JPWO2015178393A1 - 金属箔張基板、回路基板および電子部品搭載基板 - Google Patents

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Abstract

金属箔張基板１０Ａは、電子部品を電気的に接続して搭載する回路基板を形成するために用いられ、平板状をなす金属箔４Ａと、金属箔４Ａの一方の面に形成された樹脂層５と、樹脂層５の金属箔４Ａと反対の面に形成された絶縁部６とを備えている。そして、絶縁部６は、第１の樹脂組成物の硬化物で構成され、樹脂層５は、第１の樹脂組成物とは異なる第２の樹脂組成物の硬化物または固化物で構成される。また、第１の樹脂組成物は、第１の熱硬化性樹脂を含有し、第２の樹脂組成物は、第１の熱硬化性樹脂とは異なる第２の熱硬化性樹脂を含有する。

Description

本発明は、金属箔張基板、回路基板および電子部品搭載基板に関する。
近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、かかる電子機器が備える電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化等が進んでいる。これら電子部品を搭載するプリント配線基板として、電子部品の駆動により生じるノイズの伝播を抑制する基板が求められる。
このようなプリント配線基板（回路基板）として、例えば、特許文献１に次のように製造されたプリント配線基板が開示されている。まず、ガラス繊維等で構成される繊維基材に、樹脂組成物を含浸させる。その後、樹脂組成物を半硬化させて、繊維基材と樹脂層とを備えるシート状をなすプリプレグを得る。次に、このプリプレグに金属箔が張り付けられた金属箔張基板（積層板）を用意する。最後に、この金属箔をパターニングすることでプリント配線基板を得る。
このプリント配線基板の製造に用いられるプリプレグは、前述したノイズ伝播を的確に抑制するために、均一な厚さを有することが求められる。このようなプリプレグを得る方法として、繊維基材の両面にフィルム状の樹脂層をラミネートするラミネート法が知られている。
このラミネート法では、例えば、真空ラミネート装置を用いて、減圧下で繊維基材の両面から樹脂層を重ね合わせる。この状態で、樹脂層が溶融する温度以上に加熱したラミネートロールで繊維基材と樹脂層とを接合して接合体を得る。これにより、樹脂層の溶融物を繊維基材に含浸させる。その後、さらに、熱風乾燥装置を用いて、樹脂層が溶融する温度以上の温度で接合体を加熱処理することでプリプレグが製造される。
しかしながら、このようなラミネート法を用いた製造方法では、真空ラミネート装置や熱風乾燥装置のような大掛かりな装置を必要とし、プリプレグの製造に時間と手間を要するという問題があった。
特開２０１２−１５８６３７号公報
本発明の目的は、大掛かりな装置を必要とせず、時間と手間を要することなく回路基板を製造し得る金属箔張基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、かかる金属箔張基板を用いて製造された回路基板、および、かかる回路基板に電子部品が搭載された電子部品搭載基板を提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１） 電子部品を電気的に接続して搭載する回路基板を形成するために用いられる金属箔張基板であって、
平板状をなす金属箔と、前記金属箔の一方の面に形成された樹脂層と、前記樹脂層の前記金属箔と反対の面に形成された絶縁部とを備え、
前記絶縁部は、第１の熱硬化性樹脂を含有する第１の樹脂組成物の硬化物で構成され、
前記樹脂層は、樹脂材料を含有し、前記第１の樹脂組成物と異なる第２の樹脂組成物の硬化物または固化物で構成されることを特徴とする金属箔張基板。
（２） 前記樹脂材料は、前記第１の熱硬化性樹脂と異なる第２の熱硬化性樹脂であり、
前記樹脂層は、前記第２の熱硬化性樹脂の硬化物で構成されている上記（１）に記載の金属箔張基板。
（３） 前記第２の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である上記（２）に記載の金属箔張基板。
（４）前記第２の樹脂組成物は、さらにフィラーを含有する上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の金属箔張基板。
（５） 前記フィラーは、主として酸化アルミニウムで構成された粒子を含んでいる上記（４）に記載の金属箔張基板。
（６） 前記フィラーは、前記樹脂層の前記絶縁部側に分散している上記（４）または（５）に記載の金属箔張基板。
（７） 前記第１の熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の金属箔張基板。
（８） 上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の金属箔張基板を用いて形成された回路基板であって、
前記金属箔をパターニングすることで形成された、前記電子部品を電気的に接続する端子を備える回路を有することを特徴とする回路基板。
（９） 上記（８）に記載の回路基板と、前記端子に電気的に接続して、前記回路基板に搭載された前記電子部品とを備えることを特徴とする電子部品搭載基板。
本発明の金属箔張基板の構成とすることで、搭載すべき電子部品の駆動により生じるノイズの伝播を抑制し得る回路基板を大掛かりな装置を必要とせず、時間と手間を要することなく製造することができる。
そのため、本発明の回路基板に電子部品を搭載して電子部品搭載基板を得ることで、電子部品搭載基板において、電子部品の駆動により生じるノイズの伝播を、回路基板により、的確に抑制または防止することができる。
図１は、本発明の電子部品搭載基板の第１実施形態を示す縦断面図である。 図２は、図１の電子部品搭載基板の製造に用いられる金属箔張基板の製造方法を説明するための図である。 図３は、図１の電子部品搭載基板の製造に用いられる金属箔張基板の製造方法を説明するための図である。 図４は、本発明の電子部品搭載基板の第２実施形態を示す縦断面図である。 図５は、本発明の電子部品搭載基板の第３実施形態を示す縦断面図である。 図６は、実施例に用いた試験片を示す縦断面図である。 図７は、実施例１Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図８は、実施例２Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図９は、実施例３Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図１０は、実施例４Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図１１は、実施例５Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図１２は、実施例６Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 図１３は、実施例７Ａの試験片における樹脂層と絶縁部との界面付近の電子顕微鏡写真である。
以下、本発明の金属箔張基板、回路基板および電子部品搭載基板を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の金属箔張基板および回路基板を説明するのに先立って、本発明の電子部品搭載基板について説明する。
なお、以下では、本発明の電子部品搭載基板として、電子部品として半導体素子を備える半導体装置を回路基板に搭載した場合を一例に説明する。
＜電子部品搭載基板＞
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の電子部品搭載基板の第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、図１中の下側を「下」とも言う。また、各図では、電子部品搭載基板およびその各部を誇張して模式的に図示しており、電子部品搭載基板およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。
図１に示す電子部品搭載基板５０は、電子部品としての半導体装置１と、この半導体装置１を搭載する回路基板（本発明の回路基板）１０とを有している。なお、通常、回路基板１０には、半導体装置１以外に、例えば、抵抗、トランジスタ等の他の電子部品（部材）が搭載されるが、説明の便宜上、図１では、その記載を省略している。
半導体装置１は、半導体素子（図示せず）を備える半導体パッケージであり、この半導体素子（半導体チップ）を封止するモールド部（封止部）１１と、半導体素子（半導体チップ）と電気的に接続された接続端子１２とを有している。
半導体素子は、特に限定されないが、例えば、ＳｉＣ（炭化ケイ素）やＧａＮ（窒化ガリウム）を用いて構成される。この半導体素子が、その駆動によりノイズを発生する。
また、モールド部１１は、通常、各種樹脂材料の硬化物で構成され、半導体素子を取り囲むことで半導体素子を封止している。
さらに、接続端子１２は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉやこれらの合金等の各種金属材料で構成されている。接続端子１２は、半導体素子が備える端子と、回路基板１０が有する配線４が備える端子とに接続されている。これにより、半導体素子が備える端子と配線４が備える端子とを電気的に接続している。
回路基板１０（配線基板）は、半導体装置１を電気的に接続する配線４と、この配線４の下面（半導体装置１と反対の面；一方の面）に設けられ、配線４を支持する平板状（シート状）をなす基材（基部）８とを備えている。
配線（回路）４は、所定のパターンで形成されている。このパターンの形成により設けられた端子（図示せず）が、半導体装置１が備える接続端子（端子）１２に電気的に接続されている。これにより、半導体素子が備える端子と配線４が備える端子とが電気的に接続される。
この配線（導体部）４は、回路基板１０上に搭載された半導体装置１を含む電子部品を電気的に接続し、後述する金属箔張基板１０Ａが備える金属箔４Ａをパターニングすることで形成される。
配線４の構成材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料が挙げられる。
配線（導体部）４の厚さ（平均厚さ）ｔ４は、例えば、３μｍ以上、１２０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上、７０μｍ以下がより好ましい。配線４の厚さをこのような数値範囲に設定することにより、回路基板１０の大型化を招くことなく、配線４として機能する導電性を確保することができる。
また、配線４は、その厚さ方向に対する熱伝導率が、３Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、４００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることがより好ましい。このような配線４は、優れた熱伝導率を有し、半導体装置１が備える半導体素子の駆動により生じた熱を、配線４を介して基材８側に効率よく伝達させることができる。
基材８は、平板状（シート状）をなす樹脂層５と、この樹脂層５の下面（配線４と反対の面）に設けられた絶縁部６とを備えている。この基材８が配線４上に搭載された半導体装置１を支持するとともに、半導体装置１（半導体素子）の駆動により生じたノイズの伝播を抑制または防止する機能を有する。
樹脂層（接合層）５は、配線４の下面に設けられ、すなわち、配線４と、この配線４の下側に位置する絶縁部６との間に設けられている。樹脂層５を介して、配線４と絶縁部６とが接合される。この樹脂層５は、絶縁性を有している。これにより、配線４と、この樹脂層５よりも下側に位置する他の部材（例えば、他の回路基板）との絶縁状態が確保される。また、他の部材に対する前記ノイズの伝播を抑制または防止することができる。
この樹脂層５の厚さ（平均厚さ）ｔ５は、特に限定されないが、図１に示すように、絶縁部６の厚さｔ６より薄く、具体的には、５０μｍ〜２５０μｍ程度であるのが好ましく、８０μｍ〜２００μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、基材８の大型化を招くことなく、樹脂層５の絶縁性を確保することができる。また、半導体装置１の駆動により生じたノイズの伝播を確実に抑制または防止することができる。
また、樹脂層５の熱伝導率は、高いことが好ましく、具体的には、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましく、５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることがより好ましい。これにより、半導体装置１側の熱が樹脂層５により絶縁部６側に効率よく伝達される。そのため、半導体装置１の半導体素子における駆動により生じた熱を、配線４および樹脂層５を介して絶縁部６に効率よく伝達することができる。その結果、半導体装置１で生じた熱を絶縁部６側から効率よく放熱させることができるようになる。
さらに、樹脂層５のガラス転移温度は、好ましくは１００℃以上２００℃以下である。これにより、樹脂層５の剛性が高まり、樹脂層５の反りを低減できる。その結果、回路基板１０における反りの発生を抑制することができる。
なお、樹脂層５のガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づいて、以下のようにして計測できる。
計測は、動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製ＤＭＡ／９８３）を用いる。窒素雰囲気（２００ｍｌ／分）のもと、樹脂層５に引っ張り荷重をかける。周波数１Ｈｚ、−５０℃から３００℃の温度範囲、昇温速度５℃／分の条件で、ガラス転移温度を測定し、チャートを得る。得られたチャートのtanδのピーク位置よりガラス転移温度Ｔｇを得る。
また、樹脂層５の２５℃の弾性率（貯蔵弾性率）Ｅ'は、１０ＧＰａ以上７０ＧＰａ以下であることが好ましい。これにより、樹脂層５の剛性が高まることから、樹脂層５に生じる反りを低減させることができる。その結果、回路基板１０における反りの発生を抑制することができる。
なお、上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置で測定することができる。具体的には、貯蔵弾性率Ｅ'は、樹脂層５に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分、−５０℃から３００℃の条件で測定した際の、２５℃における貯蔵弾性率の値として測定される。
かかる機能を有する樹脂層５は、樹脂材料を主材料として構成された層内にフィラーが分散された構成をなしている。
樹脂材料は、通常、フィラーを樹脂層５内に保持させるバインダーとしての機能を発揮する。そのフィラーは、樹脂材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。樹脂層５を、かかる構成とすることにより、優れた熱伝導率を備える樹脂層５を得ることができる。
このような樹脂層５は、主として樹脂材料およびフィラーを含有する、樹脂層形成用樹脂組成物を固化または硬化させることにより形成される固化物または硬化物で構成される。すなわち、樹脂層５は、樹脂層形成用樹脂組成物を層状に成形した硬化物または固化物で構成されている。
以下、この樹脂層形成用樹脂組成物について説明する。
樹脂層形成用樹脂組成物（以下、単に「第２の樹脂組成物」という）は、上記の通り、主として樹脂材料およびフィラーを含んで構成されている。
樹脂材料としては、特に限定されず、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の各種樹脂材料を用いることができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
一方、熱硬化性樹脂（第２の熱硬化性樹脂）としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
これらのなかでも、第２の樹脂組成物に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、さらに、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましい。これにより、優れた耐熱性を有する樹脂層５を得ることができる。また、樹脂層５により配線４を基材８に強固に接合することができる。そのため、得られる電子部品搭載基板５０は優れた耐久性、さらには優れた放熱性を発揮することができる。
また、エポキシ樹脂は、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂（Ａ）を含むことが好ましい。このようなエポキシ樹脂（Ａ）を使用することで、樹脂層５のガラス転移温度を高くすることができる。また、配線４および絶縁部６に対する樹脂層５の密着性を向上させることができる。
さらに、芳香環あるいは脂肪環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、このエポキシ樹脂（Ａ）としては、ナフタレン型エポキシ樹脂であることが好ましい。これにより、樹脂層５のガラス転移温度をより一層高くでき、樹脂層５のボイドの発生を抑制することができる。また、絶縁破壊電圧を向上させることができる。また、樹脂層５により、ノイズ伝播性の抑制が図られる。
なお、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有する樹脂を呼ぶ。
また、エポキシ樹脂中におけるナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂１００質量％に対し、好ましくは２０質量％以上８０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以上６０質量％以下である。
ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、以下の式（５）〜（８）のうちのいずれかの樹脂が挙げられる。
Figure 2015178393
Figure 2015178393
 ［式中、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１〜７の整数を示す。］
なお、式（６）の化合物としては、以下のいずれか１種以上を使用することが好ましい。
Figure 2015178393
Figure 2015178393
 ［式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数を示す。］
Figure 2015178393
 ［式中、ｎは１以上２０以下の整数であり、ｌは１以上２以下の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される置換基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。］
Figure 2015178393
 ［式中、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１または２の整数である。］
式（８）のナフタレン型エポキシ樹脂は、いわゆるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂に分類されるが、この式（８）で表される化合物は、下記式（１０）で表される化合物を一例として含む。
Figure 2015178393
 ［上記式（１０）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される置換基であり、好ましくは水素原子である。］
Figure 2015178393
 ［上記式（１１）において、ｍは１または２の整数である。］
さらに、上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、具体的には、例えば、下記式（１２）〜（１６）で表される樹脂を含む。
Figure 2015178393
Figure 2015178393
Figure 2015178393
Figure 2015178393
Figure 2015178393
また、前記樹脂材料の含有量は、第２の樹脂組成物全体（溶剤を除く）の、３０体積％以上７０体積％以下であるのが好ましく、４０体積％以上６０体積％以下であるのがより好ましい。これにより、優れた機械的強度を有する樹脂層５を得ることができる。また、配線４および絶縁部６に対する樹脂層５の密着性を向上させることができる。
これに対し、かかる含有量が前記下限値未満であると、樹脂材料の種類によっては、樹脂材料がフィラー同士を結合するバインダーとしての機能を十分に発揮することができず、得られる樹脂層５の機械的強度が低下するおそれがある。また、第２の樹脂組成物の構成材料によっては、第２の樹脂組成物の粘度が高くなりすぎて、第２の樹脂組成物（ワニス）の濾過作業や層状成形（コーティング）が困難となる。また、第２の樹脂組成物のフローが小さくなりすぎて、樹脂層５にボイドが発生するおそれが生じる。
一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、樹脂材料の種類によっては、優れた絶縁性を有する樹脂層５を得ることが困難となるおそれがある。
また、樹脂材料がエポキシ樹脂を含む場合、第２の樹脂組成物にはフェノキシ樹脂が含まれていることが好ましい。これにより、樹脂層５の耐屈曲性を向上できるため、フィラーを高充填することによる樹脂層５のハンドリング性の低下を抑制することができる。
また、フェノキシ樹脂を第２の樹脂組成物に含むと、第２の樹脂組成物の粘度上昇により、プレス時の流動性が低減する。また、フェノキシ樹脂は、樹脂層５の厚みの確保、厚みの均一性の向上およびボイド発生の抑制に効果があるため、絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、樹脂層５と配線４および絶縁部６との密着性が向上する。これらの相乗効果により、電子部品搭載基板５０の絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、電子部品搭載基板５０における、ノイズ伝播性を的確に抑制または防止することができる。
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
これらの中でも、ビスフェノールＡ骨格型またはビスフェノールＦ骨格型のフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを両方有するフェノキシ樹脂を用いても良い。
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、とくに限定されないが、４．０×１０４以上８．０×１０４以下が好ましい。
なお、フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。
フェノキシ樹脂の含有量は、例えば、第２の樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、好ましくは１質量％以上１５質量％以下、より好ましくは２質量％以上１０質量％以下である。
また、かかる第２の樹脂組成物には、前述した樹脂材料の種類（例えば、エポキシ樹脂である場合）等によっては、必要に応じて、硬化剤が含まれる。
硬化剤としては、特に限定されず、例えば、ジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のアミド系硬化剤や、ジアミノジフェニルメタン、メタンフェニレンジアミン、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン系硬化剤や、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｐ−キシレン−ノボラック樹脂などのフェノール系硬化剤や、酸無水物類等を挙げることができる。
また、第２の樹脂組成物は、さらに硬化触媒（硬化促進剤）を含んでいてもよい。これにより、第２の樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。
硬化触媒としては、例えば、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に、第２の樹脂組成物の速硬化性および保存性を両立することができる。
イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、第２の樹脂組成物の保存性を特に向上させることができる。
また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、樹脂材料１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。かかる含有量が前記下限値未満であると、第２の樹脂組成物の硬化性が不十分となる場合がある。一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、第２の樹脂組成物の保存性が低下する傾向を示す。
また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。かかる平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。
また、第２の樹脂組成物は、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、フィラー、絶縁部６および配線４に対する樹脂材料の密着性をより向上させることができる。
かかるカップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、第２の樹脂組成物の耐熱性をより向上させることができる。
このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。
カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂材料１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。かかる含有量が前記下限値未満であると、前述したような密着性を高める効果が不十分となる場合があり、一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、樹脂層５を形成する際にアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
また、第２の樹脂組成物中のフィラーは、無機材料で構成される。これにより、フィラーは、樹脂材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を発揮する。したがって、このフィラーが第２の樹脂組成物中に分散していることにより、樹脂層５の熱伝導率を高めることができる。
このようなフィラーは、無機材料で構成されるフィラーの中でも、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）および窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種で構成される粒状体であるのが好ましく、特に、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体であるのが好ましい。これにより、優れた熱伝導性（放熱性）および優れた絶縁性を発揮することができる。また、酸化アルミニウムは、汎用性に優れ、安価に入手できる点から、特に好ましく用いられる。
したがって、以下では、フィラーが、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体である場合を一例に説明する。
フィラーの含有率は、第２の樹脂組成物全体（溶剤を除く）の、３０体積％以上７０体積％以下であるのが好ましく、４０体積％以上６０体積％以下であるのがより好ましい。かかる範囲のように第２の樹脂組成物におけるフィラーの含有率を高くすることにより、より優れた熱伝導性を有する樹脂層５を得ることができる。
これに対し、かかる含有率が前記下限値未満であると、樹脂層５の絶縁性を確保しつつ、優れた熱伝導性を有する樹脂層５を得ることが難しい。一方、かかる含有率が前記上限値を超えると、第２の樹脂組成物の構成材料によっては、第２の樹脂組成物の粘度が高くなりすぎて、ワニスの濾過作業や層状への成形（コーティング）が困難となる。また、第２の樹脂組成物のフローが小さくなりすぎて、得られる樹脂層５にボイドが発生する場合がある。
なお、第２の樹脂組成物におけるフィラーの含有率を、上記の範囲のように高く設定したとしても、第２の樹脂組成物として、温度２５℃、せん断速度１．０ｒｐｍの条件での第２の樹脂組成物の粘度をＡ［Ｐａ・ｓ］とし、温度２５℃、せん断速度１０．０ｒｐｍの条件での第２の樹脂組成物の粘度をＢ［Ｐａ・ｓ］としたとき、Ａ／Ｂ（チキソ比）が１．２以上、３．０以下なる関係を満足する第２の樹脂組成物を用いることにより、回路基板１０（金属箔張基板１０Ａ）の製造時に、適度な粘度および適度なフロー性を有する第２の樹脂組成物（ワニス）を提供することができる。
また、このフィラーの含水量は、０．１０質量％以上０．３０質量％以下であるのが好ましく、０．１０質量％以上０．２５質量％以下であるのがより好ましく、０．１２質量％以上０．２０質量％以下であるのがさらに好ましい。これにより、フィラーの含有量を多くすれば、第２の樹脂組成物はより適度な粘度およびフロー性を有する。そのため、得られる樹脂層５中にボイドが発生するのを防止しつつ、優れた熱伝導性を有する樹脂層５を形成することができる。すなわち、優れた熱伝導性および絶縁性を有する樹脂層５を形成することができる。
また、酸化アルミニウムは、通常、水酸化アルミニウムを焼成することにより得られる。得られる酸化アルミニウムの粒状体は、複数の一次粒子で構成される。その一次粒子の平均粒径は、その焼成の条件に応じて設定することができる。
また、その焼成後に何ら処理されていない酸化アルミニウムは、一次粒子同士が固着により凝集した凝集体（二次粒子）で構成されている。
そのため、その一次粒子同士の凝集を粉砕により必要に応じて解くことにより、最終的なフィラーが得られる。最終的なフィラーの平均粒径は、その粉砕の条件（例えば時間）に応じて設定することができる。
その粉砕の際、酸化アルミニウムは極めて高い硬度を有する。そのため、一次粒子同士の固着が解かれていくだけで、一次粒子自体は殆ど破壊されない。したがって、一次粒子の平均粒径は粉砕後においてもほぼ維持されることとなる。
したがって、粉砕時間が長くなるに従い、フィラーの平均粒径は、一次粒子の平均粒径に近づくことになる。そして、粉砕時間が所定時間以上となると、フィラーの平均粒径は、一次粒子の平均粒径に等しくなる。すなわち、フィラーは、粉砕時間を短くすると主として二次粒子で構成される。粉砕時間を長くするにしたがって一次粒子の含有量が多くなる。フィラーは、粉砕時間を最終的に所定時間以上とすると、主として一次粒子で構成されることとなる。
また、例えば、前述したように水酸化アルミニウムを焼成することにより得られた酸化アルミニウムの一次粒子は、球形ではなく、鱗片状のような平坦面を有する形状をなしている。そのため、フィラー同士の接触面積を大きくすることができる。その結果、得られる樹脂層５の熱伝導性を高めることができる。
さらに、フィラーは、平均粒子径が異なる３成分（大粒径、中粒径、小粒径）の混合物である。さらに、大粒径成分が球状であり、中粒径成分および小粒径成分が多面体状であることが好ましい。
より具体的には、フィラーは、大粒径酸化アルミニウムと、中粒径酸化アルミニウムと、小粒径酸化アルミニウムとの混合物であることが好ましい。大粒径酸化アルミニウムの平均粒子径が５．０μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以上２５μｍ以下の第１粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．８０以上１．０以下、好ましくは０．８５以上０．９５以下である。中粒径酸化アルミニウムの平均粒子径が１．０μｍ以上５．０μｍ未満の第２粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上０．９０以下、好ましくは０．７０以上０．８０以下である。小粒径酸化アルミニウムの平均粒子径が０．１μｍ以上１．０μｍ未満の第３粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上０．９０以下、好ましくは０．７０以上０．８０以下ある。
なお、酸化アルミニウム液を１分間超音波処理することにより、水中に酸化アルミニウムを分散させた後、フィラーの粒子径を、レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、測定することができる。
これにより、大粒径成分の隙間に中粒径成分が充填され、さらに中粒径成分の隙間に小粒径成分が充填される。そのため、酸化アルミニウムの充填性が高められ、酸化アルミニウム粒子同士の接触面積をより大きくすることができる。その結果、樹脂層５の熱伝導性をより一層向上できる。さらに、樹脂層５の耐熱性、耐屈曲性、絶縁性をより一層向上できる。
また、このようなフィラーを用いることにより、樹脂層５と配線４および絶縁部６との密着性をより一層向上できる。
これらの相乗効果により、電子部品搭載基板５０の絶縁信頼性および放熱信頼性をより一層高めることができる。
なお、第２の樹脂組成物は、上述した成分に加え、レベリング剤、消泡剤等の添加剤が含まれていてもよい。
また、第２の樹脂組成物は、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤を含む。これにより、第２の樹脂組成物は、樹脂材料等が溶剤に溶解することにより、ワニスの状態となる。
なお、このようなワニス状をなす第２の樹脂組成物は、例えば、必要に応じて樹脂材料と溶剤とを混合してワニス状にした後、さらに、フィラーを混合することで得ることができる。
また、混合に用いる混合機としては、特に限定されないが、例えば、ディスパーザー、複合羽根型撹拌機、ビーズミルおよびホモジナイザー等が挙げられる。
なお、樹脂層５に優れた熱伝導性を付与する必要がない場合には、第２の樹脂組成物に含まれるフィラーとして、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム、二酸化ケイ素（シリカ）、炭化ケイ素、硫酸バリウム、チタン酸バリウムのような熱伝導率の低い材料を用いることができる。さらには、第２の樹脂組成物へのフィラーの添加を省略してもよい。すなわち、樹脂層５は、フィラーを含まず、主として樹脂材料で構成されている。
絶縁部６は、樹脂層５の下面に形成されている。
これにより、基材８の下面側における、絶縁性が確保されるとともに、基材８全体としての強度が確保される。また、この絶縁部６よりも下側に位置する他の部材に対して、半導体装置１（半導体素子）の駆動により生じたノイズが伝播するのを抑制または防止することができる。
この絶縁部６の厚さ（平均厚さ）ｔ６は、例えば、１ｍｍ以上、３ｍｍ以下が好ましく、１．５ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下がより好ましい。絶縁部６の厚さをこのような数値範囲に設定することにより、回路基板１０の大型化を招くことなく、絶縁部６としての機能を確実に発揮させることができる。
この絶縁部６は、本発明では、熱硬化性樹脂（第１の熱硬化性樹脂）を含有する絶縁部形成用樹脂組成物（以下、単に「第１の樹脂組成物」という）の硬化物で構成される。なお、第１の樹脂組成物は、前述した第２の樹脂組成物と異なっている。
このような硬化物で絶縁部６を構成することで、樹脂層５と絶縁部６との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。半導体装置１の半導体素子の駆動時には、半導体装置１自体が発熱し、樹脂層５および絶縁部６が加熱されることとなる。しかし、樹脂層５と絶縁部６との間で反りが生じ、これに起因して、これら同士の間で剥離が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。
上述したように、本実施形態の回路基板１０では、樹脂層５が優れた熱伝導性を発現することが好ましく、絶縁部４が優れた断熱効果を発現することが好ましい。このように、樹脂層５と絶縁部４とが異なる効果を発現する観点から、樹脂層５を形成する第２の樹脂組成物と、絶縁部６を形成する第１の樹脂組成物とが、異なっていることが好ましい。これにより、樹脂層５と絶縁部６との双方の特性をより顕著に発現することができる。すなわち、樹脂層５は、半導体装置１からの熱を効率良く放熱金属板７に伝達することができ、また、絶縁部６は、放熱金属板７から放熱される熱が、半導体装置１以外に配線４に搭載された他の電子部品に伝達するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、発熱体搭載基板５０の信頼性を向上させることができる。
以下、この第１の樹脂組成物について説明する。
熱硬化性樹脂（第１の熱硬化性樹脂）は、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂のようなトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド（ＢＭＩ）樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、フェノール樹脂は、良好な流動性を有する。そのため、第１の樹脂組成物の流動性を向上させることができ、均一な厚さの絶縁部６を、樹脂層５に形成することができる。したがって、フェノール樹脂は好ましく用いられる。また、樹脂層５に対する絶縁部６の密着性を向上させることができる。
また、フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂のようなノボラック型フェノール樹脂、ジメチレンエーテル型レゾール樹脂、メチロール型レゾール樹脂等の未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂のようなレゾール型フェノール樹脂等が挙げられる。
また、ノボラック型フェノール樹脂を用いる場合、第１の樹脂組成物には硬化剤が含まれる。通常、この硬化剤としては、ヘキサメチレンテトラミンが使用される。さらに、ヘキサメチレンテトラミンを用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、ノボラック型フェノール樹脂１００重量部に対して、１０重量部以上３０重量部以下含有することが好ましく、さらに１５重量部以上２０重量部以下含有することが好ましい。ヘキサメチレンテトラミンの含有量を上記範囲とすることで、第１の樹脂組成物の硬化物、すなわち絶縁部６の機械的強度および成形収縮量を良好にすることができる。
このようなフェノール樹脂の中でも、レゾール型フェノール樹脂を用いるのが好ましい。ノボラック型フェノール樹脂を主成分として用いた場合、上記の通り、硬化剤として通常ヘキサメチレンテトラミンが使用され、ノボラック型フェノール樹脂の硬化時にアンモニアガス等の腐食性ガスが発生する。そのため、これに起因して、配線４等が腐食するおそれがある。このことから、ノボラック型フェノール樹脂に比較して、レゾール型フェノール樹脂が好ましく用いられる。
また、レゾール型フェノール樹脂とノボラック型フェノール樹脂とを併用するようにすることもできる。これにより、絶縁部６の強度を高めることができるとともに、靭性をも高めることができる。
また、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型のようなノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型、臭素化フェノールノボラック型のような臭素化型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、比較的分子量の低いビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、絶縁部６の形成時における作業性や成形性をさらに良好にすることができる。また、絶縁部６の耐熱性の面からフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂が好ましく、特に、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂が好ましい。
トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂を用いる場合、その数平均分子量は、特に限定されないが、５００〜２０００であることが好ましく、７００〜１４００であることがさらに好ましい。
また、エポキシ樹脂を用いる場合、第１の樹脂組成物中には、硬化剤が含まれることが好ましい。硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ジシアミンジアミドのようなアミン化合物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物などの酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂のようなポリフェノール化合物や、イミダゾール化合物等が挙げられる。中でも、ノボラック型フェノール樹脂が好ましい。これにより、第１の樹脂組成物の取り扱い、作業性が向上する。また、環境面において、優れた第１の樹脂組成物を得ることができる。
特に、エポキシ樹脂としてフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂を用いることが好ましい。これにより、第１の樹脂組成物から得られる硬化物の耐熱性を向上させることができる。なお、硬化剤の添加量は特に限定されないが、エポキシ樹脂に対する理論当量比１．０からの許容幅を±１０重量％以内であることが好ましい。
また、第１の樹脂組成物は、上記硬化剤とともに必要に応じて硬化促進剤を含有するものであってもよい。硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール化合物、三級アミン化合物、有機リン化合物等が挙げられる。硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部であることが好ましく、３〜８重量部であることがより好ましい。
また、第１の樹脂組成物は、充填材として機能する繊維強化材を含むことが好ましい。これにより、絶縁部６自体で優れた機械的強度と優れた剛性とを発揮することができる。
繊維強化材としては、特に限定されないが、例えば、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維（芳香族ポリアミド）、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）繊維、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）繊維、ポリエチレン（ＰＥ）繊維、ポリイミド繊維のようなプラスチック繊維、バサルト繊維のような無機繊維およびステンレス繊維のような金属繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
さらに、これらの繊維強化材には、熱硬化性樹脂との接着性を向上させることを目的に、シランカップリング剤による表面処理が施されていてもよい。シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、アミノシランカップリング剤、エポキシシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの繊維強化材のうち、カーボン繊維またはアラミド繊維を用いることが好ましい。これにより、絶縁部６の機械強度をさらに向上させることができる。特に、カーボン繊維を用いることにより、絶縁部６の高負荷時における耐摩耗性をさらに向上させることができる。なお、絶縁部６のさらなる軽量化を図るという観点からは、繊維強化材は、アラミド繊維等のプラスチック繊維であることが好ましい。さらに、絶縁部６の機械強度を向上させる観点からは、繊維強化材として、ガラス繊維やカーボン繊維等の繊維基材を用いることが好ましい。
硬化物中における繊維強化材の含有量は、硬化物全量に対して、例えば、１０体積％以上であり、好ましくは２０体積％以上であり、さらに好ましくは２５体積％以上である。また、硬化物全量に対する繊維強化材の含有量の上限値は、特に限定されないが、好ましくは８０体積％以下とされる。これにより、絶縁部６の機械強さを確実に向上させることができる。
さらに、第１の樹脂組成物は、充填材として、繊維強化材以外の材料を含んでいてもよい。かかる充填材としては、無機充填材および有機充填材のいずれであってもよい。
無機充填材としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、シリカ、炭酸カルシウム、炭化ホウ素、クレー、マイカ、タルク、ワラストナイト、ガラスビーズ、ミルドカーボン、グラファイト等から選択される１種以上が用いられる。なお、無機充填材としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、シリカのような金属酸化物が含まれていることが好ましい。これにより、金属酸化物が備える酸化皮膜が不動態化膜としての機能を発揮し、硬化物全体としての耐酸性を向上させることができる。
また、有機充填材としては、ポリビニールブチラール、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、パルプ、木粉等から選択される１種以上が用いられる。なお、アクリロニトリルブタジエンゴムは、部分架橋構造を有するタイプまたはカルボキシ変性構造を有するタイプの何れであっても良い。これらのうち、硬化物の靭性を向上させる効果がさらに高まるという観点からは、アクリロニトリルブタジエンゴムが好ましい。
さらに、第１の樹脂組成物には、難燃剤が含まれることが好ましい。これにより、絶縁部６の難燃性を向上させることができる。
また、難燃剤としては、特に限定されないが、特に、赤燐系難燃剤であることが好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
この、赤燐系難燃剤としては、例えば、（１）赤燐を熱硬化性樹脂で被覆した難燃剤、（２）赤燐を無機質で被覆した難燃剤等が挙げられる。
なお、通常、赤燐系難燃剤を難燃剤として用いた場合、一般的に、配線においてマイグレーション現象が生じることに起因する絶縁不良が生じることが懸念される。しかしながら、回路基板１０では、たとえ第１の樹脂組成物中に赤燐系難燃剤が含まれていたとしても、配線４と絶縁部６との間に樹脂層５が介在するため、マイグレーション現象による絶縁不良の発生を的確に抑制または防止することができる。
なお、第１の樹脂組成物には、以上に説明した成分の他にも、離型剤、硬化助剤、顔料等の添加剤が添加されていてもよい。
また、絶縁部６と樹脂層５との界面付近では、樹脂層５に含まれるフィラーが、絶縁部６側に分散していることが好ましい。これにより、樹脂層５と絶縁部６との界面付近において、あたかも樹脂層５と絶縁部６とが混在した状態となり、樹脂層５と絶縁部６との密着性の向上が図られる。そのため、電子部品搭載基板５０は優れた耐久性を発揮することができる。
以上のように、電子部品として半導体装置１を搭載する図１に示す電子部品搭載基板５０は、回路基板１０に半導体装置１を搭載することにより得ることができ、さらに、回路基板１０は、上述した配線４、樹脂層５および絶縁部６に代えて、平板状（シート状）をなす金属箔４Ａを、基材８の上面（他方の面）に備える金属箔張基板１０Ａを用いて得ることができる。この金属箔張基板１０Ａは、以下に示す、金属箔張基板１０Ａの製造方法により製造される。
（金属箔張基板の製造方法）
図２、３は、図１の電子部品搭載基板の製造に用いられる金属箔張基板の製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２、３中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、図２、３では、金属箔張基板およびその各部を誇張して模式的に図示しており、金属箔張基板およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。
［１］
まず、平板状をなす金属箔４Ａを用意し、その後、図２（ａ）に示すように、金属箔４Ａ上に樹脂層形成用層（以下、単に「層」という）５Ａを形成する。
この層５Ａは、前述したワニス状をなす第２の樹脂組成物を金属箔４Ａ上に層状に供給した後、第２の樹脂組成物を乾燥させることにより得られる。そして、この層５Ａは、後述する工程［２］および工程［３］を経ることで、硬化または固化することにより樹脂層５となる。
第２の樹脂組成物の金属箔４Ａへの供給は、例えば、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いて行うことができる。
この第２の樹脂組成物は以下のような粘度挙動を有することが好ましい。
すなわち、その粘度挙動は、初期温度６０℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件下、動的粘弾性測定装置で第２の樹脂組成物を溶融状態まで昇温したときに、昇温初期では溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、溶融粘度が上昇するような挙動である。そのような最低溶融粘度は、１×１０３Ｐａ・ｓ以上１×１０５Ｐａ・ｓ以下の範囲内であることが好ましい。
最低溶融粘度が上記下限値以上であると、樹脂材料とフィラーとが分離し、樹脂材料のみが流動してしまうことを抑制でき、工程［２］および工程［３］を経ることにより、より均質な樹脂層５を得ることができる。また、最低溶融粘度が上記上限値以下であると、第２の樹脂組成物の金属箔４Ａへの濡れ性を向上でき、樹脂層５と金属箔４Ａとの密着性をより一層向上できる。
これらの相乗効果により、金属箔張基板１０Ａ（回路基板１０）の放熱性および絶縁破壊電圧をより一層向上できる。
また、第２の樹脂組成物は、最低溶融粘度に到達する温度が６０℃以上、１００℃以下の範囲内であることが好ましく、７５℃以上、９０℃以下の範囲内であることがより好ましい。
さらに、第２の樹脂組成物は、フロー率が１５％以上、６０％未満であることが好ましく、２５％以上、５０％未満であることがより好ましい。
なお、このフロー率は、以下の手順で測定することができる。すなわち、まず、本実施形態の第２の樹脂組成物により形成された樹脂層を有する金属箔を所定のサイズ（５０ｍｍ×５０ｍｍ）に裁断する。その後、裁断された金属箔を５〜７枚積層して積層体を得る。次に、積層体の重量（測定前重量）を測定する。次に、内部温度を１７５℃に保持した熱盤間で５分間積層体をプレスした後、プレスした積層体を冷却する。プレスした積層体から流れ出た樹脂を丁寧に落として、冷却された積層体の重量（測定後重量）を再び測定する。フロー率は次式（Ｉ）により求めることができる。
フロー率（％）＝（測定前重量−測定後重量）/（測定前重量−金属箔重量） （Ｉ）
第２の樹脂組成物がこのような粘度挙動を有すると、第２の樹脂組成物を加熱硬化して樹脂層５を形成する際に、第２の樹脂組成物中に空気が侵入するのを抑制できる。また、第２の樹脂組成物中に溶けている気体を十分に外部に排出できる。その結果、樹脂層５に気泡が生じてしまうことを抑制でき、金属箔４Ａから樹脂層５へ確実に熱を伝えることができる。また、気泡の発生が抑制されることにより、金属箔張基板１０Ａ（回路基板１０）の絶縁信頼性を高めることができる。また、樹脂層５と金属箔４Ａとの密着性を向上できる。
これらの相乗効果により、金属箔張基板１０Ａ（回路基板１０）の放熱性をより一層向上でき、その結果、金属箔張基板１０Ａのヒートサイクル特性をより一層向上させることができる。
このような粘度挙動を有する第２の樹脂組成物は、例えば、前述した樹脂材料の種類や量、フィラーの種類や量、また、樹脂材料にフェノキシ樹脂が含まれる場合には、その種類や量を適宜調整することにより得ることできる。特に、エポキシ樹脂として、ナフタレン型エポキシ樹脂等の流動性の良い樹脂を用いることにより、上記のような粘度特性が得られ易くなる。
［２］
次に、層５Ａ上に絶縁部６を形成する。
さらに、この際、層５Ａが熱硬化性を有する場合には、層５Ａが硬化することにより樹脂層５が形成される。また、層５Ａが熱可塑性を有する場合には、層５Ａを溶融後、再度、固化することにより樹脂層５が形成される（図２（ｂ）参照。）。
絶縁部６を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、第１の樹脂組成物を溶融させた状態で、層５Ａの上面を覆うように層５Ａの上面側に第１の樹脂組成物を供給した後、この溶融状態の第１の樹脂組成物を成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、層５Ａの上面に対して、均一な厚さの絶縁部６を形成することができる。
以下、かかる方法により、絶縁部６を形成する場合について詳述する。
なお、第１の樹脂組成物としては、顆粒状（ペレット状）、シート状、短冊状、または、タブレット状の何れであっても良い。以下では、タブレット状をなす第１の樹脂組成物を用いる場合を一例に説明する。
［２−１］まず、図３に示すように、成形金型１００が備える上型１１０と下型１２０とを重ね合わせることにより形成されるキャビティ（収納空間）１２１に、層５Ａが形成された金属箔４Ａを、層５Ａが上側になるようにして、収納した後、上型１１０と下型１２０との型締めを行う。
そして、タブレット状をなす第１の樹脂組成物１３０を、上型１１０が備えるポット１１１内に収納する。
［２−２］次に、成形金型１００を加熱して、ポット１１１内の第１の樹脂組成物１３０を加熱溶融しつつ、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入する。これにより、第１の樹脂組成物１３０を加圧する。
これにより、溶融状態とされた第１の樹脂組成物１３０が供給路１１３を介して、キャビティ１２１内に移送される。
［２−３］次に、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することにより、キャビティ１２１内に収納された金属箔４Ａを加熱および加圧した状態で、溶融した第１の樹脂組成物１３０が層５Ａ上を覆うようにキャビティ１２１内に充填される。
そして、溶融した第１の樹脂組成物１３０を硬化させることにより絶縁部６を形成する。これにより、層５Ａ上に、均一な厚さを有する絶縁部６を形成することができる。
また、層５Ａが熱硬化性を有する場合には、この加熱および加圧により、層５Ａが硬化することにより樹脂層５が形成される。層５Ａが熱可塑性を有する場合には、層５Ａが溶融した後、層５Ａを冷却して再度固化することにより樹脂層５が形成される。
かかる工程における加熱および加圧の条件は、特に限定されないが、例えば、以下のように設定される。
すなわち、加熱温度は、好ましくは８０〜２００℃程度、より好ましくは１７０〜１９０℃程度に設定される。
また、加圧する圧力は、好ましくは２〜１０ＭＰａ程度、より好ましくは３〜７ＭＰａ程度に設定される。
さらに、加熱および加圧する時間は、１〜６０分程度であるのが好ましく、３〜１５分程度であるのがより好ましい。
温度、圧力および時間をかかる条件に設定することにより、樹脂層５と絶縁部６との界面付近において、樹脂層５に含まれるフィラーが絶縁部６側に分散して樹脂層５と絶縁部６とが混在した状態で、樹脂層５と絶縁部６とが形成される。そのため、樹脂層５と絶縁部６との密着性を向上させることができる。
また、第１の樹脂組成物１３０の溶融粘度は、１７５℃において、１０〜３０００Ｐａ・ｓ程度であるのが好ましく、３０〜２０００Ｐａ・ｓ程度であるのがより好ましい。これにより、樹脂層５上に絶縁部６をより均一な厚さで形成することができる。
なお、１７５℃における溶融粘度は、例えば、島津製作所製の熱流動評価装置（フローテスタ）により測定することができる。
また、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することにより生じる圧力により、金属箔４Ａは、下型１２０が備えるキャビティ１２１の底面に押し付けられるのが好ましい。これにより、溶融した第１の樹脂組成物１３０の金属箔４Ａの下面に対する回り込みが防止される。その結果、金属箔４Ａの下面における絶縁部６の形成が的確に防止される。よって、金属箔４Ａをパターニングすることにより得られる配線４が絶縁部６により覆われることを防止できる。それによって、半導体装置１を含む電子部品と配線４との電気的な接続が阻害されるのを防止することができる。
以上のような工程を経ることで金属箔張基板１０Ａを製造することができ、前述したようなプリプレグを用いた金属箔張基板とは異なり、真空ラミネート装置や熱風乾燥装置のような大掛かりな装置を必要とせず、時間と手間を要することなく、金属箔張基板１０Ａが製造される。
また、この金属箔張基板１０Ａが備える金属箔４Ａをパターニングして、半導体装置１が備える接続端子１２に電気的に接続する端子を有する配線４を形成する。これにより、基材８上に配線４が形成された回路基板１０が製造される。なお、金属箔４Ａをパターニングする方法としては、特に限定されないが、例えば、次のような方法が挙げられる。形成すべき配線４のパターン（形状）に対応するレジスト層を金属箔４Ａ上に形成する。その後、このレジスト層をマスクとして用いて、ウエットエッチング法またはドライエッチング法により、レジスト層の開口部から露出する金属箔４Ａをエッチングする。
なお、本実施形態では、前記工程［２−１］〜［２−３］を経ることにより、１つの金属箔張基板１０Ａを得る場合について説明した。しかし、本発明は、かかる場合に限定されず、例えば、前記工程［２−１］〜［２−３］を経て得られた１つの金属箔張基板１０Ａを、その厚さ方向に裁断（切断）することで、複数の金属箔張基板１０Ａを得るようにしてもよい。なお、この裁断は、（Ｉ）前記工程［２−３］の後、（II）金属箔４Ａをパターニングして複数の配線４を基材８上に形成した後、または、（III）複数の配線４にそれぞれ対応して複数の半導体装置１を回路基板１０上に搭載した後の何れの段階で実行されても良い。この裁断は、前記（III）の段階で実行されることが好ましい。これにより、複数の電子部品搭載基板５０を一括して製造することができる。金属箔張基板を、前述したようなプリプレグを用いて得る場合には、大量生産には適するが、その金属箔張基板がラミネート法を用いて製造されるため、個別生産には適さなかった。しかし、金属箔張基板１０Ａの構成とすることで、前記のように、本発明の金属箔張基板の製造は、個別生産さらには、大量生産にも適用することができる。
かかる構成の電子部品搭載基板５０は、各種電子機器が備える基板（一部品）として搭載される。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の電子部品搭載基板の第２実施形態について説明する。
図４は、本発明の電子部品搭載基板の第２実施形態を示す縦断面図である。
以下、第２実施形態の電子部品搭載基板５１について、前記第１実施形態の電子部品搭載基板５０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図４に示す電子部品搭載基板５１は、第１実施形態の回路基板１０の構成と異なる構成の回路基板１０’の上面および下面の双方に、それぞれ、半導体装置１が搭載されていること以外は、図１に示す電子部品搭載基板５０と同様である。
すなわち、第２実施形態の電子部品搭載基板５１において、回路基板１０’は、樹脂層５と、樹脂層５をその下面で覆う絶縁部６と、この絶縁部６をその下面で覆う樹脂層５とを備える基材８’と、この基材８’の上面および下面にそれぞれ設けられた配線４とを備えている。そして、２つの半導体装置１は、それぞれ、接続端子１２において配線４と電気的に接続された状態で、基材８’が有する配線４に搭載されている。
このような第２実施形態の電子部品搭載基板５１によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、かかる構成の電子部品搭載基板５１は、次のように得られる。まず、基材８’の上面および下面の双方にそれぞれ金属箔４Ａが設けられた金属箔張基板（本発明の金属箔張基板）を用意する。次に、これら双方の金属箔４Ａをパターニングして配線４を得る。その後、配線４に半導体装置１を搭載する。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の電子部品搭載基板の第３実施形態について説明する。
図５は、本発明の電子部品搭載基板の第３実施形態を示す縦断面図である。
以下、第３実施形態の電子部品搭載基板５２について、前記第１実施形態の電子部品搭載基板５０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図５に示す電子部品搭載基板５２は、第１実施形態の回路基板１０の構成と異なる構成の回路基板１０”の上面に、第１実施形態の半導体装置１の構成と異なる構成の半導体装置１’が搭載されていること以外は、図１に示す電子部品搭載基板５０と同様である。
すなわち、第３実施形態の電子部品搭載基板５２において、回路基板１０”は、基材８’と、半導体装置１’を搭載する位置に対応する位置に開口部を備える配線４’とを備えている。そして、半導体装置１’は、半導体素子１７と、半導体素子１７と配線４’とを電気的に接続するボンディングワイヤー１８と、半導体素子１７およびボンディングワイヤー１８を封止するモールド部１９とを有している。半導体素子１７は、配線４’の開口部において樹脂層５上に接合される。さらに、半導体素子１７が備える端子と配線４’が備える端子とがボンディングワイヤー１８を介して電気的に接続される。この状態で、これらは、配線４’の開口部を包含するように、配線４’の上面側でモールド部１９により封止されている。
このような第３実施形態の電子部品搭載基板５２によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、図５では、配線４’の開口部において絶縁部６上に樹脂層５が設けられている。しかし、樹脂層５は、これに限定されず、配線４’の開口部において、省略されていてもよい。この場合、半導体素子１７は、絶縁部６上に接合されていてもよい。
以上、本発明の金属箔張基板、回路基板および電子部品搭載基板を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の金属箔張基板、回路基板および発熱体搭載基板を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができる。また、本発明の金属箔張基板、回路基板および電子部品搭載基板に任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明では、前記第１〜第３実施形態で示した任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。
さらに、本発明の電子部品搭載基板は、前述した実施形態に限定されない。すなわち、本発明は、電子部品として半導体装置を回路基板に搭載する電子部品搭載基板に限定されない。本発明は、電子部品としてのサーミスタのような抵抗、コンデンサー、ダイオードパワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）のようなパワートランジスタ、リアクトル、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）、有機ＥＬ素子のような発光素子およびモータ等を回路基板に搭載する電子部品搭載基板に適用できる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
１． 試験片（金属箔張基板）の製造
以下のようにして試験片を製造した。
（実施例１Ａ）
１．１ 第２の樹脂組成物（ワニス）の調製
［１］まず、ビスフェノールＦ／ビスフェノールＡフェノキシ樹脂（三菱化学製、４２７５、重量平均分子量６．０×１０４、ビスフェノールＦ骨格とビスフェノールＡ骨格の比率＝７５：２５）４０．０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、８５０Ｓ、エポキシ当量１９０）５５．０質量部、２−フェニルイミダゾール（四国化成製２ＰＺ）３．０質量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン製ＫＢＭ−４０３）２．０質量部を秤量した。これらをシクロヘキサノン４００質量部に溶解し、混合させて混合液を得た。高速撹拌装置を用いて混合液を撹拌することで、樹脂材料を含むワニスを得た。
［２］次に、アルミナ（日本軽金属製、平均粒径Ａ３．２μｍ、一次粒径Ｂ３．６μｍ、平均粒径Ａ／一次粒径Ｂ＝０．９の市販品（Ｌｏｔ Ｎｏ． Ｚ４０１））８００ｇを秤量した。次に、純水１３００ｍＬが収納されたプラスチック製容器内にアルミナを投入してアルミナ溶液を得た。その後、直径５０ｍｍの羽根を備えるディスパーザー（特殊機化工業社製、「Ｒ９４０７７」）を用いて、回転数５０００ｒｐｍ×攪拌時間１５分間の条件で、アルミナ溶液を撹拌した。これにより、アルミナを水洗した。
その後、アルミナ溶液を１５分間静置し、上澄み液を得た。次に、５０ｍｌの上澄み液をスポイトで採取し、ろ過してろ過液を得た。その後、ろ過液のｐＨを測定した。そのｐＨ値が７．０となるまで、上澄み液をデカンテーションで除去した。その後に、前記アルミナの水洗を複数回行なった。
［３］次に、上述したように水洗が施されたアルミナを、２０分間放置した。その後に、上澄み液をデカンテーションで除去した。その後、そのプラスチック製容器にアセトン１０００ｍＬを投入して、アルミナとアセトンとの混合液を得た。その後、前記ディスパーザーを用いて、回転数８００ｒｐｍ×攪拌時間５分間の条件でアルミナとアセトンとの混合液を撹拌した。
そして、アルミナとアセトンとの混合液を１２時間放置し、上澄み液を得た。その後に、上澄み液を除去した。
［４］次に、上澄み液が除去された後のアルミナをステンレスバットに映した。全排気型箱型乾燥機（タバイ社製、「ＰＨＨ−２００」）を用いて、乾燥温度４０℃×乾燥時間１時間の条件でアルミナを乾燥することで、洗浄アルミナ（フィラー）を得た。
その後、この洗浄アルミナを、２００℃×２４時間の条件で乾燥させた後、８５℃×８５％ＲＨの条件で放置した。こうして、洗浄アルミナの含水率を０．１８質量％とした。
なお、このアルミナの含水量は、示差熱天秤装置（TG-DTA）を用いて測定した２５℃と５００℃における質量の差により計算された。
［５］次に、前記工程［１］で予め用意した樹脂材料を含むワニスに、洗浄アルミナ（５０５．０質量部）を、ディスパーザー（特殊機化工業社製、「Ｒ９４０７７」）を用いて、回転数１０００ｒｐｍ×攪拌時間１２０分間の条件で混合した。これにより、アルミナの樹脂固形分比８３．５重量％（６０．０体積％）の第２の樹脂組成物を得た。
１．２ 金属箔上への樹脂層形成用層の成膜
幅２６０ｍｍ、厚さ３５μｍのロール状銅箔（日本電解製、ＹＧＰ−３５）の粗化面に、上記１．１で得られた第２の樹脂組成物をコンマコーターにて塗布した。次に、１００℃で３分、１５０℃で３分の条件で第２の樹脂組成物を加熱乾燥することで、銅箔上に厚さ１００μｍの樹脂層形成用層（層）を形成した。これにより、積層体を得た。
なお、かかる条件で第２の樹脂組成物を乾燥させることにより、層は、半硬化の状態となっている。積層体を縦６５ｍｍ×横１００ｍｍにカットして金属箔とした。
１．３ タブレット状をなす第１の樹脂組成物の調製
ジメチレンエーテル型レゾール樹脂（住友ベークライト製Ｒ−２５）３０部、メチロール型レゾール樹脂（住友ベークライト製 ＰＲ−５１７２３）７部、ノボラック型樹脂（住友ベークライト製 Ａ−１０８４）４部、水酸化アルミニウム１５部、ガラス繊維（日東紡績製）１０部、焼成クレー１２部、有機質充填材、硬化促進剤、離型剤、顔料他２２部を配合して混合物を得た。次に、加熱ロールにより混合物を混練して混練物を得、混練物を冷却した。その後、混練物を粉砕して得られた粉砕物をタブレット化することにより、タブレット状をなす第１の樹脂組成物を得た。
なお、レゾール型フェノール樹脂としては、以下のようにして得られたジメチレンエーテル型のレゾール型フェノール樹脂（固形）を主成分として用いた。まず、還流コンデンサー撹拌機、加熱装置、真空脱水装置を備えた反応釜内に、フェノール（Ｐ）とホルムアルデヒド（Ｆ）とをモル比（Ｆ／Ｐ）＝１．７で仕込んだ。この反応釜に酢酸亜鉛をフェノール１００重量部に対して０．５重量部添加して混合物を得た。次に、この混合物のｐＨを５．５に調整し、還流反応を３時間行った。その後、真空度１００Torr、温度１００℃で２時間水蒸気蒸留を行って未反応フェノールを除去した。さらに、真空度１００Torr、温度１１５℃で１時間反応させることによりジメチレンエーテル型のレゾール型フェノール樹脂を得た。このジメチレンエーテル型のレゾール型フェノール樹脂の数平均分子量は、８００であった。
１．４ 樹脂層上への絶縁部の形成
まず、成形金型１００が備えるキャビティ１２１に、層が形成された金属箔を、層が上側になるように収納した。その後、ポット１１１内にタブレット状をなす第１の樹脂組成物を収納した。
次に、ポット１１１内の第１の樹脂組成物を加熱溶融しつつ、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入した。これにより、第１の樹脂組成物が加熱および加圧された状態で、溶融した第１の樹脂組成物が層を覆うようにキャビティ内に充填した。これにより、層上に溶融した第１の樹脂組成物を供給した。
そして、溶融した第１の樹脂組成物と、層とを硬化させることにより、金属箔に、樹脂層と絶縁部とがこの順で積層された実施例１Ａの試験片を得た（図６参照。）。
なお、第１の樹脂組成物および層を硬化させる際の条件は、以下のように設定した。
・加熱温度 ： １７５℃
・加圧時の圧力 ： ５．０ＭＰａ
・加熱／加圧時間： ３分
（実施例２Ａ〜７Ａ）
前記１．２において成膜する層の硬化の状態、前記１．４において絶縁部を形成する際の条件を表１に示すように変更したこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、実施例２Ａ〜７Ａの試験片を得た。
Figure 2015178393
２．試験片の評価
各実施例の試験片について、それぞれ、その厚さ方向に沿って切断した。その後、得られた切断面の樹脂層と絶縁部との界面付近を、電子顕微鏡を用いて観察した。
この電子顕微鏡による観察により得られた、各実施例の試験片における前記界面付近の電子顕微鏡写真を図７〜１３に示す。
図７〜１３に示す電子顕微鏡写真から明らかなように、各実施例では、樹脂層と絶縁部との界面において、空隙が形成されることなく、樹脂層と絶縁部とが優れた密着性をもって接合されていた。
特に、層を半硬化状態とした実施例１〜５では、樹脂層５に含まれるフィラーが絶縁部６側に分散しており、樹脂層と絶縁部とがより優れた密着性をもって接合される結果となった。
なお、加圧時の圧力を２．５ＭＰａとした実施例２、４、７では、樹脂層５中に若干のボイドの発生が認められた。
また、実施例１Ａについて、前記切断面における絶縁部の厚さを、ピッチ１ｍｍの間隔で２０箇所測定したところ、その平均厚さは、８５±１０μｍとなっていた。この測定結果から、形成された絶縁部は、均一な膜厚を有していることが分かった。
本発明の金属箔張基板の構成とすることで、搭載すべき電子部品の駆動により生じるノイズの伝播を抑制し得る回路基板を大掛かりな装置を必要とせず、時間と手間を要することなく製造することができる。
そのため、本発明の回路基板に電子部品を搭載して電子部品搭載基板を得ることで、電子部品搭載基板において、電子部品の駆動により生じるノイズの伝播を、回路基板により、的確に抑制または防止することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。

Claims (9)

  1. 電子部品を電気的に接続して搭載する回路基板を形成するために用いられる金属箔張基板であって、
    平板状をなす金属箔と、前記金属箔の一方の面に形成された樹脂層と、前記樹脂層の前記金属箔と反対の面に形成された絶縁部とを備え、
    前記絶縁部は、第１の熱硬化性樹脂を含有する第１の樹脂組成物の硬化物で構成され、
    前記樹脂層は、樹脂材料を含有し、前記第１の樹脂組成物と異なる第２の樹脂組成物の硬化物または固化物で構成されることを特徴とする金属箔張基板。
  2. 前記樹脂材料は、前記第１の熱硬化性樹脂と異なる第２の熱硬化性樹脂であり、
    前記樹脂層は、前記第２の熱硬化性樹脂の硬化物で構成されている請求項１に記載の金属箔張基板。
  3. 前記第２の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である請求項２に記載の金属箔張基板。
  4. 前記第２の樹脂組成物は、さらにフィラーを含有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属箔張基板。
  5. 前記フィラーは、主として酸化アルミニウムで構成された粒子を含んでいる請求項４に記載の金属箔張基板。
  6. 前記フィラーは、前記樹脂層の前記絶縁部側に分散している請求項４または５に記載の金属箔張基板。
  7. 前記第１の熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の金属箔張基板。
  8. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の金属箔張基板を用いて形成された回路基板であって、
    前記金属箔をパターニングすることで形成された、前記電子部品を電気的に接続する端子を備える回路を有することを特徴とする回路基板。
  9. 請求項８に記載の回路基板と、前記端子に電気的に接続して、前記回路基板に搭載された前記電子部品とを備えることを特徴とする電子部品搭載基板。
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