JPWO2016002500A1 - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
電流センサ(1)は、測定対象となる電流が流れる1次導体(10)と、1次導体近傍に配置された2つの磁気センサ(20A,20B)と、2つの磁気センサの出力信号を減算することによって電流の値を演算する演算部(30)と、演算部と2つの磁気センサとをそれぞれ接続する2つの配線部(40A,40B)とを含む。2つの配線部(40A,40B)の各々は、各磁気センサから入力された2つの電圧信号を平衡出力するための2本の信号線を含む、平衡型信号線である。
Description
本発明は、電流センサに関し、特に、複数の磁気センサを備えた電流センサに関する。
従来より、磁気センサを備える電流センサが知られている。磁気センサを備える電流センサは、測定対象である1次電流が流れる1次導体(バスバー)の周囲に磁気センサを設置し、1次電流により発生する磁界を磁気センサによって検出することによって1次電流の値を検出する。したがって、磁気センサを備える電流センサでは、1次電流により発生する磁界とは異なる磁界、すなわち、不要な外部磁界の影響を低減することが求められる。
特開2012−98202号公報(特許文献1)には、第1の磁気センサと、第2の磁気センサと、第1の配線および第2の配線を介してそれぞれ第1の磁気センサおよび第2の磁気センサに接続される演算回路とを備える、電流センサが開示されている。第1の磁気センサおよび第2の磁気センサの各々は、4つの磁気抵抗素子からなるブリッジ回路と、ブリッジ回路の出力を差動増幅したシングルエンド信号を演算回路に出力する回路とを備える。演算回路は、第1の磁気センサ内で差動増幅されたシングルエンド信号と第2の磁気センサ内で差動増幅されたシングルエンド信号とを差動増幅した信号を、電流センサの最終的な出力信号として出力する。これにより、1次電流により発生する磁界に起因する信号(本来検出すべき信号)が増幅されるとともに、不要な外部磁界に起因して第1の磁気センサ内および第2の磁気センサ内で生じたノイズを除去(キャンセル)することができるため、不要な外部磁界の影響を低減できる、とされている。
特許第5411285号公報(特許文献2)には、2つの磁気センサと、2つの磁気センサにそれぞれ接続される2つのフィードバックコイルと、2つのフィードバックコイルに接続される演算部とを備える電流センサが開示されている。2つの磁気センサの各々は、2つの磁気抵抗素子と2つの固定抵抗素子からなるブリッジ回路と、ブリッジ回路の出力を差動増幅した信号をフィードバックコイルを介して演算部に出力する回路とを備える。
しかしながら、特許文献1に開示された電流センサにおいては、第1の磁気センサ内で差動増幅されたシングルエンド信号および第2の磁気センサ内で差動増幅されたシングルエンド信号がそれぞれ第1の配線および第2の配線を介して差動増幅回路に伝達される際に、第1の配線および第2の配線の少なくとも一方に不要な外部磁場に起因するノイズが重畳するおそれがある。この対策として、第1の配線および第2の配線の配線容量を等しくしたり、あるいは第1の配線および第2の配線の長さを等しくしたり、あるいは第1の配線および第2の配線の形状を同一としたりするなどの方法によって重畳したノイズを除去しやすくすることが考えられる。しかしながら、上記の方法では、第1の配線および第2の配線の設計自由度が低下し、第1の磁気センサおよび第2の磁気センサの配置の自由度が低くなるおそれがある。
特許文献2に開示された電流センサにおいては、2つのフィードバックコイルと演算部との接続が、一方の端子が接地されている不平衡型となっている。不平衡型の接続は、不要な外部磁界による誘導起電力によるノイズを受けやすいという問題がある。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数の磁気センサを備えた電流センサにおいて、複数の磁気センサの配置の自由度を損なうことなく、不要な外部磁界による影響を低減することである。
この発明に係る電流センサは、導体を流れる電流を検出する。電流センサは、各々が導体と磁気的に結合可能な位置に配置された複数の磁気センサと、複数の磁気センサの出力に基づいて導体を流れる電流の大きさを演算する演算部と、演算部と複数の磁気センサとをそれぞれ接続する複数の配線部とを含む。複数の磁気センサの各々は、磁束に応じた2つの電圧信号を平衡出力する平衡出力部を有する。複数の配線部の各々は、平衡出力部によって平衡出力された2つの電圧信号を演算部にそれぞれ出力するための2本の信号線を含む。
好ましくは、複数の配線部の各々に含まれる2本の信号線は、互いに近接した位置に略平行に並べて配置される。
好ましくは、複数の配線部の各々に含まれる2本の信号線は、2本の信号線が形成する面が特定の一方向と略平行になるように配置される。
好ましくは、複数の配線部の各々に含まれる2本の信号線は、導体を流れる電流の向きを法線とする単一面内に配置される。
好ましくは、複数の配線部の各々に含まれる2本の信号線は、互いにより合わされている。
好ましくは、複数の磁気センサの各々は、磁束に応じた2つの電圧信号を出力するブリッジ回路をさらに備える。平衡出力部は、ブリッジ回路から入力された2つの電圧信号を平衡増幅して出力する。
好ましくは、複数の磁気センサは、2つの磁気センサから成る。演算部は、2つの磁気センサの一方から平衡出力された2つの電圧信号を差動増幅する第1差動増幅部と、2つの磁気センサの他方から平衡出力された2つの電圧信号を差動増幅する第2差動増幅部と、第1差動増幅部の出力と第2差動増幅部の出力とを差動増幅した信号を導体を流れる電流値を示す信号として出力する第3差動増幅部とを備える。
好ましくは、複数の配線部は、外部に対して静電シールドされている。
好ましくは、複数の磁気センサおよび演算部は、異なる複数の基板上にそれぞれ形成されている。
好ましくは、複数の磁気センサおよび演算部は、異なる複数の基板上にそれぞれ形成されている。
好ましくは、演算部は、外部に対して磁気シールドされている。
本発明によれば、複数の磁気センサを備えた電流センサにおいて、複数の磁気センサの配置の自由度を損なうことなく、不要な外部磁界による影響を低減することができる。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載ある場合を除き、必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の図面において、同一の参照符号や参照番号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、実施の形態の説明において、同一の参照符号等を付した部分等に対しては、重複する説明は繰り返さない場合がある。
本明細書において、「平衡出力(バランス出力)」とは、入力された2つの信号をそれぞれ出力することを意味するものとする。「平衡増幅(バランス増幅)」とは、平衡出力の一態様であって、入力された2つの信号をそれぞれ増幅させた2つの信号を出力することを意味するものとする。「差動増幅」とは、入力された2つの信号の一方から他方を減算して得られた1つの信号、あるいは減算して得られた1つの信号を増幅させた信号を出力することを意味するものとする。
図1は、本実施の形態による電流センサ1の全体構成を示す図である。図1(a)は電流センサ1の平面図である。図1(b)は、図1(a)のI−Iにおける電流センサ1の断面図である。図1(c)は、図1(b)のII−IIにおける電流センサ1の断面図である。
電流センサ1は、1次導体(バスバー)10と、2つの磁気センサ20A,20Bと、演算部30と、2つの配線部40A,40Bとを含む。
1次導体10には、測定対象である1次電流iが流れる。本実施の形態による1次導体10は、四角柱状の金属板である。1次導体10の材質としては、銅、銀、アルミニウムなどの金属を用いることができる。1次導体10は、プレスや切削、鋳造、鍛造などの工法で製作することができる。1次導体10の表面には、ニッケル、スズ、銅、銀などにより、めっきなどによる表面処理を施してもよい。
以下では、1次導体10の主表面と平行な面をXY面とし、測定対象である1次電流iの流れる向きをY方向とし、XY面と垂直な方向をZ方向とする3次元直交座標系を用いて電流センサ1の構成を説明する。
2つの磁気センサ20A,20Bは、1次導体10を挟んで互いに対向するようにZ方向に並べて配置される。2つの磁気センサ20A,20Bは、1次導体10に対してそれぞれ一定の距離を隔てて配置される。このように2つの磁気センサ20A,20Bを配置することによって、2つの磁気センサ20A,20Bは、1次導体10との絶縁を保ちつつ、1次導体10と磁気的に結合可能となる。
なお、磁気センサ20Aと1次導体10との間および磁気センサ20Bと1次導体10との間には、それぞれ別々のプリント基板(図示せず)が設けられる。各プリント基板は、絶縁材料でできている。なお、各プリント基板の一方の面には1次導体10にはんだ付けで貼り付けられ、各プリント基板の他方の面には磁気センサ20Aあるいは磁気センサ20Bがはんだ実装されている。プリント基板の材質としては、ガラスエポキシ、あるいはベークライト、紙エポキシ、アルミナなどのセラミックを用いることができる。
2つの磁気センサ20A,20Bは、それぞれ感度軸Da,Dbを有する。磁気センサ20Aの感度軸Daは、X方向の正方向に設定されている。同様に、磁気センサ20Bの感度軸Dbも、X方向の正方向に設定される。各磁気センサ20A,20Bは、各感度軸Da,Dbの一方向に向いた磁束が印加された場合に正の値を出力し、各感度軸Da,Dbの一方向とは反対の方向に向いた磁束が印加された場合に負の値を出力する特性(以下「奇関数入出力特性」ともいう)を有している。
各磁気センサ20A,20Bの配置は、1次電流iによる右ねじの磁界が発生した場合の磁気センサ20Aの出力と磁気センサ20Bの出力とが大きさ(絶対値)は等しくかつ位相が逆になるように、予め決められている。
なお、各磁気センサ20A,20Bは、出力信号を直線的または補正関数的に演算する増幅器や変換器を介して出力するタイプ(開ループ型)としてもよいし、増幅器や変換器を介して励磁コイルを駆動することで1次電流iによる磁界と励磁コイルによる磁界との重ねの磁界がゼロ磁界や一定の磁界に固定されるように常にフィードバックをかけるタイプ(閉ループ型)としてもよい。
演算部30は、2つの配線部40A,40Bによってそれぞれ2つの磁気センサ20A,20Bに接続される。演算部30は、磁気センサ20Aの出力信号と磁気センサ20Bの出力信号とを減算(差動増幅)することによって1次電流iの値を算出する。
本実施の形態においては、磁気センサ20A,20B、演算部30は、異なる3つの基板上にそれぞれ形成される。具体的には、磁気センサ20A,20B、演算部30は、それぞれが独立して、基板状、モジュール状、モノリシック集積回路状、混成集積回路状に形成される。なお、図示していないが、磁気センサ20A,20B、演算部30は、1つの筺体内に絶縁性の樹脂でモールドされて相互の位置関係が固定される。モールド用の樹脂の種類としては、熱硬化性であってもよく、熱可塑性であってもよい。代表的には、耐熱やモールド精度に優れる、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、PCT(ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレート)、LCP(液晶ポリマー)、ナイロン、エポキシ樹脂などが適する。
2つの配線部40A,40Bは、どちらも平衡型信号線である。すなわち、配線部40Aは、磁気センサ20Aから入力された2つの電圧信号を演算部30に平衡出力(バランス出力)するための2本の信号線41A,42Aを含む。同様に、配線部40Bは、磁気センサ20Bから入力された2つの電圧信号を演算部30に平衡出力(バランス出力)するための2本の信号線41B,42Bを含む。
配線部40Aに含まれる2本の信号線41A,42Aは、互いに近接した位置に略平行に並べて配置される。2本の信号線41A,42Aは、Z方向から見て重なるように配置される(図1(a)参照)。すなわち、2本の信号線41A,42Aが形成する面は、XZ平面(1次電流iの向きを法線とする平面)と略平行な単一平面内に配置される。
同様に、配線部40Bに含まれる2本の信号線41B,42Bは、互いに近接した位置に略平行に並べて配置される。2本の信号線41B,42Bは、Z方向から見て重なるように配置される(図1(a)参照)。すなわち、2本の信号線41B,42Bは、XZ平面(1次電流iの向きを法線とする平面)と略平行な単一平面内に配置される。
さらに、本実施の形態においては、配線部40A,40Bに含まれる各信号線41A,42A,41B,42Bが、Z方向から見て重なるように配置される(図1(a)参照)。すなわち、各信号線41A,42A,41B,42Bが、いずれも1次電流iの向きを法線とする単一のXZ面内に配置される。なお、XZ平面は、1次電流iによって生じる磁束Φの向きと略平行な平面である(後述の図3参照)。
図2は、電流センサ1の回路図である。磁気センサ20Aは、ブリッジ回路21Aと、平衡増幅回路22Aとを含む。
ブリッジ回路21Aは、磁気抵抗素子R1〜R4を備える、ホイートストンブリッジ型のフルブリッジ回路である。磁気抵抗素子R1〜R4は、AMR(Anisotropic Magneto Resistance)、GMR(Giant Magneto Resistance)、TMR(Tunnel Magneto Resistance)、BMR(Ballistic Magneto Resistance)、CMR(Colossal Magneto Resistance)などの磁気抵抗系素子、特に、AMRにバーバーポール構造を設けて奇関数入出力特性を持たせた素子で構成することができる。
磁気抵抗素子R1,R3の一端は電源ノードN1と接続され、他端はそれぞれ出力ノードN3,N4と接続される。磁気抵抗素子R2,R4の一端は電源ノードN2と接続され、他端はそれぞれ出力ノードN3,N4と接続される。
電源ノードN1,N2は、図示しない直流電源の正極および負極にそれぞれ接続される。出力ノードN3,N4は、それぞれ、信号線L1,L2を介して、平衡増幅回路22Aの正極入力部および負極入力部に接続される。
ブリッジ回路21Aは、感度軸Da(図1参照)の方向に磁束が印加されると、磁束の大きさに応じた2つの電圧信号を生成し、それぞれ信号線L1,L2を介して平衡増幅回路22Aの正極入力部および負極入力部に出力する。
平衡増幅回路22Aは、ブリッジ回路21Aから信号線L1,L2を介して入力された2つの電圧信号を平衡増幅(バランス増幅)し、配線部40Aの信号線41A,42Aにそれぞれ出力する。
同様に、磁気センサ20Bは、ブリッジ回路21Bと、平衡増幅回路22Bとを含む。ブリッジ回路21Bおよび平衡増幅回路22Bの構成は、ブリッジ回路21Aおよび平衡増幅回路22Aの構成と基本的に同じである。すなわち、ブリッジ回路21Bは、感度軸Db(図1参照)の方向に磁束が印加されると、磁束の大きさに応じた2つの電圧信号を生成し、それぞれ信号線L1,L2を介して平衡増幅回路22Bの正極入力部および負極入力部に出力する。平衡増幅回路22Bは、ブリッジ回路21Bから入力された2つの電圧信号を平衡増幅(バランス増幅)し、配線部40Bの信号線41B,42Bにそれぞれ出力する。
演算部30は、3つの差動増幅回路31A,31B,32を含む。演算部30は、まず各磁気センサ20A,20Bの出力信号をそれぞれ差動増幅回路31A,31Bで差動増幅してシングルエンド信号にした上で、差動増幅回路31Aから出力されるシングルエンド信号と、差動増幅回路31Bから出力されるシングルエンド信号とを差動増幅回路32で減算(差動増幅)する。差動増幅回路32によって差動増幅された信号が、電流センサ1の最終的な出力信号(1次電流iの値を示す信号)として出力される。
図3は、1次電流iによって電流センサ1周辺に発生する磁束Φを模式的に示す図である。図3を参照して、本実施の形態による電流センサ1の作用効果について説明する。
図3に示すように、1次導体10に1次電流iが流れることにより、1次導体10の周囲には、いわゆる右ねじの法則によって図3(b)上において1次電流iを中心として時計回りに周回する磁界(磁束Φ)が発生する。その結果、磁気センサ20Aには感度軸Daの一方向(X方向の正方向)に向いた磁束Φが印加され、磁気センサ20Bには感度軸Daの一方向とは反対の方向(X方向の負方向)に向いた磁束Φが印加される。そのため、磁気センサ20Aの出力と磁気センサ20Bの出力とは、大きさ(絶対値)は等しく、かつ位相は逆になる。
本実施の形態においては、磁気センサ20A,20Bと演算部30とがそれぞれ平衡型の配線部40A,40Bで接続される。そのため、磁気センサ20A,20Bと演算部30とが不平衡型の信号線で接続される場合に比べて、ノイズに強い電流センサ1を実現することができる。
特に、本実施の形態においては、磁気センサ20Aからの2つの電圧信号は、平衡型の配線部40Aを介して演算部30の差動増幅回路31Aにそれぞれ入力され、差動増幅回路31Aで差動増幅される。同様に、磁気センサ20Bからの2つの電圧信号は平衡型の配線部40Bを介して演算部30の差動増幅回路31Bにそれぞれ入力され、差動増幅回路31Bで差動増幅される。
したがって、磁気センサ20A,20Bからの各電圧信号が演算部30に伝達される際に配線部40A,40Bの少なくとも一方に不要な外部磁場に起因する同相ノイズが重畳したとしても、その同相ノイズは、それぞれ演算部30の差動増幅回路31A,31Bによって差動増幅されることで相殺されて除去される。すなわち、磁気センサ20Aの出力信号と磁気センサ20Bの出力信号とを差動増幅回路32で減算(差動増幅)する前に、差動増幅回路31A,31Bによってノイズを除去することができる。
これにより、配線部40A,40Bの設計上の制約(たとえば配線部40Aの長さと配線部40Bの長さとを略同一とする制約や、配線部40Aの形状と配線部40Bの形状とを略同一とする制約など)を受けずに、配線部40A,40Bに重畳した同相ノイズを除去することができる。そのため、磁気センサ20A,20Bおよび演算部30の配置の自由度が高くなり、磁気回路上や計測上のS/N比(Signal-to-Noise ratio)が有利になる設計とすることや、利便性の高い形状および配置とすることが可能となる。その結果、本実施の形態による電流センサ1は、磁気センサ20A,20Bの配置の自由度を損なうことなく、不要な外部磁界による影響を低減することができる。
本実施の形態においては、配線部40Aを略平行に配置された信号線41A,42Aとしたことにより、磁気センサ20A、信号線41A,42A、演算部30によって閉ループが形成されることになる。この閉ループを通過する磁束密度の時間変化に伴い発生する誘導起電力はノイズとして重畳するため、電流センサ1の測定精度を低下させる要因となり得る。
そこで、本実施の形態においては、配線部40Aに含まれる2本の信号線41A,42Aが互いに近接した位置に配置される。これにより、信号線41A,42Aの間に形成される閉ループの面積を小さくすることができる。そのため、信号線41A,42Aの間に形成される閉ループを通過する磁束を小さくすることができ、配線部40Aが受ける磁気ノイズを抑制することができる。
同様に、配線部40Bに含まれる2本の信号線41B,42Bが互いに近接した位置に配置される。そのため、信号線41B,42Bの間に形成される閉ループを通過する磁束を小さくすることができ、配線部40Bが受ける磁気ノイズを抑制することができる。
さらに、本実施の形態においては、配線部40Aに含まれる2本の信号線41A,42Aは、1次電流iの向きを法線とするXZ平面と略平行な単一平面内に配置される。したがって、信号線41A,42Aが形成する面(信号線41A,42Aの間に形成される閉ループ)は、1次電流iによって生じる磁束Φの向きと略平行になるように配置される。これにより、1次電流iによって右ねじの磁界による磁束Φが1次導体10の周囲に発生したとしても、その磁束Φが信号線41A,42Aの間に形成される閉ループを横切らないようにすることができる。そのため、配線部40Aが受ける磁気ノイズを最小限に抑えることができる。
同様に、配線部40Bに含まれる2本の信号線41B,42Bも、XZ平面と略平行な単一平面内に配置される。これにより、1次電流iによって右ねじの磁界による磁束Φが1次導体10の周囲に発生したとしても、その磁束Φが信号線41B,42Bの間に形成される閉ループを横切らないようにすることができる。そのため、配線部40Bが受ける磁気ノイズを最小限に抑えることができる。
特に、本実施の形態においては、配線部40A,40Bに含まれる信号線41A,42A,41B,42Bのすべてが、1次電流iの向きを法線とするXZ平面と略平行な単一平面内に配置される。そのため、配線部40Bが受ける磁気ノイズと配線部40Bが受ける磁気ノイズとの差をより小さくすることができる。
さらに、本実施の形態による磁気センサ20A,20Bは、各ブリッジ回路21A,21Bの出力信号を予め各磁気センサ20A,20B内で平衡増幅してから配線部40A,40Bに出力する。そのため、各ブリッジ回路21A,21Bの出力信号を単に平衡出力する場合(各磁気センサ20A,20B内で平衡増幅しない場合)に比べて、配線部40A,40B以降を通過する信号を大きくすることができ、結果的に、配線部40A,40B以降の部分で受けるノイズの影響を相対的に小さくすることができる。そのため、ノイズにより強い電流センサ1を実現することができる。
さらに、本実施の形態においては、演算部30は、差動増幅回路31Aで差動増幅された後のシングルエンド信号(磁気センサ20Aの出力信号)と、差動増幅回路31Bで差動増幅された後のシングルエンド信号(磁気センサ20Bの出力信号)とを、差動増幅回路32で減算(差動増幅)して、1次電流iの値を演算する。そのため、差動増幅回路31A,31Bで除去されなかったノイズも差動増幅回路32で減算した時点で除去され、結果として外乱ノイズに対する耐性の非常に高い電流センサ1を実現することができる。
さらに、本実施の形態においては、磁気センサ20A,20Bおよび演算部30は、異なる3つの基板上にそれぞれ形成されている。そのため、磁気センサ20A,20Bおよび演算部30の配置の自由度がより高く、かつ外乱耐性の高い電流センサ1を実現することができる。
以上のように、本実施の形態による電流センサ1においては、磁気センサ20A,20Bと演算部30とがそれぞれ平衡型の配線部40A,40Bで接続される。そのため、磁気センサ20A,20Bの配置の自由度を損なうことなく、不要な外部磁界による影響を低減することができる。
なお、本実施の形態は、たとえば以下のように変形することができる。
<変形例1>
上述の実施の形態においては、1つの電流センサ1を設ける場合を説明したが、複数の電流センサ1を隣接して配置する場合においても本発明は有効である。
<変形例1>
上述の実施の形態においては、1つの電流センサ1を設ける場合を説明したが、複数の電流センサ1を隣接して配置する場合においても本発明は有効である。
図4は、上述の実施の形態による電流センサを三相交流に適用する例を示す図である。
図4に示す3つの電流センサ1u,1v,1wは、三相交流電流(U相電流iu、V相電流iv、W相電流iw)がそれぞれ流れる3本の1次導体10u,10v,10wを備える。3本の1次導体10u,10v,10wは、X方向に所定間隔を隔てて平行に並べて配置される。
図4に示す3つの電流センサ1u,1v,1wは、三相交流電流(U相電流iu、V相電流iv、W相電流iw)がそれぞれ流れる3本の1次導体10u,10v,10wを備える。3本の1次導体10u,10v,10wは、X方向に所定間隔を隔てて平行に並べて配置される。
各電流センサ1u,1v,1wに含まれる平衡型の配線部40A,40Bは、いずれも各相電流iu,iv,iwの向きを法線とする単一のXZ面内に配置される。電流センサ1u,1v,1wの基本的な構造は上述の実施の形態による電流センサ1と同じである。
各相電流iu,iv,iwをそれぞれ別々に検出する場合、3つの電流センサ1u,1v,1wを図4に示すように平行に並べて配置するとよい。このように配置すると、U相電流iuによる右ねじの磁界による磁束Φu、V相電流ivによる右ねじの磁界による磁束Φv、W相電流iwによる右ねじの磁界による磁束Φwがそれぞれ発生する。この影響で、各1次導体の周囲には、当該1次導体を流れる電流による磁界の他に、隣接する1次導体を流れる電流による磁界が周回する。たとえば、図4に示すように、1次導体10vの周囲には、1次導体10vを流れるV相電流ivによる磁界の他に、1次導体10uを流れるU相電流iuによる磁界および1次導体10wを流れるW相電流iwによる磁界が周回する。
しかしながら、各電流センサ1u,1v,1wの配線部40A,40Bに含まれる各信号線は、いずれも各相電流iu,iv,iwの向きを法線とする単一のXZ面内に配置される。そのため、各相電流iu,iv,iwによる各磁束Φu,Φv,Φwが各配線部40A,40B内の平衡型信号線間に形成される閉ループを横切らないようにすることができる。そのため、各配線部40A,40Bが受ける磁気ノイズを最小限に抑えることができる。
<変形例2>
上述の実施の形態においては、磁気センサ20A,20B、演算部30がそれぞれが独立して形成されていた。
上述の実施の形態においては、磁気センサ20A,20B、演算部30がそれぞれが独立して形成されていた。
しかしながら、磁気センサ20A,20B、演算部30は必ずしも独立して形成されている必要はない。たとえば、磁気センサ20A,20B、演算部30のすべてまたは一部が一体的に、基板状、モジュール状、モノリシック集積回路状、あるいは混成集積回路状に形成されるようにしてもよい。
図5は、磁気センサ20Bと演算部30とを一体的にモジュール状にした電流センサ1−1の全体構成を示す図である。図5(a)は電流センサ1−1の平面図である。図5(b)は、図5(a)のI−Iにおける電流センサ1−1の断面図である。図5(c)は、図5(b)のII−IIにおける電流センサ1−1の断面図である。
図5に示す電流センサ1−1においては、磁気センサ20Bと演算部30とが1つのモジュール30−1として一体的に構成され、このモジュール30−1と磁気センサ20Aとが平衡型の配線部40A−1で接続される。
図6は、図5に示す電流センサ1−1の回路図である。図6に示すように、磁気センサ20Bと演算部30とが1つのモジュール30−1内に配置される。そのため、磁気センサ20Bと演算部30とは、モジュール30−1内において平衡型の配線部40B−1で接続される。
このように、設計上の都合などによって磁気センサ20Bと演算部30とを一体的に構成する場合には、配線部40A−1,40B−1の長さおよび形状が異なってしまう。しかしながら、配線部40A−1,40B−1を平衡型信号線としているため、ノイズの影響を抑制することができる。
さらに、配線部40A−1に含まれる2本の信号線を1次電流iの向きを法線とする単一のXZ面内に配置する(図5(a)参照)ことで、磁気ノイズを最小限に抑えることができる。
<変形例3>
上述の実施の形態においては、各配線部40A,40Bをそれぞれ平行線としていた。しかしながら、各配線部40A,40Bを、より合わせて交差を繰り返す2つの線、いわゆるツイストペア線としてもよい。
上述の実施の形態においては、各配線部40A,40Bをそれぞれ平行線としていた。しかしながら、各配線部40A,40Bを、より合わせて交差を繰り返す2つの線、いわゆるツイストペア線としてもよい。
図7は、各々がツイストペア線とされた配線部40A−2,40B−2を備える電流センサ1−2の全体構成を示す図である。図7(a)は電流センサ1−2の平面図である。図7(b)は、図7(a)のI−Iにおける電流センサ1−2の断面図である。図7(c)は、図7(b)のII−IIにおける電流センサ1−2の断面図である。
図7に示すように、配線部40A−2はツイストペア線とされ、配線部40B−2もツイストペア線とされる。ツイストペア線は、被覆銅線などを互いにより合わせて実現される。なお、ツイストペア線は、プリント基板などの表裏両面を用いて実現するようにしてもよいし、更にスルーホールも用いるなどして交差を実現するようにしてもよい。
このように各配線部40A−2,40B−2をツイストペア線とすることで、外部からの磁束が各配線部40A−2,40B−2に印加された場合でも、互いに隣接する交差面が発生する誘導起電力の極性が逆で、かつ大きさが略等しくなる。これにより、発生した誘導起電力同士が打ち消し合うため、全体として不要な誘導起電力を抑制することができる。
特に、ツイストペア線においては、外部から印加される磁束の向きがどのような向きであっても、発生する誘導起電力同士が打ち消し合う。そのため、不特定の方向から印加される磁束によって受ける磁気ノイズを最小限に抑制することができる。
<変形例4>
上述の実施の形態においては、各配線部40A,40Bを静電シールドしていなかったが、これらを外部に対して静電シールドするようにしてもよい。
上述の実施の形態においては、各配線部40A,40Bを静電シールドしていなかったが、これらを外部に対して静電シールドするようにしてもよい。
図8は、静電シールド部材43A,43Bでそれぞれ覆われた配線部40A−3,40B−3を備える電流センサ1−3の全体構成を示す図である。図8(a)は電流センサ1−3の平面図である。図8(b)は、図8(a)のI−Iにおける電流センサ1−3の断面図である。図8(c)は、図8(b)のII−IIにおける電流センサ1−3の断面図である。図9は、図8に示す電流センサ1−3の回路図である。
図8および図9に示すように、配線部40A−3,40B−3は、上述の変形例3で示した配線部40A−2,40B−2(ツイストペア線)をそれぞれ静電シールド部材43A,43Bで覆ったものである。したがって、配線部40A−3,40B−3は、外部電位に対して静電シールドされている。静電シールド部材43A,43Bとしては、銅板、銅箔、銅網、アルミ板、アルミ箔、アルミ網などを用いることができる。
なお、図8に示す例では、静電シールド部材43A,43Bは接地されている。そのため、静電シールド部材43A,43Bの電位はグランドレベルに固定される。すなわち、各磁気センサ20A,20B、静電シールド部材43A,43B、演算部30の接地電位が一定となる。
このように、配線部40A−3,40B−3を外部電位に対して静電シールドすることによって、配線部40A−3,40B−3が受ける静電ノイズを最小限に抑えることができる。
さらに、図8に示す電流センサ1−3においては、配線部40A−3,40B−3の各々に含まれる平衡型信号線が上述の変形例3で示したツイストペア線とされている。そのため、配線部40A−3,40B−3が受ける静電ノイズに加えて、配線部40A−3,40B−3が受ける磁界ノイズをも最小限に抑えることができる。その結果、外乱ノイズ除去能力をさらに高めることができる。
なお、磁気センサ20A,20Bおよび演算部30にも、静電シールドを施してもよい。そのようにすることで、最大限の耐静電ノイズ性を得ることができる。
<変形例5>
上述の実施の形態においては演算部30を磁気シールドしていなかったが、演算部30を磁気シールドするようにしてもよい。これにより、電磁障害による誤動作を受けにくい電流センサを実現できる。
上述の実施の形態においては演算部30を磁気シールドしていなかったが、演算部30を磁気シールドするようにしてもよい。これにより、電磁障害による誤動作を受けにくい電流センサを実現できる。
なお、磁気センサ20A,20Bは計測対象である1次電流iによる磁束と磁気結合させる必要があるため、磁気センサ20A,20Bに磁気シールドの影響が及ぼされることは望ましくない。そのため、演算部30に磁気シールドを施す場合には、上述の実施の形態で述べたように、演算部30と磁気センサ20A,20Bとを互いに離して配置し、これらを平衡型信号線で接続することで、磁気ノイズおよび静電ノイズの影響を最小限としながらの計測が可能となる。
<その他の変形例>
(1) 上述の実施の形態においては1次導体10は電流センサ1の構成の一部であるが、1次導体10は必ずしも電流センサ1の構成の一部であることに限定されない。すなわち、1次導体10は、電流センサ1の構成には含まれず、電流センサ1の使用者が電流センサ1と適宜組合せて使用するものであってもよい。
(1) 上述の実施の形態においては1次導体10は電流センサ1の構成の一部であるが、1次導体10は必ずしも電流センサ1の構成の一部であることに限定されない。すなわち、1次導体10は、電流センサ1の構成には含まれず、電流センサ1の使用者が電流センサ1と適宜組合せて使用するものであってもよい。
(2) 上述の実施の形態においては磁気センサ20A,20Bに含まれるブリッジ回路21A,21Bをホイートストンブリッジ型のフルのブリッジ回路としたが、ブリッジ回路21A,21Bをホイートストンブリッジ型の半分のブリッジ回路としてもよい。その他にも、磁気センサ20A,20Bとして、ホール素子を用いた磁気センサ、MI(Magneto Impedance)磁気センサまたはフラックスゲート磁気センサなどを用いるようにしてもよい。
また、磁気センサ20A,20Bにバイアスをかける場合は、上述したバーバーポール構造を用いる方法に限られず、コイルの周囲に発生する誘導磁界、永久磁石の磁界、またはこれらを組み合わせた磁界を用いてバイアスをかけてもよい。
(3) 上述の実施の形態においては演算部30として3つの差動増幅回路31A,31B,32を用いたが、演算部30の構成はこれに限られるものではない。たとえば、演算部30として1つの平衡入力型の差動増幅回路を用いるようにしてもよい。また、演算部30として、2つの平衡入力型のアナログデジタル変換器を用いて、これらの出力を減算するようにしてもよい。
(4) 上述の実施の形態においては、配線部40A,40Bに含まれる信号線41A,42A,41B,42Bのすべてが単一平面内に配置されていた。しかしながら、信号線41A,42Aが配置される平面と、信号線41A,42Aが配置される平面とが異なる平面であってもよい。
(5) 上述の実施の形態においては、電流センサに含まれる磁気センサの数を2つとしたが、電流センサに含まれる磁気センサの数は3つ以上であってもよい。
なお、上述した実施の形態およびその変形例については、適宜組合せることも可能である。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1,1u,1v,1w,1−1,1−2,1−3 電流センサ、10,10u,10v,10w 1次導体、20A,20B 磁気センサ、21A,21B ブリッジ回路、22A,22B 平衡増幅回路、30 演算部、30−1 モジュール、31A,31B,32 差動増幅回路、40A,40A−1,40A−2,40A−3,40B,40B−1,40B−2,40B−3 配線部、41A,41B,42A,42B,L1,L2 信号線、43A,43B 静電シールド部材。
Claims (10)
- 導体を流れる電流を検出するための電流センサであって、
各々が前記導体と磁気的に結合可能な位置に配置された複数の磁気センサと、
前記複数の磁気センサの出力に基づいて前記導体を流れる電流の大きさを演算する演算部と、
前記演算部と前記複数の磁気センサとをそれぞれ接続する複数の配線部とを含み、
前記複数の磁気センサの各々は、磁束に応じた2つの電圧信号を平衡出力する平衡出力部を有し、
前記複数の配線部の各々は、前記平衡出力部によって平衡出力された前記2つの電圧信号を前記演算部にそれぞれ出力するための2本の信号線を含む、電流センサ。 - 前記複数の配線部の各々に含まれる前記2本の信号線は、互いに近接した位置に略平行に並べて配置される、請求項1に記載の電流センサ。
- 前記複数の配線部の各々に含まれる前記2本の信号線は、前記2本の信号線が形成する面が特定の一方向と略平行になるように配置される、請求項2に記載の電流センサ。
- 前記複数の配線部の各々に含まれる前記2本の信号線は、前記導体を流れる電流の向きを法線とする単一面内に配置される、請求項1〜3のいずれかに記載の電流センサ。
- 前記複数の配線部の各々に含まれる前記2本の信号線は、互いにより合わされている、請求項1に記載の電流センサ。
- 前記複数の磁気センサの各々は、磁束に応じた2つの電圧信号を出力するブリッジ回路をさらに備え、
前記平衡出力部は、前記ブリッジ回路から入力された前記2つの電圧信号を平衡増幅して出力する、請求項1〜5のいずれかに記載の電流センサ。 - 前記複数の磁気センサは、2つの磁気センサから成り、
前記演算部は、
前記2つの磁気センサの一方から平衡出力された2つの電圧信号を差動増幅する第1差動増幅部と、
前記2つの磁気センサの他方から平衡出力された2つの電圧信号を差動増幅する第2差動増幅部と、
前記第1差動増幅部の出力と前記第2差動増幅部の出力とを差動増幅した信号を前記導体を流れる電流値を示す信号として出力する第3差動増幅部とを備える、請求項1〜6のいずれかに記載の電流センサ。 - 前記複数の配線部は、外部に対して静電シールドされている、請求項1〜7のいずれかに記載の電流センサ。
- 前記複数の磁気センサおよび前記演算部は、異なる複数の基板上にそれぞれ形成されている、請求項1〜8のいずれかに記載の電流センサ。
- 前記演算部は、外部に対して磁気シールドされている、請求項1〜9のいずれかに記載の電流センサ。
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