JP6451867B2 - 金属ベース基板、回路基板および発熱体搭載基板 - Google Patents
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Description
(1) 熱を発する発熱体を電気的に接続して搭載する回路基板を形成するために用いられ、
平板状をなし、純アルミニウムからなる金属板と、
前記金属板の一方の面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層の前記一方の面に形成された回路層とを備える金属ベース基板であって、
前記金属板の平均厚さは、0.3mm以上1.2mm以下、かつ、前記金属板のブリネル硬さは、12HB以上35HB以下であり、さらに、
前記金属板は、該金属板のブリネル硬さをH[HB]とし、前記金属板の厚さをT[mm]としたとき、30<H/T<60なる関係を満足し、
当該金属ベース基板を、反りを矯正する平坦化加工が施されたものとし、121℃・100%RHの水蒸気雰囲気下に168時間放置したとき、
前記樹脂層の吸湿後絶縁破壊電圧値は、5.0kV以上であることを特徴する金属ベース基板。
前記回路層をパターニングすることで形成された、前記発熱体を電気的に接続する端子を備える回路を有することを特徴とする回路基板。
図1は、本発明の金属ベース基板の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」、図1中の下側を「下」とも言う。また、図1では、金属ベース基板およびその各部を誇張して模式的に図示しており、金属ベース基板およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。
樹脂組成物は、上記の通り、主として樹脂材料および無機充填材を含んで構成されている。
なお、本明細書中において、金属板6が純アルミニウムで構成されるとは、金属板6おける、アルミニウム原子を除く他の原子の含有量が0wt%以上1.5wt%以下である場合、すなわち、金属板6におけるアルミニウム原子の純度が98.5wt%以上100wt%以下である場合のことを言う。
図2は、図1に示す金属ベース基板の製造方法を説明するための図、図3は、図1に示す金属ベース基板を製造する際に生じた反りを平坦化する際に用いる平坦化装置を説明するための図である。また、以下では、説明の便宜上、図2、図3中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。さらに、金属ベース基板およびその各部を誇張して模式的に図示しており、金属ベース基板およびその各部の大きさおよびその比率は実際とは大きく異なる。
まず、平板状をなす回路層4を用意し、その後、図2(a)に示すように、回路層4上に樹脂層形成用層5Aを形成する。
すなわち、動的粘弾性測定装置を用いて、この樹脂組成物を60℃から昇温速度3℃/min、周波数1Hzで溶融状態まで昇温したときに、初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ、最低溶融粘度が1×103Pa・s以上1×105Pa・s以下の範囲内であることが好ましい。
このような粘度挙動を有すると、樹脂組成物を加熱硬化して樹脂層5を形成する際に、樹脂組成物中に空気が侵入するのをより抑制できるとともに、樹脂組成物中に溶けている気体を十分に外部に排出できる。その結果、樹脂層5に気泡が生じてしまうことをより抑制でき、回路層4から樹脂層5へ確実に熱を伝えることができる。また、気泡の発生がより抑制されることにより、金属ベース基板10(回路基板)の絶縁信頼性を高めることができる。また、樹脂層5と回路層4との密着性を向上できる。
次に、金属板6を用意し、その後、図2(b)に示すように、回路層4と金属板6とが、樹脂層形成用層5Aを介して互いに接近するように加圧するとともに加熱する。
これにより、樹脂層形成用層5Aに金属板6が貼り合わされる(図2(c)参照。)。
次に、反りが生じた金属ベース基板10に対して、この反りを矯正して、金属ベース基板10を平坦化させる(平坦化加工)。
また、金属板6のブリネル硬さをH[HB]とし、金属板6の厚さ(平均厚さ)をT[mm]としたとき、これらブリネル硬さHと厚さTとの関係H/Tは、H/T<150なる関係を満足することが好ましく、30<H/T<60なる関係を満足することがより好ましい。これにより、樹脂層5中におけるクラックの発生のさらなる抑制または防止が図られる。
以上のような工程を経て、金属ベース基板10が製造される。
まず、各実施例および各比較例の樹脂組成物で用いた原材料を以下に示す。
なお、特に記載しない限り、各成分の配合量は、質量部とする。
熱硬化性樹脂1として、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(三菱化学社製:「1255」)を用意した。
熱硬化性樹脂2として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製:「850S」)を用意した。
硬化剤1として、ジシアンジアミド(デグサ社製)を用意した。
硬化促進剤1として、2−フェニルイミダゾール(四国化成社製:「2PZ」)を用意した。
シランカップリング剤1として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製:「KBM−403」)を用意した。
無機充填材1として、アルミナ(日本軽金属社製:「LS−210B」)を用意した。
無機充填材2として、窒化ホウ素(電気化学工業社製:「SPG−3」)を用意した。
金属板1として、アルミニウム6000系(日本軽金属社製:「A6061−T6」、平均厚さ:0.5mm)を用意した。なお、この金属板1におけるアルミニウムの純度は97.2wt%であり、ブリネル硬さは105HBであった。
金属板2として、アルミニウム5000系(日本軽金属社製:「A5052−H34」、平均厚さ:0.5mm)を用意した。なお、この金属板2におけるアルミニウムの純度は97.2wt%であり、ブリネル硬さは82HBであった。
金属板3−1として、アルミニウム1000系(日本軽金属社製:「A1050−H24」、平均厚さ:0.3mm)を用意した。なお、この金属板3−1におけるアルミニウムの純度は99.5wt%であり、ブリネル硬さは30HBであった。
金属板3−2として、アルミニウム1000系(日本軽金属社製:「A1050−H24」、平均厚さ:0.5mm)を用意した。なお、この金属板3−2におけるアルミニウムの純度は99.5wt%であり、ブリネル硬さは30HBであった。
金属板3−3として、アルミニウム1000系(日本軽金属社製:「A1050−H24」、平均厚さ:1.0mm)を用意した。なお、この金属板3−3におけるアルミニウムの純度は99.5wt%であり、ブリネル硬さは30HBであった。
金属板4として、アルミニウム1080系(日本軽金属社製:「A1080−H12」、平均厚さ:0.5mm)を用意した。なお、この金属板4におけるアルミニウムの純度は99.8wt%であり、ブリネル硬さは19HBであった。
回路層1として、ロール状銅箔(日本電解社製:「YGP−35」)を用意した。
以下のようにして金属ベース基板を製造した。
<樹脂組成物(ワニス)の調製>
熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤および無機充填材として、それぞれ、表1に示すものを、表1に示す質量部で秤量し、これらを、シクロヘキサノン400質量部に溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌することで、樹脂組成物(樹脂ワニス)を調製した。
用意した回路層1を、幅260mm、厚さ35μmの大きさのものとし、この回路層1の粗化面に、予め調製した樹脂組成物をコンマコーターにて塗布し、100℃で3分、150℃で3分加熱乾燥することで、回路層上に厚さ100μmの樹脂層形成用層を形成した。
樹脂層形成用層が形成された回路層1の樹脂層形成用層上に、用意した金属板3を載置し、この状態で、回路層1と金属板3とが、樹脂層形成用層を介して互いに接近するように加圧するとともに加熱することで、樹脂層形成用層を硬化させることにより、回路層1と樹脂層と金属板3とがこの順で積層された実施例1の金属ベース基板を得た。
なお、樹脂層形成用層を硬化させる際の条件は、以下のように設定した。
・加圧時の圧力 :10MPa
・加熱/加圧時間:1.5時間
樹脂組成物(ワニス)の調製の調製する際に用いる熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤および無機充填材として、それぞれ、表1に示すものを用い、これらを表1に示す質量部で秤量したこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2〜8および比較例1〜4の金属ベース基板を得た。
まず、各実施例および各比較例で得られた金属ベース基板について、それぞれ、121℃・100%RHの水蒸気雰囲気下に168時間放置した後に、樹脂層の絶縁破壊電圧値を測定した。すなわち、各実施例および各比較例で得られた金属ベース基板は、それぞれ、反りが生じているものであり、この反りの矯正を施さない状態で、前記水蒸気雰囲気下に曝した後の絶縁層における絶縁破壊電圧値(反り矯正前絶縁破壊電圧値)を測定した。
その結果を表1に示す。
5 樹脂層
5A 樹脂層形成用層
6 金属板
10 金属ベース基板
100 平坦化装置
150 シームレスベルト
200 搬送手段
211 テンショナ
212 テンショナ
213 テンショナ
251 テンショナ
252 テンショナ
253 テンショナ
254 テンショナ
Claims (9)
- 熱を発する発熱体を電気的に接続して搭載する回路基板を形成するために用いられ、
平板状をなし、純アルミニウムからなる金属板と、
前記金属板の一方の面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層の前記一方の面に形成された回路層とを備える金属ベース基板であって、
前記金属板の平均厚さは、0.3mm以上1.2mm以下、かつ、前記金属板のブリネル硬さは、12HB以上35HB以下であり、さらに、
前記金属板は、該金属板のブリネル硬さをH[HB]とし、前記金属板の厚さをT[mm]としたとき、30<H/T<60なる関係を満足し、
当該金属ベース基板を、反りを矯正する平坦化加工が施されたものとし、121℃・100%RHの水蒸気雰囲気下に168時間放置したとき、
前記樹脂層の吸湿後絶縁破壊電圧値は、5.0kV以上であることを特徴する金属ベース基板。 - 当該金属ベース基板は、JIS C 6481に規定の静置法で測定した、前記金属板の反り率が0.2%以下である請求項1に記載の金属ベース基板。
- 前記金属板における、アルミニウム原子を除く他の原子の含有量は、0wt%以上1.5wt%以下である請求項1または2に記載の金属ベース基板。
- 前記回路層は、銅または銅系合金からなる請求項1ないし3のいずれか1項に記載の金属ベース基板。
- 前記樹脂層は、樹脂材料と、無機充填材とを含有する樹脂組成物の硬化物または固化物で構成される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の金属ベース基板。
- 前記樹脂組成物は、さらに、カップリング剤を含有する請求項5に記載の金属ベース基板。
- 前記無機充填材は、主として酸化アルミニウムで構成された粒状体である請求項5または6に記載の金属ベース基板。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の金属ベース基板を用いて形成された回路基板であって、
前記回路層をパターニングすることで形成された、前記発熱体を電気的に接続する端子を備える回路を有することを特徴とする回路基板。 - 請求項8に記載の回路基板と、前記端子に電気的に接続して、当該回路基板に搭載された前記発熱体とを備えることを特徴とする発熱体搭載基板。
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