JP2016018828A - 発熱体封止物、誘導装置封止物、発熱体封止物の製造方法および誘導装置封止物の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発熱体を載置するハウジングへの液状材料の流し込みの工程を経ることなく、優れた熱伝導性および絶縁性をもって発熱体が封止された発熱体封止物、かかる発熱体封止物を製造することができる発熱体封止物の製造方法、かかる発熱体封止物の封止に適用された誘導装置封止物、および、かかる誘導装置封止物を製造することができる誘導装置封止物の製造方法を提供する。【解決手段】誘導装置（発熱体）封止物１０は、絶縁層５と、絶縁層５に支持された誘導装置（発熱体）１と、絶縁層５および誘導装置１を覆うことで、誘導装置１を封止する封止部６とを有している。また、絶縁層５は、主として樹脂材料およびフィラーを含有する絶縁層形成用樹脂組成物の硬化物または固化物で構成され、封止部６は、第１の熱硬化性樹脂を含有する封止部形成用樹脂組成物の硬化物で構成される。【選択図】図１

Description

本発明は、発熱体封止物、誘導装置封止物、発熱体封止物の製造方法および誘導装置封止物の製造方法に関する。

近年、地球環境保護の観点からハイブリッド自動車が実用化されている。ハイブリッド自動車は、エンジンおよびモータを駆動源として備え、その一方または双方を用いて走行する自動車である。

このようなハイブリッド自動車は、バッテリの直流をインバータで交流に変換し、その交流を走行用のモータに供給している。特に、近年のハイブリッド自動車では、バッテリおよびモータの小型化のために昇圧コンバータ（ＤＣ−ＤＣコンバータ）を備えている。昇圧コンバータは、バッテリの電圧を昇圧してインバータ（モータ）に供給する役割と、ジェネレータ（モータ）からの回生電流をバッテリ電圧に降圧し、バッテリに充電を行う役割を持っている。誘導装置は、電気エネルギーを磁気エネルギーとして蓄えることができ、昇圧コンバータが備える部品の一つとして用いられる（例えば、特許文献１参照。）。

このような誘導装置１は、例えば、図１６に示すように、コア部２と、このコア部２に巻回されたコイル３とを有する構成をなしており、ハウジング７０内に、粘着層５０を介して、その底部に固定されるとともに、封止材６０により封止されている（従来の誘導装置封止物４０）。これにより、誘導装置１のコイル３における励磁により生じた熱が、粘着層５０を介してハウジング７０の底部に伝達されることで誘導装置１から放熱される。

ここで、かかる構成のハウジング７０内での誘導装置１の封止では、封止材６０がウレタン樹脂等で構成され、ウレタン樹脂等を含有する液状材料を、ハウジング７０の底部に粘着層５０を介して誘導装置１を載置した状態で、ハウジング７０内にポッティング（供給）した後、前記液状材料を乾燥させることにより封止材６０が形成される。

しかしながら、ウレタン樹脂等を含有する液状材料のポッティング（流し込み）を用いた封止材６０の形成では、ハウジング７０内に供給された液状材料を乾燥させるためには長時間を要するため、このような液状材料を乾燥させる工程を省略したいという要求があった。

なお、このような問題は、誘導装置１が封止された封止物に限定されず、例えば、半導体チップのような他の発熱体が封止された封止物についても同様に生じている。

特開２００４−２４１４７５号公報

本発明の目的は、発熱体を載置するハウジングへの液状材料の流し込みの工程を経ることなく、優れた熱伝導性および絶縁性をもって発熱体が封止された発熱体封止物、かかる発熱体封止物が誘導装置の封止に適用された誘導装置封止物、かかる発熱体封止物および誘導装置封止物を製造し得る発熱体封止物および誘導装置封止物の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１） 絶縁層と、該絶縁層に支持された発熱体と、前記絶縁層および前記発熱体を覆うことで、前記発熱体を封止する封止部とを有し、
前記絶縁層は、主として樹脂材料およびフィラーを含有する絶縁層形成用樹脂組成物の硬化物または固化物で構成され、
前記封止部は、第１の熱硬化性樹脂を含有する封止部形成用樹脂組成物の硬化物で構成されることを特徴とする発熱体封止物。

（２） 前記樹脂材料は、第２の熱硬化性樹脂である上記（１）に記載の発熱体封止物。

（３） 前記第２の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である上記（２）に記載の発熱体封止物。

（４） 前記フィラーは、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の発熱体封止物。

（５） 前記第１の熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の発熱体封止物。

（６） 前記絶縁層と前記封止部との界面において、前記フィラーは、前記封止部側に分散している上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の発熱体封止物。

（７） 基板の一方の面に、主として樹脂材料およびフィラーを含有する絶縁層形成用樹脂組成物を供給して層状とした後、乾燥させることにより、絶縁層形成用層を形成する第１の工程と、
前記基板と発熱体とが前記絶縁層形成用層を介して互いに接近するように加圧するとともに、前記絶縁層形成用層を加熱することで、前記発熱体を前記絶縁層形成用層に貼り合わせる第２の工程と、
第１の熱硬化性樹脂を含有する封止部形成用樹脂組成物を溶融させた状態で、前記絶縁層形成用層および前記発熱体を覆うように、前記基板の一方の面側に供給した後、溶融状態の前記封止部形成用樹脂組成物を成形することにより、前記絶縁層形成層を硬化または固化させて、前記基板の一方の面に絶縁層を形成するとともに、前記封止部形成用樹脂組成物を硬化させて、前記絶縁層および前記発熱体を覆うことで前記発熱体を封止する封止部を形成する第３の工程と、
前記絶縁層から前記基板を剥離する第４の工程とを有することを特徴とする発熱体封止物の製造方法。

（８） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の発熱体封止物を、前記発熱体である誘導装置の封止に適用したことを特徴とする誘導装置封止物。

（９） 前記誘導装置は、コア部と、該コア部に巻回されたコイルとを有している上記（８）に記載の誘導装置封止物。

（１０） 前記コイルは、前記コア部に線状体を巻回することで設けられ、隣接する前記線状体同士の間には間隙が形成され、
前記間隙において、前記コイルの端面が前記絶縁層に接合する領域に対応する位置では、前記間隙に絶縁層が埋入している上記（９）に記載の誘導装置封止物。

（１１） 前記間隙の前記絶縁層が埋入していない領域おいて、前記間隙には封止部が充填されている上記（１０）に記載の誘導装置封止物。

（１２） 上記（７）に記載の発熱体封止物の製造方法を、前記発熱体である誘導装置を封止する誘導装置封止物の製造に適用したことを特徴とする誘導装置封止物の製造方法。

本発明の発熱体封止物の構成とすることで、液状材料の流し込みの工程を経ることなく、発熱体が封止部で封止された発熱体封止物を得ることができる。

また、本発明の発熱体封止物によれば、優れた熱伝導性および絶縁性を発揮することができる。

さらに、本発明の発熱体封止物を、発熱体として誘導装置が封止された誘導装置封止物に適用すれば、優れた熱伝導性および絶縁性をもって、誘導装置が封止される。

本発明の誘導装置封止物の実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す誘導装置封止物のＡ−Ａ線断面図である。 図１に示す誘導装置封止物の誘導装置と絶縁層との界面付近を部分的に拡大した部分拡大縦断面図である。 図１に示す誘導装置封止物の製造方法を説明するための図である。 図１に示す誘導装置封止物の製造方法を説明するための図である。 図１に示す誘導装置封止物の製造方法を説明するための図である。 実施例に用いた試験片を示す縦断面図である。 実施例１Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例２Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例３Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例４Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例５Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例６Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例７Ａの試験片における絶縁層と封止部との界面付近の電子顕微鏡写真である。 実施例１Ｂの誘導装置封止物の切断面を示す写真である。 従来の誘導装置封止物の実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の発熱体封止物および本発明の誘導装置封止物を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

なお、本発明の発熱体封止物は、導通により発熱する発熱体を封止するものであれば、如何なる発熱体を封止するものであってもよく、例えば、発熱体として、サーミスタのような抵抗、トランス、コイル、スイッチなどのリレー素子、コンデンサー、ダイオードパワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）のようなパワートランジスタ、および、これらを組み合わせたパワーモジュール、誘導装置、レギュレーター（整流器）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）、有機ＥＬ素子のような発光素子、ＬＳＩ、ＣＰＵのような集積回路素子、温度センサ、ならびに、モータ、バッテリーパック等を封止するものに適用することができるが、以下では、発熱体として誘導装置を封止した誘導装置封止物、すなわち、本発明の発熱体封止物を誘導装置封止物（本発明の誘導装置封止物）に適用する場合を一例に説明する。

図１は、本発明の誘導装置封止物の実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す誘導装置封止物のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す誘導装置封止物の誘導装置と絶縁層との界面付近を部分的に拡大した部分拡大縦断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１ないし図３中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、各図では、誘導装置封止物およびその各部を誇張して模式的に図示しており、誘導装置封止物およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。

＜誘導装置封止物＞
図１〜３に示す誘導装置封止物（昇圧コイル封止物）１０は、平板状をなす絶縁層５と、駆動により発熱し、絶縁層５に支持された誘導装置（昇圧コイル）１と、絶縁層５および誘導装置１を覆うことで、誘導装置１を封止する封止部６とを有している。

誘導装置１は、電気エネルギーを磁気エネルギーとして蓄えることができるものであり、昇圧コンバータが備える部品の一つとして用いられ、図１３に示すように、コア部２と、このコア部２に巻回されたコイル３とを有している。

コア部２は、本実施形態では、平面視形状が直線状をなすＩ型コアで構成され、図示しない、絶縁ボビンまたは絶縁紙等を介して、その外周部にコイル３が設けられている。

また、このコア部（Ｉ型コア）２は、磁性粉末を加圧成形してなる圧粉磁心で構成されており、かかる磁性粉末としては、特に限定されないが、例えば、鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−窒素系合金、鉄−ニッケル系合金、鉄−炭素系合金、鉄−ホウ素系合金、鉄−コバルト系合金、鉄−リン系合金、鉄−ニッケル−コバルト系合金および鉄−アルミニウム−シリコン系合金等が挙げられる。

コイル３は、銅線３１の表面を樹脂層３２でコーティングすることで得られる線状体を、コア部２に巻回することで形成されたものであり、樹脂層３２を銅線３１の表面に形成することでコイル３の絶縁性が保持されている。

この樹脂層の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、およびポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、ポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。これにより、銅線３１の絶縁性、すなわちコイル３の絶縁性を確実に確保することができる。また、封止部６および絶縁層５に対する密着性を優れたものとすることができる。

また、樹脂層の厚さは、例えば、好ましくは１０μｍ以上、５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上、３０μｍ以下に設定される。これにより、銅線３１の絶縁性、すなわちコイル３の絶縁性を確実に確保することができる。

また、コイル３は、前述の通り、コア部２に巻回することで形成されるが、その外周側に位置する端面（外周面）３３は、図３に示すように、平坦面で構成されている。これにより、絶縁層５に対する接触面積を大きく確保することができるため、絶縁層５に対する密着性が向上する。また、絶縁層５の膜厚を端面３３が接触する位置において、ほぼ一定に保つことが可能となるため、コイル３の基板４に対する絶縁性が確実に保持される。

絶縁層５は、絶縁性を有し、ハウジング７の底部７１と、誘導装置１との絶縁状態を確保する機能を備えている。

また、絶縁層５は、誘導装置１を支持し、誘導装置１の振動を吸収するとともに、誘導装置１で発生した熱をハウジング７の底部７１に伝達して逃がす放熱板として機能する。

さらに、絶縁層５は、優れた熱伝導性を発揮するように構成されている。これにより、絶縁層５は、誘導装置１側の熱をハウジング７の底部７１に伝達することができる。

このような絶縁層５の熱伝導率は、高いものが好適に用いられ、具体的には、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましく、５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることがより好ましい。これにより、絶縁層５により誘導装置１側の熱を底部７１に効率よく伝達される。そのため、誘導装置１のコイル３における励磁により生じた熱を、絶縁層５を介してハウジング７の底部７１に効率よく伝達することができることから、誘導装置１の放熱効率の向上が図られる。

絶縁層５の平均厚さは、特に限定されないが、４０μｍ〜３００μｍ程度であるのが好ましく、６０μｍ〜２００μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、絶縁層５の絶縁性を確保しつつ、誘導装置１の小型化を図ることができる。さらに、絶縁層５の熱伝導性を向上させることができる。そのため、コイル３における励磁により生じた熱を、絶縁層５を介してハウジング７の底部７１に効率よく伝達することができる。

また、絶縁層５がハウジング７の底部７１に他の部材を介することなく接する構成とすることで、コイル３における励磁により生じた熱を、絶縁層５を介してハウジング７の底部７１により効率よく伝達することができる。

特に、コイル３の端面３３に接合する位置では、絶縁層５の厚さは、３０μｍ〜３００μｍ程度であるのが好ましく、３０μｍ〜１５０μｍ程度であるのがより好ましく、３０μｍ〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

さらに、絶縁層５は、そのガラス転移温度が好ましくは１００℃以上、２００℃以下である。これにより、絶縁層５は、剛性が高まり、絶縁層５の反りを低減できることから、誘導装置１の底部７１に対する位置ずれを抑制することができる。

なお、絶縁層５のガラス転移温度は、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に基づいて、以下のようにして計測できる。

すなわち、動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製ＤＭＡ／９８３）を用いて窒素雰囲気（２００ｍｌ／分）のもと引っ張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、−５０℃から３００℃の温度範囲を昇温速度５℃／分の条件で測定し、tanδのピーク位置よりガラス転移温度Ｔｇを得る。

また、絶縁層５の２５℃の弾性率（貯蔵弾性率）Ｅ'は、１０ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以下であることが好ましい。これにより、絶縁層５の剛性が高まることから、絶縁層５に生じる反りを低減させることができる。その結果、誘導装置１の絶縁層５との接合信頼性が維持できる。

なお、上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置で測定することができ、具体的には、貯蔵弾性率Ｅ'は、絶縁層５に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃で測定した際の、２５℃における貯蔵弾性率の値として測定される。

かかる機能を有する絶縁層５は、樹脂材料を主材料として構成された層内にフィラーが分散された構成をなしている。

樹脂材料は、フィラーを絶縁層５内に保持させるバインダーとしての機能を発揮し、フィラーは、樹脂材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。絶縁層５を、かかる構成を有するものとすることにより、絶縁層５の熱伝導率を高めることができる。また、ハウジング７の底部７１が、たとえ図１に示すような平坦面で構成されることなく凹凸面で構成されたとしても、この凹凸形状に追従性よく底部７１に対して絶縁層５を接合することができるため、かかる点からも、誘導装置１のコイル３における励磁により生じた熱を、絶縁層５を介してハウジング７の底部７１により効率よく伝達することができるようになる。

このような絶縁層５は、本発明では、主として樹脂材料およびフィラーを含有する、絶縁層形成用樹脂組成物を固化または硬化させることにより形成される固化物または硬化物で構成される。すなわち、絶縁層５は、絶縁層形成用樹脂組成物を層状に成形した硬化物または固化物で構成されている。

以下、この絶縁層形成用樹脂組成物について説明する。
絶縁層形成用樹脂組成物は、上記の通り、主として樹脂材料およびフィラーを含んで構成されている。

樹脂材料としては、特に限定されず、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の各種樹脂材料を用いることができる。

熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリアミド（例：ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６−１２、ナイロン６−６６）、熱可塑性ポリイミド、芳香族ポリエステル等の液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。

一方、熱硬化性樹脂（第２の熱硬化性樹脂）としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。

これらのなかでも、絶縁層形成用樹脂組成物に用いる樹脂材料としては、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、さらに、エポキシ樹脂を用いるのがより好ましい。これにより、得られる絶縁層５の耐熱性を優れたものとすることができる。また、絶縁層５を誘導装置１（コイル３）に対して強固に接合することができる。そのため、得られる誘導装置封止物１０の放熱性および耐久性を優れたものとすることができる。

また、エポキシ樹脂は、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂（Ａ）を含むことが好ましい。このようなエポキシ樹脂（Ａ）を使用することで、ガラス転移温度を高くするとともに、絶縁層５の熱伝導性をより向上させることができる。また、誘導装置１（コイル３）に対する密着性を向上させることができる。

また、芳香環あるいは脂肪環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、このエポキシ樹脂（Ａ）としては、ナフタレン型エポキシ樹脂であることが好ましい。これにより、ガラス転移温度をより一層高くでき、絶縁層５におけるボイドの発生を抑制し、熱伝導性をより一層向上でき、かつ絶縁破壊電圧を向上させることができる。

なお、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するものを呼ぶ。

また、エポキシ樹脂中におけるナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂１００質量％に対し、好ましくは２０質量％以上、８０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％、以上６０質量％以下である。

ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、以下の式（５）〜（８）のうちのいずれかのものが挙げられる。

［式中、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１〜７の整数を示す。］

なお、式（６）の化合物としては、以下のいずれか１種以上を使用することが好ましい。

［式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数を示す。］

［式中、ｎは１以上、２０以下の整数であり、ｌは１以上、２以下の整数であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される構造であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。］

［式中、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１または２の整数である。］

式（８）のナフタレン型エポキシ樹脂は、いわゆるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂に分類されるが、この式（８）で表される化合物は、下記式（１０）で表されるものが一例として挙げられる。

［上記式（１０）式において、ｎは１以上、２０以下の整数であり、好ましくは１以上、１０以下の整数であり、より好ましくは１以上、３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される構造であり、好ましくは水素原子である。］

［上記式（１１）式において、ｍは１または２の整数である。］

さらに、上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、具体的には、例えば、下記式（１２）〜（１６）で表されるものが挙げられる。

また、前記樹脂材料の含有量は、絶縁層形成用樹脂組成物全体（溶剤を除く）の、３０体積％以上、７０体積％以下であるのが好ましく、４０体積％以上、６０体積％以下であるのがより好ましい。これにより、得られる絶縁層５の機械的強度および熱伝導性を優れたものとすることができる。また、誘導装置１（コイル３）に対する密着性を向上させることができる。

これに対し、かかる含有量が前記下限値未満であると、樹脂材料の種類によっては、樹脂材料がフィラー同士を結合するバインダーとしての機能を十分に発揮することができず、得られる絶縁層５の機械的強度が低下するおそれがある。また、絶縁層形成用樹脂組成物の構成材料によっては、絶縁層形成用樹脂組成物の粘度が高くなりすぎて、絶縁層形成用樹脂組成物（ワニス）の濾過作業や層状成形（コーティング）が困難となったり、絶縁層形成用樹脂組成物のフローが小さくなりすぎて、絶縁層５にボイドが発生するおそれが生じる。

一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、樹脂材料の種類によっては、絶縁層５の絶縁性を確保しつつ、絶縁層５の熱伝導性を優れたものとするのが困難となるおそれがある。

また、樹脂材料がエポキシ樹脂を含む場合、絶縁層形成用樹脂組成物にはフェノキシ樹脂が含まれていることが好ましい。これにより、絶縁層５の耐屈曲性を向上できるため、フィラーを高充填することによる絶縁層５のハンドリング性の低下を抑制することができる。

また、フェノキシ樹脂を含むと、粘度上昇により、プレス時の流動性が低減し、ボイド等が発生することを抑制することができる。また、絶縁層５と誘導装置１との密着性が向上する。これらの相乗効果により、誘導装置封止物１０の絶縁信頼性および熱伝導性をより一層高めることができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。

これらの中でも、ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格を両方有するフェノキシ樹脂を用いても良い。

フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、とくに限定されないが、４．０×１０^４以上、８．０×１０^４以下が好ましい。

なお、フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。

フェノキシ樹脂の含有量は、例えば、絶縁層形成用樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、好ましくは１質量％以上、１５質量％以下、より好ましくは２質量％以上、１０質量％以下である。

また、かかる絶縁層形成用樹脂組成物には、前述した樹脂材料の種類（例えば、エポキシ樹脂である場合）等によっては、必要に応じて、硬化剤が含まれる。

硬化剤としては、特に限定されず、例えば、ジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のアミド系硬化剤や、ジアミノジフェニルメタン、メタンフェニレンジアミン、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン系硬化剤や、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｐ−キシレン−ノボラック樹脂などのフェノール系硬化剤や、酸無水物類等を挙げることができる。

また、絶縁層形成用樹脂組成物は、さらに硬化触媒（硬化促進剤）を含んでいてもよい。これにより、絶縁層形成用樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。

硬化触媒としては、例えば、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に、絶縁層形成用樹脂組成物の速硬化性および保存性を両立することができる。

イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、絶縁層形成用樹脂組成物の保存性を特に向上させることができる。

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、樹脂材料１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。かかる含有量が前記下限値未満であると、絶縁層形成用樹脂組成物の硬化性が不十分となる場合があり、一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、絶縁層形成用樹脂組成物の保存性が低下する傾向を示す。

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１μｍ〜５μｍであることがより好ましい。かかる平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。

また、絶縁層形成用樹脂組成物は、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、フィラー、誘導装置１（コイル３）に対する樹脂材料の密着性をより向上させることができる。

かかるカップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、絶縁層形成用樹脂組成物の耐熱性および熱伝導性をより向上させることができる。

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂材料１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。かかる含有量が前記下限値未満であると、前述したような密着性を高める効果が不十分となる場合があり、一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、絶縁層５を形成する際にアウトガスやボイドの原因になる場合がある。

また、絶縁層形成用樹脂組成物中のフィラーは、無機材料で構成される。これにより、フィラーは、樹脂材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を発揮する。したがって、このフィラーが絶縁層形成用樹脂組成物中に分散していることにより、絶縁層５の熱伝導率を高めることができる。

このようなフィラーは、無機材料で構成されるものの中でも、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）および窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種で構成される粒状体であるのが好ましく、特に、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体であるのが好ましい。これにより、熱伝導性（放熱性）および絶縁性に優れたフィラーとすることができる。また、酸化アルミニウムは、汎用性に優れ、安価に入手できる点から、特に好ましく用いられる。

したがって、以下では、フィラーが、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体である場合を一例に説明する。

フィラーの含有量は、絶縁層形成用樹脂組成物全体（溶剤を除く）の、３０体積％以上、７０体積％以下であるのが好ましく、４０体積％以上、６０体積％以下であるのがより好ましい。かかる範囲のように絶縁層形成用樹脂組成物におけるフィラーの含有率を高くすることにより、絶縁層５の熱伝導性を優れたものとすることができる。

これに対し、かかる含有量が前記下限値未満であると、絶縁層５の絶縁性を確保しつつ、絶縁層５の熱伝導性を優れたものとするのが難しい。一方、かかる含有量が前記上限値を超えると、絶縁層形成用樹脂組成物の構成材料によっては、絶縁層形成用樹脂組成物の粘度が高くなりすぎて、ワニスの濾過作業や層状への成形（コーティング）が困難となったり、絶縁層形成用樹脂組成物のフローが小さくなりすぎて、得られる絶縁層５にボイドが発生してしまったりする場合がある。

なお、絶縁層形成用樹脂組成物におけるフィラーの含有率を、上記の範囲のように高く設定したとしても、絶縁層形成用樹脂組成物として、温度２５℃、せん断速度１．０ｒｐｍの条件での粘度をＡ［Ｐａ・ｓ］とし、温度２５℃、せん断速度１０．０ｒｐｍの条件での粘度をＢ［Ｐａ・ｓ］としたとき、Ａ／Ｂ（チキソ比）が１．２以上、３．０以下なる関係を満足するものを用いることにより、誘導装置封止物１０の製造時に、絶縁層形成用樹脂組成物（ワニス）の粘度およびフロー性を適度なものとすることができる。

また、このフィラーの含水量は、０．１０質量％以上、０．３０質量％以下であるのが好ましく、０．１０質量％以上、０．２５質量％以下であるのがより好ましく、０．１２質量％以上、０．２０質量％以下であるのがさらに好ましい。これにより、フィラーの含有量を多くしても、より適度な粘度およびフロー性を有するものとなる。そのため、得られる絶縁層５中にボイドが発生するのを防止しつつ、熱伝導性に優れた絶縁層５を形成することができる。すなわち、優れた熱伝導性および絶縁性を有する絶縁層５を形成することができる。

また、酸化アルミニウムは、通常、水酸化アルミニウムを焼成することにより得られる。得られる酸化アルミニウムの粒状体は、複数の一次粒子で構成されるが、その一次粒子の平均粒径は、その焼成の条件に応じて設定することができる。

また、その焼成後に何ら処理されていない酸化アルミニウムは、一次粒子同士が固着により凝集した凝集体（二次粒子）で構成されている。

そのため、その一次粒子同士の凝集を粉砕により必要に応じて解くことにより、最終的なフィラーが得られる。最終的なフィラーの平均粒径は、その粉砕の条件（例えば時間）に応じて設定することができる。

その粉砕の際、酸化アルミニウムは極めて高い硬度を有するため、一次粒子同士の固着が解かれていくだけで、一次粒子自体は殆ど破壊されず、一次粒子の平均粒径は粉砕後においてもほぼ維持されることとなる。

したがって、粉砕時間が長くなるに従い、フィラーの平均粒径は、一次粒子の平均粒径に近づくことになる。そして、粉砕時間が所定時間以上となると、フィラーの平均粒径は、一次粒子の平均粒径に等しくなる。すなわち、フィラーは、粉砕時間を短くすると主として二次粒子で構成され、粉砕時間を長くするにしたがって一次粒子の含有量が多くなり、最終的に所定時間以上とすると、主として一次粒子で構成されることとなる。

また、例えば、前述したように水酸化アルミニウムを焼成することにより得られた酸化アルミニウムの一次粒子は、球形ではなく、鱗片状のような平坦面を有する形状をなしている。そのため、フィラー同士の接触面積を大きくすることができる。その結果、得られる絶縁層５の熱伝導性を高めることができる。

さらに、フィラーは、平均粒子径が異なる３成分（大粒径、中粒径、小粒径）の混合系であり、さらに、大粒径成分が球状であり、中粒径成分および小粒径成分が多面体状であることが好ましい。

より具体的には、フィラーは、平均粒子径が５．０μｍ以上、５０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以上、２５μｍ以下の第１粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．８０以上、１．０以下、好ましくは０．８５以上、０．９５以下である大粒径アルミナと、平均粒子径が１．０μｍ以上、５．０μｍ未満の第２粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上、０．９０以下、好ましくは０．７０以上、０．８０以下である中粒径酸化アルミニウムと、平均粒子径が０．１μｍ以上、１．０μｍ未満の第３粒径範囲に属し、かつ、円形度が０．５０以上、０．９０以下、好ましくは０．７０以上、０．８０以下ある小粒径酸化アルミニウムと、の混合物であることが好ましい。

なお、フィラーの粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、水中に酸化アルミニウムを１分間超音波処理することにより分散させ、測定することができる。

これにより、大粒径成分の隙間に中粒径成分が充填され、さらに中粒径成分の隙間に小粒径成分が充填されるため、酸化アルミニウムの充填性が高められ、酸化アルミニウム粒子同士の接触面積をより大きくすることができる。その結果、絶縁層５の熱伝導性をより一層向上できる。さらに、絶縁層５の耐熱性、耐屈曲性、絶縁性をより一層向上できる。

また、このようなフィラーを用いることにより、絶縁層５と誘導装置１との密着性をより一層向上できる。

これらの相乗効果により、誘導装置封止物１０の絶縁信頼性および放熱信頼性をより一層高めることができる。

なお、絶縁層形成用樹脂組成物は、上述した成分に加え、レベリング剤、消泡剤等の添加剤が含まれていてもよい。

また、絶縁層形成用樹脂組成物は、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤を含む。これにより、絶縁層形成用樹脂組成物は、樹脂材料等が溶剤に溶解することにより、ワニスの状態となる。

なお、このようなワニス状をなす絶縁層形成用樹脂組成物は、例えば、必要に応じて樹脂材料と溶剤とを混合してワニス状にした後、さらに、フィラーを混合することで得ることができる。

また、混合に用いる混合機としては、特に限定されないが、例えば、ディスパーザー、複合羽根型撹拌機、ビーズミルおよびホモジナイザー等が挙げられる。

封止部６は、絶縁層５上に配置された誘導装置１を、絶縁層５とともに覆うことで封止（モールド）する。

これにより、誘導装置１は、絶縁層５と封止部６とで取り囲まれるようにして封止され、誘導装置封止物１０における誘導装置１の封止性が確保される。

また、このように封止部６と絶縁層５とにより誘導装置１を取り囲むようにして誘導装置１を封止する構成とすることにより、絶縁層５と封止部６との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。これにより、誘導装置１のコイル３における励磁時には、誘導装置１自体が発熱し絶縁層５および封止部６が加熱されることとなるが、絶縁層５と封止部６との間で反りが生じ、これに起因して、これら同士の間で剥離が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。

この封止部６は、本発明では、熱硬化性樹脂（第１の熱硬化性樹脂）を含有する封止部形成用樹脂組成物の硬化物で構成される。

以下、この封止部形成用組成物について説明する。
熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂のようなトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド（ＢＭＩ）樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、フェノール樹脂は、流動性が良好であるため、封止部形成用樹脂組成物の流動性を向上させることができることから、封止部６の形成時において、誘導装置１の形状（特に、コイル３の形状）に依存することなく、誘導装置１を封止することができることから、好ましく用いられる。また、誘導装置１に対する密着性を向上させることができる。

また、フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂のようなノボラック型フェノール樹脂、ジメチレンエーテル型レゾール樹脂、メチロール型レゾール樹脂等の未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂のようなレゾール型フェノール樹脂等が挙げられる。

また、ノボラック型フェノール樹脂を用いる場合、封止部形成用樹脂組成物には硬化剤が含まれるが、通常、この硬化剤としては、ヘキサメチレンテトラミンが使用される。さらに、ヘキサメチレンテトラミンを用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、ノボラック型フェノール樹脂１００重量部に対して、１０重量部以上、３０重量部以下含有することが好ましく、さらに１５重量部以上、２０重量部以下含有することが好ましい。ヘキサメチレンテトラミンの含有量を上記範囲とすることで、封止部形成用樹脂組成物の硬化物すなわち封止部６の機械的強度および成形収縮量を良好なものとすることができる。

このようなフェノール樹脂の中でも、レゾール型フェノール樹脂を用いるのが好ましい。ノボラック型フェノール樹脂を主成分として用いた場合、上記の通り、硬化剤として通常ヘキサメチレンテトラミンが使用され、ノボラック型フェノール樹脂の硬化時にアンモニアガス等の腐食性ガスが発生する。そのため、これに起因して、誘導装置１が備えるコア部２およびコイル３が腐食するおそれがあることから、ノボラック型フェノール樹脂に比較して、レゾール型フェノール樹脂が好ましく用いられる。

また、レゾール型フェノール樹脂とノボラック型フェノール樹脂とを併用するようにすることもできる。これにより、封止部６の強度を高めることができるとともに、靭性をも高めることができる。

また、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型のようなノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型、臭素化フェノールノボラック型のような臭素化型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、比較的分子量の低いビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、封止部６の形成時における作業性や成形性をさらに良好なものにすることができる。また、封止部６の耐熱性の面からフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂が好ましく、特に、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂が好ましい。

トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂を用いる場合、その数平均分子量は、特に限定されないが、５００〜２０００であることが好ましく、７００〜１４００であることがさらに好ましい。

また、エポキシ樹脂を用いる場合、封止部形成用樹脂組成物中には、硬化剤が含まれることが好ましい。硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ジシアミンジアミドのようなアミン化合物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物などの酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂のようなポリフェノール化合物や、イミダゾール化合物等が挙げられる。中でも、ノボラック型フェノール樹脂が好ましい。これにより、封止部形成用樹脂組成物の取り扱い、作業性が向上するとともに、封止部形成用樹脂組成物を環境面に優れたものとすることができる。

特に、エポキシ樹脂としてフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として、ノボラック型フェノール樹脂を用いることが好ましい。これにより、封止部形成用樹脂組成物から得られる硬化物の耐熱性を向上させることができる。なお、硬化剤の添加量は特に限定されないが、エポキシ樹脂に対する理論当量比１．０からの許容幅を±１０重量％以内にして配合することが好ましい。

また、封止部形成用樹脂組成物は、上記硬化剤とともに必要に応じて硬化促進剤を含有するものであってもよい。硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール化合物、三級アミン化合物、有機リン化合物等が挙げられる。硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部であることが好ましく、３〜８重量部であることがより好ましい。

また、封止部形成用樹脂組成物は、充填材として機能する繊維強化材を含むことが好ましい。これにより、封止部６自体の機械的強度と剛性を優れたものとすることができる。

繊維強化材としては、特に限定されないが、例えば、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維（芳香族ポリアミド）、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）繊維、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）繊維、ポリエチレン（ＰＥ）繊維、ポリイミド繊維のようなプラスチック繊維、バサルト繊維のような無機繊維およびステンレス繊維のような金属繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

さらに、これらの繊維強化材には、熱硬化性樹脂との接着性を向上させることを目的に、シランカップリング剤による表面処理が施されていてもよい。シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、アミノシランカップリング剤、エポキシシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの繊維強化材のうち、カーボン繊維またはアラミド繊維を用いることが好ましい。これにより、封止部６の機械強度をさらに向上させることができる。特に、カーボン繊維を用いることにより、高負荷における耐摩耗性をさらに向上させることができる。なお、封止部６のさらなる軽量化を図るという観点からは、アラミド繊維等のプラスチック繊維であることが好ましい。さらに、封止部６の機械強度を向上させる観点からは、繊維強化材として、ガラス繊維やカーボン繊維等の繊維基材を用いることが好ましい。

硬化物中における繊維強化材の含有量は、硬化物全量に対して、例えば、１０体積％以上であり、好ましくは２０体積％以上であり、さらに好ましくは２５体積％以上である。また、硬化物全量に対する繊維強化材の含有量の上限値は、特に限定されないが、好ましくは８０体積％以下とされる。これにより、封止部６の機械強さを確実に向上させることができる。

さらに、封止部形成用樹脂組成物は、充填材として、繊維強化材以外のものを含んでいてもよく、かかる充填材としては、無機充填材および有機充填材のいずれであってもよい。

無機充填材としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、シリカ、炭酸カルシウム、炭化ホウ素、クレー、マイカ、タルク、ワラストナイト、ガラスビーズ、ミルドカーボン、グラファイト等から選択される１種以上が用いられる。なお、無機充填材としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、シリカのような金属酸化物が含まれていることが好ましい。これにより、金属酸化物が備える酸化皮膜が不動態化膜としての機能を発揮し、硬化物全体としての耐酸性を向上させることができる。

また、有機充填材としては、ポリビニールブチラール、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、パルプ、木粉等から選択される１種以上が用いられる。なお、アクリロニトリルブタジエンゴムとしては、部分架橋またはカルボキシ変性タイプの何れであっても良い。これらのうち、硬化物の靭性を向上させる効果がさらに高まるという観点からは、アクリロニトリルブタジエンゴムが好ましい。

なお、封止部形成用樹脂組成物には、以上に説明した成分の他にも、離型剤、硬化助剤、顔料等の添加剤が添加されていてもよい。

また、上述したような構成の誘導装置１において、コイル３は、銅線３１と樹脂層３２とからなる線状体を、コア部２に巻回することで設けられたものであるが、図３に示すように、隣接する線状体同士の間には間隙３５が形成される。

このような間隙３５において、コイル３の端面３３が絶縁層５に接合する領域に対応する位置では、間隙３５に絶縁層５が埋入（充填）されている。これにより、絶縁層５とコイル３との接触面積が大きくなることから、絶縁層５と誘導装置１との密着性、誘導装置１から絶縁層５への熱伝達性を向上させることができる。また、この場合、端面３３が絶縁層５に対向する位置では、絶縁層５の厚さは、その平均厚さと比較して薄くなるが、１０μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、コイル３とハウジング７の底部７１との間における絶縁性を確実に確保することができる。

また、端面３３が絶縁層５に接合する領域に対応する位置を除く領域、すなわち、間隙３５の絶縁層５が埋入していない領域では、間隙３５には封止部６が充填されている。これにより、封止部６とコイル３との接触面積が大きくなることから、誘導装置１の封止部６による封止を、より優れた密着性をもって行うことができる。また、コイル３における励磁により生じる振動を低減させることができるため、コイル３の励磁時における騒音を軽減させることができるとともに、誘導装置封止物１０の耐久性を向上させることができる。

さらに、絶縁層５と封止部６とが互いに接触して界面が形成されるまで、間隙３５に空隙が形成されることなく封止部６が充填されている。そして、この絶縁層５と封止部６との界面では、絶縁層５に含まれるフィラーが、封止部６側に分散していることが好ましい。これにより、絶縁層５と封止部６との界面において、絶縁層５と封止部６とが混在した状態が形成されていると言え、絶縁層５と封止部６との密着性の向上が図られる。そのため、誘導装置封止物１０の耐久性を優れたものとすることができる。また、絶縁層５と封止部６との間の熱伝導性が向上することから、コイル３における励磁により生じた熱のハウジング７の底部７１への伝達を、絶縁層５を介してより効率よく行うことができる。

かかる構成の誘導装置封止物１０が、本実施形態では、放熱性を備える台座として機能する底部７１と、底部７１の縁部で立設する枠体７２とを備えるハウジング７内に、それぞれが備えるコア部２が平行となるように並んで２つ配置されている（図２参照。）。このように誘導装置封止物１０において、誘導装置１が絶縁層５および封止部６で取り囲まれることで封止された構成をなしているため、単に、ハウジング７内に配置するだけで誘導装置１の封止性が確保される。すなわち、ハウジング７に対するウレタン樹脂等を含有する液状材料のポッティングを経ることなく、誘導装置１の封止性を確保することができる。さらに、底部７１に接する絶縁層５が優れた放熱性を有しているため、誘導装置１で発生した熱を、絶縁層５を介して、底部７１に伝達することができる。

また、底部７１と枠体７２とは、ともに、優れた放熱性を発揮し得るように、絶縁性のアルミニウムやその合金等で構成される。

なお、本実施形態では、コイル３の端面３３が平坦面で構成される場合について説明したが、端面３３が絶縁層５に対向する位置において、端面３３が基板４に接触しなければ、端面３３は、円状や長円状をなす湾曲面等で構成されていてもよい。

以上のような誘導装置封止物１０は、前述した液状材料の流し込み工程を経ることなく製造することができるが、以下、その誘導装置封止物１０の製造方法について説明する。

＜誘導装置封止物の製造方法＞
図４〜６は、図１に示す誘導装置封止物を製造する製造方法を説明するための図である。なお、以下では、説明の便宜上、図４〜６中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。また、誘導装置封止物およびその各部を誇張して模式的に図示しており、誘導装置封止物およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。

本実施形態の誘導装置封止物の製造方法は、基板４の一方の面に、絶縁層形成用層５Ａを形成する第１の工程［１］と、誘導装置１を基板４上の絶縁層形成用層５Ａに貼り合わせる第２の工程［２］と、絶縁層形成用層５Ａから絶縁層５を形成するとともに、絶縁層５および誘導装置１を覆うことで誘導装置１を封止する封止部６を形成する第３の工程［３］と、絶縁層５から基板４を剥離する第４の工程［４］とを有する。

以下、これらの工程について、順次説明する。
［１］
まず、基板４を用意し、その後、図４（ａ）に示すように、基板４上（基板４の一方の面）に絶縁層形成用層５Ａを形成する。

基板４としては、絶縁層５を支持し得るものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、金属材料で構成される金属板が好ましく用いられる。金属材料で構成される金属板は、絶縁層５に対する親和性が低いものであると言えることから、次工程［４］において、基板４に接触して設けられた絶縁層５から、基板４を容易に剥離することができる。

また、金属材料としては、特に限定されないが、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、ステンレス材料等が挙げられる。これらの金属で基板４を構成することにより、基板４の熱伝導性をより優れたものとすることができる。

さらに、基板４は、絶縁層形成用層５Ａが形成される上面（一方の面）が無粗化面であることが好ましく、上面に平滑化処理が施されていることがより好ましく、具体的には、上面の表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１ に規定）が０．８μｍ以下に設定されていることが好ましく、０．４μｍ以下に設定されていることがより好ましい。これにより、基板４の絶縁層５に対する親和性がより低くなることから、次工程［４］において、絶縁層５から、基板４をより容易に剥離することができる。

また、基板４の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１００μｍ程度であるのが好ましく、３０μｍ〜６０μｍ程度であるのがより好ましい。基板４の厚さをこのような数値範囲に設定することにより、基板４に必要な機械的強度を確保することができるため、基板４上に、誘導装置封止物１０を形成することができる。

絶縁層形成用層５Ａは、前述したワニス状をなす絶縁層形成用樹脂組成物を基板４上に供給して層状とした後、乾燥させることにより得られたものである。そして、この絶縁層形成用層５Ａは、後述する工程［２］および工程［３］を経ることで、硬化または固化することにより絶縁層５となるものである。

絶縁層形成用樹脂組成物の基板４への供給は、例えば、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いて行うことができる。

この絶縁層形成用樹脂組成物は以下のような粘度挙動を有することが好ましい。
すなわち、動的粘弾性測定装置を用いて、この絶縁層形成用樹脂組成物を６０℃から昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで溶融状態まで昇温したときに、初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ、最低溶融粘度が１×１０^３Ｐａ・ｓ以上、１×１０^５Ｐａ・ｓ以下の範囲内であることが好ましい。

最低溶融粘度が上記下限値以上であると、樹脂材料とフィラーとが分離し、樹脂材料のみが流動してしまうことを抑制でき、工程［２］および工程［３］を経ることにより、より均質な絶縁層５を得ることができる。

また、最低溶融粘度が上記上限値以下であると、絶縁層形成用樹脂組成物の基板４への濡れ性を向上でき、基板４上により均一な膜厚の絶縁層形成用層５Ａ（絶縁層５）を形成することができる。また、コイル３が備える樹脂層３２に対して優れた流動性を示すことから、工程［２］において、コイル３の間隙３５内に絶縁層形成用層５Ａを確実に埋入させることができる。

これらの相乗効果により、誘導装置封止物１０の放熱性および絶縁破壊電圧をより一層向上できる。さらに、誘導装置封止物１０のヒートサイクル特性をより一層向上させることができる。

また、絶縁層形成用樹脂組成物は、最低溶融粘度に到達する温度が６０℃以上、１００℃以下の範囲内であることが好ましく、７５℃以上、９０℃以下の範囲内であることがより好ましい。

さらに、絶縁層形成用樹脂組成物は、フロー率が１５％以上、６０％未満であることが好ましく、２５％以上、５０％未満であることがより好ましい。

なお、このフロー率は、以下の手順で測定することができる。すなわち、まず、本実施形態の絶縁層形成用樹脂組成物により形成された樹脂層を有する金属箔を所定のサイズ（５０ｍｍ×５０ｍｍ）に裁断後５〜７枚積層し、その重量を測定する。次に、内部温度を１７５℃に保持した熱盤間で５分間プレスした後冷却し、流れ出た樹脂を丁寧に落として再び重量を測定する。フロー率は次式（Ｉ）により求めることができる。
フロー率（％）＝（測定前重量−測定後重量）/（測定前重量−金属箔重量） （Ｉ）

このような粘度挙動を有すると、絶縁層形成用樹脂組成物を加熱硬化して絶縁層５を形成する際に、絶縁層形成用樹脂組成物中に空気が侵入するのを抑制できるとともに、絶縁層形成用樹脂組成物中に溶けている気体を十分に外部に排出できる。その結果、絶縁層５に気泡が生じてしまうことを抑制でき、絶縁層５からハウジング７の底部７１へ確実に熱を伝えることができる。また、気泡の発生が抑制されることにより、誘導装置封止物１０の絶縁信頼性を高めることができる。

これらの相乗効果により、誘導装置封止物１０の放熱性をより一層向上でき、その結果、誘導装置封止物１０のヒートサイクル特性をより一層向上させることができる。

このような粘度挙動を有する絶縁層形成用樹脂組成物は、例えば、前述した樹脂材料の種類や量、フィラーの種類や量、また、樹脂材料にフェノキシ樹脂が含まれる場合には、その種類や量を適宜調整することにより得ることができる。特に、エポキシ樹脂として、ナフタレン型エポキシ樹脂等の流動性の良いものを用いることにより、上記のような粘度特性が得られ易くなる。

［２］
次に、誘導装置１を用意し、その後、図４（ｂ）に示すように、基板４と誘導装置１とが、絶縁層形成用層５Ａを介して互いに接近するように加圧するとともに加熱する。

これにより、絶縁層形成用層５Ａに誘導装置１が貼り合わされる（図４（ｃ）参照。）。

この際、絶縁層形成用層５Ａは、絶縁層形成用層５Ａが熱硬化性を示す場合には、好ましくは未硬化または半硬化する条件、より好ましくは半硬化する条件で加熱および加圧される。また、絶縁層形成用層５Ａが熱可塑性を示す場合には、加熱および加熱により溶融した後、冷却により固化する条件で、加熱および加圧される。

この加熱および加圧の条件は、例えば、絶縁層形成用層５Ａに含まれる絶縁層形成用樹脂組成物の種類によっても若干異なるが、以下のように設定される。

すなわち、加熱温度は、好ましくは８０〜２００℃程度、より好ましくは１７０〜１９０℃程度に設定される。

また、加圧する圧力は、好ましくは０．１〜３ＭＰａ程度、より好ましくは０．５〜２ＭＰａ程度に設定される。

さらに、加熱および加圧する時間は、１０〜９０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。

これにより、コイル３の端面３３が絶縁層形成用層５Ａに接合するとともに、コイル３の端面３３が絶縁層形成用層５Ａに接合する領域に対応する位置の間隙３５において、絶縁層形成用層５Ａが充填され、その結果、絶縁層形成用層５Ａに誘導装置１が貼り合わされる。

なお、絶縁層形成用層５Ａが熱硬化性を示す場合、絶縁層形成用層５Ａを未硬化または半硬化とするかの選択は、例えば、本工程［２］における、絶縁層形成用層５Ａに対する誘導装置１の貼り合わせを優先する際には、絶縁層形成用層５Ａを半硬化の状態とし、次工程［３］における、絶縁層５と封止部６との界面における密着性を向上させることを優先する際には、絶縁層形成用層５Ａを未硬化の状態とするようにすれば良い。

［３］
次に、基板４上の絶縁層形成用層５Ａと誘導装置１とを覆うように封止部６を形成する。

さらに、この際、絶縁層形成用層５Ａが熱硬化性を示す場合には、絶縁層形成用層５Ａが硬化することにより絶縁層５が形成され、また、絶縁層形成用層５Ａが熱可塑性を示す場合には、溶融後、再度、固化することにより絶縁層５が形成される。

封止部６を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、封止部形成用樹脂組成物を溶融させた状態で、絶縁層形成用層５Ａおよび誘導装置１を覆うように基板４の上面側に供給した後、この溶融状態の封止部形成用樹脂組成物を成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、誘導装置１を基板４の上側において容易かつ高密度に封止部６で封止することができる。

以下、かかる方法により、成形金型１００を用いて封止部６を形成する場合について詳述する。

なお、封止部形成用樹脂組成物としては、顆粒状（ペレット状）シート状、短冊状、または、タブレット状をなすものの何れであっても良いが以下では、タブレット状をなすものを用いる場合を一例に説明する。

［３−１］まず、図６に示す成形金型１００が備える上型１１０と下型１２０とを重ね合わせることにより形成されるキャビティ（収納空間）１２１に、基板４上に絶縁層形成用層５Ａを介して接合された誘導装置１を、誘導装置１が上側になるようにして、収納した後、上型１１０と下型１２０との型締めを行う。

そして、タブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物１３０を、上型１１０が備えるポット１１１内に収納する。

［３−２］次に、成形金型１００を加熱してポット１１１内の封止部形成用樹脂組成物１３０を加熱溶融しつつ、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することで、封止部形成用樹脂組成物１３０に加圧する。

これにより、溶融状態とされた封止部形成用樹脂組成物１３０が供給路１１３を介して、キャビティ１２１内に移送される。

［３−３］次に、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することにより、キャビティ１２１内に収納された基板４を加熱および加圧された状態で、溶融した封止部形成用樹脂組成物１３０が絶縁層形成用層５Ａと誘導装置１とを覆うようにキャビティ１２１内に充填される。

そして、溶融した封止部形成用樹脂組成物１３０を硬化させることにより封止部６を形成することで、誘導装置１が封止される。

また、この加熱および加圧により、絶縁層形成用層５Ａが熱硬化性を示す場合には、このものが硬化することにより絶縁層５が形成され、絶縁層形成用層５Ａが熱可塑性を示す場合には、このものが溶融した後、冷却して再度固化することにより絶縁層５が形成される。

かかる工程における加熱および加圧の条件は、特に限定されないが、例えば、以下のように設定される。

すなわち、加熱温度は、好ましくは８０〜２００℃程度、より好ましくは１７０〜１９０℃程度に設定される。

また、加圧する圧力は、好ましくは２〜１０ＭＰａ程度、より好ましくは３〜７ＭＰａ程度に設定される。

さらに、加熱および加圧する時間は、１〜６０分程度であるのが好ましく、３〜１５分程度であるのがより好ましい。

かかる条件に設定することにより、絶縁層５と封止部６との界面において、絶縁層５に含まれるフィラーが封止部６側に分散して絶縁層５と封止部６とが混在した状態で、絶縁層５と封止部６とが形成されるため、絶縁層５と封止部６との密着性を向上させることができる。また、次工程［４］において、基板４を絶縁層５から容易に剥離させることができる。

また、封止部形成用樹脂組成物１３０の溶融粘度は、１７５℃において、１０〜３０００Ｐａ・ｓ程度であるのが好ましく、３０〜２０００Ｐａ・ｓ程度であるのがより好ましい。これにより、絶縁層５と封止部６とで取り囲むようにして誘導装置１をより確実に封止することができる。さらに、コイル３が備える樹脂層３２に対して優れた流動性を示すことから、コイル３の間隙３５内にも封止部６をより確実に充填することができる。

なお、１７５℃における溶融粘度は、例えば、島津製作所製の熱流動評価装置（フローテスタ）により測定することができる。

また、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することにより生じる圧力により、基板４は、下型１２０が備えるキャビティ１２１の底面に押し付けられるのが好ましい。これにより、溶融した封止部形成用樹脂組成物１３０の基板４の下面に対する回り込みが防止される。その結果、基板４の下面における封止部６の形成が的確に抑制または防止される。よって、基板４の下面おいて封止部６が形成されることに起因する基板４の熱伝導性の低下を的確に抑制または防止することができる。

［４］
次に、図５（ａ）に示すように、基板４を絶縁層５から剥離する。

これにより、絶縁層５と誘導装置１と封止部６とを有する誘導装置封止物１０が製造される（図５（b）参照。）。

基板４の絶縁層５に対する密着力は、特に限定されないが、１００Ｎ／ｍ以上、１０００Ｎ／ｍ以下に設定されていることが好ましく、５０Ｎ／ｍ以上、５００Ｎ／ｍ以下に設定されていることがより好ましい。密着力が前記範囲内であることにより、基板４を絶縁層５から容易に剥離することができる。

なお、上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、基板４上に絶縁層５を形成することにより得られたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、このサンプルにおいて基板４の部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、基板４の絶縁層５に対する密着力は、１８０°ピール強度として求められる。

また、基板４を絶縁層５から剥離する際の温度は、０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、２０℃以上、絶縁層５のガラス転移温度以下であることがより好ましい。基板４を絶縁層５から剥離する際の温度をかかる範囲内に設定することにより、基板４の絶縁層５に対する密着力を前記範囲内に設定できるため、基板４を絶縁層５から確実に剥離することができるようになる。

以上のような工程を経て、誘導装置封止物１０が製造される。
なお、本実施形態では、工程［２］と、工程［３］との別工程で行うこととしたが、これに限定されず、例えば、ポット１１１内への封止部形成用樹脂組成物１３０の装填を省略して状態で、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入することで、誘導装置１の基板４に対する押圧を実施することが可能であれば、工程［２］と工程［３］とを、キャビティ１２１内で一括して実施するようにしてもよい。

かかる構成の誘導装置封止物１０は、ハウジング７内に配置された状態で、例えば、ハイブリット自動車や、電気自動車等に、これらが備える昇圧コンバータの一部品として搭載される。

以上、本発明の発熱体封止物および本発明の誘導装置封止物を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の発熱体封止物および本発明の誘導装置封止物を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。

また、本発明の発熱体封止物は、前述の通り、前記実施形態のものに限定されるもの、すなわち、発熱体として誘導装置を封止した本発明の誘導装置封止物に限定されるものではなく、各種発熱体を封止した発熱体封止物に適用することができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、本発明はこれに限定されるものではない。

１． 試験片の製造
以下のようにして試験片を製造した。

（実施例１Ａ）
１．１ 絶縁層形成用樹脂組成物（ワニス）の調製
［１］まず、ビスフェノールＦ／ビスフェノールＡフェノキシ樹脂（三菱化学製、４２７５、重量平均分子量６．０×１０^４、ビスフェノールＦ骨格とビスフェノールＡ骨格の比率＝７５：２５）４０．０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、８５０Ｓ、エポキシ当量１９０）５５．０質量部、２−フェニルイミダゾール（四国化成製２ＰＺ）３．０質量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン製ＫＢＭ−４０３）２．０質量部を秤量し、これらをシクロヘキサノン４００質量部に溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌することで、樹脂材料を含むワニスを得た。

［２］次に、アルミナ（日本軽金属製、平均粒径Ａ３．２μｍ、一次粒径Ｂ３．６μｍ、平均粒径Ａ／一次粒径Ｂ＝０．９の市販品（Ｌｏｔ Ｎｏ．Ｚ４０１））８００ｇを秤量し、純水１３００ｍＬが収納されたプラスチック製容器内に投入した後、直径５０ｍｍの羽根を備えるディスパーザー（特殊機化工業社製、「Ｒ９４０７７」）を用いて、回転数５０００ｒｐｍ×攪拌時間１５分間の条件で撹拌することにより、アルミナを水洗した。

その後、１５分間静置し、スポイトで採取した上澄液５０ｍＬのろ過液のｐＨを測定し、そのｐＨ値が７．０となるまで、上澄液をデカンテーションで除去した後に、前記水洗を複数回行なった。

［３］次に、水洗が施されたアルミナを、２０分間放置した後に、上澄液をデカンテーションで除去し、その後、アセトン１０００ｍＬを投入して、前記ディスパーザーを用いて、回転数８００ｒｐｍ×攪拌時間５分間の条件で撹拌した。
そして、１２時間放置した後に、上澄液を除去した。

［４］次に、上澄液が除去された後のアルミナをステンレスバットに広げ、これを、全排気型箱型乾燥機（タバイ社製、「ＰＨＨ−２００」）を乾燥温度４０℃×乾燥時間１時間の条件で乾燥することで洗浄アルミナ（フィラー）を得た。

その後、この洗浄アルミナを、２００℃×２４時間の条件で乾燥させた後、８５℃×８５％ＲＨの条件で放置することで、洗浄アルミナの含水率を０．１８質量％とした。

なお、このアルミナの含水量は、示差熱天秤装置（ＴＧ−ＤＴＡ）を用いて測定した２５℃と５００℃における質量の差により計算した。

［５］次に、前記工程［１］で予め用意した樹脂材料を含むワニスに、洗浄アルミナ（５０５．０質量部）を、ディスパーザー（特殊機化工業社製、「Ｒ９４０７７」）を用いて、回転数１０００ｒｐｍ×攪拌時間１２０分間の条件で混合することにより、アルミナの樹脂固形分比８３．５重量％（６０．０体積％）の絶縁層形成用樹脂組成物を得た。

１．２ 基板上への絶縁層形成用層の成膜
幅２６０ｍｍ、厚さ３５μｍのロール状銅箔（ジャパンエナジー製「ＨＬＰＬＣ」）を用意し、この銅箔の無粗化面（表面粗さＲｍａｘ＝０．４μｍ以下）に、上記１．１で得られた絶縁層形成用樹脂組成物をコンマコーターにて塗布し、１００℃で３分、１５０℃で３分加熱乾燥することで、基板上に厚さ１００μｍの絶縁層形成用層を形成した。

なお、かかる条件で絶縁層形成用樹脂組成物を乾燥させることにより、絶縁層形成用層は、半硬化の状態となっている。これを縦６５ｍｍ×横１００ｍｍにカットして基板とした。

１．３ タブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物の調製
ジメチレンエーテル型レゾール樹脂（住友ベークライト製Ｒ−２５）３０部、メチロール型レゾール樹脂（住友ベークライト製 ＰＲ−５１７２３）７部、ノボラック型樹脂（住友ベークライト製 Ａ−１０８４）４部、水酸化アルミニウム１５部、ガラス繊維（日東紡績製）１０部、焼成クレー１２部、有機質充填材、硬化促進剤、離型剤、顔料他２２部を配合し、加熱ロールにより混練し、冷却後粉砕して得られた粉砕物をタブレット化することにより、タブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物を得た。

なお、レゾール型フェノール樹脂としては、還流コンデンサー撹拌機、加熱装置、真空脱水装置を備えた反応釜内に、フェノール（Ｐ）とホルムアルデヒド（Ｆ）とをモル比（Ｆ／Ｐ）＝１．７で仕込み、これに酢酸亜鉛をフェノール１００重量部に対して０．５重量部添加し、この反応系のｐＨを５．５に調整し、還流反応を３時間行い、その後、真空度１００Torr、温度１００℃で２時間水蒸気蒸留を行って未反応フェノールを除去し、さらに、真空度１００Torr、温度１１５℃で１時間反応させることにより得られた、数平均分子量８００のジメチレンエーテル型のもの（固形）を主成分として用いた。

１．４ 絶縁層上への封止部の形成
まず、成形金型１００が備えるキャビティ１２１に、絶縁層形成用層が形成された基板を、絶縁層形成用層が上側になるように収納するとともに、ポット１１１内にタブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物を収納する。

次に、ポット１１１内の封止部形成用樹脂組成物を加熱溶融しつつ、プランジャー１１２をポット１１１内に挿入する。これにより、加熱および加圧された状態で、溶融した封止部形成用樹脂組成物が絶縁層形成用層を覆うようにキャビティ内に充填させる。

そして、溶融した封止部形成用樹脂組成物と、絶縁層形成用層とを硬化させることにより、基板上に、絶縁層と封止部とがこの順で積層された積層体を得た。

なお、封止部形成用樹脂組成物および絶縁層形成用層を硬化させる際の条件は、以下のように設定した。

・加熱温度 ： １７５℃
・加圧時の圧力 ： ５．０ＭＰａ
・加熱／加圧時間： ３分

１．５ 絶縁層からの基板の剥離
基板上に、絶縁層と封止部とがこの順で積層された積層体において、絶縁層から基板を剥離することで、図７に示す、絶縁層上に封止部が積層された実施例１Ａの試験片を得た。
なお、絶縁層から基板を剥離した際の温度は、室温（２３℃）とした。

（実施例２Ａ〜７Ａ）
前記１．２において成膜する絶縁層形成用層の硬化の状態、前記１．４において封止部を形成する際の条件を表１に示すように変更したこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、実施例２Ａ〜７Ａの試験片を得た。

２．試験片の評価
各実施例の試験片について、それぞれ、その厚さ方向に沿って切断し、得られた切断面の絶縁層と封止部との界面付近を、電子顕微鏡を用いて観察した。

この電子顕微鏡による観察により得られた、各実施例の試験片における前記界面付近の電子顕微鏡写真を図８〜１４に示す。

図８〜１４に示す電子顕微鏡写真から明らかなように、各実施例では、絶縁層と封止部との界面において、空隙が形成されることなく、絶縁層と封止部とが優れた密着性をもって接合されていた。

特に、絶縁層形成用層を半硬化状態とした実施例１〜５では、絶縁層５に含まれるフィラーが封止部６側に分散しており、絶縁層と封止部とがより優れた密着性をもって接合される結果となった。

なお、加圧時の圧力を２．５ＭＰａとした実施例２、４、７では、絶縁層５中に若干のボイドの発生が認められた。

３．誘導装置封止物の製造
以下のようにして誘導装置封止物を製造した。

（実施例１Ｂ）
３．１ 絶縁層形成用樹脂組成物（ワニス）の調製
前記実施例１Ａと同様にして、絶縁層形成用樹脂組成物を調製した。

３．２ 基板上への絶縁層形成用層の成膜
前記実施例１Ａと同様にして、基板上に絶縁層形成用層を成膜した。

３．３ 基板上の絶縁層形成用層への誘導装置の貼り合わせ
コア部とコイルとを有する誘導装置（図１参照）を用意し、この誘導装置と基板とが、絶縁層形成用層を介して互いに接近するように加圧するとともに加熱することで、絶縁層形成用層に誘導装置を貼り合わせた。
なお、絶縁層形成用層に誘導装置を貼り合わせる際の条件は、以下のように設定した。

・加熱温度 ： １８０℃
・加圧時の圧力 ： １ＭＰａ
・加熱／加圧時間： ６０分

３．４ タブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物の調製
前記実施例１Ａと同様にして、ブレット状をなす封止部形成用樹脂組成物を調製した。

３．５ 基板上への誘導装置封止物の形成
成形金型１００が備えるキャビティ１２１に、絶縁層形成用層を介して基板上に貼り合わせられた誘導装置を、誘導装置および絶縁層形成用層が上側になるように収納したこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、基板上に形成された誘導装置封止物を得た。

３．６ 誘導装置封止物の形成
前記実施例１Ａと同様にして、絶縁層から基板を剥離することで、図１に示す構成をなす誘導装置封止物を得た。

４．誘導装置封止物の評価
実施例１Ｂの誘導装置封止物について、基板の厚さ方向に沿って切断し、得られた切断面を、電子顕微鏡等を用いて観察した。

この電子顕微鏡等による観察により得られた、実施例１Ｂの誘導装置封止物における切断面の写真を図１５に示す。

図１５に示す電子顕微鏡写真等から明らかなように、実施例１Ｂの誘導装置封止物では、線状体同士の間に形成される間隙において、コイルの端面が絶縁層に接合する領域に対応する位置では、間隙に絶縁層が埋入していた。

また、間隙の絶縁層が埋入していない領域では、間隙には封止部が充填されていた。
さらに、コイルの端面が絶縁層に接合する領域では、絶縁層がコイルの端面により、絶縁層の厚さ方向において分断されることなく、基板と端面との間には絶縁層が存在している結果となった。

１ 誘導装置
２ コア部
３ コイル
４ 基板
５ 絶縁層
５Ａ 絶縁層形成用層
６ 封止部
７ ハウジング
１０ 誘導装置封止物
３１ 銅線
３２ 樹脂層
３３ 端面
３５ 間隙
４０ 誘導装置封止物
５０ 粘着層
６０ 封止材
７０ ハウジング
７１ 底部
７２ 枠体
１００ 成形金型
１１０ 上型
１１１ ポット
１１２ プランジャー
１１３ 供給路
１２０ 下型
１２１ キャビティ
１３０ 封止部形成用樹脂組成物

Claims (12)

1. 絶縁層と、該絶縁層に支持された発熱体と、前記絶縁層および前記発熱体を覆うことで、前記発熱体を封止する封止部とを有し、
   前記絶縁層は、主として樹脂材料およびフィラーを含有する絶縁層形成用樹脂組成物の硬化物または固化物で構成され、
   前記封止部は、第１の熱硬化性樹脂を含有する封止部形成用樹脂組成物の硬化物で構成されることを特徴とする発熱体封止物。
2. 前記樹脂材料は、第２の熱硬化性樹脂である請求項１に記載の発熱体封止物。
3. 前記第２の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である請求項２に記載の発熱体封止物。
4. 前記フィラーは、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発熱体封止物。
5. 前記第１の熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発熱体封止物。
6. 前記絶縁層と前記封止部との界面において、前記フィラーは、前記封止部側に分散している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発熱体封止物。
7. 基板の一方の面に、主として樹脂材料およびフィラーを含有する絶縁層形成用樹脂組成物を供給して層状とした後、乾燥させることにより、絶縁層形成用層を形成する第１の工程と、
   前記基板と発熱体とが前記絶縁層形成用層を介して互いに接近するように加圧するとともに、前記絶縁層形成用層を加熱することで、前記発熱体を前記絶縁層形成用層に貼り合わせる第２の工程と、
   第１の熱硬化性樹脂を含有する封止部形成用樹脂組成物を溶融させた状態で、前記絶縁層形成用層および前記発熱体を覆うように、前記基板の一方の面側に供給した後、溶融状態の前記封止部形成用樹脂組成物を成形することにより、前記絶縁層形成層を硬化または固化させて、前記基板の一方の面に絶縁層を形成するとともに、前記封止部形成用樹脂組成物を硬化させて、前記絶縁層および前記発熱体を覆うことで前記発熱体を封止する封止部を形成する第３の工程と、
   前記絶縁層から前記基板を剥離する第４の工程とを有することを特徴とする発熱体封止物の製造方法。
8. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発熱体封止物を、前記発熱体である誘導装置の封止に適用したことを特徴とする誘導装置封止物。
9. 前記誘導装置は、コア部と、該コア部に巻回されたコイルとを有している請求項８に記載の誘導装置封止物。
10. 前記コイルは、前記コア部に線状体を巻回することで設けられ、隣接する前記線状体同士の間には間隙が形成され、
    前記間隙において、前記コイルの端面が前記絶縁層に接合する領域に対応する位置では、前記間隙に絶縁層が埋入している請求項９に記載の誘導装置封止物。
11. 前記間隙の前記絶縁層が埋入していない領域おいて、前記間隙には前記封止部が充填されている請求項１０に記載の誘導装置封止物。
12. 請求項７に記載の発熱体封止物の製造方法を、前記発熱体である誘導装置を封止する誘導装置封止物の製造に適用したことを特徴とする誘導装置封止物の製造方法。

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