプラズマを45秒間銅箔に照射して高品質グラフェン膜を得た。図2Aに、得られた高品質グラフェン膜のラマンスペクトルを示す。
機能性グラフェン膜の製造方法は、以下の通りである。
まず、銅箔を触媒金属として準備し、表面波プラズマCVDチャンバー中にセットした。つぎに、水素ヘリウム(H2/He=50sccm/10sccm)雰囲気でプラズマを20分間銅箔に照射し、銅箔の表面をクリーニングした。そして、メタン水素ヘリウム(CH4/H2/He=50sccm/10sccm/20sccm)を導入し、プラズマを2分間銅箔に照射して機能性グラフェン膜を得た。なお、意図的な加熱は行っていない。図2Bに、得られた機能性グラフェン膜のラマンスペクトルを示す。
透明な基板として40mm×40mmのPET基板を用意し、以下のようにして、高品質グラフェン膜と機能性グラフェン膜をPET基板上に剥離・転写した。図3は、グラフェン膜を銅箔から剥離させ、透明基板に転写する手順を示している。まず、図3(a)に示すように、銅箔107上に形成した高品質グラフェン膜102を、熱剥離シート108(日東電工社製、リバアルファー)に貼り合わせた。つぎに、0.5mol/Lの過硫酸アンモニウムを用いて銅箔107をエッチングした後、流水で洗浄して高品質グラフェン膜付き熱剥離シートを得た。同様にして、図3(b)に示すように、機能性グラフェン膜付き熱剥離シートを得た。そして、高品質グラフェン膜付き熱剥離シートの高品質グラフェン膜の面を透明基板101に貼り付けた後、加熱により熱剥離シートを剥離して、図3(c) に示すように、透明基板101上に高品質グラフェン膜102を形成した。
ソースメータ(ケースレー社製、2400)を用いて、5つの有機発光素子の電流−電圧測定を行った。また、輝度計(TOPCON社製、BM9) を用いて、これら5つの有機発光素子の輝度測定を行った。これらの測定に基づいた輝度−電圧測定結果を図4Aに示す。図4Aに示すように、15Vの電圧を印加したとき、250cd/m2〜550cd/m2の輝度を示した。
機能性グラフェン膜の有用性を確かめるため、陽極が高品質グラフェン膜のみからなる、すなわち陽極に機能性グラフェン膜がない有機発光素子を比較例として作製した。比較例の有機発光素子の作製手順と評価項目は、実施例の有機発光素子とほぼ同じである。比較例の透明導電膜のシート抵抗は約1000Ωであり、実施例の透明導電膜のシート抵抗と同程度の値を示した。比較例の5つの有機発光素子の輝度−電圧測定結果を図4Bに示す。15Vの電圧を印加したとき、75cd/m2〜150cd/m2の輝度を示した。実施例と比較例の評価結果から、陽極に機能性グラフェン膜を使用することで、有機発光素子の輝度を数倍に増大できる可能性を示した。
グラフェンのシートキャリア密度は仕事関数(フェルミレベル)を反映した値となっている。そこで、高品質グラフェン膜と機能性グラフェン膜のシートキャリア密度をホール効果測定により見積もった。測定には、フォトリソグラフィを用いて作製したグラフェンデバイス(van der Pauw素子)を用いた。また、同一デバイスのラマン分光測定を行い、DバンドとGバンドの強度比を求め、グラフェンの品質を評価した。測定に用いた高品質グラフェン膜と機能性グラフェン膜は、上記の「高品質グラフェン膜の製造」と「機能性グラフェン膜の製造」と同様の方法で、基板加熱温度、ガス流量、合成時間を変えて作製した。
Claims (6)
- 透明基材と、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とを有する有機発光素子であって、
前記陽極と、前記ホール注入層と、前記有機発光層と、前記陰極とが、透明基材上にこの順で積層されており、
前記陽極がグラフェン膜からなり、
前記グラフェン膜が、第1のグラフェン膜と、前記第1のグラフェン膜の上に形成された第2のグラフェン膜とを備え、
前記第2のグラフェン膜のシートキャリア密度が、前記第1のグラフェン膜のシートキャリア密度より大きい有機発光素子。 - 透明基材と、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とを有する有機発光素子であって、
前記陽極と、前記ホール注入層と、前記有機発光層と、前記陰極とが、透明基材上にこの順で積層されており、
前記陽極がグラフェン膜からなり、
前記グラフェン膜が、第1のグラフェン膜と、前記第1のグラフェン膜の上に形成された第2のグラフェン膜とを備え、
前記第2のグラフェン膜の仕事関数が、前記第1のグラフェン膜の仕事関数より大きい有機発光素子。 - 請求項1または2において、
前記第1のグラフェン膜が、ラマンスペクトルにおいてDバンドの強度がGバンドの強度より小さく、
前記第2のグラフェン膜が、ラマンスペクトルにおいてDバンドの強度がGバンドの強度より大きい有機発光素子。 - 透明基材と、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とを有する有機発光素子の陽極材料であって、
グラフェン膜からなり、
前記グラフェン膜が、第1のグラフェン膜と第2のグラフェン膜が積層されており、
前記第2のグラフェン膜のシートキャリア密度が、前記第1のグラフェン膜のシートキャリア密度より大きい有機発光素子の陽極材料。 - 透明基材と、陽極と、ホール注入層と、有機発光層と、陰極とを有する有機発光素子の陽極材料であって、
グラフェン膜からなり、
前記グラフェン膜が、第1のグラフェン膜と第2のグラフェン膜が積層されており、
前記第2のグラフェン膜の仕事関数が、前記第1のグラフェン膜の仕事関数より大きい有機発光素子の陽極材料。 - 請求項4または5において、
前記第1のグラフェン膜が、ラマンスペクトルにおいてDバンドの強度がGバンドの強度より小さく、
前記第2のグラフェン膜が、ラマンスペクトルにおいてDバンドの強度がGバンドの強度より大きい有機発光素子の陽極材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014188104 | 2014-09-16 | ||
JP2014188104 | 2014-09-16 | ||
PCT/JP2015/075753 WO2016043123A1 (ja) | 2014-09-16 | 2015-09-10 | 有機発光素子とその陽極材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016043123A1 true JPWO2016043123A1 (ja) | 2017-07-13 |
JP6388953B2 JP6388953B2 (ja) | 2018-09-12 |
Family
ID=55533161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016548861A Active JP6388953B2 (ja) | 2014-09-16 | 2015-09-10 | 有機発光素子とその陽極材料 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6388953B2 (ja) |
WO (1) | WO2016043123A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018225736A1 (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | グラフェンシートの導電性改善方法及び導電性が改善されたグラフェンシートを用いた電極構造 |
JP7558569B2 (ja) | 2021-04-15 | 2024-10-01 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | グラフェン積層体とその作製方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248842A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 電極およびそれを含む電子素子 |
JP2013537700A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-10-03 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | グラフェンの正孔ドーピング |
JP2013211212A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 積層電極とその製造方法およびそれ用いた光電変換素子 |
JP2013249530A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | グラフェンの製造方法及びグラフェン |
-
2015
- 2015-09-10 WO PCT/JP2015/075753 patent/WO2016043123A1/ja active Application Filing
- 2015-09-10 JP JP2016548861A patent/JP6388953B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013537700A (ja) * | 2010-05-05 | 2013-10-03 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | グラフェンの正孔ドーピング |
JP2012248842A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | 電極およびそれを含む電子素子 |
JP2013211212A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 積層電極とその製造方法およびそれ用いた光電変換素子 |
JP2013249530A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | グラフェンの製造方法及びグラフェン |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JONG-HUN KIM ET AL.: "Work function engineering of single layer graphene by irradiation-induced defects", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 103,171604, JPN7015003459, 24 October 2013 (2013-10-24), US, ISSN: 0003720244 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016043123A1 (ja) | 2016-03-24 |
JP6388953B2 (ja) | 2018-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kim et al. | High performance flexible transparent electrode via one‐step multifunctional treatment for Ag nanonetwork composites semi‐embedded in low‐temperature‐processed substrate for highly performed organic photovoltaics | |
Zhang et al. | Rosin-enabled ultraclean and damage-free transfer of graphene for large-area flexible organic light-emitting diodes | |
Singh et al. | Molecular n-doping of chemical vapor deposition grown graphene | |
Frey et al. | Solution-processed anodes from layer-structure materials for high-efficiency polymer light-emitting diodes | |
Lee et al. | Alternating‐current MXene polymer light‐emitting diodes | |
Sanders et al. | Engineering high charge transfer n-doping of graphene electrodes and its application to organic electronics | |
US8969115B2 (en) | Transparent conductive electrode stack containing carbon-containing material | |
Zhu et al. | The application of single-layer graphene modified with solution-processed TiOx and PEDOT: PSS as a transparent conductive anode in organic light-emitting diodes | |
Yang et al. | Hybrid intermediate connector for tandem OLEDs with the combination of MoO3-based interlayer and p-type doping | |
TW201622196A (zh) | 太陽電池 | |
Ji et al. | Layer‐number‐dependent electronic and optoelectronic properties of 2D WSe2‐organic hybrid heterojunction | |
Xu et al. | Multilayer graphene with chemical modification as transparent conducting electrodes in organic light-emitting diode | |
JP6388953B2 (ja) | 有機発光素子とその陽極材料 | |
Kwon et al. | Synthesis of atomically thin alloyed molybdenum-tungsten disulfides thin films as hole transport layers in organic light-emitting diodes | |
Kwon et al. | Eco-friendly graphene synthesis on Cu foil electroplated by reusing Cu etchants | |
Rafique et al. | Moderately reduced graphene oxide via UV-ozone treatment as hole transport layer for high efficiency organic solar cells | |
Wu et al. | Modification of CuPc/graphene interfacial electronic structure with F16CuPc | |
KR101798720B1 (ko) | 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조 방법 및 이로부터 제조된 다층 그래핀 | |
JP6725122B2 (ja) | グラフェンシートの導電性改善方法及び導電性が改善されたグラフェンシートを用いた電極構造 | |
Lock et al. | Dry graphene transfer print to polystyrene and ultra-high molecular weight polyethylene− Detailed chemical, structural, morphological and electrical characterization | |
KR101781837B1 (ko) | 그래핀 산화물 박막의 제조 방법 및 환원 방법, 그 방법들에 따라 생성된 그래핀 산화물 박막을 정공 주입층으로 이용하는 유기전계 발광소자 | |
JP6663142B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
Moon et al. | Large area organic light emitting diodes with multilayered graphene anodes | |
KR101613558B1 (ko) | 그래핀의 도핑 방법 | |
KR101461977B1 (ko) | 그래핀의 도핑 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180814 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6388953 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |